TWI261290B - Removal of contaminants using supercritical processing - Google Patents

Description

1261290 (1) 玖、發明說明 本發明專利申請案主張在3 5 U . S · C _ § 1 1 9下之2 0 0 2

年3月22日提出之共待審共有之美國預備專利申請 6 0 / 3 6 7，5 3 7號，標題爲「於超臨界二氧化碳處理後避免工 件 污染 之方法 （METHOD OF AD VOIDING CONTAMINATION O F WORKPIECE AFTER SUPERCRITIC AL CARBON DIOXIDE TREATMENT)」的優 先權，該案全文係以提及的方式倂入本文中。 發明所屬之技術領域 本發明有關半導體裝置或其他物體製造中去除殘留物 與污染物之領域。更特別的是，本發明有關使用超臨界二 氧化碳，自半導體晶圓、基板與其他需要低污染水準之平 坦介質去除光阻、光阻殘留物與其他殘留物及污染物的領 域。 習知技術 積體電路之製造方法包括在半導體晶圓上形成佈線圖 案層，該半導體晶圓中及該晶圓表面上形成電活性區。該 製造方法其中一部分係使用稱爲照相平版印刷術或光學掩 蔽之掩蔽處理將圖案轉印至該晶圓上。掩蔽作用包括以任 何適用方法將光反應性聚合物或光阻塗覆於該晶圓上，諸 如旋轉該晶圓，使液態光阻均勻分佈在該晶圓表面上。在 代表性半導體製造方法中，重複數次該掩蔽處理。在同一 -6 - (2) 1261290 晶圓上可以使用正型或負型光阻層的各種組合。 通常，加熱或「輕度烘烤」該塗覆光阻晶圓’以改善 光阻與該基板表面之黏著性。光學對準器使該晶圓與光 罩對準，然後使部分塗覆光阻之晶圓曝於高能量光線下， 如此在該光阻層中形成一圖案作爲潛像。然後，使用顯影 劑使曝光之光阻部分顯影。使用正型光阻時，該光阻曝光 於高能量光線的顯影部分會被溶解。反之，使用負型光阻 時，該光阻的未顯影部分會被溶解。進行淸洗與沖洗步 驟，選擇性去除已溶解光阻。進行乾燥步驟。通常，剩餘 光阻的表面因紫外線照射而硬化。然後，使用鈾刻處理， 蝕刻處理中，以任何適用方法，諸如電漿灰化/蝕刻或濕 式化學蝕刻等，去除該未受保護（S卩，未塗覆）基板、介電 質或導電層。 於製造半導體裝置中使用蝕刻處理時，必須自經蝕刻 表面去除殘留物與污染物，以達到高產率。去除光阻、光 阻殘留物與其他殘留物與污染物，諸如殘留蝕刻反應物與 副產物已習知爲去除塗層作用。現有的去除塗層方法包括 乾式化學去除法與濕式化學去除法。乾式去除法通常係指 使一表面與一種呈氣態電漿狀態之乾燥化學物質接觸，以 去除殘留蝕刻處理材料。濕式去除法通常係指使一表面與 一種液態化學溶液接觸。 例如’現有濕式去除技術包括需要將半導體晶圓浸入 習知爲去除劑之化學物質混合物槽的方法。此等槽可能包 括加熱或增強超音波。通常，此等槽使用的浸漬時間爲二 1261290 (3) 十至三十分鐘，以達到完全去除光阻與光阻殘留物。其他 現有濕式去除方法中，當擾動的液體或噴霧通過晶圓表面 時，去除殘留物。現有方法亦可旋轉半導體晶圓，同時將 一種淸潔溶液噴淋在該晶圓上以沖洗表面，然後旋轉乾燥 該晶圓。此外，例如，如美國專利申請案〇9m 69 5 6號， 標題爲「沖洗殘留蝕刻反應物/半導體晶圓上產物之方法 (Method of Rinsing Residual Etching Reactants / Products on a Semiconductor Wafer)」所述，旋轉晶圓同時噴淋淸 潔溶液，並旋轉乾燥該晶圓之技術亦涉及以氮吹掃旋轉乾 燥該晶圓。 不幸的是，特別是臨界尺寸在次微米範圍，諸如低於 0.2 5微米時，乾式與濕式去除方法均未提供適當去除特徵 爲高縱橫比開口之半導體裝置上殘留物與污染物的方法。 