JP2012156554A - 基材の処理方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 10
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
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- B81C1/00523—Etching material
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
【課題】本発明は、新規な優れた基材の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法である。
【選択図】図１
【解決手段】本発明は、基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法である。
【選択図】図１
Description
本発明は基材の処理方法に関する。
半導体デバイスおよび多くのナノ技術デバイスの製造において、基材中に概ね垂直な構造を形成することが必要である。これは最も好都合には化学エッチングによって行われているが、しかしながら長い間、このような取り組みには困難があった。なぜならば、基材の暴露される表面に最も近い構造の部分は、暴露される表面から最も遠い基材の部分よりも、より多くエッチングに付され、構造の側壁は垂直には伸びないという結果となるからである。このような課題の最も成功した解決策の１つは、ボッシュによって開発され、そして彼らの国際特許出願である米国特許第５５０１８９３号明細書の主題である。このボッシュの方法の好ましい実施態様では、エッチングステップでＳＦ６ガスをエッチャントの供給源として使用している。エッチング過程において、流れるラジカルは基材のケイ素原子と結合し、それらはチャンバーの側壁やチャンバー付属品上の硫黄や固体硫黄の堆積物と再結合するのにもはや利用することができない結果となる。この反応は一般に下記の形である。
２ＳＦ６＋３Ｓｉ（固体）→３ＳｉＦ４（気体）＋２Ｓ（固体）
２ＳＦ６＋３Ｓｉ（固体）→３ＳｉＦ４（気体）＋２Ｓ（固体）
堆積過程は、基材上にポリマーを堆積させるのにＣ４Ｆ８原料ガスを用いるが、しかしながらそれはまたチャンバー壁および暴露されたチャンバーのどのような付属品上にも堆積する。チャンバー付属品は、本明細書においては、用語「チャンバー」に含める。この反応は次の通りである。
４ＣＦ２→４（ＣＦ２）ｎ（固体）
４ＣＦ２→４（ＣＦ２）ｎ（固体）
酸素プラズマが従来は、基材のバッチ処理の基材間でのチャンバーの洗浄に、以下の過程を用いて使用されている。
（ＣＦ２）ｎ（固体）＋Ｏ→ＣＦ２Ｏ（気体）
（ＣＦ２）ｎ（固体）＋Ｏ→ＣＦ２Ｏ（気体）
この過程では、堆積した硫黄もまた二酸化硫黄に変換することによって除去されることが想定されているが、しかしながら実際には酸素は単一のチャンバー洗浄過程では硫黄を完全に除去することを確実にする程には十分に反応性であるわけではない。
その結果、それに続く基材の処理において、堆積した硫黄がエッチャントガス中のフッ素と反応して基材のエッチング速度を低減し、その結果、処理時間が増大し、そして／またはエッチング構造が設計したものではなくなる。
１つの実施態様では、本発明は基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含む、プラズマの混合物に暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法からなる。
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含む、プラズマの混合物に暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法からなる。
好ましい実施態様では、ステップ（ｂ）の混合物はＯ２およびエッチャントガスであり、そしてエッチャントガスはＳＦ６であることが特に好ましい。更に、広い定義では、エッチャントガスの活性元素はフッ素であってもよい。
洗浄プロセスの少なくとも一部はイオン照射（ion bombardment）を含んでもよい。
他の実施態様では、基材の処理方法は、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
(ｂ）別個のステップで、エッチングステップおよび堆積ステップの一方によって堆積された第一の物質、並びにエッチングステップおよび堆積ステップの他方によって堆積された異なる化学物質である第二の物質を順次に洗浄すること、を含み、それぞれの洗浄ステップがそれぞれのガス混合物を含むそれぞれのプラズマを用いる洗浄プロセスによって実行され、そのガス混合物は互いに異なっている。
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
(ｂ）別個のステップで、エッチングステップおよび堆積ステップの一方によって堆積された第一の物質、並びにエッチングステップおよび堆積ステップの他方によって堆積された異なる化学物質である第二の物質を順次に洗浄すること、を含み、それぞれの洗浄ステップがそれぞれのガス混合物を含むそれぞれのプラズマを用いる洗浄プロセスによって実行され、そのガス混合物は互いに異なっている。
本発明は上記で定義されているが、本発明は上記または以下の記載において提示した構成の、いかなる発明的な組み合わせをも含むことが理解されなければならない。
本発明は様々な方法で実行することが可能であり、そして特定の実施態様が、例をもって、基材の処理のためのチャンバーを図示した添付の図面を参照して、ここに記載される。
