KR20210052445A - 세정액, 세정 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

세정액, 세정 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 성분 (A) : 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물, 성분 (B) : 알킬아민, 성분 (C) : 폴리카르복실산, 성분 (D) : 아스코르브산을 함유하는 세정액으로서, 성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가, 1 ∼ 15 인, 세정액에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure pct00005

(상기 일반식 (1) 에 있어서, R1, R2, R3 은 각각, 명세서에 기재된 정의와 동일하다)

Description

세정액, 세정 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법
본 발명은 세정액에 관한 것이다. 또, 본 발명은 세정 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼는, 실리콘 기판 위에, 배선이 되는 금속막이나 층간 절연막의 퇴적층을 형성한 후에, 연마 미립자를 포함하는 수계 슬러리로 이루어지는 연마제를 사용하는 화학적 기계적 연마 (Chemical Mechanical Polishing. 이하, 「CMP」로 약칭하는 경우가 있다) 공정에 의해 표면의 평탄화 처리를 실시하고, 평탄해진 면 위에 새로운 층을 겹쳐 쌓아감으로써 제조된다. 반도체 웨이퍼의 미세 가공은, 각 층에 있어서 정밀도가 높은 평탄성이 필요하여, CMP 에 의한 평탄화 처리의 중요성은 매우 높다.
최근의 반도체 디바이스 제조 공정에서는, 디바이스의 고속화·고집적화를 위해, 저항값이 낮은 구리막으로 이루어지는 구리 배선이 도입되고 있다.
구리는 가공성이 좋기 때문에, 미세 가공에 적절하다. 한편, 구리는, 산 성분이나 알칼리 성분에 의해 부식되기 쉬운 점에서, CMP 공정에 있어서, 구리 배선의 산화나 부식이 과제가 되고 있다.
CMP 공정 후의 반도체 웨이퍼의 표면에는, CMP 공정에서 사용된 콜로이달 실리카 등의 미립자나 슬러리 중에 함유되는 방식제 (防蝕劑) 유래의 유기 잔류물 등이 다량으로 존재하기 때문에, 이들을 제거하기 위해서, CMP 공정 후의 반도체 웨이퍼는 세정 공정에 제공된다.
CMP 공정 후의 세정 공정으로 대표되는 반도체 디바이스 제조 공정 중의 세정 공정에서는, 세정액을 사용한 세정 공정이 채용되는 경우가 많다. 예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 6 에는, 반도체 디바이스 제조 공정 중의 세정 공정에서 사용하는 세정액이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2016-178118호 일본 공개특허공보 2015-165561호 일본 공표특허공보 2003-536258호 일본 공표특허공보 2004-518819호 일본 공개특허공보 2015-203047호 일본 공개특허공보 2015-165562호
그런데, CMP 공정 후의 세정액이 산성 수용액인 경우, 그 수용액 중에서, 콜로이달 실리카가 정 (正) 으로 대전되고, 반도체 웨이퍼 표면이 부 (負) 로 대전되어, 전기적인 인력이 작용해서, 콜로이달 실리카의 제거가 곤란하다는 과제를 갖는다. 이에 대해, CMP 공정 후의 세정액이 알칼리성 수용액인 경우, 그 수용액 중에서 수산화물 이온이 풍부하게 존재하기 때문에, 콜로이달 실리카와 반도체 웨이퍼 표면이 함께 부로 대전되고, 전기적인 척력이 작용하여, 콜로이달 실리카의 제거가 실시하기 쉬워진다.
또, 구리는, 산성 수용액 중에서는, 구리 이온 (Cu2＋) 으로서 수용액 중에 용해된다. 한편, 구리는, 알칼리성 수용액 중에서는, 산화구리 (Cu2O 나 CuO) 의 부동태막을 반도체 웨이퍼 표면에 형성한다. 이 메커니즘에 의하면, CMP 공정 후의 반도체 웨이퍼 표면에 구리가 노출되어 있는 경우, 산성 수용액의 세정액을 사용하는 경우에 비해, 알칼리성 수용액의 세정액을 사용하는 경우의 쪽이, CMP 공정 후의 세정 공정에 있어서의 반도체 웨이퍼의 구리의 부식이 경감된다고 생각된다.
특허문헌 1 및 특허문헌 2 에서 개시되어 있는 세정액은, 아스코르브산을 함유하지 않기 때문에, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 떨어진다.
또, 특허문헌 3 및 특허문헌 4 에서 개시되어 있는 세정액은, 히스티딘을 함유하지 않기 때문에, 유기 잔류물 제거성이 떨어진다.
또한, 특허문헌 5 및 특허문헌 6 에서 개시되어 있는 세정액은, 배합 성분의 종류의 선택이나 히스티딘과 다른 성분과의 배합비의 설정이 불충분하여, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과나 유기 잔류물 제거성이 떨어진다.
본 발명은 이와 같은 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물의 부식을 억제하면서, 유기 잔류물 제거성이 우수한 세정액을 제공하는 것에 있다. 또, 본 발명의 다른 하나의 목적은, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물의 부식을 억제하면서, 유기 잔류물 제거성이 우수한 세정 방법을 제공하는 것에 있다.
