JP2003536258A - 化学的機械的平坦化(cmp)後の清浄化組成物 - Google Patents
化学的機械的平坦化(cmp)後の清浄化組成物Info
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 8
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims abstract description 81
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 54
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims abstract description 29
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 28
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 46
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 39
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 21
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 21
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims description 14
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000000996 L-ascorbic acids Chemical class 0.000 claims description 8
- CIWBSHSKHKDKBQ-DUZGATOHSA-N D-isoascorbic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-DUZGATOHSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002211 L-ascorbic acid Substances 0.000 claims description 7
- 235000000069 L-ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 7
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 7
- 235000010350 erythorbic acid Nutrition 0.000 claims description 7
- 229940026239 isoascorbic acid Drugs 0.000 claims description 7
- JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)OCCN JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 2-[(1s)-1,2-dihydroxyethyl]-3,4-dihydroxy-2h-furan-5-one Chemical compound OC[C@H](O)C1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 0.000 claims description 6
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims description 5
- ZZZCUOFIHGPKAK-UHFFFAOYSA-N D-erythro-ascorbic acid Natural products OCC1OC(=O)C(O)=C1O ZZZCUOFIHGPKAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229930003268 Vitamin C Natural products 0.000 claims description 4
- 235000019154 vitamin C Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000011718 vitamin C Substances 0.000 claims description 4
- QJEINWXAHGQZHL-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanol;2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound NCCO.OCCN(CCO)CCO QJEINWXAHGQZHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 88
- 229940108928 copper Drugs 0.000 description 43
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 7
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- -1 monoethanolamine amine Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical group [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 235000014987 copper Nutrition 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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-
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-
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-
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Abstract
Description
hanical polishing)(post−CMP)清浄化操作に、そ
してより詳細には、超小型電子回路基板のためのCMP後(ポスト−CMP)(
post−CMP)清浄化液の分野に関する。
