TWI261290B - Removal of contaminants using supercritical processing - Google Patents
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1261290 (1) 玖、發明說明 本發明專利申請案主張在3 5 U . S · C _ § 1 1 9下之2 0 0 2
年3月22日提出之共待審共有之美國預備專利申請 6 0 / 3 6 7,5 3 7號,標題爲「於超臨界二氧化碳處理後避免工 件 污染 之方法 (METHOD OF AD VOIDING CONTAMINATION O F WORKPIECE AFTER SUPERCRITIC AL CARBON DIOXIDE TREATMENT)」的優 先權,該案全文係以提及的方式倂入本文中。 發明所屬之技術領域 本發明有關半導體裝置或其他物體製造中去除殘留物 與污染物之領域。更特別的是,本發明有關使用超臨界二 氧化碳,自半導體晶圓、基板與其他需要低污染水準之平 坦介質去除光阻、光阻殘留物與其他殘留物及污染物的領 域。 習知技術 積體電路之製造方法包括在半導體晶圓上形成佈線圖 案層,該半導體晶圓中及該晶圓表面上形成電活性區。該 製造方法其中一部分係使用稱爲照相平版印刷術或光學掩 蔽之掩蔽處理將圖案轉印至該晶圓上。掩蔽作用包括以任 何適用方法將光反應性聚合物或光阻塗覆於該晶圓上,諸 如旋轉該晶圓,使液態光阻均勻分佈在該晶圓表面上。在 代表性半導體製造方法中,重複數次該掩蔽處理。在同一 -6 - (2) 1261290 晶圓上可以使用正型或負型光阻層的各種組合。 通常,加熱或「輕度烘烤」該塗覆光阻晶圓’以改善 光阻與該基板表面之黏著性。光學對準器使該晶圓與光 罩對準,然後使部分塗覆光阻之晶圓曝於高能量光線下, 如此在該光阻層中形成一圖案作爲潛像。然後,使用顯影 劑使曝光之光阻部分顯影。使用正型光阻時,該光阻曝光 於高能量光線的顯影部分會被溶解。反之,使用負型光阻 時,該光阻的未顯影部分會被溶解。進行淸洗與沖洗步 驟,選擇性去除已溶解光阻。進行乾燥步驟。通常,剩餘 光阻的表面因紫外線照射而硬化。然後,使用鈾刻處理, 蝕刻處理中,以任何適用方法,諸如電漿灰化/蝕刻或濕 式化學蝕刻等,去除該未受保護(S卩,未塗覆)基板、介電 質或導電層。 於製造半導體裝置中使用蝕刻處理時,必須自經蝕刻 表面去除殘留物與污染物,以達到高產率。去除光阻、光 阻殘留物與其他殘留物與污染物,諸如殘留蝕刻反應物與 副產物已習知爲去除塗層作用。現有的去除塗層方法包括 乾式化學去除法與濕式化學去除法。乾式去除法通常係指 使一表面與一種呈氣態電漿狀態之乾燥化學物質接觸,以 去除殘留蝕刻處理材料。濕式去除法通常係指使一表面與 一種液態化學溶液接觸。 例如’現有濕式去除技術包括需要將半導體晶圓浸入 習知爲去除劑之化學物質混合物槽的方法。此等槽可能包 括加熱或增強超音波。通常,此等槽使用的浸漬時間爲二 1261290 (3) 十至三十分鐘,以達到完全去除光阻與光阻殘留物。其他 現有濕式去除方法中,當擾動的液體或噴霧通過晶圓表面 時,去除殘留物。現有方法亦可旋轉半導體晶圓,同時將 一種淸潔溶液噴淋在該晶圓上以沖洗表面,然後旋轉乾燥 該晶圓。此外,例如,如美國專利申請案〇9m 69 5 6號, 標題爲「沖洗殘留蝕刻反應物/半導體晶圓上產物之方法 (Method of Rinsing Residual Etching Reactants / Products on a Semiconductor Wafer)」所述,旋轉晶圓同時噴淋淸 潔溶液,並旋轉乾燥該晶圓之技術亦涉及以氮吹掃旋轉乾 燥該晶圓。 不幸的是,特別是臨界尺寸在次微米範圍,諸如低於 0.2 5微米時,乾式與濕式去除方法均未提供適當去除特徵 爲高縱橫比開口之半導體裝置上殘留物與污染物的方法。 例如,200 1年 6月5日由 Vaartstra提出之美國專利 6,24 2, 1 6 5號標題「去除有機材料之超臨界組成物與使用 彼之方法(Supercritical Compositions for Removal of Organic Material and Methods of Using same)」所討論, 習用去除塗層技術無法適當去除硬化光阻及/或側壁沈積 之抗蝕劑或殘留物,也無法適當去除臨界尺寸小於0.2 5 微米之裝置結構的難以處理裂隙或凹槽中之殘留物。由於 表面張力與毛細作用緣故,到達欲去除光阻或殘留物處之 溶劑受限,所以濕式去除化學物質用於凹槽與裂縫時變得 沒有效果。由於形成使用電漿灰化處理(如1 6 5號專利所 述)不容易去除之側壁聚合物一其係因電漿蝕刻副產物與 -8- (4) 1261290 該結構側壁交互作用而發生一乾式技術亦 槽與裂縫中之光阻或殘留物。 半導體製造方法中之各種處理步驟有 難度的傾向。例如,以活性離子蝕刻或離 表面硬化會提局去除抗蝕劑或殘留物之 如,輕度烘烤與紫外線照射硬化步驟可育g 化學變化,其提高使用現有去除塗層方法 染物的困難度。 與現有去除塗層法有關的其他問題包 的成本、來自環保團體對於半導體產業的 訴無塵室工作造成健康問題。因此,半導 發展更有效率而且生態保護之去除塗層方 風險以及減少半導體裝置製造中所使用之 是相當重要的。 處於超臨界狀態的流體稱爲超臨界流 體施加使其密度達到液體密度之壓力與溫 流體會進入超臨界狀態。超臨界流體的特 與增溶性質,此等性質通常伴隨呈液態組 界流體亦具有低黏度,此係呈氣態組成物 已使用超臨界流體去除表面之殘留物 萃取污染物。例如,2 0 0 2年4月9曰由 請之美國專利 6,3 6 7,49 1號,標題爲 Contaminant Removal Using Natural Com Changes in Solubility Concentration by 無法完全去除凹 提高去除光阻困 子植入法使光阻 困難。另外,例 會造成光阻中之 去除殘留物與污 括水與化學物質 壓力以及員工控 體製造領域中, 法,以降低安全 化學物質與水量 體。當對一種流 度的組合時,該 徵係高度溶劑化 成物發生。超臨 的特徵。 或是自各種材料 M a r s h a 11等人申 cc Apparatus f 〇 r section Flow and Temperature”)^- (5) 1261290 述,已使用超臨界與近超臨界流體作爲自物件淸潔污染物 之溶劑;引述 NASA Tech Brief MFS-2 96 1 1 ( 1 9 9 0 年 12 月),說明使用超臨界二氧化碳代替用以淸洗金屬部件表 面之有機與無機污染物的習用烴溶劑。 半導體晶圓淸潔中已使用超臨界流體。例如, Nishikawa等人於1"〇年7月31日申請之美國專利 4,9 4 4,8 3 7號,標題爲「在超臨界氣氛中處理物件之方法 (Method of Processing an Article in a Supercritical Atmosphere)」,其中揭示一種使用超臨界二氧化碳去除 曝光有機光阻膜之途徑。在半導體裝置與其他物體製造方 法中,仍然需要使用更有效而且具成本效率之去除塗層方 法,其超臨界二氧化碳洋廣範圍之有機與無機材料,諸如 高分子量非極性與極性化合物,以及離子化合物。 所需要的是使用超臨界二氧化碳去除半導體晶圓、基 板與其他需要低污染水準方法平坦介質上之光阻、光阻殘 留物以及其他殘留物與污染物,諸如殘留蝕刻反應物與副 產物的更有效且有效率方法。 發明內容 本發明第一實例係淸潔一物體表面之方法。將該物體 置於一個位於壓力室內之承載區。