TW574369B - Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition - Google Patents

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Jeff Barnes
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Description

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發明範疇 概略而言本發明係關於後化學-機械研磨（後_CMp)清潔 操作範疇，特別係關於微電子基板之後_CMp清潔溶液。、 發明背景 今曰半導體裝置的製造是一項複雜的多步驟過程。化 學-機械平面化（CMP)處理今日已經明確建立讓最先進的半 V體操作應用於平面化各色基板用以製造具有設計幾何小 於〇·35微米之裝置。 CMP處理涉及於經過控制之化學、壓力及溫度條件下固 定且相對於經濕潤的研磨表面旋轉半導體材料之薄而平坦 的基板。使用含研磨劑如氧化銘或氧化石夕之化學料衆做為 磨姓材料。此外，化學料漿含有選用的化學品，該化學品 可於處理期間姓刻基板之各表面。於研磨過程中，組合材 料的機械與化學去除將導致表面優異地平面化。 但CMP處理於半導體基板表面上留下污染。此種污牵包 含來自研磨料漿的磨粒可能由氧化鋁或氧化矽組成以及帶 有添加至研磨料漿的反應性化學品。此外，污染層可能包 含研磨料漿與被研磨表面之反應產物。需於隨後處理半導 體基板前去除污染以防止裝置之可信度低劣以及避免導入 缺陷，造成製程良率的降低。如此，發展出後-CMP清潔 溶液來清潔基板表面的CMP殘餘物。 基於氫氧化銨之鹼性溶液傳統上用於後-CMP清潔用途 。今日大部份CMP應用係針對鋁、鎢、钽及含氧化物表面。 但，銅逐漸變成於半導體製造上製造互連結構的首選材 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 574369 A7 ___B7 五、發明説明（2 ) 料。銅替代紹成為此種製造的首選金屬。習知後-CMp製 程不適合清潔含銅表面。於此種CMP處理後，銅、銅氧化 物及料裝粒子變成污染物存在於銅表面上。銅表面快速擴 散於石夕及二氧化矽。因此，需由全部晶圓表面去除以防止 裝置故障。 傳統上可有效用於基於氧化鋁及氧化矽之CMP處理之 後-CMP清潔溶液無法有效用於含銅表面。而銅容易因此 等清潔溶液而受損。此外，使用此種後_CMp清潔溶液清 潔效率已經證實無法為人所接受。
Nam之美國專利第5,863，344號揭示一種含有四甲基氫氧 化錄’乙酸及水之半導體裝置清潔溶液。溶液較佳含有乙 酸對四甲基氫氧化銨之容積比係於約1至約50之範圍。
Ward之美國專利第5,597,42〇號揭示一種水性去除組合 物’其可用於由基板清潔有機及無機化合物而不會腐蝕或 溶解基板的金屬電路。基板的水性組合物含有70至95重量％ 單乙醇胺及約5重量％防蝕劑如兒茶酚、苯三酚或沒食子 酸。
Ward之美國專利第5,709,756號揭示一種清潔組合物含 有約25至48重量％羥胺，1至20重量％氟化銨，及水。溶液 pH大於8。溶液進一步含有防蝕劑如沒食子酸、兒茶酚或 苯三酴。
Hardi等人之美國專利第5,466,389號揭示清潔微電子基 板之水性鹼性清潔溶液。清潔溶液含有一種不含金屬離子 的鹼性組成分如第四氫氧化銨（至多25重量％)，一種非離 -5- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
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子性界面活性劑（至多5重量％)，以及一種pH調整組成分 如乙酸俾控制pH於8至10之範圍。
Schwartzkopf等人之歐洲專利第〇647884A1號揭示含還 原劑俾減少金屬腐#之光阻劑去除劑。此專利案教示使用 抗壞血酸、沒食子酸、苯三酚等用以於含強鹼組成分控制 金屬的腐I虫。
