DE102009028256B4 - Verfahren zum Ätzen von Siliziumcarbid mittels eines Plasmaätzverfahrens und Siliziumcarbidsubstrat - Google Patents

Verfahren zum Ätzen von Siliziumcarbid mittels eines Plasmaätzverfahrens und Siliziumcarbidsubstrat Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Ätzen von Siliziumcarbid (1) mittels eines Plasmaätzverfahrens, umfassend die Schritte: a) Ätzen des Siliziumcarbids (1) mit einem ersten ionisierten Prozessgas, das ein fluorhaltiges Gas umfasst; b) Ätzen des Siliziumcarbids (1) mit einem zweiten ionisierten Prozessgas, das Sauerstoff umfasst, wobei die Schritte a) und b) alternierend durchgeführt werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen eines Siliziumcarbid(SiC)-Substrats mit einem Plasmaätzverfahren und ein Siliziumcarbidsubstrat.
  • Stand der Technik
  • Siliziumcarbid ist aufgrund seiner großen Bandlücke, hohen thermischen Leitfähigkeit, großen Härte, hohen elektrischen Durchbruchfeldstärke und seiner Beständigkeit in rauhen und chemisch aggressiven Umgebungen für Anwendungen in der Mikroelektronik, beispielsweise als Basismaterial zur Herstellung von mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) interessant. Voraussetzung für die Anwendung von Siliziumcarbid als Basismaterial ist, dass zuverlässige Verfahren existieren, mittels denen Siliziumcarbid strukturiert werden kann.
  • Es ist bekannt, Silizium, das gegenwärtige Standard-Basismaterial der MEMS- und Halbleiterindustrie, mittels Plasmaätzverfahren isotrop und anisotrop zu strukturieren. Ein derartiges Verfahren offenbart beispielsweise die DE 42 41 045 C1 . Solche Verfahren nutzen aus, dass Silizium besonders gut von reaktiven freien Fluor-Atomen bzw. Fluor-Radikalen unter Bildung des flüchtigen Siliziumtetrafluorids angegriffen und abgetragen werden kann. Eine effiziente Methode zur Erzeugung freier Fluor-Radikale sind Gasentladungen, bei denen die Elektronen des durch diese Gasentladungen erzeugten Plasmas durch Elektronen-Stoßprozesse die Moleküle des Prozessgases in hochreaktive Radikale umsetzen. Schwefelhexafluorid hat sich als Prozessgas zur Ätzung von Silizium besonders bewährt, weil es zum einen in der Handhabung unkritisch ist und zum anderen viele freie Fluor-Radikale freisetzt.
  • Ebenfalls ist es bekannt, Siliziumcarbid mittels eines Plasmaätzverfahrens zu strukturieren.
  • Des Weiteren ist es bekannt, zum Ätzen von Siliziumcarbid Schwefelhexafluorid als Prozessgas zu verwenden. Die Verwendung von Schwefelhexafluorid als Prozessgas hat allerdings den Nachteil, dass Kohlenstoff mit Fluor-Radikalen verschiedene perfluorierte Fluorkohlenwasserstoffe (FKW) bildet, von denen einige zur Polymerisation auf der Siliziumcarbid-Oberfläche neigen und auf diese Weise den Ätzprozess bremsen. Des Weiteren wird Kohlenstoff langsamer geätzt als Silizium, so dass sich Kohlenstoffrückstände im Ätzbereich ausbilden. Beide Effekte führen zu einer Verlangsamung der Ätzrate.
