TWI336107B - Damage-free ashing process and system for post low-k etch - Google Patents

Description

1336107 九、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用乾蝕刻處理來移除基板上之後蝕刻殘 留物的方法及系統，更具體而言，係關於一種在低介電常數(l〇w_k) 層上施行後蝕刻殘留物之無損害移除的方法及系統，其中該low_k 層之介電常數係低於Si〇2之介電常數。 【交叉參考之相關申請案】 本申凊案係與在2003年12月17日所申請之名為rMeth〇d and

zpparatusforbilayerphotoresist dry development」及在 20〇3 年 8 月 14 曰所中請之名為「Method and apparatus for multiplayei: photoresistdrydevelopment」的美國申請案相關。上述之申請案的 所有内容係包含於此作為參考。 【先前技術】

為半導界之人士所知’内連線延遲為改善積體電路(IC)之速度 及效能之範射駐要限個素一種使内連線延遲最小化的方 j ’错由在ic製造巾使職介電t_QW_k)材料來減少内連線 。'谷因此近年來業界已發展出l〇w士材料來取代相對高 的，材料，如二氧化石夕。尤其似膜被用作為== 及層外介電層。此外，為了更進—步地減少絕緣 =4之”電常數，孔洞來形成材料膜，如纽lc>w_ 可藉_似於施加光阻之㈣介電質方法(SOD)解 由化學軋相沈積(CVD)來沈積。因此，沁〜士材料之 ^ = Ϊ現Γΐ半導體製造處理。軸1(^材料有利於半導體電“ ij明人1^忍到：此類膜亦產生許多的挑戰。首先，盘4 S，之"電層她’ l〇w_k膜具有較;結實之 ’圓 =間^損害，例如受_常使耻_化 焚灰化處理的損害。再者，如⑽膜在受到損 5 南反應〖生，尤其是在圖型化後藉此使得low-k材料吸收水份及/ 或與其他蒸氣及/或污染物反應，而此可改變介電層之電性。因此， 原先具有低介電常數之low_k材料遭受損害而導致其介電常數增 加及其原有優點的減少。目前，藉由將l〇w_k層曝露 :以助於自具有該low-k層之先進半導體裝置上移^ 邊，。尤其，乾電漿使用氧系化學品，但吾人觀察到：習知之氧 ίΐίίίΐ上所述之1QW_k層。#界6研究了以氮、氫及氨系化 :A :.、、替代之方案’但此些化學品對l〇w_k層下方的餘刻停止 廣=出不良的侧選擇比。在侧灰化姻將 可導致潛在料_裝置損害。 【發明内容】 -種使用乾魏處理在基板上移除侧後殘留 =法；更具體而言，本發明係關於一種在低介電常數 之無損害移除的方法及系統，其中該1 一 僧之门電吊數係低於Si02之介電常數。 古-ίί:實施例來闡述自基板移除侧後殘留物的方法。將具 有μ電層的基板設置在電漿處理系統中，1中哕介雷屛且古 ㈣介轉練，财關=== 於特徵部’其中該特徵部具有藉由侧處理所形成 後朗物。通人包含錢氣體、含氫氣體及含氧氣 植人'ίΪ將Ϊ中該含氧氣體包含氧(〇2)、C〇或C〇2或任何1 處理系統中自該處理氣體形成電聚。將該基板暴 路至該電漿中以移除該蝕刻後殘留物。 』、 呈有根ίίίίίΓ闡述自基板移除侧後殘留物的方法。