종전에 여러 가지 성분을 함유하는 세정액이 검토되고 있었지만, 본 발명자들은 예의 검토를 거듭한 결과, 후술하는 성분 (A) ∼ 성분 (D) 를 조합한 세정액을 알아내었고, 또한, 성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비에 적합 범위가 존재하는 것을 알아내었고, 이 세정액이, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과나 유기 잔류물 제거성이 우수한 것을 발견하였다.
즉, 본 발명의 요지는, 이하 <1> ∼ <13> 과 같다.
<1> 이하의 성분 (A) ∼ 성분 (D) 를 함유하는 세정액으로서,
성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가, 1 ∼ 15 인, 세정액.
성분 (A) : 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
[화학식 1]
Figure pct00001
(상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 은, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는, 카르복실기, 카르보닐기, 에스테르 결합을 갖는 관능기, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 아세틸기, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다)
성분 (B) : 알킬아민
성분 (C) : 폴리카르복실산
성분 (D) : 아스코르브산
<2> 상기 성분 (B) 의 질량에 대한 상기 성분 (C) 의 질량비가, 1 ∼ 15 인, <1> 에 기재된 세정액.
<3> 상기 성분 (A) 가, 히스티딘 및 히스티딘의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, <1> 또는 <2> 에 기재된 세정액.
<4> 상기 성분 (B) 가, 알킬디아민을 함유하는, <1> ∼ <3> 중 어느 하나에 기재된 세정액.
<5> 상기 알킬디아민이, 1,2-디아미노프로판, 1,3-디아미노프로판 및 N-메틸-1,3-디아미노프로판으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, <4> 에 기재된 세정액.
<6> 상기 성분 (C) 가, 시트르산 및 시트르산의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, <1> ∼ <5> 중 어느 하나에 기재된 세정액.
<7> 추가로, 이하의 성분 (E) 를 함유하는, <1> ∼ <6> 중 어느 하나에 기재된 세정액.
성분 (E) : 제 4 급 암모늄 수산화물
<8> 추가로, 이하의 성분 (F) 를 함유하는, <1> ∼ <7> 중 어느 하나에 기재된 세정액.
성분 (F) : 물
<9> pH 가, 10.0 ∼ 14.0 인, <1> ∼ <8> 중 어느 하나에 기재된 세정액.
<10> 화학적 기계적 연마 후 세정 또는 에칭 후 세정에 사용하는, <1> ∼ <9> 중 어느 하나에 기재된 세정액.
<11> 구리 또는 구리를 함유하는 화합물이 노출되어 있는 면의 세정에 사용하는, <1> ∼ <10> 중 어느 하나에 기재된 세정액.
<12> <1> ∼ <11> 중 어느 하나에 기재된 세정액을 사용하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정을 포함하는 세정 방법.
<13> <1> ∼ <11> 중 어느 하나에 기재된 세정액을 사용하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
본 발명의 세정액은, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물의 부식을 억제하면서, 유기 잔류물 제거성이 우수하다.
또, 본 발명의 세정 방법은, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물의 부식을 억제하면서, 유기 잔류물 제거성이 우수하다.
또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 제조 방법은, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물의 부식을 억제하면서, 유기 잔류물 제거성이 우수한 세정 공정을 포함하기 때문에, 반도체 디바이스의 동작 불량을 억제할 수 있다.
이하에 본 발명에 대해 상세히 서술하지만, 본 발명은, 이하의 실시형태로 한정되는 것은 아니고, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지로 변경하여 실시할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「∼」라는 표현을 사용하는 경우, 그 전후의 수치 또는 물성치를 포함하는 표현으로서 사용하는 것으로 한다.
[세정액]
본 발명의 세정액은, 이하의 성분 (A) ∼ 성분 (D) 를 함유한다.
성분 (A) : 후술하는 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
성분 (B) : 알킬아민
성분 (C) : 폴리카르복실산
성분 (D) : 아스코르브산
(성분 (A))
성분 (A) 는, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물이다.
[화학식 2]
Figure pct00002
상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 은, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는, 카르복실기, 카르보닐기, 에스테르 결합을 갖는 관능기, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 아세틸기, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.
본 발명의 세정액은, 성분 (A) 를 함유함으로써, 성분 (A) 의 구조 중의 아미노기와 이미다졸기가 금속 이온과 배위하여, 구리-벤조트리아졸 착물 등의 불용성의 금속 착물 중의 금속 이온을 보충하고 세정액에 대한 용해를 촉진시키기 때문에, 유기 잔류물 제거성이 우수하다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 은, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.
본 발명에 있어서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기를 들 수 있다.
R1 은, 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서 수소 원자, 메틸기가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R2 는, 카르복실기, 카르보닐기, 에스테르 결합을 갖는 관능기, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.
에스테르 결합을 갖는 관능기로는, 예를 들어, 메틸에스테르기, 에틸에스테르기 등을 들 수 있다.
R2 는, 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서 카르복실기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 바람직하고, 카르복실기가 보다 바람직하다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R3 은, 아세틸기, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. R3 은, 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다.
성분 (A) 의 구체예로는, 예를 들어, L-히스티딘, D-히스티딘 등의 히스티딘 ; N-아세틸-L-히스티딘 등의 히스티딘의 유도체 등을 들 수 있다. 이들 성분 (A) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 이들 성분 (A) 중에서도, 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서, 히스티딘이 바람직하고, L-히스티딘이 보다 바람직하다.
