JP6352611B2 - プラズマエッチングの方法 - Google Patents
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Description
前記炭化ケイ素加工材料の表面にマスクを形成する工程;
第1設定のプロセス条件を用いて、前記マスクした表面に初めのプラズマエッチングを行う工程、ここで前記プラズマは、(i)酸素と(ii)少なくとも1種のフッ素富化ガスとを含むエッチングガス混合物を用いて生成され、前記フッ素富化ガスは前記エッチングガス混合物に50%未満の体積比で存在している;そして
続いて、前記第1設定のプロセス条件とは異なる第2設定のプロセス条件を用いて、バルクのプラズマエッチング処理を行う工程。
本発明の態様として以下を挙げることができる:
《態様1》
次の工程を含む、炭化ケイ素加工材料をプラズマエッチングする方法:
前記炭化ケイ素加工材料の表面にマスクを形成する工程;
第1設定のプロセス条件を用いて、前記マスクした表面に初めのプラズマエッチングを行う工程、ここでそのプラズマは、i)酸素と、ii)少なくとも1種のフッ素富化ガスを含むエッチングガス混合物を用いて生成され、前記フッ素富化ガスは前記エッチングガス混合物に50%未満の体積比で存在している;そして
続いて、前記第1設定のプロセス条件とは異なる第2設定のプロセス条件を用いて、バルクのプラズマエッチングプロセスを行う工程。
《態様2》
前記フッ素富化ガスは、0.1〜20%、好ましくは0.1〜10%、より好ましくは0.5〜7%、さらに好ましくは1.0〜50%、最も好ましくは約1.5%の体積比で前記エッチングガス混合物中に存在する、態様1に記載の方法。
《態様3》
前記エッチングガス混合物が、さらに不活性キャリアガスを含む、態様1又は2に記載の方法。
《態様4》
前記不活性キャリアガスが希ガス、好ましくはアルゴンである、態様3に記載の方法。
《態様5》
前記少なくとも1種のフッ素富化ガスが、CF 4 及び/又はSF 6 である、態様1〜4のいずれか一項に記載の方法。
《態様6》
前記マスクが、金属マスクである、態様1〜5のいずれか一項に記載の方法。
《態様7》
前記マスクが、ニッケルマスクである、態様6に記載の方法。
《態様8》
前記マスクが形成される前記炭化ケイ素加工材料の表面が、研磨されていない、態様1〜7のいずれか一項に記載の方法。
《態様9》
前記マスクが形成される前記炭化ケイ素加工材料の表面が、ラッピングされている、態様8に記載の方法。
《態様10》
前記初めのプラズマエッチングを、少なくとも250nmのエッチング深さまで行う、態様1〜9のいずれか一項に記載の方法。
《態様11》
前記初めのプラズマエッチングを、少なくとも700nmのエッチング深さまで行う、態様10に記載の方法。
《態様12》
前記炭化ケイ素加工材料のプラズマエッチングを行って、1つ以上のビアを与える、態様1〜11のいずれか一項に記載の方法。
《態様13》
以下を具備する、炭化ケイ素加工材料をエッチングするための装置:
チャンバー;
前記チャンバー中に位置する加工材料の支持体;
前記チャンバーにエッチングガスを提供するためのガス供給部及びポンプ設備;並びに
前記ガス供給部及びポンプ設備を含むこの装置を制御して、態様1〜12のいずれか一項に記載の方法を行うように構成されている制御設備。
《態様14》
添付の図面を参照して明細書中に実質的に記載された方法又は装置。
Claims (18)
- 次の工程を含む、炭化ケイ素加工材料をプラズマエッチングする方法:
前記炭化ケイ素加工材料の表面にマスクを形成する工程;
第1設定のプロセス条件を用いて、前記マスクした表面に初めのプラズマエッチングを行う工程、ここでそのプラズマは、i)酸素と、ii)少なくとも1種のフッ素富化ガスを含むエッチングガス混合物を用いて生成され、前記フッ素富化ガスは前記エッチングガス混合物に50%未満の体積比で存在している;そして
続いて、前記第1設定のプロセス条件とは異なる第2設定のプロセス条件を用いて、バルクのプラズマエッチングプロセスを行う工程。 - 前記フッ素富化ガスは、0.1〜20%の体積比で前記エッチングガス混合物中に存在する、請求項1に記載の方法。
- 前記フッ素富化ガスは、0.1〜10%の体積比で前記エッチングガス混合物中に存在する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記フッ素富化ガスは、0.5〜7%の体積比で前記エッチングガス混合物中に存在する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記フッ素富化ガスは、1.0〜5.0%の体積比で前記エッチングガス混合物中に存在する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記フッ素富化ガスは、約1.5%の体積比で前記エッチングガス混合物中に存在する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記エッチングガス混合物が、さらに不活性キャリアガスを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記不活性キャリアガスが、希ガスである、請求項7に記載の方法。
- 前記不活性キャリアガスが、アルゴンである、請求項7又は8に記載の方法。
- 前記少なくとも1種のフッ素富化ガスが、CF4及び/又はSF6である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記マスクが、金属マスクである、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記マスクが、ニッケルマスクである、請求項11に記載の方法。
- 前記マスクが形成される前記炭化ケイ素加工材料の表面が、研磨されていない、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記マスクが形成される前記炭化ケイ素加工材料の表面が、ラッピングされている、請求項13に記載の方法。
- 前記初めのプラズマエッチングを、少なくとも250nmのエッチング深さまで行う、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記初めのプラズマエッチングを、少なくとも700nmのエッチング深さまで行う、請求項15に記載の方法。
- 前記炭化ケイ素加工材料のプラズマエッチングを行って、1つ以上のビアを与える、請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。
- 以下を具備する、炭化ケイ素加工材料をエッチングするための装置:
チャンバー;
前記チャンバー中に位置する加工材料の支持体;
前記チャンバーにエッチングガスを提供するためのガス供給部及びポンプ設備;並びに
前記ガス供給部及びポンプ設備を含むこの装置を制御して、請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法を行うように構成されている制御設備。
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