  • Um diese Effekte zu vermeiden, ist es bekannt, dem Prozessgas zum Schwefelhexafluorid einen Anteil an Sauerstoff beizugeben. Die reaktiven Sauerstoffradikale sollen die Kohlenstoff-Atome der Fluorkohlenwasserstoffe oder des kohlenstoff-reichen Ätzgrunds in das flüchtige Kohlendioxid oder Kohlenmonoxid überführen. Dieser Zugabe von Sauerstoff sind allerdings Grenzen gesetzt. Ist der Anteil an Sauerstoff zu hoch, werden auch Silizium-Atome zu chemisch stabileren Siliziumdioxid oxidiert, welches deutlich langsamer ätzt als Silizium. Kleine Sauerstoffanteile beeinträchtigen die Ätzrate wenig, sind aber nicht in der Lage, den gesamten Kohlenstoff zu entfernen.
  • Die DE 36 03 725 A1 beschreibt ein Verfahren zur Strukturierung von Siliciumcarbid durch Photolithographie und Plasmaätzung, wobei ein Substrat aus dem Siliciumcarbid auf einer Flachseite mit einer strukturierten Silicium-Schicht abgedeckt, und dann die Plasmaätzung mit einem Sauerstoffanteil von mindestens 40%, insbesondere etwa 70 bis 95%, vorgenommen wird.
  • Die US 5 958 793 A beschreibt ein Verfahren zum Ätzen einer Öffnung mit einer sich verjüngenden Wand in einer Schicht aus Siliciumcarbid (SiC) umfassend das Bilden einer Schutzschicht auf der SiC-Schicht.
  • Die JP 2008 - 294 210 A beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung aus Siliciumcarbid, welches einen ersten Trockenätzprozess umfasst, bei dem ein gemischtes Gas aus SF6, O2 und Ar verwendet wird. In dem gemischten Gas hat Ar eine Strömungsrate von 50-80%. In Bezug auf das Verhältnis der Strömungsraten zwischen SF6 und O2 ist die Strömungsrate von SF6 50-70% von der des O2. Das Ätzen erfolgt bei einem Druck von 0,5 Pa oder weniger, während die Temperatur eines Siliziumkarbidhalbleitersubstrats bei 70-100 °C gehalten wird. Ein zweites Trockenätzen verwendet ein Mischgas aus Ar und O2. In dem gemischten Gas hat das Ar eine Strömungsrate von 50-80% von der des O2 für eine Sauerstoffplasmabehandlung.
  • Die US 2006 / 0 157 448 A1 beschreibt Verfahren zum Entfernen von schwarzem Silicium oder schwarzem Siliciumcarbid von einer plasmaexponierten Oberfläche einer oberen Elektrode einer Plasmabehandlungskammer. Die Verfahren umfassen das Bilden eines Plasmas unter Verwendung einer Gaszusammensetzung, die ein fluorhaltiges Gas enthält, und das Entfernen des schwarzen Siliziums oder schwarzen Siliziumcarbids von der Oberfläche mit dem Plasma.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Ätzen von Siliziumcarbid (SiC) mittels eines Plasmaätzverfahrens, umfassend die Schritte: a) Ätzen des Siliziumcarbids mit einem ersten ionisierten Prozessgas, das ein fluorhaltiges Gas umfasst; b) Ätzen des Siliziumcarbids mit einem zweiten ionisierten Prozessgas, das Sauerstoff (O2) umfasst, wobei die Schritte a) und b) alternierend durchgeführt werden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es, Siliziumcarbid mit einer hohen Ätzrate zu ätzen. Kohlenstoffrückstände und FKW-Polymere, die im Schritt a) durch Ätzen mit dem fluorhaltigen Gas gebildet wurden, lassen sich in Schritt b) durch Ätzen mit Sauerstoff entfernen. Anschließend wird das Verfahren mit Schritt a) fortgesetzt.
  • Das Ätzen von Siliziumcarbid in alternierenden Schritten ermöglicht es des Weiteren, für das jeweilige Prozessgas ohne Rücksicht auf das andere Prozessgas die jeweilige optimale Prozessbedingung, insbesondere Prozessdruck und Plasmaleistung, zu verwenden. Zudem können störende Beeinflussungen der unterschiedlichen Prozesschemie reduziert oder sogar vollständig vermieden werden.