然後加壓該壓力室。進 行淸潔處理。進行一系列降壓循環。然後使該壓力室通 風。 本發明第二實例係自一物體表面去除污染物之方法。 -10- (6) 1261290 將該物體置於一個位於壓力室內之承載區。然後加壓目亥壓 力室。進行淸潔處理。然後加壓該壓力室’將淸潔化學物 質排出該壓力室。進行一系列降壓循環。然後使該壓力室 通風。 第三實例係自一半導體晶圓表面去除污染物之方法。 將該晶圓置於一個位於壓力室內之承載區。然後將該壓力 室加壓至足以形成超臨界流體之第一壓力。將淸潔化學物 質注入該壓力室。將該壓力室之壓力提高至第二壓力。該 淸潔化學物質係在該壓力室內循環。進提高該壓力室之壓 力,將淸潔化學物質排出該壓力室。進行一系列降壓循 環。然後使該壓力室通風。 桌四貫例係一種用以去除物體表面污染物之設備。一 壓力室包括一物體支座。用以加壓該壓力室之工具、用以 進行淸潔處理之工具。用以進行一系列降壓循環之工具。 用以通風該壓力室之工具。 實施方式 以下爹考附圖之詳細描述係舉例說明本發明各種實 例。不應認爲本發明受限於前述之實例。因此,下文詳細 說明不具限制意味’而本發明範圍係由附錄之申請專利範 圍所界定。 本發明有關淸潔一物體表面 > 方沣,^ _ π a a η 衣囬Ζ万压,該物體係諸如已 根據半導體裝置製造技術中廣爲人初々卡、 十廣爲人知之方法進行蝕刻的半 導體基板。 -11 - (7) !261290 去除光阻、光阻殘留物與諸如殘留蝕刻反應物與副產 7物等其他殘留物與污染物的方法習知爲去除塗層作用。現 有之去除塗層技術無法適當去除硬化光阻及/或側壁沈積 ,之抗蝕劑或殘留物,或者特別是臨界尺寸在次微米範圍內 之裝置結構的難以處理裂縫或凹槽中之殘留物與污染物。 例如’由於表面張力與毛細作用緣故,到達欲去除光阻或 殘留物處之溶劑受限,所以濕式去除化學物質用於凹槽與 裂縫時變得沒有效果。半導體製造方法,諸如以紫外線照 射、活性離子鈾刻或離子植入使表面硬化,可能會提高使 用現有去除塗層法去除殘留物與污染物的困難度。 爲了克服先前技術中所遭遇到去除光阻、光阻殘留物 與諸如殘留蝕刻反應物與副產物等其他殘留物及污染物的 問題’已發展更有效率與生態保護之淸潔方法及設備,以 降低安全風險以及減少半導體裝置與其他物體製造中所使 用之化學物質與水量。本發明之方法與設備使用低黏度且 具有高度溶劑化與增溶性質的二氧化碳,以協助進行該淸 潔處理。 針對本發明目的,必須暸解「二氧化碳」係指作爲流 體之呈液態、氣態或超臨界狀態(包括近超臨界狀態)二氧 化碳(C02)。 「液態二氧化碳」係指處於氣相-液相均衡狀 態之C02。若使用液態C02,所使用之溫度低於30.5°c爲 佳。本文中「超臨界二氧化碳」係指處於臨界溫度(3 〇 . 5 t )與臨界壓力(7.38 MPa)以上狀態之C02。對C02施加分 別高於7.3 8 MP a與3 0 . 5 °C之壓力與溫度時,已決定其呈 -12- (8) 1261290 超臨界狀態。「近超臨界狀態」係指C 02在約8 5 %絕對臨 界溫度與臨界壓力下。 在較佳實例中,可以組成物形式提供該液態或二氧化 碳。較適用於本發明方法與設備之液態或超臨界C〇2組成 物可包括超臨界C 02與一種淸潔化學物質。較佳情況係, 該淸潔化學物質加強超臨界C 02的性質,促進兩性物質與 污染物結合,並去除該載有化學物質超臨界co2中之污染 物。須暸解,提出組成物的實例中,本發明組成物的主要 組份是液態或超臨界C Ο 2。 可使用本發明方法與設備淸潔各種物體,諸如基板與 其他平坦介質。就本發明目的而言,必須暸解「淸潔」與 本技術中其習用意義一致。本文所使用之「基板」包括很 多結構,諸如沈積有光阻或殘留物之半導體裝置結構。基 板可爲單層材料,諸如矽晶圓,或是可包括任何數量之 層。基板可由各種材料組成,包括金屬、陶瓷、玻璃或其 組成物。 使用本發明方法與設備可以有效去除很多材料。可以 根據本發明去除例如光阻、光阻殘留物、含氟碳聚合物, 諸如由氧化物蝕刻處理與電漿蝕刻處理形成者,以及其他 殘留物與污染物,諸如殘留蝕刻反應物與副產物。本發明 方法與設備特別有利於去除紫外線照射硬化之光阻、活性 離子蝕刻或離子植入硬化抗蝕劑,以及在臨界尺寸小於 〇 . 2 5微米之裝置結構裂縫或凹槽中之殘留物與污染物。 圖1顯示:根據本發明淸潔一物體表面之方法的流程 -13- 1261290 Ο) (1 ο 〇 )。將該物體置於在壓力室內之承載區(1 0)。然後加壓 該壓力室(2〇)。進行淸潔處理(30)、進行一系列加壓循環 (4 0 )。然後使壓力室通風至大氣壓力(5 0 )。 可以氣態、液態、超臨界或近超臨界C02加壓(20)該 壓力室。以C02將壓力室加壓(20)至25 00 psi爲佳。 流程(1〇〇)所使用之溫度範圍在約30°C至25〇°C範圍 內爲佳。一較佳實例中,維持該壓力室內之承載區的溫 度,使在物體上之冷凝作用最小。爲了使物體上之冷凝作 用最小,該承載區之溫度高於壓力室內之C 02爲佳。該壓 力室內之承載區的溫度維持在約6 5 °C更佳。 圖2係一流程圖,其說明淸潔處理(3 0 a),對應於進 行圖1所示之流程(1〇〇)的淸潔處理(30)。該淸潔處理(30a) 包括將一種淸潔化學物質注入該壓力室內(3 1 ),加壓該壓 力室(32),以及在該壓力室內循環該淸潔化學物質(33)。 可以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓 (32)該壓力室。以二氧化碳將壓力室加壓(32)至2800 psi 爲佳。較佳實例中,在該內循環淸潔化學物質(3 3 ) —段時 間以去除污染物。就本發明目的而言,「污染物」係指廣 泛之有機與無機材料,諸如高分子量非極性與極性化合 物,以及離子化合物、光阻、光阻殘留物與其他殘留物, 諸如殘留蝕刻反應物與副產物,或是其組合物。該段去除 污染物的時間三分鐘爲佳。該段時間大約兩分鐘更佳。須 明白,在壓力室內循環一種淸潔化學物質一段時間以去除 污染物的實例中,「污染物」係指一種污染物的至少一部 -14- (10) 1261290 分。 如圖1所示,進行一系列降壓循環(4 0 )包括進行至少 兩次降壓循環爲佳。進行一系列降壓循環(4〇)包括進行一 系列降壓循環(4 0 ),使該壓力室的壓力保持高於超臨界壓 力更佳。更佳情況的是,進行一系列降壓循環(40)包括進 行一系列降壓循環(40),使每個降壓循環係自大約2900 p s i開始,並降至大約2 5 0 0 p s i。須明白,使用降壓循環 的實例中,「降壓循環」係指降壓循環與加壓循環。 圖3係一流程圖,其說明淸潔處理(30b),亦對應於 進行圖1所示之流程(100)的淸潔處理(3〇)。該淸潔處理 (3 Ob)包括將一種淸潔化學物質注入該壓力室內(34),加壓 該壓力室(35),在該壓力室內循環該淸潔化學物質(36), 以及加壓該壓力室,將該淸潔化學物質排出該壓力室 (3 7)。可以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓 該壓力室。較佳情況係,以C02將該壓力室加壓至3 0 00 P si,將該淸潔化學物質排出該壓力室(37)。 圖4說明一種根據本發明自半導體晶圓表面去除污染 物之方法。將該晶圓置於一壓力室內之承載區上。然後將 該壓力室加壓至足以形成超臨界流體之第一壓力。將一種 淸潔化學物質注入該壓力室。將該壓力室之壓力提高至第 二壓力。在該壓力室內循環該淸潔化學物質。將該壓力室 之壓力提高至第二壓力,將淸潔化學物質排出該壓力室。 進行一系例降壓循環。然後使該壓力室通風。 