JP2005522737A5 - - Google Patents
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Claims (28)
- 低ｋ誘電材料表面を処理する方法であって、
ａ．該低ｋ誘電材料表面に超臨界シリル化剤を与えて、不動態化された低ｋ誘電材料表面を形成すること；
ｂ．該低ｋ誘電材料表面に該シリル化剤を与えた後、該超臨界シリル化剤を取り除くこと；
ｃ．該不動態化された低ｋ誘電材料表面に超臨界溶媒の溶液を与えること；及び
ｄ．該不動態化された低ｋ誘電材料表面に該超臨界溶媒の溶液を与えた後、該超臨界溶媒の溶液を取り除くこと；
を含んで成る、低ｋ誘電材料表面を処理する方法。 - 前記超臨界シリル化剤が、超臨界ＣＯ2と、有機基を含む或る量のシリル化剤とを含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記有機基が５個以下の炭素原子を含んで成る、請求項２に記載の方法。
- 前記超臨界溶媒の溶液が、超臨界ＣＯ2と、酸及びフッ化物の混合物とを含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記酸が有機酸を含んで成る、請求項４に記載の方法。
- 前記酸が無機酸を含んで成る、請求項４に記載の方法。
- 前記超臨界シリル化剤が、構造(Ｒ1),(Ｒ2),(Ｒ3)ＳｉＮＨ(Ｒ4)を有するシランを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記超臨界シリル化剤がキャリヤー溶媒をさらに含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記キャリヤー溶媒が、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、γ−ブチロラクトン（ＢＬＯ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、炭酸エチレン（ＥＣ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルピペリドン、炭酸プロピレン及びアルコールから成る群より選択された、請求項５に記載の方法。
- 前記低ｋ誘電材料表面が、２５〜２００℃の範囲の温度で維持される、請求項１に記載の方法。
- 前記低ｋ誘電材料表面に超臨界シリル化剤を与えることが、該低ｋ誘電材料表面全体に該超臨界シリル化剤を循環させることを含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記低ｋ誘電材料表面に超臨界溶媒の溶液を与えることが、該低ｋ誘電材料表面全体に該超臨界溶媒の溶液を循環させることを含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記超臨界シリル化剤が、７００〜９，０００ｐｓｉの範囲の圧力で維持される、請求項１に記載の方法。
- 前記低ｋ誘電材料表面に超臨界シリル化剤を与える前に、該低ｋ誘電材料表面を乾燥させることをさらに含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記低ｋ誘電材料表面の乾燥が、該低ｋ誘電材料表面に超臨界二酸化炭素を含む超臨界乾燥溶液を与えることを含んで成る、請求項１０に記載の方法。
- 前記低ｋ誘電材料表面が酸化ケイ素を含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 前記低ｋ誘電材料表面が、炭素をドープした酸化物（ＣＯＤ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）及びフッ化シリコンガラス（ＦＳＧ）から成る群より選択された材料を含んで成る、請求項１に記載の方法。
- 誘電体表面を処理する方法であって、
ａ．第１超臨界洗浄溶液を用いて該誘電体表面からエッチ後残留物を除去すること；
ｂ．該誘電体表面を第２超臨界洗浄溶液中にあるシリル化剤で処理して、不動態化された誘電体表面を形成すること；及び
ｃ．該不動態化された誘電体表面を第３超臨界洗浄溶液中にある溶媒で処理すること；
を含んで成る、誘電体表面を処理する方法。 - 前記エッチ後残留物がポリマーを含んで成る、請求項１８に記載の方法。
- 前記ポリマーがフォトレジストポリマーである、請求項１９に記載の方法。
- 前記フォトレジストポリマーが反射防止染料を含んで成る、請求項２０に記載の方法。
- 前記誘電体表面が酸化ケイ素を含んで成る、請求項１８に記載の方法。
- 前記誘電体表面が低ｋ誘電材料を含んで成る、請求項１８に記載の方法。
- 前記誘電体表面が、炭素をドープした酸化物（ＣＯＤ）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）及びフッ化シリコンガラス（ＦＳＧ）から成る群より選択された材料を含んで成る、請求項１８に記載の方法。
- 前記エッチ後残留物が反射防止コーティングを含んで成る、請求項１８に記載の方法。
- 前記シリル化剤が有機ケイ素化合物を含んで成る、請求項１８に記載の方法。
- 前記溶媒が、超臨界ＣＯ2と、酸及びフッ化物の混合物とを含んで成る、請求項１８に記載の方法。
- 前記有機ケイ素化合物が、構造(Ｒ1),(Ｒ2),(Ｒ3)ＳｉＮＨ(Ｒ4)を有するシランである、請求項２６に記載の方法。
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