將 八有”電層的基板設置在電漿處理系统中，苴十兮入雪思目士 利用钮刻處理而形成於J:中的—鮮 ”中h電層具有 後殘留物:;中=== ^電績的介電f數值。通人包含含該體、含舰體及含氧 1336107 ，體的處喊體’其巾該含氧氣體包 處理系統中自該處理氣體形成錢。“二露 該峨殘留物，但對介電層之介電常= 洲ΐΐίί—實施例來闡述自基板上之介電層中的特徵部移除 =ί=ίίί;ί Γ咖包含:一·處理室，用 理處理室並用以執行使贱處理氣體的處 甘士外八ί處乳體包含一含氮氣體、一含氫氣體及一含氧氣體， 其中戎含氧氣體包含氧CO或C〇2或〇2或任何1组人。^^ 倾的介電常數值:且移除該_後i留i 對；I電層之介電常數值造成無實質上之改變。 田w 【實施方式】 爲材料處理方法學中’ 81型化侧包含了施加—感光材料薄 1(1 且)至絲之上表面，接續圖型化此感光材料^提供一遮 期間將此圖型轉移到下方之薄膜。通常感光材料t ’例如光微影系統藉由輕射源來使感光 關之光學裝置)而進行曝光；接著使用一顯影劑 照射區域祕1在正光㈣情況下)或未受照 射區域(例如在負光阻的情況下)移除。 減=來說’如圖1a_c中所示’包含了具有使用習知光微影技 刻遮^ 6 ^之感光層3的侧遮罩可用作為介電層4之触 感光層3中之遮罩圖型2係使用糊處理而轉移 的較下層。例如，停止層可二= 光材料及二後’剩餘的感 在钱刻處理後’移除蝴後殘留物。通常習知之作法為使用 7 除此類殘留物，但本發明人觀察到該此習知之卢 才f 電層，且在許多情況下會引起介雷展夕义二上知之處理會 先進半導體裳置中，介電層包含低介^ 數增加。在 介，常數層之介電常數值低於Si〇2^nm撕。例如， c者：^ ^ f ^iam〇ndTM)cvD , (Novellus Systems)所販售的珊蝴吩瓜 二〆，糸統 電層可包含單相㈣，例如具有阳鍵&^=多孔介 在硬化處理期間會斷裂以產生小空隙氧^基貝’该项鍵 貝’该有機材料(例如成孔劑)孔隙在硬化處理期間合基乳= 包含無機之矽酸鹽系材料，如使用W技;:二：之 Γ ^^[hydr〇gensilsesq^〇xane ^hylsilsesq_ane(MSQ)]。例如此類膜包含 ^

Commg)所販售的FqxHSQ、由道康寧(D〇w c⑽㈣所販^ =孔HSQ及由JSR微電子所販售之JSRLKD 5i〇9 者 =可铲使用SOD技術所沈積的有機材料。例如二： 由陶氏化于(Dow Chemical)所販售的SiLK4、SiLK J、趾冗、 電樹脂，及FLAM™，及由漢威 "在-貫施例中將敘述使用包含含氮⑽氣體、含氫⑻氣體及含 乳(〇)氣體之處理氣體自介電層移除_後殘留物的處理。或者， 可將氮(N)、氣(H)及氧(〇)之兩或更多者包含在單—氣體中。例如， 可通入氨-氧(NHVO2)系之化學品來作為自1〇w_k介電層移除侧 1336107 • f施例中，可施加氮-純W/〇2)系 困一 :11'㈣；丨電層移除射彳後殘留物。或者，可添力σ或使 . 械^㈣來取代前所述之兩化學品中的〇2。或者，可六力 ^使，二氧化碳(co2)來取代前所述之三化學品中的〇2。或者; ， J)理軋體更可包含惰性氣體’如貴重氣體(即氦、氖、氬、氪、； • ^根據T實施例，圖2中所示之電聚處理系統1包含：電激處 L夂1^連接至電聚處理$10之診斷系、统12、及連接至診斷系 f H與賴處理室1G的控制器14。控制器14係用以執行包含了 Φ 同之化學品(即’簡3/〇2、聊2/〇2、nh3/co、n2/h2/co、 zro;、’c02等)中至少-者之處理配方，以自=移 二=後殘留物。