其他較佳實例係自一物體表面去除污染物之設備。該 -15- (11) 1261290 設備包括高壓處理室(「壓力室」),其包括一個物體支 座。有關該壓力室的細節揭示於2 0 0 1年7月1日申請之 共有且共待審之美國專利申請案〇9/9i 2,844號,其標頭 爲 「半導體基板用之高壓處理室(HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE)」,以及 2001 年 10 月 3 曰申請之 09/970,309號,標題爲「多重半導體基板用之高壓處理室 (A HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR MULTIPLE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE)」,此等申請 案全文係以提及的方式倂入本文中。利用經由與C02泵連 接之液態或二氧化碳供應容器’並進行栗唧,將液態或超 臨界C Ο 2提供至該壓力室。可以預加壓該液態或超臨界 C 0 2。須暸解,在提供組成物之實例中,可以使用額外組 份作爲淸潔化學物質。提出一種工具加壓該壓力室’諸如 泵。提供一種工具進行淸潔處理。提供一種工具進行一系 列降壓循環。提供一種工具使該壓力室通風。在一實例 中,再循環該液態或超臨界C 0 2,提供一種封閉式系統。 自一物體表面去除污染物之本發明方法與設備是更有 效率而且更生態保護之淸潔處理與設備,其降低安全性風 險,並減少半導體裝置製造中所使用的化學物質與水量, 而且絕對可與作爲導電層及基板的晶圓金屬化作用相容。 雖然已就說明目的詳細描述本發明之方法與設備’但 是本發明方法與設備不應局限於此。相相熟悉本技術之人 土很容易明白,在不違背附錄申請專利範圍所界定之本發 -16- (12) 1261290 明精神與範圍下,可以對前述較佳實例進行各種改良。 圖式簡單說明 參考附圖將可更明暸本發明,其中: 圖】係一流程圖,顯示根據本發明淸潔物體表面之方 法的流程。
圖2係一流程圖,說明淸潔處理(3 〇 a ),其對應於進 行圖1所示流程(1 〇 0 )之淸潔處理(3 0 )。 圖3係一流程圖,說明淸潔處理(3 〇 b ),其亦對應於 進行圖1所示流程(100)之淸潔處理(30)。 圖4係壓力/時間圖,其目的在於說明本發明方法。
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Claims (1)
1261290 拾、申請專利範圍 附件2A :第92 1 065 22號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 民國9 4年1 0月18日修正 1.一種清潔物體表面之方法,包含: a.將該物體置於一壓力室內之承載區上; 岑 b .加壓該壓力室; S C.進行清潔處理,其中在該壓力室中循環一種清潔化 學物質; d.加壓該壓力室,以將至少一部分之該清潔化學物質 排出該壓力室; e .進行一系列降壓循環,其中該壓力室中之壓力保持 在筒於超臨界壓力;及 .- f.使該壓力室通風。 ^ 2 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中該物體係一 種基板,其選自金屬、陶瓷、半導體、玻璃與其複合混合 物。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中維持該壓力 室內之承載區的溫度,使物體上之冷凝作用最小。 4. 如申請專利範圍第3項之方法,其中加壓該壓力 室包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓該 壓力室,而且其中該壓力室內之承載區的溫度高於該二氧 化碳。 5. 如申請專利範圍第3項之方法,其中該壓力室內 1261290 之承載區的溫度維持在大約6 5 °C。 6. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該物體表面 載有光阻殘留物。 7. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該物體表面 載有殘留鈾刻反應物/副產物。 8 .如申請專利範圍第1項之方法,其中加壓該壓力 室包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓該 壓力室。 9. 如申請專利範圍第8項之方法,其中以二氧化碳 加壓該壓力室包含以二氧化碳將該壓力室加壓至 2 5 00 p s i 〇 10. 如申請專利範圍第1項之方法,其中進行清潔處 理之步驟中尙包含: a.將一種清潔化學物質注入該壓力室;及 b ·加壓該壓力室。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之方法,其中加壓該壓 力室包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓 該壓力室。 12.如申請專利範圍第1 1項之方法,其中以二氧化 碳加壓該壓力室包含以二氧化碳將該壓力室加壓至2800 p s i 〇 1 3 .如申請專利範圍第1項之方法,其中在該壓力室 內循環該清潔化學物質包含在該壓力室內循環該清潔化學 物質一段時間,去除該物體表面之污染物。 1261290 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之方法,其中該段時間 約等於三分鐘。 15.如申請專利範圍第1 3項之方法,其中該段時間 約等於兩分鐘。 】6 .如申請專利範圍第1 〇項之方法,其中進行清潔 處理進一步包含加壓該壓力室,以將該清潔化學物質排出 該壓力室。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之方法,其中加壓該壓 力室以便將清潔化學物質排出該壓力室包含以氣態、液 態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓該壓力室,以便將清 潔化學物質排出該壓力室。 18·如申請專利範圍第1 7項之方法,其中以二氧化 碳加壓該壓力室包含以將該壓力室加壓至3000 psi。 1 9 .如申請專利範圍第1項之方法,其中進行一系列 降壓循環包含進行至少兩次降壓循環。 2 0.如申請專利範圍第1項之方法,其中進行一系列 降壓循環包含進行一系列降壓循環,使每次降壓循環係由 約290 0 p si開始,並降至約2 5 00 psi。 2 1 . —種自物體表面去除至少一部分材料之方法,該 材料係選自光阻、光阻殘留物、殘留蝕刻反應物/副產 物,及其組合物,該方法包含: a.將該物體置於壓力室內之承載區上; b .加壓該壓力室; c.進行清潔處理,其中在該壓力室中循環一種清潔化 1261290 學物質; d。加壓該壓力室,以將至少一部分之該清潔化學物質 排出該壓力室; e ·進行一系列降壓循環,其中該壓力室中之壓力保持 在高於超臨界壓力;及 f.使該壓力室通風。 2 2. —種自物體表面去除污染物之方法,包含: a.將該物體置於壓力室內之承載區上; b ·加壓該壓力室; c. 進行清潔處理; d ·加壓該壓力室,以便將清潔化學物質排出該壓力 室; e .進行一系列降壓循環;以及 f.使該壓力室通風。 2 3 . —種自半導體晶圓表面去除污染物之方法,包含 以下步驟: a. 將該晶圓置於壓力室內之承載區上 b. 將該壓力室加壓至足以形成超臨界流體之第一壓 力; c .