Satoh等人之美國專利第5，143,648以引用方式併入此處 ’揭示新藉抗血酸組合物做為抗氧化劑。
Ward之美國專利第5,563，1 19號揭示一種由烷醇胺、四 烧基氫氧化銨及防姓劑組成用以由鋁化無機基板清潔有機 殘餘物之水性去除組合物。 需要有一種可用於含銅表面之後-CMP清潔組合物。此 種後-CMP清潔組合物需可由目標表面實質去除粒子以及 防止含銅基板的腐蝕。此種後-CMP清潔組合物也須避免 攻擊後-CMP處理使用的處理裝備。此種後-cmp清潔組合 物也需於寬廣溫度範圍經濟有效。此種後-CMp清潔組合 物也可用於利用基於氧化鋁或氧化矽之料漿進行CMP處理 後之清潔操作。 發明概要 本發明為一種清潔微電子基板之水性清潔溶液，包含一 種第四氫氧化銨，其係選自四烷基氫氧化銨組成的組群， 其中烷基含有(^至C1G原子之一或(^至C1G原子的組合；有 機fe ’其係選自單烧醇胺、胺基乙基乙醇胺、N-曱基胺某 乙醇、胺基乙氧乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺、C2_c5烧醇 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 574369 A7 B7 胺類及其組合組成的組群；一種防姓劑，其係選自抗壞血 酸、L( + )-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、檸 檬酸、伸乙基二胺四乙酸（EDTA)、笨并三唑及其組合組 成的組群。溶液之鹼度大於〇·073毫當量驗/克溶液。 如此於本發明之一特徵方面為一種清潔微電子基板之清 潔溶液’該清潔溶液包含：〇.〇5至12.4重量％第四氫氧化 銨’其係選自四烧基氫氧化錢組成的組群，其中該烧基含 有Ci至Ci〇原子之一或（^至匸⑼原子的組合；〇·2重量％至 27.8重量％極性有機胺，其係選自單乙醇胺、胺基乙基乙 醇胺、Ν-甲基胺基乙醇、胺基乙氧乙醇、二乙醇胺、三乙 醇胺、CrC5烧醇胺類及其組合組成的組群；有效量防蝕 劑，其係選自抗壞血酸（維生素C)、L(+)-抗壞血酸、異抗 壞血酸、抗壞血酸衍生物、苯并三唑、檸檬酸、伸乙基二 胺四乙酸（EDTA)及其組合組成的組群；差額為水；以及 此種溶液之鹼度大於0·073毫當量鹼/克溶液。 於一特徵方面本發明為一種清潔微電子基板之清潔溶液 包含a)四曱基風氧化按’ b)單乙醇胺，c)抗壞血酸及去離 子水。溶液之鹼度係大於0.073毫當量鹼/克溶液。較佳， 四曱基氫氧化銨於清潔溶液之含量係於約〇15重量0/。至約 1.25重里％之範圍’單乙醇胺於溶液之含量係於約ο]重量％ 至約2 · 2 5重量％之範圍，及抗壞血酸於溶液之含量係於約 0.10重量％至約0.9重量％之範圍。 於又另一特徵方面，本發明為一種微電子基板之清潔溶 液，該清潔溶液主要係由1 · 5重量％至12 · 5重量％濃劑組成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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，該濃劑之組成為：3.〇至12.4重量％第四氫氧化録，其係 選自四烷基氫氧化銨組成的組群’其中該烷基含有A至 c10原子之一或c^ClQ原子的組合；5〇重量％至27 8重量％ 極性有㈣’其係選自單乙醇胺、胺基乙基乙醇胺、N•甲 基胺基乙醇、胺基乙氧乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺、c2-c5 烷醇胺類及其組合組成的組群；20重量％至1〇 9重量％防 蝕劑，其係選自抗壞血酸（維生素c)、[(+)_抗壞血酸、異 抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、笨并三唑、檸檬酸、伸乙基 一胺四乙酸（EDTA)及其組合組成的組群；差額為水；以 及87.5重量％至98.5重量％去離子水；此種溶液之鹼度大於 0.073毫當量鹼/克溶液。 