  • Das zu ätzende Siliziumcarbid kann als Einkristall vorliegen, bei denen sich Silizium und Kohlenstoff im stöchiometrischen Verhältnis 1:1 befinden. Das Siliziumcarbid kann ebenso polykristallin oder amorph ausgebildet sein, mit abweichenden stöchiometrischen Verhältnissen. Des Weiteren kann das Siliziumcarbid auch Zusätze, beispielsweise Dotierstoffe, oder Verunreinigungen umfassen. Deren Stoffmengenanteil liegt in der Regel unterhalb von 10 %.
  • Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Siliziumcarbidsubstrat, das einen Graben mit einem Ätzgrund und zwei Seitenwänden umfasst, wobei die Seitenwände durch einen seitlichen Barrierebereich einer Barriereschicht gebildet werden, wobei der seitliche Barrierebereich perfluorierte Kohlenwasserstoffe umfasst. Das Siliziumcarbidsubstrat ist hergestellt mit einem erfindungsgemäßen Verfahren.
  • Grundsätzlich eignen sich alle fluorhaltigen Gase als Bestandteil des ersten Prozessgases, wie beispielsweise Stickstofftrifluorid (NF3) oder Tetrafluormethan (CF4). Besonders bevorzugt ist die Verwendung von Schwefelhexafluorid (SF6).
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Erfindungsgemäß bevorzugt ist die teilweise zeitliche Überlappung des Schrittes a) und des Schrittes b). Diese Überlappung ermöglicht es, dass Plasma beim Übergang von Schritt a) zum Schritt b) aufrecht zu erhalten, ein erneutes Zünden des Plasmas kann auf diese Weise vermieden werden.
  • Alternativ ist es ebenfalls möglich, die Schritte a) und b) vollständig zu trennen. Um das Plasma während des Wechsels der Schritte aufrecht zu erhalten, kann ein weiteres Gas verwendet werden, das zumindest beim Wechsel der Schritte a) und b) eingespeist wird.
  • Ebenfalls ist es möglich, zwischen den Schritten a) und b) Zwischenschritte auszuführen. Bevorzugt ist allerdings die Alternation der Schritte a) und b) ohne Zwischenschritte.
  • Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass im Schritt a) und/oder im Schritt b) ein elektrisches Feld angelegt wird. Das elektrische Feld ist vorzugsweise ein elektrisches Wechselfeld, kann aber ebenfalls ein konstantes elektrisches Feld sein. Vorzugsweise ist das elektrische Feld senkrecht zur Oberfläche des Siliziumcarbids angelegt. Das elektrische Feld hat den Zweck, durch die Ionisierung der Prozessgase erzeugte Plasma-Ionen in Richtung des Siliziumcarbids zu beschleunigen. Einem konstanten elektrischen Feld kann auch ein elektrisches Wechselfeld überlagert sein.
  • Durch die Anlegung eines elektrischen Feldes lässt sich die physikalische Wirkung der Ätz-Schritte a) und b) verstärken. Insbesondere ist auch diese Weise das Siliziumcarbid anisotrop ätzbar. Dies ermöglicht eine Strukturierung des Siliziumcarbids, beispielsweise das Einbringen von Gräben („trenches“).
  • Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass das erste Prozessgas und/oder das zweite Prozessgas einen Anteil an Argon umfassen. Durch einen Anteil an Argon lässt sich die physikalische Sputterwirkung des erfindungsgemäßen Ätzverfahrens erhöhen, insbesondere bei Anlegung eines elektrischen Feldes. Des Weiteren unterstützt Argon die Erhöhung des Ionisierungsgrades der Prozessgase in Plasma und vereinfacht die Zündung des Plasmas. Des Weiteren ermöglicht eine kontinuierliche Zuführung von Argon als Bestandteil des ersten Prozessgases und als Bestandteil des zweiten Prozessgases die vollständige zeitliche Trennung der Schritte a) und b) unter Aufrechterhaltung des Plasmas.