例如，200 1年 6月5日由 Vaartstra提出之美國專利 6,24 2, 1 6 5號標題「去除有機材料之超臨界組成物與使用 彼之方法(Supercritical Compositions for Removal of Organic Material and Methods of Using same)」所討論， 習用去除塗層技術無法適當去除硬化光阻及/或側壁沈積 之抗蝕劑或殘留物，也無法適當去除臨界尺寸小於0.2 5 微米之裝置結構的難以處理裂隙或凹槽中之殘留物。由於 表面張力與毛細作用緣故，到達欲去除光阻或殘留物處之 溶劑受限，所以濕式去除化學物質用於凹槽與裂縫時變得 沒有效果。由於形成使用電漿灰化處理（如1 6 5號專利所 述）不容易去除之側壁聚合物一其係因電漿蝕刻副產物與 -8- (4) 1261290 該結構側壁交互作用而發生一乾式技術亦 槽與裂縫中之光阻或殘留物。 半導體製造方法中之各種處理步驟有 難度的傾向。例如，以活性離子蝕刻或離 表面硬化會提局去除抗蝕劑或殘留物之 如，輕度烘烤與紫外線照射硬化步驟可育g 化學變化，其提高使用現有去除塗層方法 染物的困難度。 與現有去除塗層法有關的其他問題包 的成本、來自環保團體對於半導體產業的 訴無塵室工作造成健康問題。因此，半導 發展更有效率而且生態保護之去除塗層方 風險以及減少半導體裝置製造中所使用之 是相當重要的。 處於超臨界狀態的流體稱爲超臨界流 體施加使其密度達到液體密度之壓力與溫 流體會進入超臨界狀態。超臨界流體的特 與增溶性質，此等性質通常伴隨呈液態組 界流體亦具有低黏度，此係呈氣態組成物 已使用超臨界流體去除表面之殘留物 萃取污染物。例如，2 0 0 2年4月9曰由 請之美國專利 6,3 6 7,49 1號，標題爲 Contaminant Removal Using Natural Com Changes in Solubility Concentration by 無法完全去除凹 提高去除光阻困 子植入法使光阻 困難。另外，例 會造成光阻中之 去除殘留物與污 括水與化學物質 壓力以及員工控 體製造領域中， 法，以降低安全 化學物質與水量 體。當對一種流 度的組合時，該 徵係高度溶劑化 成物發生。超臨 的特徵。 或是自各種材料 M a r s h a 11等人申 cc Apparatus f 〇 r section Flow and Temperature”)^- (5) 1261290 述，已使用超臨界與近超臨界流體作爲自物件淸潔污染物 之溶劑；引述 NASA Tech Brief MFS-2 96 1 1 ( 1 9 9 0 年 12 月），說明使用超臨界二氧化碳代替用以淸洗金屬部件表 面之有機與無機污染物的習用烴溶劑。 半導體晶圓淸潔中已使用超臨界流體。例如， Nishikawa等人於1"〇年7月31日申請之美國專利 4,9 4 4，8 3 7號，標題爲「在超臨界氣氛中處理物件之方法 (Method of Processing an Article in a Supercritical Atmosphere)」，其中揭示一種使用超臨界二氧化碳去除 曝光有機光阻膜之途徑。在半導體裝置與其他物體製造方 法中，仍然需要使用更有效而且具成本效率之去除塗層方 法，其超臨界二氧化碳洋廣範圍之有機與無機材料，諸如 高分子量非極性與極性化合物，以及離子化合物。 所需要的是使用超臨界二氧化碳去除半導體晶圓、基 板與其他需要低污染水準方法平坦介質上之光阻、光阻殘 留物以及其他殘留物與污染物，諸如殘留蝕刻反應物與副 產物的更有效且有效率方法。 發明內容 本發明第一實例係淸潔一物體表面之方法。將該物體 置於一個位於壓力室內之承載區。然後加壓該壓力室。進 行淸潔處理。進行一系列降壓循環。然後使該壓力室通 風。 