械的平坦化(CMP)プロセスは、今や、0.35ミクロン未満の設計幾何学を
有するデバイスの製造のための種々の基板の平坦化のための、最も進歩した半導
体操作によって用いられる十分確立された可能化技術である。
湿潤化研磨表面(wetted polishing surface)に対し
て、薄い、平坦な基板の半導体材料を保持し、そして回転する工程を包含する。
アルミナまたはシリカのような研磨剤を含む化学スラリーは、研磨材料として用
いられる。さらに、この化学スラリーは、処理の間、この基板の種々の表面をエ
ッチング(食刻)する選択された化学物質を含む。研磨の間の材料の機械的除去
および化学的除去の組み合わせによって、この表面の優れた平坦化が得られる。
汚れは、研磨スラリーに加えられた反応性化学物質とアルミナまたはシリカから
構成され得る、研磨スラリーからの研磨粒子からなる。さらに、汚染層は、研磨
スラリーおよび研磨された表面の反応生成物を含み得る。デバイスの信頼性の低
下を回避するために、そして製造プロセス収率を減少させる欠損の導入を回避す
るために、半導体基板の引き続く処理の前に、汚染を除去することが必要である
。従って、CMP後(post−CMP)清浄化液が、CMP残留物の基板表面
を清浄化するために開発されてきた。
に用いられてきた。今日まで、ほとんどのCMP適用は、アルミニウム、タング
ステン、タンタル、および酸化物を含有する表面に対するものであった。
きの材料となってきている。銅はこのような製造における選り抜きの金属として
アルミに代わりつつある。従来のCMP後プロセスは、銅を含む表面を清浄化す
るには不十分である。銅、酸化銅、およびスラリー粒子が、このCMPプロセス
後の銅表面に存在する汚染物である。この銅表面は、シリコンおよび酸化シリコ
ンにおいて迅速に拡散する。従って、デバイスの欠陥(破壊)を防ぐために、こ
れらを全てのウェーハ表面から除去しなければならない。
溶液は、銅含有表面上では有効でない。銅は、これらの清浄化液によって容易に
損傷される。さらに、現在のCMP後清浄化液での清浄化効率は、受容できない
ことが証明されている。
ウム、酢酸、および水を含む半導体デバイスのための清浄化液を開示している。
この溶液は、好ましくは、約1〜約50の容積比率の範囲で、水酸化テトラメチ
ルアンモニウムに対して酢酸を含む。
、溶解もしない、基板からの有機化合物および無機化合物を清浄化するために有
用な水性ストリッピング組成物を開示している。この開示された水性組成物は、
好ましくは、70〜95重量%のモノエタノールアミン、およびカテコール、ピ
ロガロール、または没食子酸のような腐食防止剤を約5重量%で含む。
ロキシルアミン、1〜20重量%のフッ化アンモニウム、および水を含む清浄化
組成物を開示している。この溶液のpHは、8より大きい。この溶液は、没食子
酸、カテコール、またはピロガロールのような腐食防止剤をさらに含み得る。
清浄化するためのアルカリ清浄化水溶液を開示している。この清浄化溶液は、水
酸化第4級アンモニウム(25重量%まで)のような無金属イオンアルカリ組成
物、非イオン性界面活性剤(5重量%まで)、およびpHを8〜10の中に制御
するためのpH調節成分(例えば、酢酸)を含む。
腐食を軽減するための還元剤を含むフォトレジストストリッパー(photor
esist stripper)を開示している。この特許は、アルカリ含有成
分中において、金属腐食の制御のために、とりわけ、アスコルビン酸、没食子酸
ピロガロールの使用を教示している。
して援用されている)は、抗酸化剤として新規なアスコルビン酸誘導体を開示し
ている。
機基板から有機残留物を清浄化するための、アルカノールアミン、水酸化テトラ
アルキルアンモニウム、および腐食防止剤からなる、水性ストリッピング組成物
を開示する。
清浄化組成物は、標的表面からの実質的な粒子の除去を達成し、そして銅含有表
面の腐食を防止しなければならない。このようなCMP後清浄化組成物はまた、
CMP後プロセスにおいて用いたプロセス装備を攻撃することを避けなければな
らない。このようなCMP後清浄化組成物はまた、広範な温度範囲にわたって、
経済的であって、有効に機能すべきである。このようなCMP後清浄化組成物は
また、アルミナまたはシリカベースのスラリーを利用するCMPプロセス後の清
浄化操作において有用であるべきである。
される水酸化第四級アンモニウム;モノエタノールアミン、アミノエチルエタノ
ールアミン、N−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、C2−C5アルカノールアミン、および
それらの組み合わせからなる群より選択される、有機アミン;アスコルビン酸、
L(+)−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、クエ
ン酸、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、ベンゾトリアゾール、およびそれ
らの組み合わせ、からなる群より選択される、腐食防止剤;を含む超小型電子回
路基板を清浄化するための清浄化水溶液である。この溶液のアルカリ度は、溶液
1グラムあたり0.073ミリ当量塩基より大きい。
めの清浄化液であって、この清浄化液は、バランス用の水以外に以下:水酸化テ
トラアルキルアンモニウムからなる群より選択された0.05〜12.4重量%
の水酸化第四級アンモニウムであって、ここでこのアルキルは、C1〜C10の
原子のうちの1つまたはC1〜C10原子の組み合わせを含む、水酸化第四級ア
ンモニウム;モノエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、N−メチ
ルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、トリエ
タノールアミン、C2−C5アルカノールアミン、およびそれらの組み合わせか
らなる群より選択される、0.2重量%〜27.8重量%の極性有機アミン;な
らびにアスコルビン酸(ビタミンC)、L(+)−アスコルビン酸、イソアスコ
ルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジ
アミン四酢酸(EDTA)、およびそれらの組み合わせ、からなる群より選択さ
れる、有効量の腐食防止剤;を含み、ここで、この溶液のアルカリ度が溶液1グ
ラムあたり0.073ミリ当量塩基より大きい、清浄化液である。
、b)モノエタノールアミン、c)アスコルビン酸、および脱イオン水を含む、
超小型電子回路基板を清浄化するための清浄化液である。この溶液のアルカリ度
は、溶液1グラムあたり0.073ミリ当量塩基より大きい。好ましくは、水酸
化テトラメチルアンモニウムは、この清浄化液中に、約0.15重量%〜約1.
