JP2008530795A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板を処理する方法であって、
   高圧プロセスチャンバにおいて、前記基板を支持するよう構成されるプラッテンに基板を置く工程；
   流体の圧力を該流体の臨界圧力より高く調整し、前記流体の温度を該流体の臨界温度より高く調整して、該流体から超臨界流体を生成する工程；
   前記超臨界流体を前記高圧プロセスチャンバへ導入する工程；
   前記超臨界流体へフルオロケイ酸を有するプロセス成分を導入する工程；並びに
   前記超臨界流体および前記プロセス成分に前記基板を晒す工程、
   を有する方法。
2. 前記プロセス成分を導入する工程は、溶剤、共溶剤、界面活性剤、酸、塩基、アルコール、またはエッチャントのうちの１又は２以上とともに、前記フルオロケイ酸を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
3. 前記プロセス成分を導入する工程が、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ガンマ−ブチロラクトン（ＢＬＯ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、エチレンカーボネート（ＥＣ）、ブチレンカーボネート（ＢＣ）、プロピレンカーボネート（ＰＣ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルピペリドン、プロピレンカーボネート、メタノール（ＭｅＯＨ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはエタノールのうちの１又は２以上とともに、前記フルオロケイ酸を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
4. 前記基板を通り過ぎるように前記超臨界流体を循環させる工程を更に有する、請求項１に記載の方法。
5. 前記超臨界流体を生成する工程が、二酸化炭素流体から超臨界流体二酸化炭素を生成するステップを有する、請求項１に記載の方法。
6. 前記圧力を前記臨界圧力より高く調整することが、前記圧力を約１０７０ｐｓｉ（７．３８ＭＰａ）から約１０，０００ｐｓｉ（６８．９ＭＰａ）の範囲の圧力に調整することを含む、請求項５に記載の方法。
7. 前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約３１℃より高く調整することを含む、請求項５に記載の方法。
8. 前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約４０℃より高く調整することを含む、請求項１に記載の方法。
9. 前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約８０℃より高く調整することを含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約１００℃から約３００℃までの範囲の温度に調整することを含む、請求項１に記載の方法。
11. 前記プロセス成分を前記超臨界流体に導入するに先立って該プロセス成分を予加熱するステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
12. 前記プロセス成分を導入する工程が、有機ペロキシド若しくは無機ペロキシド又はこれらの組み合わせのいずれかを導入するステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
13. 前記圧力を前記臨界圧力より高く調整することが、前記圧力を約２０００ｐｓｉ（１３．８ＭＰａ）から約１０，０００ｐｓｉ（６８．９ＭＰａ）までの範囲の圧力に調整することを含む、請求項１に記載の方法。
14. 前記基板を晒す工程に引き続き、一連の減圧サイクルを行う工程；および
    前記高圧プロセスシステムを換気する工程、
    を更に有する、請求項１に記載の方法。
15. 前記基板をオゾンに晒す工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
16. 前記基板を前記オゾンに晒す工程が、前記基板を前記超臨界流体に晒す工程に先行する、請求項１５に記載の方法。
17. 基板を処理する方法であって、
    金属表面を有する基板を高圧プロセスチャンバへ入れ、前記基板を支持するよう構成されるプラッテンに置く工程；
    二酸化炭素流体の圧力を該二酸化炭素流体の臨界圧力より高く調整し、前記二酸化炭素流体の温度を該二酸化炭素流体の臨界温度より高く調整することにより、前記二酸化炭素流体から超臨界二酸化炭素流体を生成する工程；
    前記超臨界二酸化炭素流体を前記高圧プロセスチャンバへ導入する工程；
    フルオロケイ酸とＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）とを有する第１のプロセス成分を前記超臨界二酸化炭素流体へ導入する工程；
    第１の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第１のプロセス成分に前記基板を晒す第１の晒す工程；
    その後、Ｎ−メチルピロリドンを有する第２のプロセス成分を前記超臨界二酸化炭素流体へ導入する工程；並びに
    第２の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第２のプロセス成分に前記基板を晒す第２の晒す工程、
    を有する方法。
18. 前記第１の晒す工程を、１又は２以上の回数、反復する工程を更に含む、請求項１７に記載の方法。
19. 基板を処理する方法であって、
    金属表面を有する基板を高圧プロセスチャンバへ入れ、前記基板を支持するよう構成されるプラッテンに置く工程；
    二酸化炭素流体の圧力を前記二酸化炭素流体の臨界圧力より高く調整し、前記二酸化炭素流体の温度を前記二酸化炭素流体の臨界温度より高く調整することにより、前記二酸化炭素流体から超臨界二酸化炭素流体を生成する工程；
    前記超臨界二酸化炭素流体を前記高圧プロセスチャンバへ導入する工程；
    フルオロケイ酸とブチロラクトン（ＢＬＯ）とを有する第１のプロセス成分を前記超臨界二酸化炭素流体へ導入する工程；
    第１の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第１のプロセス成分に前記基板を晒す第１の晒す工程；
    その後、フルオロケイ酸とイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とを有する第２のプロセス成分を前記超臨界二酸化炭素へ導入する工程；
    第２の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第２のプロセス成分に前記基板を晒す第２の晒す工程；
    その後、メタノールおよび水の混合物、または２−ブタノンペロキシドを含む第３のプロセス成分を前記超臨界流体へ導入する工程；並びに
    第３の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第３のプロセス成分に前記基板を晒す第３の晒す工程、
    を有する方法。
20. 前記第１の晒す工程、前記第２の晒す工程、または前記第３の晒す工程を１又は２以上の回数、反復する工程を更に有する、請求項１９に記載の方法。