  • Eine weitere vorteilhafte Ausbildung der Erfindung sieht vor, die Ionisation des ersten Prozessgases und des zweiten Prozessgases mittels einer induktiven Kopplung zu erzeugen und aufrecht zu erhalten. Durch die Verwendung einer induktiven Kopplung (ICP) zur Erzeugung und Aufrechterhaltung des Plasmas lassen sich hohe Dichten von Fluor und Sauerstoff-Radikalen erzeugen. Auch erlaubt die induktive Kopplung die Erzeugung eines homogenen Plasmas. Grundsätzlich ist aber auch die Erzeugung und Aufrechterhaltung des Plasmas mittels anderer Methoden, beispielsweise mittels kapazitiver Kopplung, möglich.
  • Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass das Siliziumcarbid beheizt wird. Die chemische Wirkung der Ätzschritte a) und b) lässt sich auf diese Weise erhöhen.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand einer Ausführungsform, die durch mehrere Zeichnungen dargestellt ist, näher erläutert.
  • Figurenliste
  • Es zeigen:
    • 1 eine Vorrichtung zum Plasma-Ätzen von Siliziumcarbid in einer schematischen Darstellung,
    • 2 einen Querschnitt durch ein mehrschichtiges Element in einem Zustand am Anfang des Schrittes a) einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Plasmaätzverfahrens,
    • 3 das in 2 gezeigte Element in einem Zustand nach Beendigung des Schrittes a), und
    • 4 den Zustand des in 3 gezeigten Element nach Beendigung des Schrittes b) dieser Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Plasmaätzverfahrens.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • Die 1 zeigt schematisch eine Vorrichtung für die Durchführung eines erfindungsgemäßen Plasmaätzverfahrens. Die 2 bis 4 zeigen verschiedene Zustände eines mittels einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Plasmaätzverfahrens geätzten Elementes.
  • Vorrichtungen für die Durchführung eines Plasmaätzverfahrens sind dem Fachmann hinlänglich bekannt. Die hier beispielhaft gezeigte Vorrichtung umfasst eine Ätzkammer 4 zur Aufnahme eines zu ätzenden Elementes 3, einen Gaseinlass 5 und einen Gasauslass 6, durch die Prozessgase in die Ätzkammer 4 eingeleitet beziehungsweise aus der Ätzkammer 4 abgesaugt werden können und ein Unterdruck in der Ätzkammer 4 erzeugt werden kann, und eine Spule 7 zur Zündung und Aufrechterhaltung eines Plasmas, wobei die Spule 7 außerhalb der Ätzkammer 4 angeordnet ist. Des Weiteren umfasst die Vorrichtung eine Substratelektrode 8. Die Substratelektroide 8 ist innerhalb der Ätzkammer 4 angeordnet. Auf der Substratelektrode 8 ist das zu strukturierende Element 3 angeordnet. Die Substratelektrode 8 ist über einen Kondensator 9 mit einer elektrischen Energiequelle 10 verbunden. Mittels der Energiequelle 10 kann ein elektrisches Wechselfeld an der Substratelektrode 8 angelegt werden.
  • Das Element 3 umfasst ein Siliziumcarbidsubstrat 1 und eine Ätzmaske 2.
  • Die Ätzmaske 2 deckt das Siliziumcarbidsubstrat 1 an seiner Oberfläche teilweise ab. Die Ätzmaske 2 kann beispielsweise eine Oxidmaske oder eine metallische Maske sein. Die Öffnungen in der Ätzmaske 2 legen die Bereiche fest, in der das Siliziumcarbidsubstrat 1 geätzt werden soll. Die 2 zeigt beispielhaft eine Öffnung 11 in der Maske 2. Die Erzeugung derartiger Öffnungen ist dem Fachmann hinlänglich bekannt.