本發明第二實例係自一物體表面去除污染物之方法。 -10- (6) 1261290 將該物體置於一個位於壓力室內之承載區。然後加壓目亥壓 力室。進行淸潔處理。然後加壓該壓力室’將淸潔化學物 質排出該壓力室。進行一系列降壓循環。然後使該壓力室 通風。 第三實例係自一半導體晶圓表面去除污染物之方法。 將該晶圓置於一個位於壓力室內之承載區。然後將該壓力 室加壓至足以形成超臨界流體之第一壓力。將淸潔化學物 質注入該壓力室。將該壓力室之壓力提高至第二壓力。該 淸潔化學物質係在該壓力室內循環。進提高該壓力室之壓 力，將淸潔化學物質排出該壓力室。進行一系列降壓循 環。然後使該壓力室通風。 桌四貫例係一種用以去除物體表面污染物之設備。一 壓力室包括一物體支座。用以加壓該壓力室之工具、用以 進行淸潔處理之工具。用以進行一系列降壓循環之工具。 用以通風該壓力室之工具。 實施方式 以下爹考附圖之詳細描述係舉例說明本發明各種實 例。不應認爲本發明受限於前述之實例。因此，下文詳細 說明不具限制意味’而本發明範圍係由附錄之申請專利範 圍所界定。 本發明有關淸潔一物體表面 > 方沣，^ _ π a a η 衣囬Ζ万压，該物體係諸如已 根據半導體裝置製造技術中廣爲人初々卡、 十廣爲人知之方法進行蝕刻的半 導體基板。 -11 - (7) !261290 去除光阻、光阻殘留物與諸如殘留蝕刻反應物與副產 7物等其他殘留物與污染物的方法習知爲去除塗層作用。現 有之去除塗層技術無法適當去除硬化光阻及/或側壁沈積 ，之抗蝕劑或殘留物，或者特別是臨界尺寸在次微米範圍內 之裝置結構的難以處理裂縫或凹槽中之殘留物與污染物。 例如’由於表面張力與毛細作用緣故，到達欲去除光阻或 殘留物處之溶劑受限，所以濕式去除化學物質用於凹槽與 裂縫時變得沒有效果。半導體製造方法，諸如以紫外線照 射、活性離子鈾刻或離子植入使表面硬化，可能會提高使 用現有去除塗層法去除殘留物與污染物的困難度。 爲了克服先前技術中所遭遇到去除光阻、光阻殘留物 與諸如殘留蝕刻反應物與副產物等其他殘留物及污染物的 問題’已發展更有效率與生態保護之淸潔方法及設備，以 降低安全風險以及減少半導體裝置與其他物體製造中所使 用之化學物質與水量。本發明之方法與設備使用低黏度且 具有高度溶劑化與增溶性質的二氧化碳，以協助進行該淸 潔處理。 針對本發明目的，必須暸解「二氧化碳」係指作爲流 體之呈液態、氣態或超臨界狀態（包括近超臨界狀態）二氧 化碳（C02)。 「液態二氧化碳」係指處於氣相-液相均衡狀 態之C02。若使用液態C02，所使用之溫度低於30.5°c爲 佳。本文中「超臨界二氧化碳」係指處於臨界溫度（3 〇 . 5 t )與臨界壓力（7.38 MPa)以上狀態之C02。對C02施加分 別高於7.3 8 MP a與3 0 . 5 °C之壓力與溫度時，已決定其呈 -12- (8) 1261290 超臨界狀態。「近超臨界狀態」係指C 02在約8 5 %絕對臨 界溫度與臨界壓力下。 在較佳實例中，可以組成物形式提供該液態或二氧化 碳。較適用於本發明方法與設備之液態或超臨界C〇2組成 物可包括超臨界C 02與一種淸潔化學物質。較佳情況係， 該淸潔化學物質加強超臨界C 02的性質，促進兩性物質與 污染物結合，並去除該載有化學物質超臨界co2中之污染 物。須暸解，提出組成物的實例中，本發明組成物的主要 組份是液態或超臨界C Ο 2。 可使用本發明方法與設備淸潔各種物體，諸如基板與 其他平坦介質。就本發明目的而言，必須暸解「淸潔」與 本技術中其習用意義一致。本文所使用之「基板」包括很 多結構，諸如沈積有光阻或殘留物之半導體裝置結構。基 板可爲單層材料，諸如矽晶圓，或是可包括任何數量之 層。基板可由各種材料組成，包括金屬、陶瓷、玻璃或其 組成物。 使用本發明方法與設備可以有效去除很多材料。