(성분 (B))
성분 (B) 는, 알킬아민이다.
알킬아민이란, 분자 내에 적어도 알킬기와 아미노기를 갖는 화합물을 말한다. 알킬기의 탄소수는, 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서 1 ∼ 6 이 바람직하고, 2 ∼ 4 가 보다 바람직하고, 3 이 더욱 바람직하다.
본 발명의 세정액은, 성분 (B) 를 함유함으로써, 성분 (B) 의 구조 중의 아미노기가 금속 이온과 배위하여, 구리-벤조트리아졸 착물 등의 불용성의 금속 착물 중의 금속 이온을 보충하고 세정액에 대한 용해를 촉진시키기 때문에, 유기 잔류물 제거성이 우수하다.
성분 (B) 의 구체예로는, 예를 들어, 아미노메탄, 아미노에탄 등의 알킬모노아민 ; 1,2-디아미노에탄, 1,2-디아미노프로판, 1,3-디아미노프로판, 2-메틸-1,3-디아미노프로판, N-메틸-1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄 등의 알킬디아민 등을 들 수 있다. 이들 성분 (B) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 이들 성분 (B) 중에서도, 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서 알킬디아민이 바람직하고, 1,2-디아미노프로판, 1,3-디아미노프로판, N-메틸-1,3-디아미노프로판이 보다 바람직하고, 1,2-디아미노프로판이 더욱 바람직하다.
(성분 (C))
성분 (C) 는, 폴리카르복실산이다.
폴리카르복실산이란, 분자 내에 적어도 2 이상의 카르복실기를 갖는 화합물을 말한다.
본 발명의 세정액은, 성분 (C) 를 함유함으로써, 성분 (C) 의 구조 중의 카르복실기가 금속 이온과 배위하여, 구리-벤조트리아졸 착물 등의 불용성의 금속 착물 중의 금속 이온을 보충하고 세정액에 대한 용해를 촉진시키기 때문에, 유기 잔류물 제거성이 우수하다.
성분 (C) 의 분자 내의 카르복실기 수는, 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서 2 ∼ 10 이 바람직하고, 2 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 3 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 3 이 특히 바람직하다.
유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서, 성분 (C) 는, 분자 내에 추가로 하이드록실기를 갖는 것이 바람직하다. 성분 (C) 의 분자 내의 하이드록실기 수는, 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서, 1 ∼ 8 이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하고, 1 ∼ 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다.
성분 (C) 의 구체예로는, 예를 들어, 옥살산, 시트르산, 타르타르산, 말산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 말론산, 이들의 유도체 등을 들 수 있다. 이들 성분 (C) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 이들 성분 (C) 중에서도, 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서 옥살산, 시트르산, 타르타르산, 말산, 이들의 유도체가 바람직하고, 시트르산, 말산, 이들의 유도체가 보다 바람직하며, 시트르산, 시트르산의 유도체가 더욱 바람직하다.
(성분 (D))
성분 (D) 는, 아스코르브산이다.
본 발명의 세정액은, 성분 (D) 를 함유함으로써, 세정액 중의 산화 환원 전위를 저하시켜, 구리 등의 금속의 산화를 억제할 수 있다.
성분 (D) 의 구체예로는, 예를 들어, L-아스코르브산, D-아스코르브산, 이소아스코르브산 등을 들 수 있다. 이들 성분 (D) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 이들 성분 (D) 중에서도, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수한 점에서 L-아스코르브산, D-아스코르브산이 바람직하고, L-아스코르브산이 보다 바람직하다.
(성분 (E))
본 발명의 세정액은, 세정 후의 반도체 웨이퍼 상에 잔존하지 않고 pH 를 조정할 수 있는 점에서, 성분 (A) ∼ 성분 (D) 이외에, 이하의 성분 (E) 를 함유하는 것이 바람직하다.
성분 (E) : 제 4 급 암모늄 수산화물
성분 (E) 의 구체예로는, 예를 들어, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드, 테트라부틸암모늄하이드록시드, 트리에틸메틸암모늄하이드록시드, 디에틸(디메틸)암모늄하이드록시드, 디에틸(메틸)프로필암모늄하이드록시드, 하이드록시에틸트리메틸암모늄하이드록시드, 메틸트리에탄올암모늄하이드록시드 등을 들 수 있다. 이들 성분 (E) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 이들 성분 (E) 중에서도, 보존 안정성이 우수한 점에서 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드, 테트라부틸암모늄하이드록시드가 바람직하고, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드가 보다 바람직하고, 테트라에틸암모늄하이드록시드가 더욱 바람직하다.
(성분 (F))
본 발명의 세정액은, 미립자 제거성이 우수한 점에서 성분 (A) ∼ 성분 (D) 이외에, 이하의 성분 (F) 를 함유하는 것이 바람직하다.
성분 (F) : 물
(다른 성분)
본 발명의 세정액은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 성분 (A) ∼ 성분 (F) 이외의 다른 성분을 함유해도 된다.
다른 성분으로는, 예를 들어, 계면 활성제, 에칭 억제제 등을 들 수 있다.
