JP2009503889A5 - - Google Patents
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Claims (14)
- 基板からエッチング残渣を除去する方法であって：
誘電体層を有する前記基板をプラズマ処理システム内に配置する段階であり、該誘電体層は、その内部に、エッチングプロセスを用いて形成された造形部を有し、且つ該造形部は、その上に、前記エッチングプロセスによって形成された前記エッチング残渣を有する、段階；
窒素含有ガス、水素含有ガス及び酸素含有ガスを含むプロセスガスを導入する段階であり、該酸素含有ガスは、Ｏ２、ＣＯ、若しくはＣＯ２、又はこれらの組み合わせを含む、段階；
前記プラズマ処理システム内で前記プロセスガスからプラズマを形成する段階；及び
前記エッチング残渣を除去するために前記プラズマに前記基板を晒す段階；
を有し、
前記誘電体層はＳｉＯ２の誘電率より低い誘電率を有する、方法。 - 前記プロセスガスを導入する段階は更に、不活性ガスを導入する段階を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記不活性ガスを導入する段階は、希ガスを導入することを有する、請求項２に記載の方法。
- 前記窒素含有ガス及び前記水素含有ガスを導入する段階は、ＮＨ３を導入することを有する、請求項１に記載の方法。
- 前記窒素含有ガス及び前記水素含有ガスを導入する段階は、Ｎ２及びＨ２を導入することを有する、請求項１に記載の方法。
- 前記プロセスガスを導入する段階は、ＮＨ３及びＣＯを導入することを有する、請求項１に記載の方法。
- 前記プロセスガスを導入する段階は、ＮＨ３及びＯ２を導入することを有する、請求項１に記載の方法。
- 前記誘電体層は多孔質誘電体層を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記誘電体層は２．５未満の誘電率を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記プラズマを形成する段階は、前記基板が置かれた基板ホルダーにＲＦ電力を結合させることを有する、請求項１に記載の方法。
- 基板からエッチング残渣を除去する方法であって：
誘電体層を有する前記基板をプラズマ処理システム内に配置する段階であり、該誘電体層は、その内部に、エッチングプロセスを用いて形成された造形部を有し、該造形部は、その上に、前記エッチングプロセスによって形成された前記エッチング残渣を有し、且つ前記誘電体層はＳｉＯ２の誘電率より低い誘電率を有する、段階；
窒素含有ガス、水素含有ガス及び酸素含有ガスを含むプロセスガスを導入する段階であり、該酸素含有ガスは、ＣＯ、若しくはＣＯ２、又はこれら双方を含む、段階；
前記プラズマ処理システム内で前記プロセスガスからプラズマを形成する段階；及び
前記誘電体層の誘電率に実質的な変化を生じさせずに前記エッチング残渣を除去するために前記プラズマに前記基板を晒す段階；
を有する方法。 - 前記誘電体層を有する前記基板を配置する段階は、前記誘電体層と該誘電体層の下に位置するエッチング停止層とを有する前記基板を配置することを有する、請求項１１に記載の方法。
- 前記エッチング停止層は窒化シリコン又は炭化シリコンから成る、請求項１２に記載の方法。
- 前記プラズマに前記基板を晒す段階は、前記エッチング停止層の厚さのおよそ１０％未満の、前記エッチング停止層の喪失を生じさせる、請求項１２に記載の方法。
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