將一種清潔化學物質注入該壓力室內; d. 將該壓力室之壓力提高至第二壓力; e. 在該壓力室入循環該清潔化學物質; f. 將該壓力室之壓力提高,以便將清潔化學物質排出 該壓力室; -4- 1261290 g.進行一系列降壓循環;以及 h .使該壓力室通風。 24.如申請專利範圍第23項之方法’其中進行一系 列降壓循環,使該壓力室保持高於超臨界壓力。 2 5 . —種自物體表面去除污染物之設備’包含: a. 包含一物體支座之壓力室; b. 用以加壓該壓力室之工具; c. 用以進行清潔處理之工具; d .用以進行一系列降壓循環之工具;以及 e.用以使該壓力室通風之工具。 2 6.如申請專利範圍第25項之設備,其中該物體係 一種基板,其選自金屬、陶瓷、玻璃與其複合混合物。 27. 如申請專利範圍第25項之設備,其中維持承載 該物體的工具之溫度,使物體上之冷凝作用最小。 28. 如申請專利範圍第2 5項之設備,其中用以加壓 該壓力室之工具包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二 氧化碳加壓該壓力室之工具,而且其中承載該物體的工具 之溫度高於該二氧化碳。 2 9.如申請專利範圍第2 5項之設備,其中該污染物 係一種光阻殘留物。 3 0.如申請專利範圍第2 5項之設備,其中該污染物 係殘留蝕刻反應物/副產物。 3 1.如申請專利範圍第2 5項之設備,其中加壓該壓 力室之工具包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化 1261290 碳加壓該壓力室之工具。 3 2 .如申請專利範圍第3 1項之設備,其中以二氧化 碳加壓該壓力室之工具包含以二氧化碳將該壓力室加壓至 2500 psi之工具。 3 3.如申請專利範圍第2 5項之設備,其中進行清潔 處理之工具包含: a. 將清潔化學物質注入該壓力室之工具; b. 加壓該壓力室之工具;以及 c .循環該清潔化學物質之工具。 34.如申請專利範圍第3 3項之設備,其中以二氧化 碳加壓該壓力室之工具包含以氣態、液態、超臨界或近超 臨界二氧化碳加壓該壓力室之工具。 3 5.如申請專利範圍第3 4項之設備,其中以二氧化 碳加壓該壓力室之工具包含以二氧化碳將該壓力室加壓至 2800 psi之工具。 3 6.如申請專利範圍第3 3項之設備,其中循環清潔 化學物質之工具包含循環該清潔化學物質一段時間,以去 除物體表面上之污染物的工具。 3 7.如申請專利範圍第3 6項之設備,其中該段時間 約等於三分鐘。 3 8 .如申請專利範圍第3 6項之設備,其中該段時間 約等於兩分鐘。 3 9.如申請專利範圍第3 3項之設備,其中進行清潔 處理之膜進一步包含加壓該壓力室,以將該清潔化學物質 -6- 1261290 排出該壓力室之工具。 40.如申請專利範圍第39項之設備,其中加壓該壓 力室以將該清潔化學物質排出該壓力室之工具包含以氣 態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓該壓力室,以 將該清潔化學物質排出該壓力室之工具。 4 1。如申請專利範圍第4 0項之設備,其中以二氧化 碳加壓該壓力室之工具包含以二氧化碳將該壓力室加壓至 3000 psi之工具。 42.如申請專利範圍第25項之設備,其中進行一系 列降壓循環之工具包含進行至少兩次降壓循環之工具。 4 3.如申請專利範圍第2 5項之設備,其中進行一系 列降壓循環之工具包含進行一系列降壓循環,使每個降壓 循環自約2900 psi開始,並降至約2 5 00 psi之工具。 44.如申請專利範圍第25項之設備,其中進行一系列 降壓循環之工具包含進行一系列降壓循環,使該壓力室保 持高於超臨界壓力之工具。 -Ί -
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Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6858089B2 (en) * | 1999-10-29 | 2005-02-22 | Paul P. Castrucci | Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning |
US7011716B2 (en) * | 2003-04-29 | 2006-03-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products |
US20050288485A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Mahl Jerry M | Method and apparatus for pretreatment of polymeric materials utilized in carbon dioxide purification, delivery and storage systems |
DE102006061444A1 (de) * | 2006-12-23 | 2008-06-26 | Mtu Aero Engines Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Aufbringung eines Schutzmediums auf eine Turbinenschaufel sowie Verfahren zur Einbringung von Kühlbohrungen in eine Turbinenschaufel |
CN102346381A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-08 | 中国科学院微电子研究所 | 高温高压水辅助的超临界二氧化碳剥离光刻胶的装置及方法 |
US8551257B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-10-08 | Empire Technology Development Llc | Supercritical noble gases and cleaning methods |
TWI826650B (zh) | 2012-11-26 | 2023-12-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理 |
WO2017062141A1 (en) | 2015-10-04 | 2017-04-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support and baffle apparatus |
JP6644881B2 (ja) | 2015-10-04 | 2020-02-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高アスペクト比フィーチャ向けの乾燥プロセス |
JP6703100B2 (ja) | 2015-10-04 | 2020-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 容積が縮小された処理チャンバ |
KR102062873B1 (ko) | 2015-10-04 | 2020-01-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 작은 열 질량의 가압 챔버 |