可以 根據本發明去除例如光阻、光阻殘留物、含氟碳聚合物， 諸如由氧化物蝕刻處理與電漿蝕刻處理形成者，以及其他 殘留物與污染物，諸如殘留蝕刻反應物與副產物。本發明 方法與設備特別有利於去除紫外線照射硬化之光阻、活性 離子蝕刻或離子植入硬化抗蝕劑，以及在臨界尺寸小於 〇 . 2 5微米之裝置結構裂縫或凹槽中之殘留物與污染物。 圖1顯示：根據本發明淸潔一物體表面之方法的流程 -13- 1261290 Ο) (1 ο 〇 )。將該物體置於在壓力室內之承載區（1 0)。然後加壓 該壓力室（2〇)。進行淸潔處理（30)、進行一系列加壓循環 (4 0 )。然後使壓力室通風至大氣壓力（5 0 )。 可以氣態、液態、超臨界或近超臨界C02加壓（20)該 壓力室。以C02將壓力室加壓（20)至25 00 psi爲佳。 流程（1〇〇)所使用之溫度範圍在約30°C至25〇°C範圍 內爲佳。一較佳實例中，維持該壓力室內之承載區的溫 度，使在物體上之冷凝作用最小。爲了使物體上之冷凝作 用最小，該承載區之溫度高於壓力室內之C 02爲佳。該壓 力室內之承載區的溫度維持在約6 5 °C更佳。 圖2係一流程圖，其說明淸潔處理（3 0 a)，對應於進 行圖1所示之流程（1〇〇)的淸潔處理（30)。該淸潔處理（30a) 包括將一種淸潔化學物質注入該壓力室內（3 1 )，加壓該壓 力室（32)，以及在該壓力室內循環該淸潔化學物質（33)。 可以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓 (32)該壓力室。以二氧化碳將壓力室加壓（32)至2800 psi 爲佳。較佳實例中，在該內循環淸潔化學物質（3 3 ) —段時 間以去除污染物。就本發明目的而言，「污染物」係指廣 泛之有機與無機材料，諸如高分子量非極性與極性化合 物，以及離子化合物、光阻、光阻殘留物與其他殘留物， 諸如殘留蝕刻反應物與副產物，或是其組合物。該段去除 污染物的時間三分鐘爲佳。該段時間大約兩分鐘更佳。須 明白，在壓力室內循環一種淸潔化學物質一段時間以去除 污染物的實例中，「污染物」係指一種污染物的至少一部 -14- (10) 1261290 分。 如圖1所示，進行一系列降壓循環（4 0 )包括進行至少 兩次降壓循環爲佳。進行一系列降壓循環（4〇)包括進行一 系列降壓循環（4 0 )，使該壓力室的壓力保持高於超臨界壓 力更佳。更佳情況的是，進行一系列降壓循環（40)包括進 行一系列降壓循環（40)，使每個降壓循環係自大約2900 p s i開始，並降至大約2 5 0 0 p s i。須明白，使用降壓循環 的實例中，「降壓循環」係指降壓循環與加壓循環。 圖3係一流程圖，其說明淸潔處理（30b)，亦對應於 進行圖1所示之流程（100)的淸潔處理（3〇)。該淸潔處理 (3 Ob)包括將一種淸潔化學物質注入該壓力室內（34)，加壓 該壓力室（35)，在該壓力室內循環該淸潔化學物質（36)， 以及加壓該壓力室，將該淸潔化學物質排出該壓力室 (3 7)。可以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓 該壓力室。較佳情況係，以C02將該壓力室加壓至3 0 00 P si，將該淸潔化學物質排出該壓力室（37)。 圖4說明一種根據本發明自半導體晶圓表面去除污染 物之方法。將該晶圓置於一壓力室內之承載區上。然後將 該壓力室加壓至足以形成超臨界流體之第一壓力。將一種 淸潔化學物質注入該壓力室。將該壓力室之壓力提高至第 二壓力。在該壓力室內循環該淸潔化學物質。將該壓力室 之壓力提高至第二壓力，將淸潔化學物質排出該壓力室。 進行一系例降壓循環。然後使該壓力室通風。 其他較佳實例係自一物體表面去除污染物之設備。該 -15- (11) 1261290 設備包括高壓處理室（「壓力室」），其包括一個物體支 座。