TWI539249B - 用於移除光阻之剝離劑組成物及使用其之光阻剝離方法 - Google Patents

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Description

用於移除光阻之剝離劑組成物及使用其之光阻剝離方法
本發明係關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其可展現優異的光阻移除及剝離性，且有效的抑制汙斑或異物產生或殘留在含銅及類似物的下膜上，並提供一種利用該剝離劑組成物以使光阻剝離之方法。
液晶顯示裝置中的微電路製程或半導體積體電路製程包括許多形成各種下膜(lower film)的步驟，譬如鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金及類似物之導電金屬膜、或譬如氧化矽膜、氮化矽膜、丙烯酸絕緣膜及類似物之絕緣膜，將光阻平均地塗佈於下膜上，選擇性地將其曝光並顯影以形成光阻圖案，接著，再利用該圖案作為遮罩以圖案化下膜。在圖案化步驟以後，進行從該下膜移除殘留光阻之步驟，且在此步驟中使用用於移除光阻之剝離劑組成物。
習用剝離劑組成物中包括胺化合物、質子性極性溶劑、以及非質子極性溶劑等，且特別以包括亞烷基二 醇單烷基醚(alkyleneglycol monoalkylether)作為質子性極性溶劑之剝離劑組成物使用最廣。該剝離劑組成物已知可展現一定程度的移除及剝離性。
同時，近來隨著大面積、超輕薄、以及高解析度TFT-LCD的發展，嘗試利用包含銅之佈線圖案(wiring pattern)作為閘極、信號電極或類似物。然而，由於銅的特性，當含銅層利用光阻圖案經光刻法圖案化，並接著利用習用剝離劑組成物剝離並移除含銅層上殘留之光阻圖案時，大量微小汙斑或異物產生並殘留在含銅層上。上述情況被認為是因銅的疏水性所導致。
該些微小汙斑或異物可能劣化TFT-LCD之顯示特性，且在近來高解析度及超輕薄之TFT-LCD上更為嚴重問題。
因此，亟需開發一種具有優異光阻剝離表現，而不會在含銅下膜上產生或殘留汙斑或異物之剝離劑組成物或相關技術。
本發明之一目的係提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其可展現優異的光阻移除及剝離性，且有效地抑制汙斑或異物產生或殘留在含銅及類似物的下膜上，並提供一種利用該剝離劑組成物以使光阻剝離之方法。
本發明提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其包括：至少一胺化合物；一極性有機溶劑；一亞烷基二醇溶劑；以及一耐腐蝕劑(anticorrosive agent)。
本發明亦提供一種用於移除光阻之方法，包括：於一基板上形成一光阻圖案，且該基板上形成有含銅下膜；以該光阻圖案使該含銅下膜圖案化；以及利用上述之剝離劑組成物以使光阻剝離。
下文中，將詳細說明根據本發明具體實施例之用於移除光阻之剝離劑組成物及使用其之光阻剝離方法。
根據本發明一示例性實施例，提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其包括：至少一胺化合物；一極性有機溶劑；一亞烷基二醇溶劑；以及一耐腐蝕劑。
根據實驗結果，本發明之發明人確認藉由利用亞烷基二醇溶劑，譬如雙(2-羥乙基)醚(bis(2-hydroxyethyl)ether)及類似物，並搭配極性溶劑(譬如質子性極性溶劑及/或非質子性極性溶劑)，則實質上不產生或殘留汙斑或異物在含銅及類似物的下膜上，同時展現出優異的光阻剝離及移除性，進而完成本發明。
更具體地，該亞烷基二醇溶劑主要可降低該剝離劑組成物之表面張力以改善光阻潤濕性(wettability)，並展現出優異的光阻可溶性。此外，該亞烷基二醇溶劑可對組成該剝離劑組成物之有機物質展現優異的相容性。因此，根據實施例之包括該亞烷基二醇溶劑之剝離劑組成物可展現優異的光阻剝離及移除性。
再者，即便是用於包含銅及類似物之疏水性下膜，亞烷基二醇溶劑也可改善該剝離劑組成物之潤濕性。因此，根據實施例之包括亞烷基二醇溶劑之剝離劑組成物 可對含銅下膜展現優異的漂洗性，且因此，即使經剝離劑組成物處理，實質上未在該下膜上產生並殘留汙斑或異物，且可有效地移除汙斑及異物。