WO2020056355A1 (en) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | Desktop Metal, Inc. | Techniques for depowdering additively fabricated parts via rapid pressure change and related systems and methods |
US11136674B2 (en) * | 2018-12-21 | 2021-10-05 | Raytheon Technologies Corporation | Turbine blade internal hot corrosion oxide cleaning |
KR20220026713A (ko) * | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리방법과, 그에 따른 기판처리장치 및 반도체 소자 제조방법 |
JP2023036123A (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (95)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2439689A (en) * | 1948-04-13 | Method of rendering glass | ||
US2617719A (en) * | 1950-12-29 | 1952-11-11 | Stanolind Oil & Gas Co | Cleaning porous media |
US2993449A (en) * | 1959-03-09 | 1961-07-25 | Hydratomic Engineering Corp | Motor-pump |
US3135211A (en) * | 1960-09-28 | 1964-06-02 | Integral Motor Pump Corp | Motor and pump assembly |
US3642020A (en) * | 1969-11-17 | 1972-02-15 | Cameron Iron Works Inc | Pressure operated{13 positive displacement shuttle valve |
GB1392822A (en) * | 1971-03-02 | 1975-04-30 | Comitato Nazionale Per Lenergi | Extraction of metals from solutions |
US3890176A (en) * | 1972-08-18 | 1975-06-17 | Gen Electric | Method for removing photoresist from substrate |
US4341592A (en) * | 1975-08-04 | 1982-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment |
US4219333A (en) * | 1978-07-03 | 1980-08-26 | Harris Robert D | Carbonated cleaning solution |
US4349415A (en) * | 1979-09-28 | 1982-09-14 | Critical Fluid Systems, Inc. | Process for separating organic liquid solutes from their solvent mixtures |
US4475993A (en) * | 1983-08-15 | 1984-10-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Extraction of trace metals from fly ash |
US4877530A (en) * | 1984-04-25 | 1989-10-31 | Cf Systems Corporation | Liquid CO2 /cosolvent extraction |
US4749440A (en) * | 1985-08-28 | 1988-06-07 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
US4925790A (en) * | 1985-08-30 | 1990-05-15 | The Regents Of The University Of California | Method of producing products by enzyme-catalyzed reactions in supercritical fluids |
DE3861050D1 (de) * | 1987-05-07 | 1990-12-20 | Micafil Ag | Verfahren und vorrichtung zum extrahieren von oel oder polychloriertem biphenyl aus impraegnierten elektrischen teilen mittels eines loesungsmittels sowie destillation des loesungsmittels. |
DE3725565A1 (de) * | 1987-08-01 | 1989-02-16 | Peter Weil | Verfahren und anlage zum entlacken von gegenstaenden mit einem tauchbehaelter mit loesungsmittel |
US5105556A (en) * | 1987-08-12 | 1992-04-21 | Hitachi, Ltd. | Vapor washing process and apparatus |
US4838476A (en) * | 1987-11-12 | 1989-06-13 | Fluocon Technologies Inc. | Vapour phase treatment process and apparatus |
US5238671A (en) * | 1987-11-27 | 1993-08-24 | Battelle Memorial Institute | Chemical reactions in reverse micelle systems |
US4933404A (en) * | 1987-11-27 | 1990-06-12 | Battelle Memorial Institute | Processes for microemulsion polymerization employing novel microemulsion systems |
US5266205A (en) * | 1988-02-04 | 1993-11-30 | Battelle Memorial Institute | Supercritical fluid reverse micelle separation |