此外，控制器14係用以接收來自診斷系统3 終ί訊號’並對該至少一終點訊號進行後處理以精確地 『i使用賴來進行材料處理。電聚處理系統i可^弍亥， ，據圖3中所示之實施例，電漿處理系 :ω ;基板支座2Q，待處理的基板25係爾於心； • ίϊίϊ二基工25可為半導體基板、晶圓或液晶顯示板。 鲁電f生点拉以在與基板25之表面相鄰的處理區15中促進 ^成。藉氣體注射系統(未圖示)通入可離子化之氣體蚊體 °例如可使用一控制機構(未 定^= 對預定材料處理來產生特 統la可用於處理各種尺土寸!^裸如路2t〇移除f料。電祕理系 或更大者。合徑尺寸的基板’如200咖基板、300 mm基板 笑搞靜敍具系，絲將基板25固絲基板支座上。此外’ ς i更可包含具有再循環冷卻劑流的冷卻夺咣，&自旯;^ 如〇接收熱並將熱傳到-熱交換系統(未圖示;^在== ^熱。此外’可藉由__氣 25 20 此類系控制基板潘度時'可使用 t ^ ^ 25. t 室壁中及電漿魏翁室10之腔 曰在圖3所示之實施例中，基板支座2〇可包含_ 亥電極而輕合至處理空間15中之處理電漿。例如，可二 支座20以使過阻抗匹配網路5〇而將卵能量輸送到基^ 壓可作為熱轩_賴_。在聽置 侧_反絲來作貌魏進行齡，其巾 射電極係作為接地表面。RP偏壓之通常頻率範圍可。二 至約電漿處理之奸系統係為此項技藝者所熟知。 減少反射能量，以在賴處理室i〇 A 。RF此里至電毁之輸送效率。阻抗匹配拓撲(例如L型、冗型、τ 型等)及自動控制方法係為此項技藝者所熟知。 一真控泵抽系統3〇可包含例如泵抽速度可達每秒5000升(及更 南)之上触分子真空泵浦(ΤΜΡ)，及調節腔室壓力關閥。在乾 電装钱刻用之習知電漿處理裝置中，通常使用每秒1〇〇〇至3〇〇〇 升巧ΜΡ。TMPs係使用在低壓力處理(通常低於約5〇滿句。針 對南壓力處理(即，高於約100mT〇rr)，可使用機械助力泵浦 (mechanicalb〇0sterpump)及乾式粗抽泵浦㈣·ghingpump)。此 外丄可使一腔室壓力監控裝置(未圖示)連接至電漿處理室1〇。壓 力莖測裝置可為例如由MKS Instruments公司(Andover, MA)所販 售之628B Baratron型絕對電容壓力器。 數位包含題理11 ‘、記㈣及触輸人細接口。該 夠產生控制電壓，此控制電壓不但足以溝通 细牧π々/ 制态14可連接至即產生器40、阻抗匹酡 至注射系統(未圖示）、真空泵抽系統30，而且可連接 S二=夹/系，(未圖示)，並與上述者交換資訊= 系统^之^ 用以根據一製程處方來活化至電毁處理 2 = 件的輸入’以施行有機ARC狀侧方法。控 =14可使用直接連結、内部網路或網際網路或其任何組合 v種來與電聚處理系統la交換資料。控制器14可連接 裝置製造者)之内部網路，或可連接至供應 部網t。此外，另—台電腦(如控制器、‘器： 制Θ 14 U藉由直接賴、㈣網路或網際網路或其任 合中之至少一種來交換資料。 、 / —斷系統12可包含光學診斷次系統(未圖示）。該光學診斷次 糸統可包含一偵測器如(石夕)光二極體或光電倍增管(pMT)，以測量 自電漿所射出之光強度。該診斷系統12更可包含光學濾件，如窄 頻雜訊干擾濾件。