  • Das Element 3 wird mittels eines Plasmaätzverfahrens trocken geätzt. In einem ersten Schritt a) wird die Siliziumcarbidsubstrat 1 zunächst mit einem ersten ionisierten Prozessgas geätzt, das Schwefelhexafluorid umfasst. Alternativ kann anstatt Schwefelhexafluorid auch ein anderes fluorhaltiges Gas, beispielsweise Stickstofftrifluorid (NF3) oder Tetrafluormethan (CF4), oder eine Mischung solcher Gase verwendet werden.
  • Um die Ätzwirkung zu beschleunigen, ist ein elektrisches Wechselfeld angelegt, das senkrecht zur Oberfläche der Siliziumcarbidsubstrat 1 steht. Den Zustand des Elements 3 am Beginn des Schrittes a) zeigt 2. Durch den Ätzprozess entsteht ein Graben 15, dessen Rand durch die Öffnung 11 begrenzt wird.
  • Die Fluor-Radikale bilden mit dem Silizium des Siliziumcarbidsubstrats 1 flüchtige Siliziumfluoridverbindungen. Die Fluor-Radikale bilden zwar mit dem Kohlenstoff des Siliziumcarbidsubstrats 1 ebenfalls flüchtige Verbindungen, beispielsweise Tetrafluormethan, aber auch perfluorierte Fluorkohlenwasserstoffe (FKW), die zur Polymerisation auf der Siliziumcarbid-Oberfläche neigen. Des Weiteren läuft die Ätzung von Kohlenstoff durch die Fluor-Radikale langsamer ab als die Ätzung von Silizium, so dass es zu einer Kohlenstoff-Anreicherung kommt. Auf diese Weise wird eine Kohlenstoff und FKW-reiche Barriereschicht 12 ausgebildet. Dieser Barriereschicht 12 erstreckt sich sowohl über den Ätzgrund 13 (mittlerer Barrierebereich 12a) als auch über die Seitenwände 14 (seitlicher Barrierebereich 12b) des Grabens 15.
  • In einem nächsten Schritt b) wird das Siliziumcarbidsubstrat 1 mit einem zweiten ionisierten Prozessgas, das Sauerstoff umfasst, geätzt. Um die Ätzwirkung zu unterstützen, wird ebenfalls ein elektrisches Wechselfeld, welches senkrecht zur Oberfläche der Siliziumcarbidsubstrat 1 orientiert ist, angelegt. Die Leistung, mit der das Wechselfeld im Schritt b) erzeugt wird, ist größer als die Leistung, mit der das Wechselfeld in Schritt a) erzeugt wird. Die Barriereschicht 12 wird durch die mittels Ionisierung des zweiten Prozessgases erzeugten Plasma-Ionen unter Bildung von Kohlenstoffmonoxid und/oder Kohlenstoffdioxid chemisch zersetzt. Durch das Anlegen eines elektrischen Feldes senkrecht zur Oberfläche der Siliziumcarbidsubstrat 1 ist die Ätzwirkung des ionisierten zweiten Prozessgases gerichtet, und es wird bevorzugt die Barriereschicht 12 am Ätzgrund 13 im Barrierebereich 12a abgetragen. Die Barriereschicht 12 an den Seitenwänden 14 im Barrierebereich 12b bleibt hingegen nahezu unbeschädigt.
  • Ist die Barriereschicht 12 am Ätzgrund 13 im Barrierebereich 12a, vorzugsweise vollständig, beseitigt, endet Schritt b). Das Element 3 nach Ausführung dieses Schrittes zeigt 4.
  • Anschließend wird das Verfahren mit dem Schritt a) fortgesetzt. Eine Altemierung der Schritte a) und b) findet solange statt, bis der Graben 15 die gewünschte Tiefe erreicht hat. Die an den Seitenwänden 14 nach jedem Schritt b) erhalten gebliebene Barriereschicht 12 im Barrierebereich 12b verhindert, dass in einem folgenden Schritt a) die Seitenwände geätzt werden. Auf diese Weise lassen 14 sich senkrechte Seitenwände 14 im Siliziumcarbidsubstrat 1 erzeugen.