US5185296A (en) * | 1988-07-26 | 1993-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming a dielectric thin film or its pattern of high accuracy on a substrate |
US5013366A (en) * | 1988-12-07 | 1991-05-07 | Hughes Aircraft Company | Cleaning process using phase shifting of dense phase gases |
WO1990009233A1 (en) * | 1989-02-16 | 1990-08-23 | Pawliszyn Janusz B | Apparatus and method for delivering supercritical fluid |
US5068040A (en) * | 1989-04-03 | 1991-11-26 | Hughes Aircraft Company | Dense phase gas photochemical process for substrate treatment |
US5288333A (en) * | 1989-05-06 | 1994-02-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefore |
US4923828A (en) * | 1989-07-07 | 1990-05-08 | Eastman Kodak Company | Gaseous cleaning method for silicon devices |
JP2888253B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1999-05-10 | 富士通株式会社 | 化学気相成長法およびその実施のための装置 |
US5213619A (en) * | 1989-11-30 | 1993-05-25 | Jackson David P | Processes for cleaning, sterilizing, and implanting materials using high energy dense fluids |
US5196134A (en) * | 1989-12-20 | 1993-03-23 | Hughes Aircraft Company | Peroxide composition for removing organic contaminants and method of using same |
US5269850A (en) * | 1989-12-20 | 1993-12-14 | Hughes Aircraft Company | Method of removing organic flux using peroxide composition |
US5370741A (en) * | 1990-05-15 | 1994-12-06 | Semitool, Inc. | Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous chemical vapors |
US5071485A (en) * | 1990-09-11 | 1991-12-10 | Fusion Systems Corporation | Method for photoresist stripping using reverse flow |
US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
JP2782560B2 (ja) * | 1990-12-12 | 1998-08-06 | 富士写真フイルム株式会社 | 安定化処理液及びハロゲン化銀カラー写真感光材料の処理方法 |
US5306350A (en) * | 1990-12-21 | 1994-04-26 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Methods for cleaning apparatus using compressed fluids |
DE69231971T2 (de) * | 1991-01-24 | 2002-04-04 | Purex Co., Ltd. | Lösungen zur Oberflächenbehandlung von Halbleitern |
US5185058A (en) * | 1991-01-29 | 1993-02-09 | Micron Technology, Inc. | Process for etching semiconductor devices |
US5201960A (en) * | 1991-02-04 | 1993-04-13 | Applied Photonics Research, Inc. | Method for removing photoresist and other adherent materials from substrates |
DE59204395D1 (de) * | 1991-05-17 | 1996-01-04 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zum Färben von hydrophobem Textilmaterial mit Dispersionsfarbstoffen aus überkritischem CO2. |
US5356538A (en) * | 1991-06-12 | 1994-10-18 | Idaho Research Foundation, Inc. | Supercritical fluid extraction |
US5225173A (en) * | 1991-06-12 | 1993-07-06 | Idaho Research Foundation, Inc. | Methods and devices for the separation of radioactive rare earth metal isotopes from their alkaline earth metal precursors |
US5274129A (en) * | 1991-06-12 | 1993-12-28 | Idaho Research Foundation, Inc. | Hydroxamic acid crown ethers |
US5174917A (en) * | 1991-07-19 | 1992-12-29 | Monsanto Company | Compositions containing n-ethyl hydroxamic acid chelants |
US5320742A (en) * | 1991-08-15 | 1994-06-14 | Mobil Oil Corporation | Gasoline upgrading process |
US5431843A (en) * | 1991-09-04 | 1995-07-11 | The Clorox Company | Cleaning through perhydrolysis conducted in dense fluid medium |