在另一實施例中，診斷系統12可包含一線性 CCD(電荷耦合裝置器’ charge c〇upled如㈣、aD(電荷注射裝置) 陣列或散光裝置如光栅或棱鏡，或任何其組合，此外，診斷系統 12可包含一單色儀(例如光柵/彳貞測系統)以測量在特定波長下之 光，或一光譜儀(例如具有旋轉光柵)以測量光譜，舉例來說，如美 國專利編號5,888,337中所述之裝置。 、 诊斷系統12可包含一高解析度之光學放射光譜(〇ES)感測 1336107 器，如 Peak Sensor Systems 公司.或 Verity Instruments 公司所生產 者。此類OES感測器具有橫越紫外光(uy)、可見光(VIS)及近紅外 光(NIR^光造的廣闊光谱範圍。其解析度約I #埃，即自240至1〇〇〇 nm該感測裔能夠採集5550種波長。例如，該〇ES感測器可配有 向感度之微型光纖UV-VIS-NIR光譜儀，其接下來將與2048像素 ，之線性CCD陣列整合。 ” ，光譜儀接收經由單一條或一束光纖傳輸之光，其中自光纖輸 出之光被分散到使用固定光柵之線性CCD陣列各處。利用上述配 置，藉由一凸面球面鏡片可使傳輸通過光學真空窗口之光聚焦至 光纖之輸入端。三具光譜儀形成處理室10之感測器，每一光譜使 ® 係經過特別調整以用於特定之光譜範圍(UV、VIS及NIR)。每一 光譜包含一獨立的A/D轉換器。最後，依據感測器之使用，每〇1 至1.0秒吾人可記錄一次全放射光譜。 在圖4所示之實施例中，電漿處理系統lb可類似於圖2或3 之實1例，除了包含參照圖2及圖3所述之該些元件外，並更包 含-靜止或機械式或電子式旋轉的磁場系统6〇，以潛在性地增加 電毁密度及/或改善電毁處理之均勻度。此外，控制器14可連接至 磁場系統60以調變其旋轉速度及磁場強度。該旋轉式磁場的設計 及施行係為此項技藝者所熟知。 • 〇 ^圖5所示之實施例中，電漿處理系統lc可類似於圖2或圖 之貫施例’但更可包含一上電極7〇，财能量可自即產生器72 經過阻抗匹配網路74而搞合至該上電極7〇。施加处能量至上電 極所用&之，常頻率顧可自約Q丨臟2至約2⑻MHz。此外，施 里至下電極所用之通常頻率範圍可自約ai MHz至約100 > z。又’控制器連接至即產生器及阻抗匹配網路％，以控制 極％的^能量。該上電極之設計及施行係為此項技 6所不之貫施例中，電漿處理系統ld可類似於圖2或圖 之貫施例’但更可包含一感應線圈8〇，处能量可藉由处產生 12 1336107 器82經過阻抗匹配網路84而耦合至該感應線圈8〇t>Rp能量自感 應線圈80經過介電窗口而感應式地耦合至電漿處理區15。施加 RF能量至感應線圈80所用之通常頻率範圍可自約〗〇mhz至約 100 MHz。類似地’施加Rp能量至夾頭電極所用之通常頻率範圍 可自約0.1 MHz至約1〇〇 MHz。此外，可使用一槽口法拉第屏板(未 圖示)以減少感應線圈80與電漿間之電容耦合。此外，控制器14 連接"if產生器82與阻抗匹配網路84以控制施加至感應線圈 80之能量。在另一實施例中，感應線圈8〇可為「螺旋」線圈或「扁 平」線圈，同於在變壓器耦合電漿(TCP)反應器中者，自電漿處理

區15之上方與其作溝通。感應式粞合電漿(Icp)源之設計及施行係 為此項技藝者所熟知。 或者，可使用電子迴旋共振式源來形成電毅。在更另一實施 例中，由發射螺旋波來形成電漿。在更另一實施例中，自表面傳 導波來形成電毁。上述的每—種電漿源皆為此項技藝者所熟知。 在下列之纣論中，將闡述一種使用電漿處理裝置自介電芦 除侧後殘留物的方法。該電漿處理裝置可包含 曰 對圖2至圖6所述者，或其組合。 々針