因此，實施例之剝離劑組成物可克服習用剝離劑組成物之缺點，並能表現優異的光阻剝離性而實質上未在該含銅下膜上產生及殘留汙斑及異物。
此外，由於實施例之剝離劑組成物除了上述組成外還包括一耐腐蝕劑，可抑制當利用包含其之剝離劑組成物剝離光阻時，因剝離劑組成物(譬如胺化合物)導致含銅及類似物之下膜腐蝕。因此，可抑制銅佈線圖案及類似物之電特性劣化，且可提供具有改善特性之裝置。
下文中，將詳細地針對根據實施例之剝離劑組成物之每一組成加以描述。
根據實施例之剝離劑組成物包括具有光阻移除性之胺化合物。該胺化合物具有溶解光阻並將其移除之功能。
就根據實施例之剝離劑組成物之優異剝離性而言，該胺化合物可包括至少一選自由鏈胺化合物以及一環胺化合物所組成之群組。更具體地，關於該鏈胺化合物，可使用至少一選自由(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(2-aminoethoxy)-1-ethanol,AEE)、氨基乙基乙醇胺(aminoethyl ethanol amine,AEEA)、單甲醇胺(monomethanol amine)、單乙醇胺(monoethanol amine)、N-甲基乙基胺(N-methylethylamine,N-MEA)、1-氨基異丙醇 (1-aminoisopropanol,AIP)、甲基二甲胺(methyl dimethylamine,MDEA)、二乙烯三胺(diethylene triamine,DETA)以及三亞乙基四胺(triethylene tetraamine,TETA)所組成之群組，並且在這些之中，可適當地使用(2-氨基乙氧基)-1-乙醇或氨基乙基乙醇胺。並且，關於該環胺化合物，可使用至少一選自由咪唑基-4-乙醇(imidazolyl-4-ethanol,IME)、氨基乙基哌嗪(amino ethyl piperazine,AEP)、及羥基乙基哌嗪(hydroxyl ethylpiperazine,HEP)所組成之群組，且可適當地使用咪唑基-4-乙醇。
該環胺化合物可展現更卓越的光阻剝離性，且該鏈胺化合物可適當地移除下膜，譬如，在含銅薄膜上之自然氧化膜，以進一步改善含銅薄膜與於其上的絕緣薄膜(譬如，氮化矽膜及其類似物)之間的黏著性並同時展現光阻剝離性。
就實施例之剝離劑組成物之優異剝離性及天然氧化膜移除性而言，該鏈胺化合物：該環胺化合物之重量比可約為5：1至1：5或約3：1至1：3。
以總組成物為基準，可包括含量約為0.1至10wt%、或約0.5至7wt%、或約1至5wt%、或約1.5至3wt%之該胺化合物。當胺化合物在上述含量範圍內時，實施例之剝離劑組成物可盡量減少因為胺過量所導致之製程經濟效率降低並減少廢液的產生等，同時展現優異的剝離性。倘若包括了過量的胺，可能導致下膜(譬如含銅下膜)腐蝕，且為了避免上述問題，可能需要使用大量的耐腐蝕劑。在 此情況下，大量的耐腐蝕劑將吸附並殘留於下膜之表面而劣化含銅下膜之電特性等。
同時，實施例之剝離劑組成物包括一極性有機溶劑。該極性有機溶劑可妥善地溶解胺化合物，並使剝離劑組成物適當地滲透將被移除的光阻圖案及下膜，進而確保該剝離劑組成物的優異剝離性及漂洗性。
更具體地，該極性有機溶劑可包括一非質子性極性有機溶劑、一質子性極性溶劑(如亞烷基二醇單烷基醚(alkyleneglycol monoalkylether))、以及其混合物。
該非質子性極性溶劑可包括至少一選自由N-甲基甲醯胺(N-methylformamide,NMF)、二甲基亞碸(dimethylsulfoxide,DMSO)、二甲基乙醯胺(dimethylacetamide,DMAc)、二丙二醇單甲醚(dipropyleneglycol monomethylether,DPM)、二乙基亞碸(diethylsulfoxide)、二丙基亞碸(dipropylsulfoxide)、環丁碸(sulfolane)、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone,NMP)、吡咯烷酮(pyrrolidone)、N-乙基吡咯烷酮(N-ethyl pyrrolidone)、二丙二醇單乙基醚(dipropyleneglycol monoethylether,DPE)以及N,N'-二烷基甲醯胺(N,N’-dialkylcarboxamide)所組成之群組，且亦可使用其他各種用於剝離劑組成物之習用非質子極性溶劑。
