JP2006003684A - 基板レスフィルタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 大きさの制限を受けることなく基板レスフィルタを製造することができる基板レスフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】 フラーレンからなる剥離層20をガラス基板10上に形成する。次に、剥離層20の上にスパッタリングによって多層膜30を形成する。その後、剥離層20を介して多層膜30が形成されたガラス基板10を真空中で400℃で2時間加熱する。その結果、剥離層20を形成するフラーレンが昇華し、多層膜30が基板10から分離される。
【選択図】 図1
【解決手段】 フラーレンからなる剥離層20をガラス基板10上に形成する。次に、剥離層20の上にスパッタリングによって多層膜30を形成する。その後、剥離層20を介して多層膜30が形成されたガラス基板10を真空中で400℃で2時間加熱する。その結果、剥離層20を形成するフラーレンが昇華し、多層膜30が基板10から分離される。
【選択図】 図1
Description
この発明は基板レスフィルタの製造方法に関する。
従来、基板上に可溶性担体からなる剥離層を介して多層膜を形成し、その後基板を溶媒に浸けて剥離層を溶解させ、基板から多層膜を剥離して、多層膜だけで構成された基板レスフィルタを製造する方法は知られている(下記特許文献参照)。
特開平3−196001号公報
しかし、特開平3−196001号の方法では基板を溶媒に浸けたとき、剥離層の周囲から剥離層を徐々に溶解し、基板から多層膜が分離するため、多層膜が大きいとその分離に長時間を要する。長時間に亘って多層膜を溶媒に浸けたとき、多層膜自体が溶媒によって損傷するため、製造できる多層膜の大きさが制限されるという問題がある。
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は大きさの制限を受けることなく基板レスフィルタを製造することができる基板レスフィルタの製造方法を提供することである。
上記課題を解決するため請求項1記載の発明は、基板上にフラーレン膜を形成するフラーレン膜形成工程と、この工程の後、前記フラーレン膜上に多層膜を形成する多層膜形成工程と、この工程の後、前記フラーレン膜を加熱する加熱工程とを含むことを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1記載の基板レスフィルタの製造方法において、前記基板がガラス基板であることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、カーボン基板上に多層膜を形成する多層膜形成工程と、この工程の後、前記カーボン基板をアッシング又は加熱する基板除去工程とを含むことを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3記載の基板レスフィルタの製造方法において、前記基板除去工程では、前記アッシングを酸素プラズマ環境下で行うことを特徴とする。
この発明の基板レスフィルタの製造方法によれば、大きさの制限を受けることなく基板レスフィルタを製造することができる。
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1はこの発明の第1実施形態に係る基板レスフィルタの製造方法を説明する図、図2はアニール装置の断面を示す概念図である。
図1において、(A)及び(B)はそれぞれ加熱前及び加熱後の工程を示している。
多層膜30は高屈折率物質(例えばNb2O5)と低屈折率物質(例えばSiO2 )とをガラス基板(基板)10上の剥離層(フラーレン膜)20の上に交互に積層して形成された。
ガラス基板10の上面は所定の平面度を有する。ガラス基板10にはBK7(n=1.516)の平板が用いられる。ガラス基板10の表面は洗浄されている。洗浄は例えば薬液を用いて行なわれる。なお、洗浄後、ガラス基板10を乾燥させる。
(1)フラーレン膜形成工程
真空中でガラス基板10上にフラーレンを真空蒸着させ、フラーレンからなる剥離層20をガラス基板10上に形成する。
真空中でガラス基板10上にフラーレンを真空蒸着させ、フラーレンからなる剥離層20をガラス基板10上に形成する。
フラーレンは60個以上の炭素原子で構成された球状分子であり、加熱によって容易に昇華する特性を有する。
(2)多層膜形成工程