在一/實施例中，自介電層移除蝕刻後殘留物的方法包含 nh3/co系化學品。例如，處理參數空間可包含：約2〇至 mT:rr ^腔室壓力、範圍自約5〇至約2_ sccm之丽3處理 流置、|(L圍自約50至約2000 sccm之CO處理氣體流量、範圍 約0至約2_ W之上(例如，5中所示之元件 固 及範圍自約10至約1000 W之下電極(例如，圖5中 20)RF偏壓。又’上電極偏壓頻率範圍可自約〇1贿2至 MHz，例如約60 MHz。此外，下電極偏壓頻率範 〇 至約 100 MHZ，例如約 2 MHz。 目 J ϋ·1 MHz 在另-實施例中，自介電層移除侧後殘留 ΝΗ3/02系化學品。例如，處理參數空間可包含：約如至纟= mlbrr之腔室壓力、範圍自約5〇至約2〇〇〇吻之鸣=氣體 13 1336107 流量、範圍自約50至約1000 seem之〇2處理氣體流量、範圍自約 〇至約2000 W之上電極(例如，圖5中所示之元件7〇)rf偏壓、及 範圍自約至約1000 W之下電極(例如，圖5中所示之元件2〇)即 偏壓。又，上電極偏壓頻率範圍可自約O.i MHz至約2〇〇MHz， 例如約60 MHz。此外’下電極偏壓頻率範圍可自約〇丨mjjz至約 100 MHz，例如約 2 MHz ° 在更另一實施例中，自介電層移除蝕刻後殘留物的方法包含 NHVCO2系化學品。例如，處理參數空間可包含：約2〇至約1〇〇〇 mTorr之腔至壓力、範圍自約50至約2000 seem之NH3處理氣體 流量、範圍自約50至約1000 sccm之C〇2處理氣體流量、範圍自 約0至約2000 W之上電極(例如，圖5中所示之元件7〇)Rp 及範圍自約10至約1000 W之下電極(例如，圖5中所示之元件 20)RF偏壓。又，上電極偏壓頻率範圍可自約〇丨MHz至約 MHz，例如約60 MHz。此外，下電極偏壓頻率範圍可自約〇丨MHz 至約100 MHz ’例如約2 MHz。 在一例中，闡述一種使用如圖5中所示之電漿處理裝置自介 電層移刻後殘留物的方法。然而，前所討論之方法並不限於 此例所不之範疇。表1顯示：在移除了蝕刻後殘留物後，介電層 (SiCOHlow-k)中蝕刻特徵部的關鍵尺寸(CD)(上、中及下)(奈米广 在使用下個示性處理配方移除侧後殘__移除後y特徵 ，之關鍵尺寸的偏移(CD偏移）。而該例示性配方則如下所示：腔 室壓力=約400mT〇rr;上電極Rp能量=約·;下電極卯能量= 約300W ;處理氣體流量應3圮〇=約12〇〇/6〇〇 sccm ;電極7〇(見 =5)之下表面與基板支座2〇上之基板25的上表面間的間距約為 f、職；下電極溫度(例如在圖5中之基板支座20)=、約20 °C ;上電 (例如圖5中之電極聲約6〇〇c ;腔室壁溫度=約6〇〇c ; 二央/邊緣，背側_壓力=約1〇/35加；及約⑵秒之侧時 i特式特徵部(間距窄之特徵部)及孤立特徵部(間距寬 之特徵部)_鍵尺寸及_尺寸偏移。 14 ^36107 此外，提供自介電層移除蝕刻後殘留物之兩其他處理配方的 =鍵尺=及麵尺寸偏移。首先，提供—f知氧(。