然而，上述溶劑中，較佳可使用N,N'-二烷基甲醯胺(N,N’-dialkylcarboxamide)如N,N'-二乙基甲醯胺(N,N’-diethylcarboxamide)、或N-甲基甲醯胺(N-methylformamide)及類似物，且特別較佳使用N,N'-二乙 基甲醯胺。
透過使用N,N'-二烷基甲醯胺或N-甲基甲醯胺，實施例之剝離劑組成物可更好地滲透於下膜，因而提供該剝離劑組成物更優異的光阻剝離性及漂洗性。
然而，上述溶劑中，N-甲基甲醯胺與N,N'-二甲基甲醯胺已知具有體內毒性，且其可能導致胺隨時間分解而隨著時間降低該剝離劑組成物之剝離性及漂洗性。反之，包括N,N'-二乙基甲醯胺之剝離劑組成物實質上不表現體內毒性，且表現的光阻剝離性及漂洗性等於或優於該些包括N-甲基甲醯胺或N,N'-二甲基甲醯胺之組成物。
此外，該N,N'-二乙基甲醯胺實質上不造成胺分解，且即便殘餘光阻溶解於剝離劑組成物中，也實質上不會造成胺化合物分解。因此，在包含N,N'-二乙基甲醯胺之剝離劑組成物中，可盡量最小化剝離性隨時間降低等缺點，且因此，最佳使用該N,N'-二乙基甲醯胺作為非質子性極性溶劑。
不像N,N'-二乙基甲醯胺，在習知技術中大量用在剝離劑組成物之其他非質子性極性溶劑(譬如N-甲基甲醯胺、N,N'-二甲基甲醯胺及二甲基乙醯胺)的情況下，因會產生生殖或體內毒性的緣故使得該些非質子性極性溶劑在顯示器或裝置製程的使用上受到限制，且特別是，已確認N,N'-二甲基甲醯胺具有生殖毒性及特定的標靶器官毒性，且與白血病有關，導致其使用受到限制。並且，在習知技術中用在剝離劑組成物之非質子性極性溶劑N-甲基-2- 吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone,NMP)連同N,N'-二甲基甲醯胺及二甲基乙醯胺等也被歐盟歸類為SVHC(高度關注物質)，且對其使用之限制目前尚在研究中。此外，N-甲基甲醯胺、N,N'-二甲基甲醯胺及二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮及類似物被國家分類且控管為顯示具有生殖毒性的1B類物質(GHS標準)。反之，非質子性有機溶劑，如N,N'-二乙基甲醯胺可提供剝離劑組成物優異的剝離性等而不表現出生殖及體內毒性。
同時，該剝離劑組成物可包括一質子性極性溶劑譬如亞烷基二醇單烷基醚及類似物。該質子性極性溶劑使一實施例之剝離劑組成物可更好地滲透該下膜，從而協助該剝離劑組成物優異的剝離性。該質子性極性溶劑可為不同種類之亞烷基二醇溶劑如下。
關於該質子性極性溶劑，可使用二乙二醇單甲醚(diethyleneglycol monomethylether)、乙二醇單乙醚(ethyleneglycol monoethylether)、乙二醇單丁醚(ethyleneglycol monobutylether)、丙二醇單甲醚(propyleneglycol monomethylether)、丙二醇單乙醚(propyleneglycol monoethylether)、丙二醇單丁醚(propyleneglycol monobutylether)、二乙二醇單乙醚(diethyleneglycol monoethylether)、二乙二醇單丙醚(diethyleneglycol monopropylether)、二乙二醇單丁醚(diethyleneglycol monobutylether)、二丙二醇單甲醚(dipropyleneglycol monomethylether)、二丙二醇單乙醚 (dipropyleneglycol monoethylether)、二丙二醇單丙醚(dipropyleneglycol monopropylether)、二丙二醇單丁醚(dipropyleneglycol monobutylether)、三乙二醇單甲醚(triethyleneglycol monomethylether)、三乙二醇單乙醚(triethyleneglycol monoethylether)、三乙二醇單丙醚(triethyleneglycol monopropylether)、三乙二醇單丁醚(triethyleneglycol monobutylether)、三丙二醇單甲醚(tripropyleneglycol monomethylether)、三丙二醇單乙醚(tripropyleneglycol monoethylether)、三丙二醇單丙醚(tripropyleneglycol monopropylether)、三丙二醇單丁醚(tripropyleneglycol monobutylether)、或其類似物。並且，就優異濕潤性及改善剝離性而言，可適當地使用二乙二醇單乙醚(MDG)或二乙二醇單丁醚(BDG)及類似物作為質子性極性溶劑。