於本發明之又另一特徵方面為一種用於清潔微電子基板 之清潔溶液之濃劑組合物。濃劑組合物包含約3 〇重量％至 約12.4重量％四曱基氫氧化銨，約5重量％至約27·8重量％ 單乙醇胺，約2.0重量％至約丨〇·4重量％抗壞血酸，差額為 去離子水。清潔溶液係經由混合至少約1.5重量％至接近 100重量％濃劑與去離子水製成。濃劑也可未經進一步混 合水而使用。 圖式之簡單說明 圖1為一片基板上部份經研磨之電化學沉積銅表面於10 微米χ10微米放大之原子力顯微術（AFM)掃描。 圖2為使用根據本發明之溶液處理圖1之晶圓於1〇微米 x 10微米放大之原子力顯微術（AFN1)掃描。 圖3為使用根據本發明之另一種組合物清潔圖1銅試樣於 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公袭·)
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574369 圖4為使用根據本發明之不同組合物處理之圖1銅試樣於
A7 B7 五、發明説明（6 10微米Χίο微米放大之原子力顯微術（AFM)掃描。 10微米Χίο微米放大之原子力顯微術（AFM)掃描。 圖5為於本發明組合物處理前通孔於丨〇微米χ丨〇微米放大 之原子力顯微術（AFM)掃描。 圖6為圖5通孔於使用本發明溶液處理後於1〇微米χ1〇微 求放大之原子力顯微術（AFM)掃描。 圖7為資料代表圖顯示於使用本發明組合物清潔前與後 晶圓上之粒子數目的測量值。— 圖8為於使用本發明溶液清潔前與後晶圓之粒子計數掃 描。 發明之詳細說明 提供一種於CMP處理後清潔含銅微電子基板之清潔溶液 。於CMP處理後清潔含銅基板通常稱作為“後cMp清潔，，。 含銅微電子基板”一詞需了解於此處表示一種基板表面製 造供微電子、積體電路、或電腦晶片等用途，其中該基板 含有含銅組件。含銅組件包括例如主要為銅或銅合金的金 屬互連結構。需了解微電子表面也可由半導體材料組成例 如TiN，Ta , TiW作為銅擴散阻擋成金屬及氧化矽。通常 含銅微電子基板含有約1 %至100%銅包括銅互連結構。 本發明之清潔溶液可用於微電子基板如半導體晶圓製造 期間之任何清潔操作。最值得注意者為此種清潔應用包括 後通孔形成及後-CMP處理。習知半導體晶圓的製造涉及 多個步驟，此等步驟要求平面化，接著去除來自平面化處 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
574369 A7 B7 五、發明説明（ 理的殘餘物質。 本發明之清潔溶液包含第四氫氧化銨，有機胺、防蝕劑 及差額為水。第四氫氧化銨，其係選自四烷基氫氧化銨 (TMAH)組成的組群，此處烷基含有CisciG原子之一或Cl SC1G原子的組合。第四氫氧化録於溶液之存在量為約 0.05重量％至約12.4重量％。 極性有機胺，其係選自單乙醇胺（MEA)、胺基乙基乙醇 胺、N-甲基胺基乙醇、胺基乙氧乙醇、二乙醇胺、三乙醇 月女、C^C5烧醇胺類及其組合組成的組群。極性有機胺於 溶液之存在量為約〇.2重量％至約27·8重量0/〇。 防蝕劑，其係選自抗壞血酸、！^( + )-抗壞血酸、異抗壞 血酸、抗壞血酸衍生物、檸檬酸、苯并三唑及其組合組成 的組群。防蝕劑於溶液之存在量為約〇2重量％至約ι〇·9重 量％。需要獲得最理想的腐餘量同時有效清潔表面，讓銅 氧化物及其它污染由表面被去除。因此，用於最理想清潔 ，該方法通常誘使晶圓表面之微量銅耗損，但維持二： 本散明滑漯溶液之驗度係 七田置峨-/兄浴液。 本电明之-具體實施例中，提供—種可稀釋用做 液之濃縮組合物。本發明之濃縮組合物或“濃劑，，可 允許使用者，例如CMP處理工程師將濃劑稀釋至 及驗度。奏物7辰劑具有較長的儲存壽命、办' 存。 罕又令易輪送與儲 抗壞血酸及其衍生物廣泛用於食品及藥品 ’、口口文為抗氧化劑 -10-