2)純學品之配 至愿力=約2〇mT〇IT ;上電極1117能量=约300w ;下電極 1，力0W，處理軋體流量〇2/Ar=約200/500 sccm;電極7見 圖5)之下表面與基板支座2〇上之基板25的上表 極溫度(例如在圖5中之基板支錢)=_= 中央/邊緣之背側減壓力'約1〇/3 皿度2 60 C ’ 電極RP能量，0W ; 严力=約彻mlbrr ;上 nh3'約 1800sccm;電極之:主3_ ;㈣ 基板25的上表面間的間距約H5)之下表=與基板支座2〇上之 中之基板支座20)=約2G°C 電極溫度(例如在圖5 約60。(：；腔室壁溫度，6〇〇c電二亟^(例如圖5中之電極70)= l〇/35Tbrr ;及約120秒之_日_。、邊緣之#側氦氣壓力=約 15 1336107

如表1中所示，當吾人使用氨_3)系化學品與C〇時，CD 偏移大幅地緘少。例如，巢式特徵部之CD偏移係少於或等於5 ^，而孤立特徵部的CD偏移係少於l〇nm。又，關鍵尺寸之偏 移不可大於約關鍵尺寸之10%。雖然僅使用氨系化 ，合理的，但本發明人體娜使用此化學品尨 留物會導致(low-k)介電層下方之蝕刻停止層的過度移除。 圖7顯示根據本發明之一實施例在電漿處理系統中自基 之(l〇w-k)介電層移除蝕刻後殘留物的方法流程圖。程 於步驟41G，在41G中將處理氣體通人至賴處理系統，其中^ 16 1336107 氣體包含一含氮(N)氣體、一含氫(Η)氣體、一含氧(〇)氣體。例如， ' 該處理氣體可包含氨(ΝΗ3)及雙原子氧(〇2)。或者，該處理氣體可 包含又原子氮(Ν2)、雙原子氫(¾)及雙原子氧(〇2)。或者，處理氣 體可包含氨_3)及一氧化碳(CO)。或者，處理氣體可包含雙原子 氮(N2)、雙原子氫(¾)及一氧化碳(CO)。或者，處理氣體可^含氨 (ΝΉ3)及二氧化碳(C〇2)。或者，該處理氣體可包含雙原子氮(n2)、 雙原子氫(¾)及二氧化碳(C〇2)。或者，該處理氣體更可包含惰性 氣體，如責重氣體。 在步驟420中’於電聚處理系統中使用如圖2至圖6中所述 之系統或其組合，自處理氣體形成電漿。 春 在步驟430中，包含了具有蝕刻後殘留物於其上之介電層的 基板係暴露至在步驟420所形成的電漿中，以在不損害介電層的 情況下移除蝕刻後殘留物。在此實施例中，暴露至電漿會使介電 層下方之钱刻停止層的厚度減少約少於1〇〇/Q。 雖然以上僅就本發明之數個實施例進行詳細闡述，但熟知此 項技藝者應庄意：在不實質上脫離本發明之新穎教示及優點的情 況下，可對實施例作許多修改。因此所有此類之修改皆應包含於 本發明之範疇内。 17 【圖式簡單說明】 ^ 、1B及1C顯示圖型化蝕刻一薄膜之典型程序示意圖。 國。θ係根據本發明之一實施例顯示電漿處理系統的簡化示意 ^係根據本發日月之另—實施例之魏處理系統的示意圖。 H 糸根據本發明之另—實施例之電漿處理系統的示意圖。 二糸根據本發明之另—實施例之賴處理系統的示意圖。 二”本f明之另—實施例之電裝處理系統的示意圖。 叫，丨小肌佩昍之—實施例顯 板上之介電層移除蝕刻殘留物的方法 示在一電漿處理系統中自基 0 【元件符號之說明】 1 :電聚處理系統 la ·電漿處理系統 lb :電漿處理系統 lc :電漿處理系統 Id :電漿處理系統 2 :圖型 3 ♦感光層 4 :介電層 5 :基板 6:钱刻遮罩 7·钱刻停止層 8:蝕刻後殘留物 9 :圖型 10 :電漿處理室 12 ’·診斷系統 Η :控制器 10 :電漿處理室 1336107 處理區 基板支座 基板 真空泵抽系統 RF產生器 阻抗匹配網路 磁場糸統 上電極 RF產生器 阻抗匹配網路 感應線圈 RF產生器 阻抗匹配網路 :程序 :通入處理氣體 :形成電漿 :暴露基板