성분 (A) ∼ 성분 (E) 및 다른 성분은, 염의 형태여도 된다.
염으로는, 예를 들어, 나트륨염, 칼륨염, 칼슘염, 마그네슘염 등을 들 수 있다.
(세정액의 물성)
세정액의 pH 는, 10.0 ∼ 14.0 이 바람직하고, 10.5 ∼ 13.0 이 보다 바람직하고, 11.0 ∼ 12.0 이 더욱 바람직하다. pH 가 10.0 이상이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물의 부식을 억제하면서, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, pH 가 14.0 이하이면, 세정액의 배합 성분의 종류의 선택이나 배합비의 설정의 자유도가 높고, 세정액 중의 성분 (E) 의 함유율을 낮게 할 수 있어, 세정액의 원료비를 삭감할 수 있다.
(세정액의 산화 환원 전위)
세정액의 산화 환원 전위는, 세정 후의 구리 표면을 두꺼운 산화구리 (Cu2O) 로 덮을 수 있어, 세정 후의 구리 표면의 안정성이 우수한 점에서 -600 mV ∼ 0 mV 가 바람직하고, -350 mV ∼ -50 mV 가 보다 바람직하다.
(성분의 질량비)
본 발명의 세정액은, 킬레이트 작용을 갖는 성분 (A) ∼ 성분 (C) 의 질량비를 특정한 범위로 함으로써, 본 발명의 효과가 현저히 우수하다. 구체적으로는, 성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 1 ∼ 15 이다.
성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비 (성분 (A) 의 질량/성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계의 질량) 는, 1 ∼ 15 이고, 1.1 ∼ 5 가 바람직하고, 1.2 ∼ 2.2 가 보다 바람직하다. 성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 1 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 15 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
성분 (B) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비 (성분 (A) 의 질량/성분 (B) 의 질량) 는, 3 ∼ 60 이 바람직하고, 4 ∼ 30 이 보다 바람직하다. 성분 (B) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 3 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (B) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 60 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
성분 (C) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비 (성분 (A) 의 질량/성분 (C) 의 질량) 는, 1.5 ∼ 20 이 바람직하고, 2 ∼ 6 이 보다 바람직하다. 성분 (C) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 1.5 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (C) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 20 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
성분 (D) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비 (성분 (A) 의 질량/성분 (D) 의 질량) 는, 0.1 ∼ 10 이 바람직하고, 0.2 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 성분 (D) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 0.1 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (D) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 10 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
성분 (B) 의 질량에 대한 성분 (C) 의 질량비 (성분 (C) 의 질량/성분 (B) 의 질량) 는, 1 ∼ 15 가 바람직하고, 2 ∼ 12 가 보다 바람직하다. 성분 (B) 의 질량에 대한 성분 (C) 의 질량비가 1 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (B) 의 질량에 대한 성분 (C) 의 질량비가 15 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
성분 (D) 의 질량에 대한 성분 (B) 의 질량비 (성분 (B) 의 질량/성분 (D) 의 질량) 는, 0.02 ∼ 0.4 가 바람직하고, 0.04 ∼ 0.3 이 보다 바람직하다. 성분 (D) 의 질량에 대한 성분 (B) 의 질량비가 0.02 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (D) 의 질량에 대한 성분 (B) 의 질량비가 0.4 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
성분 (D) 의 질량에 대한 성분 (C) 의 질량비 (성분 (C) 의 질량/성분 (D) 의 질량) 는, 0.05 ∼ 0.7 이 바람직하고, 0.02 ∼ 0.5 가 보다 바람직하다. 성분 (D) 의 질량에 대한 성분 (C) 의 질량비가 0.05 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (D) 의 질량에 대한 성분 (C) 의 질량비가 0.7 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
세정액이 성분 (E) 를 함유하는 경우, 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비 (성분 (A) 의 질량/성분 (E) 의 질량) 는, 0.02 ∼ 2 가 바람직하고, 0.05 ∼ 1 이 보다 바람직하다. 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 0.02 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 2 이하이면, 세정액의 pH 를 용이하게 조정할 수 있다.
세정액이 성분 (E) 를 함유하는 경우, 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (B) 의 질량비 (성분 (B) 의 질량/성분 (E) 의 질량) 는, 0.001 ∼ 0.1 이 바람직하고, 0.002 ∼ 0.05 가 보다 바람직하다. 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (B) 의 질량비가 0.001 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (B) 의 질량비가 0.1 이하이면, 세정액의 pH 를 용이하게 조정할 수 있다.
세정액이 성분 (E) 를 함유하는 경우, 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (C) 의 질량비 (성분 (C) 의 질량/성분 (E) 의 질량) 는, 0.005 ∼ 0.5 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.2 가 보다 바람직하다. 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (C) 의 질량비가 0.005 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (C) 의 질량비가 0.5 이하이면, 세정액의 pH 를 용이하게 조정할 수 있다.
세정액이 성분 (E) 를 함유하는 경우, 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (D) 의 질량비 (성분 (D) 의 질량/성분 (E) 의 질량) 는, 0.02 ∼ 2 가 바람직하고, 0.05 ∼ 1 이 보다 바람직하다. 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (D) 의 질량비가 0.02 이상이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다. 또, 성분 (E) 의 질량에 대한 성분 (D) 의 질량비가 2 이하이면, 세정액의 pH 를 용이하게 조정할 수 있다.