574369 A7 ___— _ B7 五、發明説明（8 ) 。發現也可成功地用做為金屬或金屬合金存在於水性或溶 劑環境的防蝕劑。本發明之抗壞血酸及其它組成分通 市面上可得。 、 本發明之清潔；容液之主要#色為非水性組成分（水以外 的組成分）以小量存在於溶液。此乃具有經濟優勢，原因 在於可更經濟地調配有效清潔溶液，此點相當重要原因在 於後-CMP溶液的用量大。 根據本發明之濃劑溶液較佳包含約3〇至124重量％ TMAH，約5.〇至27.8重量％ MEA，約2 ()至約1() 4重量％抗〇 壞血酸，差額為水（較佳為去離子水）。 此外，本發明之濃劑也含有螯合劑用以進一步防止非期 望的金屬污染物沉積於晶圓表面上。眾所周知的鋅、銅、 鎳、鐵等金屬錯合劑被引進調配劑。也已知防蝕劑之金屬 保護能力於許多例中係關連有機錯合物形成劑之錯合物形 成性質。 本發明之濃劑較佳經由添加去離子水至濃劑係占製備妥 的清潔溶液之約1.5重量％至約12.5重量％稀釋用於後_CMp 清潔用途。本發明之清潔溶液可用於周圍條件至约7〇χ：溫 度清潔微電子基板◊通常需了解清潔效果隨著溫度提高而 改善。 注意本發明之清潔溶液具有鹼度大於〇 〇73亳當量鹼/克 /谷液。更佳本發明之清潔溶液之鹼度係維持大於約〇 〇9 1 毫當量驗/克溶液。 本發明之清潔溶液符合一般可接受之後-CMp應用之產 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21G X 297公爱) A7 B7
574369 五、發明説明（9 ) 業清潔效能標準。常見產業清潔目標為基板晶圓上粒子數 目對200毫米晶圓，5毫米邊緣排除不計而言尺寸大於〇 2 微米粒子少於20。 本發明之清潔溶液於調配劑無需界面活性劑，但如此不 排除其用於特定應用。 本發明之清潔溶液可用於多種習知清潔工具，包括維特 克（Verteq)單一晶圓巨音波金手指（G〇ldfinger)、恩崔特 (OnTrak)系統DDS(雙面條氣器）' SEZ單一晶圓噴霧清洗 以及巨音波（Megasonic)批次濕工作台系統。 本發明之清潔溶液可成功地用於含銅、鎢及/或氧化石夕 表面。 如所知，通孔的清潔屬於本發明清潔溶液之一項用途。 通孔為於微電子基板蝕刻而提供連接各層金屬管道的孔口 。使用氣態蝕刻技術蝕刻基板表面形成通孔。基板常見為 介電材料如氟化氧化矽玻璃（FSG)。留在基板表面及通孔 壁上的殘餘物於蝕刻處理後需被去除。殘餘物俗稱“側壁 聚合”，原因在於其也出現於通孔的垂直壁。蝕刻殘餘物 也位於通孔底部與金屬頂面。本發明清潔溶液不會與暴露 之介電材料反應或影響暴露之介電材料。 下列實例僅供舉例說明本發明而非意圖限制性。 實例1 進行試驗評估具有各種組成之後_CMP清潔溶液之相對 清春效能。清潔溶液係經由混合去離子水、丁Μαη、γ警 血酸以及三種胺化合物（ΜΕΑ,羥基胺或Ν-單乙醇胺）之一 -12 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規‘(210X297公爱)
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▲備。製傷妥的清潔液組成列舉於表i。供比較目的，制 備另-種清潔溶液：溶液1〇為17重量％氫氧化銨於去離； 水及溶液11為1:2:10氫氧化銨：過氧化氫：水。
“浸泡”試驗係使用預先經過清潔之費雪（Fisher) 12_55〇_W 微鏡玻片進行。後述程序中，全部浸泡皆進行5秒且使用、 塑膠製鑷子處理。試樣玻片首先浸泡於CMP 一氧化物裝液 (歐特派（Uhraplane) IM500)，然後浸泡於25〇毫升去離子 水，然後浸泡於W-CMP料漿（歐特派-mc w CMp鹼與去離 子水之1:1稀釋液）。然後各玻片浸泡於2 5 〇毫升去離子水 然k次泡於本清潔溶液。接著各玻片浸泡於丨〇〇毫升去 離子水，然後浸泡於另一個分開的去離子水浴槽。玻片於 周圍條件下懸吊風乾。於各次試驗間，更換全部去離子水 浴。 乾玻片以目測評估是否有剩餘CMP料漿，如由玻片上觀 察濁度證實。乾燥後之玻片比較且排序由最佳（1)至最差 (11)。 結果顯示於表1。 _ -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 574369 A7