25重量%の範囲の量で存在し、モノエタノールアミンは、約0.2重量%〜約
2.25重量%の範囲の量でこの溶液中に存在し、そしてアスコルビン酸は、約
0.10重量%〜約0.9重量%の範囲の量でこの溶液中に存在する。
って、この清浄化液は、本質的に、バランス用の水以外に以下:水酸化テトラア
ルキルアンモニウムからなる群より選択された3.0〜12.4重量%の水酸化
第四級アンモニウムからなる1.5重量%〜12.5重量%の濃縮物であって、
ここでこのアルキルは、C1〜C10の原子のうちの1つまたはC1〜C10原
子の組み合わせを含む、濃縮物と;モノエタノールアミン、アミノエチルエタノ
ールアミン、N−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、C2−C5アルカノールアミン、および
それらの混合物からなる群より選択される、5.0重量%〜27.8重量%の極
性有機アミンと;アスコルビン酸(ビタミンC)、L(+)−アスコルビン酸、
イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、
エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、およびそれらの組み合わせからなる群よ
り選択される、2.0重量%〜10.9重量%の腐食防止剤;そして、87.5
重量%〜98.5重量%の脱イオン水からなり、ここで、この溶液は溶液1グラ
ムあたり0.073ミリ当量塩基より大きい、アルカリ度を有する、清浄化液で
ある。
浄化液のための濃縮組成物である。この濃縮組成物は、以下:約3.0〜約12
.4重量%の水酸化テトラメチルアンモニウム、約5重量%〜約27.8重量%
のモノエタノールアミン、約2.0重量%〜約10.4重量%のアスコルビン酸
、バランス用の水を含む。清浄化液は、少なくとも約1.5重量%〜ほぼ100
重量%の濃縮物を脱イオン水と混合して作製される。この濃縮物はまた、水との
さらなる混合なしに用いられ得る。
基板を清浄化するために清浄化液が提供される。CMP処理に続いて銅含有基板
を清浄化することは、一般に、「CMP後銅清浄化(Post CMP cop
per clean)」といわれる。「銅含有超小型電子回路基板」は、マイク
ロエレクトロニクス、集積回路、またはコンピュータチップ適用における使用の
ために製造された基板表面をいうことが本明細書において理解され、ここで、こ
の基板は、銅含有成分を含む。銅含有成分は、例えば、金属インターコネクト(
interconnect)(これは、主に銅または銅合金である)を含み得る
。超小型電子回路表面はまた、半導体材料(例えば、TiN、Ta、TiWのよ
うな銅拡散バリア金属およびシリカ)からなることが理解される。一般に、銅含
有超小型電子電子回路基板は、銅インターコネクトを含む、約1%〜100%の
銅を含む。
間の任意の清浄化操作のために使用され得る。最も注目されることには、このよ
うな清浄化適用としては、後Via形成およびCMP後プロセスが挙げられる。
従来の半導体ウエハの製造は、平坦化、続くこの平坦化プロセスからの残留材料
の除去を必要とする多くの工程を必要とする。
よび残りを占める水を含む。この水酸化四級アンモニウムは、水酸化テトラアル
キルアンモニウム(TMAH)からなる群から選択され、ここで、アルキルは、
C1〜C10原子のうちの1を含むかまたはC1〜C10原子の組合せを含む。
水酸化四級アルミニウムは、約0.05重量%〜約12.4重量%の量で溶液に
存在する。
ルアミン、N−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、C2−C5,アルカノールアミン、および
これらの組合せからなる群から選択される。この極性有機アミンは、約0.2重
量%〜約27.8重量%の量でこの溶液に存在する。
ン酸、アスコルビン酸誘導体、クエン酸、ベンゾトリアゾールおよびこれらの組
合せからなる群から選択される。腐食防止剤は、約0.2重量%〜約10.9重
量%の量でこの溶液に存在する。酸化銅および他の不純物がこの表面から取り除
かれるような様式で表面が有効に清浄化される一方で、最適な量の腐食を得るこ
とが所望される。従って、最適な清浄化のために、このプロセスは、通常、ウエ
ハ表面での少量の銅損失を生じるが、ウエハの電気的特性は維持する。
基よりも大きい。本発明の1つの実施形態において、清浄化液のための用途とし
て希釈され得る濃縮組成物が提供される。本発明の濃縮組成物または「濃縮物」
は、使用者(例えば、CMPプロセスエンジニア)が、この濃縮物を所望の強度