GB2259525B (en) * | 1991-09-11 | 1995-06-28 | Ciba Geigy Ag | Process for dyeing cellulosic textile material with disperse dyes |
EP0543779A1 (de) * | 1991-11-20 | 1993-05-26 | Ciba-Geigy Ag | Verfahren zum optischen Aufhellen von hydrophobem Textilmaterial mit dispersen optischen Aufhellern in überkritischem CO2 |
KR930019861A (ko) * | 1991-12-12 | 1993-10-19 | 완다 케이. 덴슨-로우 | 조밀상 기체를 이용한 코팅 방법 |
AU667337B2 (en) * | 1991-12-18 | 1996-03-21 | Schering Corporation | Method for removing residual additives from elastomeric articles |
US5474812A (en) * | 1992-01-10 | 1995-12-12 | Amann & Sohne Gmbh & Co. | Method for the application of a lubricant on a sewing yarn |
JPH0613361A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
US5401322A (en) * | 1992-06-30 | 1995-03-28 | Southwest Research Institute | Apparatus and method for cleaning articles utilizing supercritical and near supercritical fluids |
US5352327A (en) * | 1992-07-10 | 1994-10-04 | Harris Corporation | Reduced temperature suppression of volatilization of photoexcited halogen reaction products from surface of silicon wafer |
US5370742A (en) * | 1992-07-13 | 1994-12-06 | The Clorox Company | Liquid/supercritical cleaning with decreased polymer damage |
US5285352A (en) * | 1992-07-15 | 1994-02-08 | Motorola, Inc. | Pad array semiconductor device with thermal conductor and process for making the same |
US5316591A (en) * | 1992-08-10 | 1994-05-31 | Hughes Aircraft Company | Cleaning by cavitation in liquefied gas |
US5456759A (en) * | 1992-08-10 | 1995-10-10 | Hughes Aircraft Company | Method using megasonic energy in liquefied gases |
US5261965A (en) * | 1992-08-28 | 1993-11-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer cleaning using condensed-phase processing |
EP0591595A1 (en) * | 1992-10-08 | 1994-04-13 | International Business Machines Corporation | Molecular recording/reproducing method and recording medium |
US5355901A (en) * | 1992-10-27 | 1994-10-18 | Autoclave Engineers, Ltd. | Apparatus for supercritical cleaning |
US5294261A (en) * | 1992-11-02 | 1994-03-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Surface cleaning using an argon or nitrogen aerosol |
US5328722A (en) * | 1992-11-06 | 1994-07-12 | Applied Materials, Inc. | Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring |
US5514220A (en) * | 1992-12-09 | 1996-05-07 | Wetmore; Paula M. | Pressure pulse cleaning |
JP3356480B2 (ja) * | 1993-03-18 | 2002-12-16 | 株式会社日本触媒 | 無漏洩ポンプ |
US5403665A (en) * | 1993-06-18 | 1995-04-04 | Regents Of The University Of California | Method of applying a monolayer lubricant to micromachines |
US5312882A (en) * | 1993-07-30 | 1994-05-17 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Heterogeneous polymerization in carbon dioxide |
JP3338134B2 (ja) * | 1993-08-02 | 2002-10-28 | 株式会社東芝 | 半導体ウエハ処理方法 |
US5364497A (en) * | 1993-08-04 | 1994-11-15 | Analog Devices, Inc. | Method for fabricating microstructures using temporary bridges |
US5377705A (en) * | 1993-09-16 | 1995-01-03 | Autoclave Engineers, Inc. | Precision cleaning system |
US5370740A (en) * | 1993-10-01 | 1994-12-06 | Hughes Aircraft Company | Chemical decomposition by sonication in liquid carbon dioxide |