、結果指出本發明之較佳具體實施例表現最優異（亦即溶 液1及2)。全部本發明溶液之表現皆優於先前技藝清潔溶 液（溶液10及11)。 實例2 評估清潔溶液（A至G)之腐蝕銅傾向。溶液A係由〇.9重量％ MEA，0.5重量％ TMAH及〇.3 5重量％ (L)-抗壞血酸，差額 為去離子水組成。溶液B係由〇 9重量％ MEA，0.5重量〇/〇 TMAH及0.18重量％ (L)·抗壞血酸及差額為去離子水組成 。溶液C係由〇.9重量％ MEA於水組成。溶液D係由〇·9重量〇/0 ΜΕΑ，0.5重量％ ΤΜΑΗ及0.3 5重量％沒食子酸及差額為水 組成。溶液Ε係由0.9重量％ ΜΕΑ，〇·5重量％ ΤΜΑΗ及0.1 8 重量％沒食子酸及0.18重量％苯并三唑及差額為水組成。 溶液F為經緩衝之氫氟酸溶液，以及溶液G為1.7重量％氫 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇χ 297公爱) 574369 A7 B7 五、發明説明（12 ) 氧化錢於水溶液。具有一致長及寬之銅條係得自一整片妙 過電化學沉積（ECD)銅晶圓（經部份研磨），然後置於周圍 條件下以攪拌入200毫升試樣清潔液經歷2分鐘時間。隨後 由清潔液中取出銅晶圓長條，以去離子清洗並以氣氣乾、燥 。銅晶圓長條目測撿查色彩的變化及光澤的損失。二種現 象皆證實為腐蝕。經處理的銅晶圓長條接受原子力顯微術 (AFM)檢查表面腐蝕。 腐蝕結果列舉於表II。 組成 基板 表II 腐姓試驗貧♦ · 試驗方法
銅（ECD，經部份研磨）AFM 結果 RMS-0.8 磨彳歩成凹坑 溶液A銅（ECD，經部份研磨）AFM RMS-1.0 極少形成凹坑，
溶液G銅（ECD，經部份研磨) rms=na 表面藉BTA修改 RMS=1.3 ^形成凹坑，略為铜诗 , t ( RMS=3.8 "~^ Irms』透過原子力"^^标測得成凹坑，中等 表II資料指示本發明之較佳 铋俘嘈呌里工 體實施例（溶液A)就銅腐 蝕保匕效果而言性能極佳。溶液 冰洚。糾士朴 與B之差異在於防蝕劑 /辰度所有其匕溶液比較較佳且許每 /、體貫施例皆造成顯著量銅 -15- 574369 A7 B7 五、發明説明（13 ) 表面腐姓。溶液G僅能去除表面之銅氧化物層故產生些微 粗化。 AFM掃描帶有RMS粗度資料實例顯示於圖1-4，其中圖1 為未經處理之電化學沉積（ECD)銅晶圓，圖2為暴露於溶液 A的相同ECD銅晶圓，圖3為暴露於溶液B之ECD銅晶圓及 圖4為暴露於下述溶液之ECD銅晶圓，該溶液係由0.9重量％ MEA，0.5重量％ TMAH，0.18重量％沒食子酸，差額為水 組成。 實例3 準備一系列清潔溶液來評估TMAH，MEA及抗壞血酸於 水性清潔溶液間之關係。清潔溶液係經由使用TMAH、 MEA及抗壞血酸及去離子水之多種組合製備，獲得TMAH 濃度為0.0重量％至0.5重量％ ; MEA濃度為0重量％至0.9重 量％ ;抗壞血酸濃度為0重量％至0.35重量％ :溶液之差額 為去離子水。試驗溶液如表III列舉製備。製備妥之清潔溶 液根據實例1陳述之玻片浸泡試驗程序評估清潔效能。製 備妥的清潔液也根據實例2銅長條試驗程序評估銅腐餘傾 向。 結果顯示於表III。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