  • In einer alternativen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens umfassen das erste Prozessgas und/oder das zweite Prozessgas zur Erhöhung der physikalischen Sputterwirkung einen Anteil an Argon. Die Ätzrate lässt sich hierdurch weiter erhöhen.
  • Es hat sich als vorteilhaft herausgestellt, dass der Stoffmengenanteil des Schwefelhexafluorids im ersten Prozessgas mindestens 60 %, vorzugsweise mindestens 90 % beträgt, und der Stoffmengenanteil des Sauerstoffs im zweiten Prozessgas mindestens 60 %, vorzugsweise mindestens 90 % beträgt. Falls das erste und/oder das zweite Prozessgas Argon umfasst, hat sich ein Stoffmengenanteil von Argon von bis 10 %, vorzugsweise von 5 % bis 10 %, als vorteilhaft gezeigt.
  • Der Schritt a) wird vorzugsweise für eine Dauer im Bereich von 2 Sek. bis 15 Sek., besonders bevorzugt im Bereich von 5 Sek. bis 10 Sek. ausgeführt, der Schritt b) für eine Dauer im Bereich von 2 Sek. bis 15 Sek., besonders bevorzugt im Bereich von 5 Sek. bis 10 Sek. ausgeführt. Dabei überlappen sich der Schritt a) und der Schritt b) für die beschriebene erste Ausführungsform zeitlich teilweise. Die zeitliche Überlappung liegt vorzugsweise in einem Bereich von 0,5 Sek. bis 3 Sek.. Dies ermöglicht es, die Prozessgase zu wechseln, und das Plasma während dieses Wechsels aufrecht zu erhalten.
  • Im Rahmen der beschriebenen alternativen Ausführungsform, gemäß der das erste Prozessgas und das zweite Prozessgas Argon umfassen, können die Schritte a) und b) zeitlich getrennt sein und das Plasma durch die kontinuierliche Einspeisung von Argon aufrechterhalten werden.
  • Das Wechselfeld hat vorzugsweise eine Frequenz bis 1 MHz oder eine Frequenz von 13,56 MHz. Letztere entspricht der Standard-RF-Industriefrequenz. Ein konstantes elektrisches Feld ist ebenfalls möglich. Ein Wechselfeld ermöglicht allerdings bei gleicher Leistung gegenüber einem konstanten Feld eine höhere Sputterwirkung.
  • Das Wechselfeld im Schritt a) und im Schritt b) vorzugsweise mit Leistungen im Bereich von mindestens 100 Watt erzeugt. Eine hohe Leistung verstärkt die Sputter-Wirkung der Plasma-Ionen der ionisierten Prozessgase. Für die Erzeugung einer gerichteten Sputterwirkung ist insbesondere in Schritt b) eine hohe Leistung vorteilhaft.
  • Als Gasflüsse für das erste Prozessgas und das zweite Prozessgas im Schritt a) bzw. im Schritt b) sind beispielsweise Gasflüsse im Bereich von 10 sccm bis 1.000 sccm geeignet.
  • Die Ionisation des ersten Prozessgases und des zweiten Prozessgases wird in diesen Ausführungsbeispielen mittels einer induktiven Kopplung erzeugt und aufrechterhalten. Alternativ wäre beispielsweise auch eine kapazitive Kopplung möglich. Die Ionisation der Prozessgase erfolgt vorzugsweise mit einer Leistung von mindestens 1.000 Watt.
  • In einer weiteren alternativen Ausführungsform wird das Element 3, insbesondere das Siliziumcarbidsubstrat 1, beheizt. Bevorzugt sind Temperaturen von mindestens 30°C, besonders bevorzugt Temperaturen von mindestens 70°C.