およびアルカリ度に希釈することを有利に可能にする。この生成物の濃縮物は、
より長い貯蔵寿命を有し、輸送および保存がより容易である。
て広く使用されてきた。これらはまた、水性または溶媒環境に存在する金属また
は金属合金のための首尾よい腐食防止剤であることが見出されている。アスコル
ビン酸および本発明の他の成分は、容易に入手可能である。
に少量存在することである。このことは、経済的な利点である。なぜなら有効な
清浄化液は、より経済的に処方され得、このことは、CMP後清浄化液が大量に
使用されるので、重要である。
、約5.0〜約27.8重量%のMEA、約2.0〜約10.4重量%のアスコ
ルビン酸、残りの部分の水(好ましくは、脱イオン水)を含む。
積のさらなる防止のためにキレート剤を含む。Zn、Cu、Ni、Feなどに対
する周知の金属錯化剤がこの処方物に導入された。腐食防止剤の金属保護能力は
、多くの場合、有機錯体形成剤の錯体形成特性に関連することもまた知られてい
る。
5重量%〜約12.5重量%となるまで脱イオン水を添加することによって、C
MP後清浄化適用における使用のために希釈される。本発明の清浄化液は、周囲
条件から約70℃までの範囲の温度で超小型電子回路基板を清浄化するために使
用され得る。清浄化は、温度が増加するにつれて改善することが一般に認識され
る。
塩基より大きいアルカリ度を有する。より好ましくは、本発明の清浄化液のアル
カリ度は、溶液1グラムあたり約0.091ミリ当量塩基より大きく維持される
。
化性能基準に合致する。一般的な工業的清浄化目的は、200mmのウエハ(エ
ッジが5mm排除されている)についてサイズが0.2ミクロンより大きい20
個未満の粒子の基板ウエハ上での粒子カウントである。
の適用において、それらの使用を除外しない。
のツールとしては、Verteq単一ウエハメガソニック(megasonic
)Goldfinger、OnTrakシステムDDS(両面スクラバー)、S
EZ単一ウエハスプレーリンスおよびMegasonicバッチウェットベンチ
システムが挙げられる。
尾よく使用され得る。
清浄化である。バイアは、金属層を接続するためのコンジットを提供するために
、超小型電子回路基板にエッチングされた穴である。気体状のエッチャントを用
いて基板表面にエッチングすることにより、バイアが形成される。この基板は、
一般に誘電材料(例えば、フッ素化シリカガラス(FSG))である。基板表面
に残る残留物およびバイア壁は、エッチングプロセスに続いて除去されなくては
ならない。この残留物は、これがまたバイアの垂直壁に見出されるので、「側壁
ポリマー」としばしばいわれる。エッチング残留物はまた、金属の上部の、バイ
アの底部に位置し得る。本発明の清浄化液は、曝された誘電材料と反応しないか
またはこの曝された誘電材料に影響を及ぼさない。
。
験を実施した。清浄化液を、脱イオン水、TMAH、アスコルビン酸、および3
種のアミン化合物(MEA、ヒドロキシルアミン、またはN−モノエタノールア
ミン)のうちの1つを混合することによって、調製した。調製された清浄化液の
組成を表1に記載する。比較の目的のために、2つのさらなる清浄化液を調製し
た:溶液10は、脱イオン水中に1.7重量%のNH4OHであり、そして溶液
11は、1:2:10のNH4OH:H2O2:H2Oであった。
−550−10ガラス顕微鏡スライドを使用して行った。以下の手順において、
全ての浸漬を、5秒間行い、そしてプラスティックのピンセットを用いて操作し
た。サンプルスライドを、CMP酸化物スラリー(Ultraplane P−
1500)に浸漬し、250mlの脱イオン水に浸漬し、次いで、W−CMPス
ラリー(Ultraplane−MC W CMP塩基と脱イオン水との1:1
希釈物)に浸漬した。次いで、各スライドを、250mlの脱イオン水に浸漬し
、次いで、目的の清浄化液に浸漬した。次いで、各スライドを、100mlの脱
イオン水に浸漬し、次いで、別の別個の脱イオン水浴に浸漬した。これらのスラ
イドを、周囲条件下で、空気乾燥するために吊るした。各試験と試験の間に、全
ての脱イオン水浴を取り換えた。
証されるように、残りのCMPスラリーの存在について視覚的に評価した。これ
らの乾燥したスライドを比較し、ベスト(1)〜ワースト(11)にランク付け
した。
液1および2)ことを示す。本発明の全ての溶液は、先行技術の清浄化液(溶液
10および11)よりも良好に機能した。
9重量% MEA、0.5重量% TMAHおよび0.35重量%(L)−アス
コルビン酸、残りの脱イオン水からなった。溶液Bは、0.9重量% MEA、