(세정액 중의 함유율)
성분 (A) 의 함유율은, 세정액 100 질량％ 중, 0.001 질량％ ∼ 10 질량％ 가 바람직하고, 0.005 질량％ ∼ 1 질량％ 가 보다 바람직하고, 0.01 질량％ ∼ 0.1 질량％ 가 더욱 바람직하다. 성분 (A) 의 함유율이 0.001 질량％ 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (A) 의 함유율이 10 질량％ 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
성분 (B) 의 함유율은, 세정액 100 질량％ 중, 0.0001 질량％ ∼ 1 질량％ 가 바람직하고, 0.0003 질량％ ∼ 0.1 질량％ 가 보다 바람직하고, 0.0005 질량％ ∼ 0.02 질량％ 가 더욱 바람직하다. 성분 (B) 의 함유율이 0.0001 질량％ 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (B) 의 함유율이 1 질량％ 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
성분 (C) 의 함유율은, 세정액 100 질량％ 중, 0.0005 질량％ ∼ 5 질량％ 가 바람직하고, 0.002 질량％ ∼ 0.5 질량％ 가 보다 바람직하고, 0.005 질량％ ∼ 0.05 질량％ 가 더욱 바람직하다. 성분 (C) 의 함유율이 0.0005 질량％ 이상이면, 유기 잔류물 제거성이 우수하다. 또, 성분 (C) 의 함유율이 5 질량％ 이하이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다.
성분 (D) 의 함유율은, 세정액 100 질량％ 중, 0.001 질량％ ∼ 10 질량％ 가 바람직하고, 0.005 질량％ ∼ 1 질량％ 가 보다 바람직하고, 0.01 질량％ ∼ 0.1 질량％ 가 더욱 바람직하다. 성분 (D) 의 함유율이 0.001 질량％ 이상이면, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물에 대한 부식 억제 효과가 우수하다. 또, 성분 (D) 의 함유율이 10 질량％ 이하이면, 세정액의 pH 를 용이하게 조정할 수 있다.
세정액이 성분 (E) 를 함유하는 경우, 성분 (E) 의 함유율은, 세정액 100 질량％ 중, 0.01 질량％ ∼ 30 질량％ 가 바람직하고, 0.03 질량％ ∼ 5 질량％ 가 보다 바람직하고, 0.05 질량％ ∼ 0.5 질량％ 가 더욱 바람직하다. 성분 (E) 의 함유율이 0.01 질량％ 이상이면, 세정액의 pH 를 용이하게 조정할 수 있다. 또, 성분 (E) 의 함유율이 30 질량％ 이하이면, 본 발명의 효과를 해치지 않고, pH 를 조정할 수 있다.
세정액이 성분 (A) ∼ 성분 (F) 이외의 다른 성분을 함유하는 경우, 다른 성분의 함유율은, 세정액 100 질량％ 중, 1 질량％ 이하가 바람직하고, 0 질량％ ∼ 0.1 질량％ 가 보다 바람직하고, 0 질량％ ∼ 0.01 질량％ 가 더욱 바람직하다. 다른 성분의 함유율이 1 질량％ 이하이면, 본 발명의 효과를 해치지 않고, 다른 성분의 효과를 부여할 수 있다.
세정액이 성분 (F) 를 함유하는 경우, 성분 (F) 의 함유율은, 성분 (F) 이외의 성분 (성분 (A) ∼ 성분 (E) 및 다른 성분) 의 잔부로 하는 것이 바람직하다.
(세정액의 제조 방법)
본 발명의 세정액의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 성분 (A) ∼ 성분 (D), 그리고, 필요에 따라서, 성분 (E) ∼ 성분 (F) 및 다른 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다.
혼합의 순서는 특별히 한정되지 않고, 한번에 모든 성분을 혼합해도 되고, 일부의 성분을 미리 혼합한 후에 나머지 성분을 혼합해도 된다.
본 발명의 세정액의 제조 방법은, 세정에 적절한 함유율이 되도록, 각 성분을 배합해도 되지만, 수송이나 보관 등의 비용을 억제할 수 있는 점에서, 성분 (F) 이외의 각 성분을 고함유율로 함유하는 세정액을 조제한 후, 세정 전에 성분 (F) 로 희석하여 세정액을 조제해도 된다.
희석하는 배율은, 세정 대상에 따라서 적절히 설정할 수 있지만, 30 배 ∼ 100 배가 바람직하고, 40 배 ∼ 90 배가 보다 바람직하다.
(세정 대상)
본 발명의 세정액의 세정 대상으로는, 예를 들어, 반도체, 유리, 금속, 세라믹스, 수지, 자성체, 초전도체 등의 반도체 웨이퍼를 들 수 있다. 이들 세정 대상 중에서도, 단시간의 세정으로 유기 잔류물 및 미립자의 제거를 할 수 있는 점에서, 금속이 노출되어 있는 면을 갖는 반도체 웨이퍼가 바람직하다.