図１において、チャンバーが全体として１０と表示して図式的に示されている。チャンバーは基材支持体１１およびベル型のジャー１２を有し、また、本明細書では、チャンバー１０への言及は、これらの品目と、そして堆積がその上に起こる可能性のある、他のチャンバーの付属品のあらゆる品目の両方を含むことが理解されなければならない。シリコンウエハなどの基材１３は、１４に概略で示された従来のウエハ取扱い装置によって、支持体１１上に置き、また支持体１１から取り去ることができる。図式的に１５と表示されたバルブ機構が、制御器１６によって規定されたプロセスパラメータに従って、Ｃ４Ｆ８、Ｏ２およびＳＦ６がベル型のジャー１２へと供給されることを可能としている。この制御器１６はまた、ガス流量およびチャンバー１０中で実行されるプロセスの他の操作パラメータを決定する。過剰のプロセスガスと気体状の（engaseous）副生物の除去のために、ポンプの出口が１７に備えられている。
本出願人の包括的な提案では、上記の「ボッシュ」プロセスをチャンバー中で実行して、基材１３中に目的とする垂直構造を形成する。上記のように、このプロセスの間に、ポリマー１８および硫黄１９がチャンバーの壁およびチャンバーの付属品の上に堆積してくる可能性がある。取扱い装置１４によって処理基材１３を取り去った後に、チャンバーは最初に酸素洗浄プラズマに曝され、それは有機堆積物１８を上記のプロセスによって洗浄し、結果として生じるＣＦ２Ｏガスおよび他のいずれかの気体状の副生物は、ポンプ出口１７を経由して取り除かれる。
第二のプラズマが、次いで、Ｏ２といずれかの適切な触媒との混合物の形で流され、触媒はＳ−Ｓ結合を破壊することを可能にすることによって、酸素ガスにより硫黄を剥ぎ取ることを可能にするものである。本出願人は、続くエッチング／堆積プロセスでの混乱を避けるために、触媒はエッチャントガスの活性元素から構成されるべきことが望ましいと理解している。それ故に、記載した「ボッシュ」プロセスでは、触媒はフッ素であるべきであり、そしてエッチャントガスそのものを用いることが特に都合がよい、なぜならば、その結果、既に登場しているもの以外のものはチャンバー中になにも導入されないからである。
それ故、本出願人の好ましいプロセスでは、混合物はＯ２およびＳＦ６であり、それは次の反応をもたらす。
この二重のプロセスは、特に、驚くべきものである、なぜならば、エッチャントガスを触媒として用いるという考え方には到達していたとしても、Ｏ２とＳＦ６の単一のステップを単に実行しなければならないだけであると直観的に予期されるであろうからである。事実、これが有機物質１８が除去される前に実行されると、次いでＳＦ６がポリマー物質とエッチングプロセスと同様の仕方で反応し、硫黄の更なる堆積をもたらす、すなわち、炭素の堆積が硫黄の堆積によって置き換えられる。
本出願人は、商標ＯＭＥＧＡ ＤＳｉの下に販売されている本出願人の処理チャンバーでは、以下のプロセス条件が効果的であることを見出した。他のチャンバー形状およびプロセス条件では、上記に提示された原理を基にして、更なる調整が要求されるであろうことが理解されるであろう。プロセス条件は次の通りである。
本出願人は、硫黄の除去に、４００ｓｃｃｍのＳＦ６および２００ｓｃｃｍのＯ２を用いたプロセスを実行したが、これは効果的に遂行された。
ポリマー除去ステップは、プラズマ中の炭素の輝線を監視することによって終点を定めることが可能である。終点はこれらが消滅した時に到達する。光学放射分光学法をポリマー除去および硫黄除去ステップの両方に、終点を定めるために用いることができる。
洗浄プロセスは、堆積している物質の量に応じて、ウエハ毎にまたはウエハのバッチ処理の後に実行することができる。
イオン照射をいずれのステップにも補助のために用いることが出来、特に硫黄除去に関して有用である可能性がある。この場合には、ＲＦ電圧を支持体１１またはチャンバーの他の部分に加えることができる。この可能性は図中で２０で図示されている。ＲＦ電源２１は、またシャワーヘッド１２に電力を供給して、当業者によく知られているような仕方でプラズマを発生させ（strike）そして維持するのに提供される。
本方法は、洗浄プロセスに用いられる化学薬品が既知のプロセスで用いられるものと同じものであるという意義深い長所を有している。従って、本方法は「ボッシュ」の方法で経験されている現在の不都合を、利用者が彼らの装置やエッチングプロセスにいかなる変更を加える必要もなく、克服している。また、これに伴なう生成物のいずれも、証明書の更新や承認を必要としない。
多くの従来技術とは対照的に、本洗浄プロセスはプロセスガスから誘導された成分に作用し、そして基材に由来する物質や基材から発せられたガスに由来する物質には作用しないことが注目されるだろう。
Claims (6)
- 基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法。 - ステップ（ｂ）の混合物がＯ２およびエッチャントガスであることを特徴とする請求項１記載の方法。
- エッチャントガスがＳＦ６であることを特徴とする請求項２記載の方法。
- 活性元素がフッ素であることを特徴とする請求項１記載の方法。
- 洗浄プロセスの少なくとも一部がイオン照射を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
- 基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
(ｂ）別個のステップで、エッチングステップおよび堆積ステップの一方によって堆積された第一の物質、並びにエッチングステップおよび堆積ステップの他方によって堆積された異なる化学物質である第二の物質を順次に洗浄すること、
を含み、それぞれの洗浄ステップがそれぞれのガス混合物を含むそれぞれのプラズマを用いる洗浄プロセスによって実行され、そのガス混合物は互いに異なっている、基材の処理方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0516054.4 | 2005-08-04 | ||
| GB0516054A GB0516054D0 (en) | 2005-08-04 | 2005-08-04 | A method of processing substrates |