US5417768A (en) * | 1993-12-14 | 1995-05-23 | Autoclave Engineers, Inc. | Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide |
TW274630B (zh) * | 1994-01-28 | 1996-04-21 | Wako Zunyaku Kogyo Kk | |
EP0681317B1 (en) * | 1994-04-08 | 2001-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleaning semiconductor wafers using liquefied gases |
US5482564A (en) * | 1994-06-21 | 1996-01-09 | Texas Instruments Incorporated | Method of unsticking components of micro-mechanical devices |
US5522938A (en) * | 1994-08-08 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Particle removal in supercritical liquids using single frequency acoustic waves |
US6262510B1 (en) * | 1994-09-22 | 2001-07-17 | Iancu Lungu | Electronically switched reluctance motor |
US5501761A (en) * | 1994-10-18 | 1996-03-26 | At&T Corp. | Method for stripping conformal coatings from circuit boards |
US5904737A (en) * | 1997-11-26 | 1999-05-18 | Mve, Inc. | Carbon dioxide dry cleaning system |
US6021791A (en) * | 1998-06-29 | 2000-02-08 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for immersion cleaning of semiconductor devices |
US6277753B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-08-21 | Supercritical Systems Inc. | Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
KR100304254B1 (ko) * | 1998-12-08 | 2002-03-21 | 윤종용 | 모듈외관검사설비 |
US7044143B2 (en) * | 1999-05-14 | 2006-05-16 | Micell Technologies, Inc. | Detergent injection systems and methods for carbon dioxide microelectronic substrate processing systems |
US6286231B1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-09-11 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
JP2002237481A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Kobe Steel Ltd | 微細構造体の洗浄方法 |
US6641678B2 (en) * | 2001-02-15 | 2003-11-04 | Micell Technologies, Inc. | Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems |
US6905555B2 (en) * | 2001-02-15 | 2005-06-14 | Micell Technologies, Inc. | Methods for transferring supercritical fluids in microelectronic and other industrial processes |
JP3978023B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2007-09-19 | 株式会社神戸製鋼所 | 高圧処理方法 |
US7326673B2 (en) * | 2001-12-31 | 2008-02-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Treatment of semiconductor substrates using long-chain organothiols or long-chain acetates |
US6764552B1 (en) * | 2002-04-18 | 2004-07-20 | Novellus Systems, Inc. | Supercritical solutions for cleaning photoresist and post-etch residue from low-k materials |
US20030217764A1 (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-27 | Kaoru Masuda | Process and composition for removing residues from the microstructure of an object |
US6989358B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-01-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for removal of photoresists |
US20040112409A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-06-17 | Supercritical Sysems, Inc. | Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal |
US20040177867A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-09-16 | Supercritical Systems, Inc. | Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal |
US7250374B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
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