금속으로는, 예를 들어, 텅스텐, 구리, 티탄, 크롬, 코발트, 지르코늄, 하프늄, 몰리브덴, 루테늄, 금, 백금, 은, 상기 금속을 함유하는 화합물 (상기 금속의 질화물, 상기 금속의 산화물, 상기 금속의 실리사이드) 등을 들 수 있다. 이들 금속 중에서도, 저저항률이고 반도체에 바람직한 점에서, 텅스텐, 구리, 코발트, 루테늄, 상기 금속을 함유하는 화합물이 바람직하고, 부식 억제 효과가 우수한 점에서, 구리, 구리를 함유하는 화합물이 보다 바람직하다.
본 발명의 세정액은, 소수성이 높은 저유전율 절연 재료에 대해서도 유기 잔류물 제거성이 우수한 점에서, 저유전율 절연 재료가 노출되어 있는 면을 갖는 반도체 웨이퍼에 대해서도 바람직하게 사용할 수 있다.
저유전율 절연 재료로는, 예를 들어, 폴리이미드 (Polyimide), BCB (벤조시클로부텐 (Benzocyclobutene)), Flare (상품명, Honeywell 사 제조), SiLK (상품명, Dow Chemical 사 제조) 등의 유기 폴리머 재료 ; FSG (불소화 실리케이트 유리 (Fluorinated silicate glass)) 등의 무기 폴리머 재료 ; BLACK DIAMOND (상품명, Applied Materials 사 제조), Aurora (상품명, 닛폰 ASM 사 제조) 등의 SiOC 계 재료 등을 들 수 있다.
(세정 공정 종류)
본 발명의 세정액은, 유기 잔류물 제거성, 금속의 부식 억제 효과가 우수한 점에서, 화학적 기계적 연마 후 세정, 에칭 후 세정에 바람직하게 사용할 수 있고, 화학적 기계적 연마 후 세정에 특히 바람직하게 사용할 수 있다.
화학적 기계적 연마 (CMP) 공정이란, 반도체 웨이퍼의 표면을 기계적으로 가공하여, 평탄화하는 공정을 말한다. 통상, CMP 공정에서는, 전용의 장치를 사용하여, 반도체 웨이퍼의 이면을 플래턴으로 불리는 지그에 흡착시키고, 반도체 웨이퍼의 표면을 연마 패드로 가압하고, 연마 패드 위로 연마 입자를 함유하는 연마제를 흘려보내, 반도체 웨이퍼의 표면을 연마한다.
에칭 공정이란, 리소그래피 공정에서 형성한 레지스트를 마스크로 하여, 대상인 박막을 패턴 형상으로 제거해서, 반도체 웨이퍼 상에 원하는 형상을 형성하는 공정을 말한다. 에칭 공정에서 형성되는 형상으로는, 예를 들어, 배선 패턴, 배선과 배선을 전기적으로 접속하는 비아홀, 소자간의 분리를 실시하는 트렌치 (홈) 등을 들 수 있다. 통상, 에칭 공정은, 플루오로카본 등의 반응성 가스를 사용한 반응성 이온 에칭으로 불리는 방식으로 실시된다.
(CMP)
CMP 에 있어서는, 연마제를 사용하여, 피연마체를 연마 패드에 대고 문질러, 연마가 실시된다.
연마제로는, 예를 들어, 콜로이달 실리카 (SiO2), 퓸드실리카 (SiO2), 알루미나 (Al2O3), 세리아 (CeO2) 등의 연마 미립자를 들 수 있다. 이들 연마 미립자는, 피연마체의 미립자 오염의 주된 요인이 되지만, 본 발명의 세정액은, 피연마체에 부착된 미립자를 제거하여 세정액에 분산시킴과 함께 재부착을 방지하는 작용을 가지고 있기 때문에, 미립자 오염의 제거에 대해 높은 효과를 나타낸다.
연마제에는, 연마 미립자 이외에도, 방식제, 산화제, 분산제 등의 첨가제가 함유되는 경우가 있다. 특히, 구리 또는 구리를 함유하는 화합물이 노출되어 있는 면을 갖는 반도체 웨이퍼에 있어서의 CMP 에서는, 구리가 부식되기 쉽기 때문에, 방식제가 함유되는 경우가 많다.
방식제는, 방식 효과가 높은 아졸계 방식제가 바람직하게 사용된다. 보다 구체적으로는, 헤테로 원자가 질소 원자만인 복소 고리를 포함하는 것으로서, 디아졸계, 트리아졸계, 테트라졸계 ; 질소 원자와 산소 원자의 복소 고리를 포함하는 것으로서, 옥사졸계, 이소옥사졸계, 옥사디아졸계 ; 질소 원자와 황 원자의 복소 고리를 포함하는 것으로서, 티아졸계, 이소티아졸계, 티아디아졸계의 방식제 등을 들 수 있다. 이들 방식제 중에서도, 방식 효과가 우수한 점에서 트리아졸계 방식제가 바람직하고, 트리아졸계 방식제 중에서도 벤조트리아졸계 방식제가 보다 바람직하다.