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k 574369 A7 B7 五、發明説明（14 ) 表 III — 組成 A B C D E F G TMAH (重 1%) 0.5 X X 0.5 0.5 X 0.5 ]^八（重量％) 0 0.9 X 0.9 X 0.9 0.9 抗壞血酸（重量％) X X 0.35 X 0.35 0.35 0.35 水（重1%) 99.50 99.10 99.65 98.60 99.15 98.75 98.25 組合物驗度 毫當量/克溶液 0.055 0.147 -0.020 0.202 0.035 0.127 0.182 浸泡試驗評比* 3 5 5 3 5 5 1 結果指出為浸泡試驗做為清意劑最佳的溶液（組成⑺含 有TMAH，MEA及抗壞血酸。不含有至少一種此等組成分 的溶液無法發揮同等良好的效果。結果提示當tmah， MEA及抗壞血酸並存於清潔溶液時，特別以較佳量並存時 獲得協同增效的清潔效果。 實例4 圖5顯示於原先晶圓表面上丨微米大小通孔之ΑρΜ截面分 析。通孔深度約400毫米。通孔之橫截面撿查明白指出蝕 刻後留下大量聚合物殘餘物。 製備本發明清潔溶液具有組成為1〇 〇重量％ , 18.0重量％ MEA，7.〇重量％抗壞血酸，差額為水。通孔經 過部份蝕刻之晶圓浸泡於70t：之此種溶液内3〇分鐘。然後 使用去離子水清洗約丨分鐘，接著以氮氣吹乾。 圖6顯示使用前述溶液處理後同型丨微米尺寸通孔之 剖面分析。通孔之截面圖顯示其深度側繪圖及淺（平均8〇 毫微米）。處理前與後通孔深度側繪圖之對比係由於由 圓表面去除光阻劑層，光阻劑層估計厚度约3〇〇亳微米 ___-17- 本紙張尺度適财® ®家標準(CNS) A4規格(2削297公爱） 574369 A7 ______B7 五、發明説明（15 ) 通孔底部之矩形側繪圖（圖6)也指出側壁聚合物係藉前述 溶液去除。此等結果提示較佳具體實施例為用於通孔清潔 及光阻劑去除的有用組成。 實例5 二種溶液用於後CMP清潔應用試驗。溶液I (0.45重量％ MEA，0.25重量％ TMAH及0.175重量％沒食子酸及差額為 水）以及溶液II (〇.45重量％ MEA，0.25重量％ TMAH及 〇· 1 75重量％抗壞血酸及差額為水）用於使用卡布拉（c〇bra)_ VcS站於TEOS晶圓於浸泡於歐林亞取（〇ϋη Arch) 10K料漿 溶液前與後進行清潔試驗。圖7 —8顯示使用KLA-天宼 (Tencor)以及由使用溶液][及溶液]^清潔的晶圓測得的粒子 數目。顯然根據本發明之較佳組合物，溶液n證實具有優 異清潔能力。 實例6 製備及評比濃劑溶液，濃劑溶液分別稀釋至1.25 , 1.33 ，2.5及5重量％。部份平面化之ECD銅晶圓小片於二種不 同怪溫條件（22t至5GX：)浸沒於其中簡拌後之溶液歷經 3一0分鐘時間。於處理前及後對各晶圓小片進行四點探針測 量片電值。算出溶液之銅蝕刻速率。濃劑八為1〇〇重量％ TMAH’ 18重量％ MEA，7.〇重量％抗氧化酸及差額為水。 濃劑B為1〇.〇重量％ TMAH，18重量％ MEa，7 〇重量％沒 食子酸及差額為水。結果以埃/分鐘報告於表Iv。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ 297公釐) 574369 A7 B7 五、發明説明（16 ) 表IV 濃劑組成A 濃劑組成B 濃劑 蝕刻速率 钱刻速率 Ί虫刻速率 钱刻速率 重量％ 於 22°C 於 50〇C 於 22°C 於 50〇C 1.25 4.52 23.35 22.05 88.39 1.665 9.24 23.58 19.66 118.91 2.5 0.55 24.68 28.86 161.39 5 0.00 13.91 27.82 234.20 由表IV資料顯然易知濃劑組成A具有優於濃劑組成B之 防姓性質。 實例7 二種濃劑溶液係以實例6之方式製備且分別稀釋至12.5 及50重量％。部份經平面化的ECD銅晶圓小片於恆溫（22°C ) 浸沒於此種經攪拌之溶液歷經10分鐘時間。於處理前及後 對小片進行片電阻及四點探針測量。片電阻變化係以毫歐 姆/平方厘米報告於表V。 表V 1 片電阻變化 濃劑重量％ 濃劑組成A I 濃劑組成B 12.5 -0.0015 0.1742 50 -0.0994 1 0.3307 顯然濃劑組成A具有優於濃劑組成B之優異防蝕性質。 濃劑組成A也明白驗證出乎意外的結果為片電阻降低。 