0.5重量% TMAHおよび0.18重量%(L)−アスコルビン酸ならびに
残りの脱イオン水からなった。溶液Cは、水中の0.9重量% MEAからなっ
た。溶液Dは、0.9重量% MEA、0.5重量% TMAHおよび0.35
重量%没食子酸ならびに残りの水からなった。溶液Eは、0.9重量% MEA
、0.5重量% TMAHおよび0.18重量% 没食子酸および0.18重量
% ベンゾトリアゾールならびに残りの水からなった。溶液Fは、緩衝化HF溶
液であり、そして溶液Gは、1.7重量%のNH4OH水溶液であった。一様な
長さおよび幅の銅片を、電析(ECD)銅ウエハの全体的な片(部分的に磨かれ
た)から得、次いで、周囲条件下で攪拌しながら2分間、200mlのサンプル
清浄化液に配置した。この銅ウエハ片を、その後清浄化液から取出し、脱イオン
水でリンス示、そして窒素乾燥した。この銅ウエハ片を色の変化および光沢の損
失について視覚的に検査した。両方とも、腐食の証拠である。これらの処理され
た銅ウエハ片を、表面腐食について原子間力顕微鏡(AFM)試験に供した。
い実施形態(溶液A)を示す。溶液Aおよび溶液Bは、腐食防止剤濃縮物の量が
異なる。全ての他の溶液は、好ましい実施形態と比較して、銅表面の有意な量の
腐食を引き起こした。溶液Gは、表面上の酸化銅層のみを取り除き、従って、多
少の粗雑化が生じた。
図1は、未処理の電析(ECD)銅ウエハであり、図2は、溶液Aに曝露した同
一のECD銅ウエハであり、図3は、溶液Bに曝露したECD銅ウエハであり、
そして図4は、0.9重量% MEA、0.5重量% TMAH、0.18重量
% 没食子酸、残りの水からなる溶液に曝されたECD銅ウエハである。
ビン酸の間の関係を評価するために調製した。清浄化液を、TMAHの濃度が0
.0重量%〜0.5重量%で変化し;MEAの濃度が0重量%〜0.9重量%で
変化し;アスコルビン酸の濃度が0重量%〜0.35重量%で変化し;この溶液
の残りが脱イオン水であるように、TMAH、MEA、およびアスコルビン酸、
ならびに脱イオン水の種々の組み合せを使用することによって調製した。試験溶
液を表IIIに記載されるように調製した。これらの調製された清浄化液を、実
施例1に記載されるガラススライド浸漬試験手順に従って、清浄化性能について
評価した。これらの調製した清浄化液をまた、実施例2の銅片試験手順に従って
銅を腐食する傾向について評価した。
組成G)が、TMAH、MEA、およびアスコルビン酸を含むことを示す。これ
らの成分のうちの少なくとも1つを含まない溶液は、十分に機能しなかった。こ
れらの結果は、TMAH、MEA、およびアスコルビン酸が、清浄化液に特に好
ましい量で共存する場合に、相乗的な清浄化効果が存在することを示唆する。
を示す。バイアの深さプロフィールは、約400nmである。これらのバイアの
断面試験は、明確に、有意な量のポリマー残留物が、エッチングの後に残ってい
ることを示す。
ルビン酸、残りの水の組成を有する本発明に従う清浄化液を、調製した。部分的
にエッチングされたバイアウエハを、70℃で30分間、この溶液に浸した。次
いで、これを、約1分間DI水でリンスし、続いて、N2ブロー乾燥した。
部分分析を示す。これらのバイアの断面図は、それらが、非常に浅い深さプロフ
ィール(平均約80nm)を有することを明らかにする。処理の前および後での
、バイアの深さプロフィールのコントラストは、ウエハ表面からのフォトレジス
ト層の除去に起因し、これは、約300nmの厚みを有すると見積もられる。バ
イアの底部の矩形プロフィール(図6)はまた、側壁ポリマーが、上記溶液によ
って除去されたことを示す。これらの結果は、好ましい実施形態が、バイア清浄
化およびフォトレジストストリッピングのための有用な組成物であることを示唆
する。
% MEA、0.25重量% TMAHおよび0.175重量%没食子酸ならび
に残りの水)および溶液II(0.45重量% MEA、0.25重量% TM
AHおよび0.175重量% アスコルビン酸ならびに残りの水)を、Olin
Arch 10Kスラリー溶液に浸漬する前および後に、TEOSウエハ上の
Cobra−VcSステーションを使用する清浄化試験に使用した。図7〜8は
、溶液Iおよび溶液IIを用いて清浄化されたウエハから、KLA−Tenco
r装置を使用して測定された粒子カウントを示す。本発明に従う好ましい組成物
である溶液IIが、優れた清浄化能力を示すことが明らかである。
し、そして評価した。部分的に平坦化されたECD銅ウエハ片を、2つの異なる
一定温度条件(22℃および50℃)で30分間、これらの攪拌溶液に沈めた。