剥離層20の上にスパッタリング(高エネルギーの粒子を固体(ターゲット)に照射したときに、ターゲット構成原子がターゲット表面から放出される現象)によって多層膜30を形成する(図1(A)参照)。
剥離層20の上にスパッタリング(高エネルギーの粒子を固体(ターゲット)に照射したときに、ターゲット構成原子がターゲット表面から放出される現象)によって多層膜30を形成する(図1(A)参照)。
(3)加熱工程
アニール装置(図2参照)を用い、剥離層20を介して多層膜30が形成されたガラス基板10を真空中で400℃で2時間加熱する。
アニール装置(図2参照)を用い、剥離層20を介して多層膜30が形成されたガラス基板10を真空中で400℃で2時間加熱する。
その結果、剥離層20を形成するフラーレンが昇華し、多層膜30が基板10から分離し、基板レス多層膜(基板レスフィルタ)30aが得られる。
なお、アニール装置としては例えば図2の構成のものを用いることができる。
アニール装置は、減圧されたチャンバ50内に被処理物51(剥離層20を介して多層膜30が形成されたガラス基板10)を載せるステージ52と、被処理物51を加熱するための温度制御用のヒータ53とを備える。ヒータ53としては例えば赤外線ランプが用いられる。
この実施形態によれば、多層膜30を溶媒に浸けて基板10から多層膜30を剥離する場合に比べて多層膜30の損傷を低減することができる。その結果、大きさの制限を受けることなく基板レスフィルタ30aを製造することができる。
図3はこの発明の第2実施形態に係る基板レスフィルタの製造方法を説明する図、図4はアッシング装置の断面を示す概念図であり、第1実施形態と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。
図3において、(A)及び(B)はそれぞれ加熱前及び加熱後の工程を示している。
カーボン基板70の上面は所定の平面度を有する。カーボン基板70の厚さは0.5mmである。
(1)多層膜形成工程
カーボン基板70の上にスパッタリングによって多層膜30を形成する。
カーボン基板70の上にスパッタリングによって多層膜30を形成する。
(2)基板除去工程
アッシング装置(図4参照)を用い、酸素プラズマ環境下で多層膜30が形成されたカーボン基板70を10時間に亘ってアッシングした。
アッシング装置(図4参照)を用い、酸素プラズマ環境下で多層膜30が形成されたカーボン基板70を10時間に亘ってアッシングした。
その結果、カーボン基板70が酸化して2酸化炭素又は1酸化炭素になって消滅する。しかし、酸化物である多層膜30は酸素プラズマの影響を受けない。その結果、多層膜30が基板10から分離し、基板レス多層膜(基板レスフィルタ)30aが得られた。
なお、アッシング装置としては例えば図4の構成のものを用いることができる。
アッシング装置の減圧されたチャンバ60内に、上部プレート61と、被処理物62(多層膜30aが形成されたカーボン基板70)を載せるホルダ63とが平行に配置されている。上部プレート61には導入管64を介してチャンバ60内に導入された酸素ガスをプラズマ化するための高周波電源65が接続されている。また、チャンバ60にはアッシング反応によって被処理物62から離脱した2酸化炭素又は1酸化炭素を排気するための排気管66が設けられている。
なお、基板除去工程ではアッシングに代えてカーボン基板70を加熱することによっても基板レス多層膜30aを得ることができる。この方法では多層膜30が形成されたカーボン基板70を空気中で500℃で3時間加熱する。
この実施形態によれば、第1実施形態と同様の効果を奏する。
10 ガラス基板(基板)
20 剥離層(フラーレン膜)
30 多層膜
70 カーボン基板
20 剥離層(フラーレン膜)
30 多層膜
70 カーボン基板
Claims (4)
- 基板上にフラーレン膜を形成するフラーレン膜形成工程と、
この工程の後、前記フラーレン膜上に多層膜を形成する多層膜形成工程と、
この工程の後、前記フラーレン膜を加熱する加熱工程と
を含むことを特徴とする基板レスフィルタの製造方法。 - 前記基板がガラス基板であることを特徴とする請求項1記載の基板レスフィルタの製造方法。
- カーボン基板上に多層膜を形成する多層膜形成工程と、
この工程の後、前記カーボン基板をアッシング又は加熱する基板除去工程と
を含むことを特徴とする基板レスフィルタの製造方法。 - 前記基板除去工程では、前記アッシングを酸素プラズマ環境下で行うことを特徴とする請求項3記載の基板レスフィルタの製造方法。
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