본 발명의 세정액은, 이와 같은 방식제를 함유하는 연마제로 연마한 후의 반도체 웨이퍼에 적용되면, 이 방식제에서 유래한 오염을 매우 효과적으로 제거할 수 있어 우수하다. 즉, 연마제 중에 이들 방식제가 존재하면, 구리의 표면의 부식을 억제하는 반면, 연마시에 용출된 구리 이온과 반응하여, 다량의 불용성 석출물을 생성한다. 본 발명의 세정액은, 이와 같은 불용성 석출물을 효율적으로 용해 제거할 수 있어, 스루풋의 향상이 가능하다.
(세정 조건)
세정 대상에 대한 세정은, 본 발명의 세정액을 세정 대상에 직접 접촉시키는 방법이 바람직하다.
본 발명의 세정액을 세정 대상에 직접 접촉시키는 방법으로는, 예를 들어, 세정조에 본 발명의 세정액을 채우고 세정 대상을 침지시키는 딥식 ; 노즐로부터 세정 대상 위에 본 발명의 세정액을 흘리면서 세정 대상을 고속 회전시키는 스핀식 ; 세정 대상에 본 발명의 세정액을 분무하여 세정하는 스프레이식 등을 들 수 있다. 이들 방법 중에서도, 단시간에 보다 효율적인 오염 제거가 가능한 점에서, 스핀식, 스프레이식이 바람직하다.
이와 같은 세정을 행하기 위한 장치로는, 예를 들어, 카세트에 수용된 복수 장의 세정 대상을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치, 1 개의 세정 대상을 홀더에 장착하고 세정하는 매엽식 세정 장치 등을 들 수 있다. 이들 장치 중에서도, 세정 시간의 단축, 본 발명의 세정액 사용의 삭감이 가능한 점에서, 매엽식 세정 장치가 바람직하다.
세정 대상에 대한 세정 방법은, 세정 대상에 부착된 미립자에 의한 오염의 제거성이 더욱 향상되고, 세정 시간의 단축이 가능한 점에서, 물리력에 의한 세정이 바람직하고, 세정 브러쉬를 사용하는 스크럽 세정, 주파수 0.5 메가헤르츠 이상의 초음파 세정이 보다 바람직하며, CMP 후의 세정에 보다 바람직하다는 점에서, 수지제 브러쉬를 사용하는 스크럽 세정이 더욱 바람직하다.
수지제 브러쉬의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 수지제 브러쉬 자체의 제조가 용이한 점에서, 폴리비닐알코올, 폴리비닐포르말이 바람직하다.
세정 온도는, 실온이어도 되고, 반도체 웨이퍼의 성능을 저해하지 않는 범위에서 30 ∼ 70 ℃ 로 가온해도 된다.
[세정 방법]
본 발명의 세정 방법은, 본 발명의 세정액을 사용하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정을 포함하는 방법으로, 구체적인 세정 조건 등은 전술한 바와 같다.
[반도체 웨이퍼의 제조 방법]
본 발명의 반도체 웨이퍼의 제조 방법은, 본 발명의 세정액을 사용하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정을 포함하는 방법으로, 구체적인 세정 조건 등은 전술한 바와 같다.
실시예
이하, 실시예를 사용하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 한, 이하의 실시예의 기재로 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
세정액의 원료로서 이하의 성분을 준비하였다.
성분 (A-1) : L-히스티딘 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조)
성분 (B-1) : 1,2-디아미노프로판 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조)
성분 (B-2) : 1,3-디아미노프로판 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조)
성분 (B-3) : N-메틸-1,3-디아미노프로판 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조)
성분 (B'-1) : 이미다졸 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조)
성분 (C-1) : 시트르산 (쇼와 화공 주식회사 제조)
성분 (C-2) : 타르타르산 (쇼와 화공 주식회사 제조)
성분 (C-3) : 숙신산 (후지 필름 와코 순약 주식회사 제조)
성분 (D-1) : L-아스코르브산 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조)
성분 (D'-1) : 갈산 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조)
성분 (E-1) : 테트라에틸암모늄하이드록시드 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조)
성분 (F-1) : 물
세정액 100 질량％ 중, 성분 (A-1) 의 함유량이 0.040 질량％, 성분 (B-1) 의 함유량이 0.002 질량％, 성분 (C-1) 의 함유량이 0.020 질량％, 성분 (D-1) 의 함유량이 0.040 질량％, 성분 (E-1) 의 함유량이 0.140 질량％, 잔부가 성분 (F-1) 이 되도록, 각 성분을 혼합하여, 세정액을 얻었다.
(pH 측정)
실시예 1 에서 얻어진 세정액을, 25 ℃ 의 항온조 중에서, 마그네틱 스터러를 사용하여 교반하면서, pH 계 (기종명 「D-24」, 주식회사 호리바 제작소 제조) 에 의해 pH 를 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(부식 억제 효과 측정)
실시예 1 에서 얻어진 세정액 20 g 에, 구리를 막두께 1.5 ㎛ 로 증착한 실리콘 기판 (주식회사 어드밴텍 제조) 을 20 ㎜ × 20 ㎜ 로 절단한 것을, 25 ℃ 에서 10 분간 침지시켰다. 침지 후, 실리콘 기판을 꺼내어, ICP 발광 분광 분석 장치 (기종명 「SPS 1700HVR」, 세이코 인스트루먼츠 주식회사 제조) 를 사용하여, 세정액 중의 구리 농도를 측정하였다.