シート抵抗についての4つの点プローブ測定を、これらの処理の前および後に、
これらの細片に対して行った。これらの溶液についての銅エッチング速度を計算
した。濃縮物Aは、10.0重量% TMAH、18重量% MEA、7.0重
量% アスコルビン酸および残りの水である。濃縮物Bは、10.0重量% T
MAH、18重量% MEA、7.0重量% 没食子酸、および残りの水である
。1分間あたりのオングストロームで報告された結果を、表IVに示す。
することが、表IVのデータから明らかである。
0重量%に希釈した。部分的に平坦化されたECD銅ウエハ片を、一定温度(2
2℃)で10分間、これらの攪拌溶液に沈めた。シート抵抗についての4つの点
プローブ測定を、これらの処理の前および後に、これらの細片に対して行った。
シート耐久性の変化を、表Vに1平方センチメートルあたりのミリΩとして報告
する。
することが、表Vのデータから明らかである。濃縮組成物Aはまた、シート抵抗
の減少が存在するという予期しない結果を、明らかに実証する。
そして記載される特定の実施形態に限定されず、特許証によって保証されること
が所望されるものが、添付の特許請求の範囲に記載される。
での原子間力顕微鏡(AFM)スキャンである。
倍率での原子間力顕微鏡(AFM)スキャンである。
m×10μmの倍率での原子間力顕微鏡(AFM)スキャンである。
×10μmの倍率での原子間力顕微鏡(AFM)スキャンである。
率での原子間力顕微鏡(AFM)スキャンである。
の倍率での原子間力顕微鏡(AFM)スキャンである。
ント測定を示すデータを提示する。
トスキャンである。
Claims (8)
- 【請求項1】 超小型電子回路基板を清浄化するための清浄化液であって、
該清浄化液は、バランス用の水以外に以下: 水酸化テトラアルキルアンモニウムからなる群より選択された0.05〜12
.4重量%の水酸化第四級アンモニウムであって、ここで該アルキルは、C1〜
C10の原子のうちの1つまたはC1〜C10原子の組み合わせを含む、水酸化
第四級アンモニウム; モノエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、N−メチルアミノエ
タノール、アミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールア
ミン、C2−C5アルカノールアミン、およびそれらの組み合わせからなる群よ
り選択される、0.2重量%〜27.8重量%の極性有機アミン;ならびに アスコルビン酸(ビタミンC)、L(+)−アスコルビン酸、イソアスコルビ
ン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジアミ
ン四酢酸(EDTA)、およびそれらの組み合わせ、からなる群より選択される
、有効量の腐食防止剤; を含み、 ここで、該溶液のアルカリ度が溶液1グラムあたり0.073ミリ当量塩基よ
り大きい、清浄化液。 - 【請求項2】 銅含有超小型電子回路基板を清浄化するための清浄化液であ
って、該清浄化液は、以下: 0.5〜12.4重量%の水酸化テトラメチルアンモニウム; 0.2〜27.8重量%のモノエタノールアミン; 0.2〜10.9重量%のアスコルビン酸; 残りの部分の脱イオン水; を含み、 ここで、該溶液のアルカリ度が、溶液1グラムあたり0.073ミリ当量塩基よ
り大きい、清浄化液。 - 【請求項3】 前記溶液のアルカリ度が、溶液1グラムあたり約0.1ミリ
当量塩基より大きい、請求項2に記載の清浄化液。 - 【請求項4】 前記腐食防止剤が、アスコルビン酸、L−アスコルビン酸、
イソアスコルビン酸、およびアスコルビン酸誘導体からなる群より選択される、
請求項1に記載の清浄化液。 - 【請求項5】 CMP清浄化のための清浄化液であって、本質的に、バラン
ス用の水以外に、0.05重量%〜1.25重量%の水酸化テトラメチルアンモ
ニウム、0.2重量%〜2.25重量%のモノエタノールアミン、および有効量
のアスコルビン酸から構成される、清浄化液。 - 【請求項6】 バイア清浄化液であって、本質的に、バランス用の水以外に
、7.5重量%〜12.4重量%の水酸化テトラメチルアンモニウム、12.5
重量%〜27.8重量%のモノエタノールアミン、0.2重量%〜10.9重量
%のアスコルビン酸から構成される、清浄化液。 - 【請求項7】 超小型電子回路基板のための清浄化液であって、該清浄化液
は、本質的に、バランス用の水以外に以下: 水酸化テトラアルキルアンモニウムからなる群より選択された3.0〜12.