有關該壓力室的細節揭示於2 0 0 1年7月1日申請之 共有且共待審之美國專利申請案〇9/9i 2，844號，其標頭 爲 「半導體基板用之高壓處理室（HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE)」，以及 2001 年 10 月 3 曰申請之 09/970,309號，標題爲「多重半導體基板用之高壓處理室 (A HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR MULTIPLE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE)」，此等申請 案全文係以提及的方式倂入本文中。利用經由與C02泵連 接之液態或二氧化碳供應容器’並進行栗唧，將液態或超 臨界C Ο 2提供至該壓力室。可以預加壓該液態或超臨界 C 0 2。須暸解，在提供組成物之實例中，可以使用額外組 份作爲淸潔化學物質。提出一種工具加壓該壓力室’諸如 泵。提供一種工具進行淸潔處理。提供一種工具進行一系 列降壓循環。提供一種工具使該壓力室通風。在一實例 中，再循環該液態或超臨界C 0 2，提供一種封閉式系統。 自一物體表面去除污染物之本發明方法與設備是更有 效率而且更生態保護之淸潔處理與設備，其降低安全性風 險，並減少半導體裝置製造中所使用的化學物質與水量， 而且絕對可與作爲導電層及基板的晶圓金屬化作用相容。 雖然已就說明目的詳細描述本發明之方法與設備’但 是本發明方法與設備不應局限於此。相相熟悉本技術之人 土很容易明白，在不違背附錄申請專利範圍所界定之本發 -16- (12) 1261290 明精神與範圍下，可以對前述較佳實例進行各種改良。 圖式簡單說明 參考附圖將可更明暸本發明，其中： 圖】係一流程圖，顯示根據本發明淸潔物體表面之方 法的流程。

圖2係一流程圖，說明淸潔處理（3 〇 a )，其對應於進 行圖1所示流程（1 〇 0 )之淸潔處理（3 0 )。 圖3係一流程圖，說明淸潔處理（3 〇 b )，其亦對應於 進行圖1所示流程（100)之淸潔處理（30)。 圖4係壓力/時間圖，其目的在於說明本發明方法。

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Claims (1)

1261290 拾、申請專利範圍 附件2A :第92 1 065 22號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 民國9 4年1 0月18日修正 1.一種清潔物體表面之方法，包含： a.將該物體置於一壓力室內之承載區上； 岑 b .加壓該壓力室； S C.進行清潔處理，其中在該壓力室中循環一種清潔化 學物質； d.加壓該壓力室，以將至少一部分之該清潔化學物質 排出該壓力室； e .進行一系列降壓循環，其中該壓力室中之壓力保持 在筒於超臨界壓力；及 .- f.使該壓力室通風。 ^ 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該物體係一 種基板，其選自金屬、陶瓷、半導體、玻璃與其複合混合 物。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中維持該壓力 室內之承載區的溫度，使物體上之冷凝作用最小。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中加壓該壓力 室包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓該 壓力室，而且其中該壓力室內之承載區的溫度高於該二氧 化碳。 5. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該壓力室內 1261290 之承載區的溫度維持在大約6 5 °C。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該物體表面 載有光阻殘留物。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該物體表面 載有殘留鈾刻反應物/副產物。 8 .如申請專利範圍第1項之方法，其中加壓該壓力 室包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓該 壓力室。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中以二氧化碳 加壓該壓力室包含以二氧化碳將該壓力室加壓至 2 5 00 p s i 〇 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中進行清潔處 理之步驟中尙包含： a.將一種清潔化學物質注入該壓力室；及 b ·加壓該壓力室。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之方法，其中加壓該壓 力室包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓 該壓力室。 12.如申請專利範圍第1 1項之方法，其中以二氧化 碳加壓該壓力室包含以二氧化碳將該壓力室加壓至2800 p s i 〇 1 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中在該壓力室 內循環該清潔化學物質包含在該壓力室內循環該清潔化學 物質一段時間，去除該物體表面之污染物。 1261290 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之方法，其中該段時間 約等於三分鐘。 15.如申請專利範圍第1 3項之方法，其中該段時間 約等於兩分鐘。 】6 .如申請專利範圍第1 〇項之方法，其中進行清潔 處理進一步包含加壓該壓力室，以將該清潔化學物質排出 該壓力室。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之方法，其中加壓該壓 力室以便將清潔化學物質排出該壓力室包含以氣態、液 態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓該壓力室，以便將清 潔化學物質排出該壓力室。 18·如申請專利範圍第1 7項之方法，其中以二氧化 碳加壓該壓力室包含以將該壓力室加壓至3000 psi。 1 9 .如申請專利範圍第1項之方法，其中進行一系列 降壓循環包含進行至少兩次降壓循環。 2 0.如申請專利範圍第1項之方法，其中進行一系列 降壓循環包含進行一系列降壓循環，使每次降壓循環係由 約290 0 p si開始，並降至約2 5 00 psi。 2 1 . —種自物體表面去除至少一部分材料之方法，該 材料係選自光阻、光阻殘留物、殘留蝕刻反應物/副產 物，及其組合物，該方法包含： a.將該物體置於壓力室內之承載區上； b .加壓該壓力室； c.進行清潔處理，其中在該壓力室中循環一種清潔化 1261290 學物質； d。加壓該壓力室，以將至少一部分之該清潔化學物質 排出該壓力室； e ·進行一系列降壓循環，其中該壓力室中之壓力保持 在高於超臨界壓力；及 f.使該壓力室通風。 2 2. —種自物體表面去除污染物之方法，包含： a.將該物體置於壓力室內之承載區上； b ·加壓該壓力室； c. 進行清潔處理； d ·加壓該壓力室，以便將清潔化學物質排出該壓力 室； e .進行一系列降壓循環；以及 f.使該壓力室通風。 