측정한 구리 농도로부터, 하기 수학식 (A) 를 사용하여, 구리 에칭레이트 (㎚/분) 를 산출하여, 부식 억제 효과를 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 구리 에칭레이트 (㎚/분) 의 수치가 작을수록, 부식 억제 효과가 높은 것을 나타낸다.
구리 에칭레이트 = (세정액 중의 구리 농도 × 세정액량)/(구리의 밀도 × 실리콘 기판의 표면적 × 침지 시간) (A)
(유기 잔류물 제거성 측정)
구리를 막두께 1.5 ㎛ 로 증착한 실리콘 기판 (주식회사 어드밴텍 제조) 에 대해, 실리카 및 벤조트리아졸을 함유하는 연마제와 CMP 장치 (기종명 「LGP-15RD」, 랩 마스터 SFT 주식회사 제조) 를 사용하여 CMP 를 실시한 후, 실시예 1 에서 얻어진 세정액을 실리콘 기판 표면에 공급하면서, 폴리비닐알코올제 브러쉬를 사용하여 실리콘 기판 표면의 세정을 실시하였다.
얻어진 CMP 세정 후의 실리콘 기판에 대해, 웨이퍼 표면 검사 장치 (기종명 「LS-6600」, 주식회사 히타치 하이테크 필딩 제조) 를 사용하여, 실리콘 기판 상의 0.35 ㎛ 이상의 결함수를 측정하여, 유기 잔류물 제거성을 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 2 ∼ 11, 비교예 1 ∼ 7]
원료의 종류 및 함유율을 표 1 에 나타내는 것으로 한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 조작을 실시하여, 세정액을 얻고, 실시예 1 과 동일한 측정을 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00003
표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 11 에서 얻어진 세정액은, 구리의 부식을 억제하면서, 유기 잔류물 제거성이 우수하다.
한편, 비교예 1 에서 얻어진 세정액은, 성분 (A) 를 함유하지 않았기 때문에, 유기 잔류물 제거성이 떨어졌다.
또, 비교예 2 에서 얻어진 세정액은, 성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 하한치보다 낮았기 때문에, 유기 잔류물 제거성이 떨어졌다.
또, 비교예 3 에서 얻어진 세정액은, 성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가 상한치보다 높았기 때문에, 구리에 대한 부식 억제 효과가 떨어졌다.
또, 비교예 4 에서 얻어진 세정액은, 성분 (D) 를 함유하지 않았기 때문에, 구리에 대한 부식 억제 효과가 떨어졌다.
또한, 비교예 5 에서 얻어진 세정액은, 성분 (D) 에 함유되지 않는 화합물을 배합했기 때문에, 구리에 대한 부식 억제 효과가 떨어졌다.
또, 비교예 6 및 7 에서 얻어진 세정액은, 성분 (B) 에 함유되지 않는 화합물을 배합했기 때문에, 유기 잔류물 제거성이 떨어졌다.
본 발명을 상세하게 또한 특정한 실시양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않고서 여러 가지 변경이나 수정을 가할 수 있음은 당업자에게 있어서 분명하다. 본 출원은 2018년 8월 30일 출원된 일본 특허출원 (특원 2018-161077) 에 근거하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.
산업상 이용가능성
본 발명의 세정액은, 유기 잔류물 제거성, 금속의 부식 억제 효과가 우수한 점에서, 화학적 기계적 연마 후 세정, 에칭 후 세정에 바람직하게 사용할 수 있고, 화학적 기계적 연마 후 세정에 특히 바람직하게 사용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 이하의 성분 (A) ∼ 성분 (D) 를 함유하는 세정액으로서,
    성분 (B) 와 성분 (C) 의 합계 질량에 대한 성분 (A) 의 질량비가, 1 ∼ 15 인, 세정액.
    성분 (A) : 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
    Figure pct00004

    (상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 은, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는, 카르복실기, 카르보닐기, 에스테르 결합을 갖는 관능기, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 아세틸기, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다)
    성분 (B) : 알킬아민
    성분 (C) : 폴리카르복실산
    성분 (D) : 아스코르브산
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 성분 (B) 의 질량에 대한 상기 성분 (C) 의 질량비가, 1 ∼ 15 인, 세정액.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 성분 (A) 가, 히스티딘 및 히스티딘의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 세정액.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 (B) 가, 알킬디아민을 함유하는, 세정액.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 알킬디아민이, 1,2-디아미노프로판, 1,3-디아미노프로판 및 N-메틸-1,3-디아미노프로판으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 세정액.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 (C) 가, 시트르산 및 시트르산의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 세정액.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로, 이하의 성분 (E) 를 함유하는, 세정액.
    성분 (E) : 제 4 급 암모늄 수산화물
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    또한, 이하의 성분 (F) 를 함유하는, 세정액.
    성분 (F) : 물
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    pH 가, 10.0 ∼ 14.0 인, 세정액.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학적 기계적 연마 후 세정 또는 에칭 후 세정에 사용하는, 세정액.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    구리 또는 구리를 함유하는 화합물이 노출되어 있는 면의 세정에 사용하는, 세정액.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 세정액을 사용하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정을 포함하는 세정 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 세정액을 사용하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
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