4重量%の水酸化第四級アンモニウムからなる1.5重量%〜12.5重量%の
濃縮物であって、ここで該アルキルは、C1〜C10の原子のうちの1つまたは
C1〜C10原子の組み合わせを含む、濃縮物、 モノエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、N−メチルアミノエ
タノール、アミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールア
ミン、C2−C5アルカノールアミン、およびそれらの混合物からなる群より選
択される、5.0重量%〜27.8重量%の極性有機アミン; アスコルビン酸(ビタミンC)、L(+)−アスコルビン酸、イソアスコルビ
ン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジアミ
ン四酢酸(EDTA)、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、
2.0重量%〜10.9重量%の腐食防止剤;を含み、そして、 87.5重量%〜98.5重量%の脱イオン水を含み、ここで、該溶液は溶液
1グラムあたり0.073ミリ当量塩基より大きい、アルカリ度を有する、清浄
化液。 - 【請求項8】 銅含有超小型電子回路基板を清浄化するための清浄化液であ
って、該清浄化液は、本質的にバランス用の水以外に以下: 5.0〜12.4重量%の水酸化テトラメチルアンモニウムからなる1.5重
量%〜12.5重量%の濃度の水酸化テトラメチルアンモニウム、 2.0〜27.8重量%のモノエタノールアミン; 2.0〜10.9重量%のアスコルビン酸; を含み;そして 87.5重量%〜98.5重量%の脱イオン水を含み、ここで、該溶液は溶液1
グラムあたり0.073ミリ当量塩基より大きい、アルカリ度を有する、清浄化
液。
Applications Claiming Priority (3)
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PCT/US2001/018402 WO2001095381A2 (en) | 2000-06-06 | 2001-06-06 | Post chemical-mechanical planarization (cmp) cleaning composition |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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JP2003536258A true JP2003536258A (ja) | 2003-12-02 |
JP2003536258A5 JP2003536258A5 (ja) | 2008-08-28 |
JP4942275B2 JP4942275B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=24351570
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US (1) | US6492308B1 (ja) |
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JP (1) | JP4942275B2 (ja) |
KR (2) | KR100831180B1 (ja) |
CN (1) | CN1205655C (ja) |
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-
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- 2001-06-06 WO PCT/US2001/018402 patent/WO2001095381A2/en active Application Filing
- 2001-06-06 AT AT01942043T patent/ATE462198T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-06-06 DE DE60141629T patent/DE60141629D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-06 KR KR1020027016692A patent/KR100831180B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-06 JP JP2002502824A patent/JP4942275B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-06 CN CNB018107230A patent/CN1205655C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-06 KR KR1020077026381A patent/KR100831182B1/ko active IP Right Grant
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US11597896B2 (en) | 2018-08-30 | 2023-03-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Cleaning liquid, cleaning method, and method for producing semiconductor wafer |
JP2020096053A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 三菱ケミカル株式会社 | 洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法 |
JP7192461B2 (ja) | 2018-12-11 | 2022-12-20 | 三菱ケミカル株式会社 | 洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070114326A (ko) | 2007-11-30 |
US6492308B1 (en) | 2002-12-10 |
DE60141629D1 (de) | 2010-05-06 |
EP1287550B1 (en) | 2010-03-24 |
WO2001095381A2 (en) | 2001-12-13 |
KR20030025238A (ko) | 2003-03-28 |
CN1433567A (zh) | 2003-07-30 |
KR100831182B1 (ko) | 2008-05-22 |
ATE462198T1 (de) | 2010-04-15 |
EP1287550A2 (en) | 2003-03-05 |
CN1205655C (zh) | 2005-06-08 |
WO2001095381A3 (en) | 2002-05-23 |
JP4942275B2 (ja) | 2012-05-30 |
TW574369B (en) | 2004-02-01 |
KR100831180B1 (ko) | 2008-05-21 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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