如此說明本發明，但絕非囿限於此處顯示及說明之特定 具體實施例，本發明係由隨附之申請專利範圍陳述已知範 圍所界定。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 574369 — ：r' 六、申請專利 ABCD 1 ·.一種用以清潔微電子基板之清潔溶液，該清潔溶液包含： 〇·〇5至12.4重量％第四氫氧化銨，其係選自四烷基氫 氧化錢組成的組群，其中該烷基含有（^至ciq個原子之 一或（^至(：1()個原子的組合； 〇·2重量％至27.8重量％極性有機胺，其係選自單乙醇 胺、胺基乙基乙醇胺、N-曱基胺基乙醇、胺基乙氧乙 醇、二乙醇胺、三乙醇胺、C2-C5烷醇胺類及其組合組 成的組群； 有效量防蝕劑，其係選自抗壞血酸（維生素C)、L( + )-抗壞血·酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、苯并三唑、 棒檬酸、伸乙基二胺四乙酸（EDtA)及其組合組成的組 群’差額為水；以及 此種溶液之鹼度大於〇.073毫當量鹼/克溶液。 2· —種用以清潔含銅微電子基板之清潔溶液，該清潔溶液 包含： 〇·5至12.4重量％四甲基氫氧化銨； 〇·2至27.8重量％單乙醇胺； 0.2至1〇·9重量％抗壞血酸 差額為去離子水；以及 其中該溶液鹼度係大於〇·〇73毫當量鹼/克溶液。 3.如申請專利範圍第2項之清潔溶液，其中該溶液鹼度係 大於〇·1毫當量鹼/克溶液。 4·如申請專利範圍第i項之清潔溶液，其中該防蝕劑係， 其係選自抗壞血酸、L-抗壞血酸、異抗壞金酸及抗壞血 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 574369
    A BCD 酸衍生物組成的組群。 5· 一種CMP清潔用清潔溶液，其主要係由〇〇5重量％至 • 25重里/❶四曱基氫氧化敍，〇·2重量％至2·25重量％單 乙醇胺及有效.量抗壞血酸，差額為水組成。 6 ·種通孔清潔用清潔溶液，其主要係由7 · 5重量至丨2 4 重！ ％四曱基氫氧化銨，12 5重量％至27 8重量％單乙醇 胺，〇·2重量％至1〇.9重量％抗壞血酸，差額為水組成。 7. —種用以微電子基板之清潔溶液，該清潔溶液主要係由 以下所組成； — 1.5重量％至12.5重量％濃劑，該濃劑之組成為3〇至 12.4重里％第四氫氧化錢，其係選自四烧基氫氧化敍組 成的組群，其中該烷基含有（^至c1G原子之一或(^至Ci〇 原子的組合，5.0重量％至27.8重量％極性有機胺，其係 選自單乙醇胺、胺基乙基乙醇胺、N—甲基胺基乙醇、 胺基乙氧乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺、C2-C5烷醇胺類 及其組合組成的組群；2.0重量％至10.9重量％防蝕劑， 其係選自抗壞血酸（維生素C)、L( + )-抗壞血酸、異抗壞 血酸、抗壞血酸衍生物、苯并三η坐、檸檬酸、伸乙基二 胺四乙酸（EDTA)及其組合組成的組群，差額為水；以及 87.5重量％至98.5重量％去離子水，此種溶液之鹼度 大於0.073毫當量鹼/克溶液。 8. —種用於含銅微電子基板之清潔溶液，該清潔溶液組成 為； 1.5重量％至12.5重量％濃劑其係由5.0至12·4重量％四 -21 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) '" 574369 8 8 8 8 A B c D 々、申請專利範圍 .甲基氫氧化銨，2.0至27.8重量％單乙醇胺，2.0至10.9重 量％抗壞血酸，差額為水；以及87.5重量％至98.5重量％ 去離子組成，該溶液具有鹼度大於0.073毫當量鹼/克溶 液0 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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