Claims (1)

1. 年j 修(更)正本

   申請專利範圍 ▼ 雩 *，· 蔣且1重自^板移除侧後朗物的方法，包含下列步驟： 介電層具有以ίϊί=:ί;ί理系統中，其中該 特徵=;由，;理而形成於其上的;=殘=中該 4丑氣 將$美二系統中自該處理氣體形成一電漿；及 路至該電漿以移除該蝕刻後殘留物， /、中該；丨電層之介電常數小於Si02之介電當數，且盆中取士 =ίίίί驟包含將射頻’能量麵合至具有基板設置於其上的 法 範圍第1項之自基板移除侧後殘留物的方 八中通入該處理氣體的步驟更包含通人—惰性氣體。 法 1範圍第2項之自基板移除侧後殘留物的方 ，、中k該奴性氣體的步驟包含通入一貴重氣體。 法 t 圍第1項之自基板移除侧後殘留物的方 :、氮氣體及該含氫氣體的步驟包含通入氨_3)。 法ϋ月i利範圍第1項之自基板移除姓刻後殘留物的方 其中通人料缝體及該含氫氣體的步驟包含通人邮2)及氣 決範圍第1項之自基板移除姓刻後殘留物的方 去，其中通^邊處理氣體的步驟包含通入nh3&co。 丰I 範圍第1項之自基板移除姓刻後殘留物的方 去，其中通人鱗理氣體的步驟包含通人卿及〇2。 法第1項之自基板移除侧後殘留物的方 去’其中該；|電層包令--多孔介電層。 去第1項之自基板移除侧後殘留物的方 去，其中該；I电層具有低於25的一介電常數。 20 !3361〇7 --- 99年3月22日修正替換頁 95128131(無劃線） W· —種自基板移除蝕刻後殘留物的方法，包含下列步驟： '八+將具有一介電層之該基板設置到一電漿處理系統中，其中該 ' ;1電層具有利用一蝕刻處理形成於其中的一特徵部，且該特徵部 :有藉由該蝕刻處理而形成於其上的該蝕刻後殘留物，其中該介 • 電層之介電常數低於Si02之介電常數； S

   ，入包含-含氮氣體、—含氫氣體及—含氧氣體的一處 體，其中該含氧氣體包含co或C02或兩者； 在該電聚處理系統中自該處理氣體形成一電裝；及 將該基板暴露至該賴崎除紐織殘留物，同時使該介 電層之該介電常數無實質改變， 電層之該基板的步驟包含:設置具有該介 暴二二層下方設—侧停止層，且其中將該基板 度的約=漿 該侧停止層的損失少浦_停止層厚 法，矛=圍第10項之自基板移除侧後殘留物的方 去’、中該蝕刻停止層包含氮化矽或碳化矽。 12.-種魏處理系統，肋自—基板上之—介電層中之 :==2=物’ ί中該特徵部包含該雜娜移除 關鍵尺寸產生一偏移，該偏移不 10%，該電槳處⑽、統包含： 心纖尺寸的約 -電漿處理室’用以幫助自一處理氣體形 特徵部移除該钱刻後殘留物；及 战電漿以自該 的’i，該電聚處理室並用以執行使用該處理氣體 ，該處理氣體包含—含氮氣體、n 喊體，其中該含氧氣體包含co或 3 ^風體及一含 t該介電層之-介電常數低於Si〇2之介電”且組合’其 殘留物使該介電層之該介電常數無實質上之改變移除該則後 13.如申請專利範圍第12項之縣處理系統，其中該含氣氣 21 1336107 99年3月22日修正替換頁 95128131(無劃線） 體及該含氫氣體包含ΝΉ3。 ---~- 之該&㈣，糾該介電層 係與==圍4=:上處理系統，其中該介電層 f〇r所導致該贿;層之損於該;=== 备4/田種電腦可讀媒體，包含在電腦系統上執行之采口々社人 ===一 ’使該電腦系統控制-4iV 基板設置到一爾理系統中，… 體，r二氧=氧 24*Τ'^: 其以留物， 22