| US70796605P | 2005-08-15 | 2005-08-15 | |
| US60/707,966 | 2005-08-15 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008524569A Division JP2009503882A (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-12 | 基材の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012156554A true JP2012156554A (ja) | 2012-08-16 |
| JP5529919B2 JP5529919B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=37023122
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008524569A Withdrawn JP2009503882A (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-12 | 基材の処理方法 |
| JP2012109350A Active JP5529919B2 (ja) | 2005-08-04 | 2012-05-11 | 基材の処理方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008524569A Withdrawn JP2009503882A (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-12 | 基材の処理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8486198B2 (ja) |
| EP (1) | EP1912889B1 (ja) |
| JP (2) | JP2009503882A (ja) |
| KR (1) | KR101238086B1 (ja) |
| WO (1) | WO2007015050A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015018876A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 株式会社アルバック | 反応装置のコンディショニング方法 |
| US9878901B2 (en) | 2014-04-04 | 2018-01-30 | Analog Devices, Inc. | Fabrication of tungsten MEMS structures |
| US10073113B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-09-11 | Analog Devices, Inc. | Silicon-based MEMS devices including wells embedded with high density metal |
| US10522429B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| EP3901989A4 (en) * | 2018-12-18 | 2022-01-26 | Showa Denko K.K. | ADHESIVE REMOVAL METHOD AND FILM FORMATION METHOD |
| EP3905309A4 (en) * | 2018-12-25 | 2022-03-16 | Showa Denko K.K. | DEPOSIT REMOVAL METHOD AND FILM FORMATION METHOD |
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- 2006-07-12 WO PCT/GB2006/002565 patent/WO2007015050A1/en active Application Filing
- 2006-07-12 KR KR1020077030455A patent/KR101238086B1/ko active IP Right Grant
- 2006-07-12 US US11/997,737 patent/US8486198B2/en active Active
- 2006-07-12 JP JP2008524569A patent/JP2009503882A/ja not_active Withdrawn
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- 2012-05-11 JP JP2012109350A patent/JP5529919B2/ja active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1912889B1 (en) | 2015-09-02 |
| JP2009503882A (ja) | 2009-01-29 |
| EP1912889A1 (en) | 2008-04-23 |
| KR101238086B1 (ko) | 2013-02-27 |
| WO2007015050A1 (en) | 2007-02-08 |
| JP5529919B2 (ja) | 2014-06-25 |
| KR20080031690A (ko) | 2008-04-10 |
| US20080230510A1 (en) | 2008-09-25 |
| WO2007015050A8 (en) | 2008-06-19 |
| US8486198B2 (en) | 2013-07-16 |
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