2 3 . —種自半導體晶圓表面去除污染物之方法，包含 以下步驟： a. 將該晶圓置於壓力室內之承載區上 b. 將該壓力室加壓至足以形成超臨界流體之第一壓 力； c .將一種清潔化學物質注入該壓力室內； d. 將該壓力室之壓力提高至第二壓力； e. 在該壓力室入循環該清潔化學物質； f. 將該壓力室之壓力提高，以便將清潔化學物質排出 該壓力室； -4- 1261290 g.進行一系列降壓循環；以及 h .使該壓力室通風。 24.如申請專利範圍第23項之方法’其中進行一系 列降壓循環，使該壓力室保持高於超臨界壓力。 2 5 . —種自物體表面去除污染物之設備’包含： a. 包含一物體支座之壓力室； b. 用以加壓該壓力室之工具； c. 用以進行清潔處理之工具； d .用以進行一系列降壓循環之工具；以及 e.用以使該壓力室通風之工具。 2 6.如申請專利範圍第25項之設備，其中該物體係 一種基板，其選自金屬、陶瓷、玻璃與其複合混合物。 27. 如申請專利範圍第25項之設備，其中維持承載 該物體的工具之溫度，使物體上之冷凝作用最小。 28. 如申請專利範圍第2 5項之設備，其中用以加壓 該壓力室之工具包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二 氧化碳加壓該壓力室之工具，而且其中承載該物體的工具 之溫度高於該二氧化碳。 2 9.如申請專利範圍第2 5項之設備，其中該污染物 係一種光阻殘留物。 3 0.如申請專利範圍第2 5項之設備，其中該污染物 係殘留蝕刻反應物/副產物。 3 1.如申請專利範圍第2 5項之設備，其中加壓該壓 力室之工具包含以氣態、液態、超臨界或近超臨界二氧化 1261290 碳加壓該壓力室之工具。 3 2 .如申請專利範圍第3 1項之設備，其中以二氧化 碳加壓該壓力室之工具包含以二氧化碳將該壓力室加壓至 2500 psi之工具。 3 3.如申請專利範圍第2 5項之設備，其中進行清潔 處理之工具包含： a. 將清潔化學物質注入該壓力室之工具； b. 加壓該壓力室之工具；以及 c .循環該清潔化學物質之工具。 34.如申請專利範圍第3 3項之設備，其中以二氧化 碳加壓該壓力室之工具包含以氣態、液態、超臨界或近超 臨界二氧化碳加壓該壓力室之工具。 3 5.如申請專利範圍第3 4項之設備，其中以二氧化 碳加壓該壓力室之工具包含以二氧化碳將該壓力室加壓至 2800 psi之工具。 3 6.如申請專利範圍第3 3項之設備，其中循環清潔 化學物質之工具包含循環該清潔化學物質一段時間，以去 除物體表面上之污染物的工具。 3 7.如申請專利範圍第3 6項之設備，其中該段時間 約等於三分鐘。 3 8 .如申請專利範圍第3 6項之設備，其中該段時間 約等於兩分鐘。 3 9.如申請專利範圍第3 3項之設備，其中進行清潔 處理之膜進一步包含加壓該壓力室，以將該清潔化學物質 -6- 1261290 排出該壓力室之工具。 40.如申請專利範圍第39項之設備，其中加壓該壓 力室以將該清潔化學物質排出該壓力室之工具包含以氣 態、液態、超臨界或近超臨界二氧化碳加壓該壓力室，以 將該清潔化學物質排出該壓力室之工具。 4 1。如申請專利範圍第4 0項之設備，其中以二氧化 碳加壓該壓力室之工具包含以二氧化碳將該壓力室加壓至 3000 psi之工具。 42.如申請專利範圍第25項之設備，其中進行一系 列降壓循環之工具包含進行至少兩次降壓循環之工具。 4 3.如申請專利範圍第2 5項之設備，其中進行一系 列降壓循環之工具包含進行一系列降壓循環，使每個降壓 循環自約2900 psi開始，並降至約2 5 00 psi之工具。 44.如申請專利範圍第25項之設備，其中進行一系列 降壓循環之工具包含進行一系列降壓循環，使該壓力室保 持高於超臨界壓力之工具。 -Ί -