  • Als Prozessdrücke innerhalb der Ätzkammer sind insbesondere Prozessdrücke im Bereich von 0,133 Pa bis 26,6 Pa (1 mTorr bis 200 mTorr) geeignet. Vorzugsweise werden Prozessdrücke gewählt, die kleiner sind als
  • Die angegebenen Prozessparameter sind insbesondere auf die Erzeugung hoher Ätzraten optimiert. Allerdings sind die optimalen Prozessparameter, abhängig von der Vorrichtung, die für die Durchführung des Verfahrens verwendet wird. Die optimalen Prozessparameter können aufgrund dessen für unterschiedliche Vorrichtungen für die Durchführung des Verfahrens stark variieren.

Claims (17)

  1. Verfahren zum Ätzen von Siliziumcarbid (1) mittels eines Plasmaätzverfahrens, umfassend die Schritte: a) Ätzen des Siliziumcarbids (1) mit einem ersten ionisierten Prozessgas, das ein fluorhaltiges Gas umfasst; b) Ätzen des Siliziumcarbids (1) mit einem zweiten ionisierten Prozessgas, das Sauerstoff umfasst, wobei die Schritte a) und b) alternierend durchgeführt werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Stoffmengenanteil des fluorhaltigen Gases im ersten Prozessgas mindestens 60% beträgt und der Stoffmengenanteil des Sauerstoffs im zweiten Prozessgas mindestens 60% beträgt.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das fluorhaltige Gas Schwefelhexafluorid ist.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schritt a) und der Schritt b) teilweise zeitlich überlappt werden.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Überlappung in einem zeitlichen Bereich von 0,5 s bis 3 s liegt.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste Prozessgas und/oder das zweite Prozessgas einen Anteil an Argon umfasst, wobei der Stoffmengenanteil von Argon bis 10% beträgt.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Schritt a) und/oder im Schritt b) ein elektrisches Wechselfeld angelegt wird, zum Beschleunigen von Plasma-Ionen in Richtung des Siliziumcarbids.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Wechselfeld eine Frequenz bis 1 MHz aufweist, oder eine Frequenz von 13,56 MHz aufweist.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, wobei das Wechselfeld in Schritt b) mit einer Leistung erzeugt wird, die größer ist als die Leistung, mit der das Wechselfeld in Schritt a) erzeugt wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei das Wechselfeld in Schritt a) und in Schritt b) mit Leistungen im Bereich von mindestens 100 W erzeugt wird.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schritt a) für eine Dauer im Bereich von 2 s bis 15 s ausgeführt wird, und der Schritt b) für eine Dauer im Bereich von 2 s bis 15 s ausgeführt wird.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in Schritt a) für das erste Prozessgas ein Gasfluss im Bereich von 10 sccm bis 1.000 sccm gewählt wird, und in Schritt b) für das zweite Prozessgas ein Gasfluss im Bereich von 10 sccm bis 1.000 sccm gewählt wird.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ionisation des ersten Prozessgases und des zweiten Prozessgases mittels einer induktiven Kopplung erzeugt und aufrecht erhalten wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Ionisation der Prozessgase mit einer Leistung von mindestens 1000 W erfolgt.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Siliziumcarbid beheizt wird.
  16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in Schritt a) und in Schritt b) Prozessdrücke im Bereich von 0,133 Pa bis 26,6 Pa gewählt werden.
  17. Siliziumcarbidsubstrat (1), hergestellt durch ein Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, umfassend einen Graben (15) mit einem Ätzgrund (13) und zwei Seitenwänden (14), wobei die Seitenwände (14) durch einen seitlichen Barrierebereich (12b) einer Barriereschicht (12) gebildet werden, wobei der seitliche Barrierebereich (12b) perfluorierte Kohlenwasserstoffe umfasst.
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