以總組成物為基準，可包括含量約為20至80wt%之該包括非質子性極性溶劑及質子性極性溶劑之極性有機溶劑。並且，在同時包括非質子性極性溶劑及質子性極性溶劑之情況下，可包括約10至65wt%、或約15至60wt%之非質子性極性溶劑，且可包括約5至60wt%、或約10至55wt%之質子性極性溶劑。當極性有機溶劑在上述之含量範圍內時，可確保一實施例之剝離劑組成物優異的剝離性及類似特性。
同時，一實施例之剝離劑組成物除了上述之極性有機溶劑外可進一步包括水，且可用以作為水性剝離劑 組成物。在包括水的情況中，其含量可為在極性有機溶劑之含量範圍內之一適當的範圍。
並且，一實施例之剝離劑組成物除了上述胺化合物及極性有機溶劑外可進一步包括一亞烷基二醇溶劑。該亞烷基二醇溶劑是一種質子性有機溶劑，但可作為與上述說明之質子性有機溶劑(譬如亞烷基二醇單烷基醚及類似物)不同種類之溶劑包括於其中。如上所述，關於包括於一實施例之剝離劑組成物之亞烷基二醇溶劑，剝離劑組成物之表面張力可降低且可提升將被移除之光阻及含銅及類似物的下膜之濕潤性。並且，該亞烷基二醇溶劑可展現優異的光阻溶解性，以及與其他組成該剝離劑組成物之有機物質之優異的相容性。因此，根據一實施例之包括該亞烷基二醇溶劑之剝離劑組成物可展現優異的光阻剝離及移除性，且同時，對於下膜展現優異的漂洗性，且因此，即便以剝離劑組成物處理，實質上不在下膜上產生及殘留汙斑或異物，且可有效地移除汙斑或異物。
該亞烷基二醇溶劑可包括雙(2-羥乙基)醚(bis(2-hydroxyethyl)ether)、二醇雙(羥乙基)醚(glycolbis(hydroxyethyl)ether)、[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]乙醇([2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethanol)、以及其混合物，但可使用其他各種亞烷基二醇溶劑。上述溶劑中，在對光阻及下膜之優異濕潤性，以及所產生之剝離劑組成物之優異剝離性及漂洗性方面，較佳可使用雙(2-羥乙基)醚。
以總組成物為基準，包括含量約10至70wt%、 或約20至60wt%、或約30至50wt%上述之亞烷基二醇溶劑。在此範圍內時，一實施例之剝離劑組成物可具有優異剝離性及漂洗性，且在移除含銅及類似物的下膜上之汙斑及異物上特別優異。
同時，一實施例之剝離劑組成物可進一步包括一耐腐蝕劑。當利用剝離劑組成物移除光阻時，該耐腐蝕劑可抑制含金屬下膜(譬如含銅下膜)之腐蝕，以抑制因剝離劑組成物而導致下膜電性劣化，特別當該剝離劑組成物包括胺化合物時。
為了有效地抑制下膜腐蝕，可使用三唑基化合物、一四唑基化合物、以及一下述化學式1或2之化合物作為耐腐蝕劑。
於化學式1中，R9係氫或一碳原子數為1至4之烷基；R10及R11係彼此相同或不同，且各自獨立為一碳原子數為1至4之羥基烷基；以及a係一1至4之整數；[化學式2]
於化學式2中，R12係氫或一碳原子數為1至4之烷基；且b係一1至4之整數。
耐腐蝕劑的具體實例可包括三唑基化合物如苯並三唑(benzotriazole)、四氫甲苯三唑(tetrahydrotollyltriazole)或類似物；四唑基化合物譬如5-氨基四唑(5-aminotetrazole)或其水合物；化學式1之化合物，其中R9係甲基、R10及R11各自獨立為羥乙基，且a為1；以及化學式2之化合物，其中R12係甲基，且b為1，並且藉由利用該些化合物，含金屬下膜之腐蝕可有效地被抑制，並可維持剝離劑組成物優異的剝離性。
並且，以總組成物為基準，可包括含量約0.01至0.5wt%、或約0.05至0.3wt%、或約0.1至0.2wt%之該耐腐蝕劑。當含量在上述範圍內時，下膜之腐蝕可有效地被抑制，且可盡量最小化因耐腐蝕劑過量而導致剝離劑組成物之物理特性劣化。包含過量耐腐蝕劑時，相當數量之耐腐蝕劑將吸附並殘留於下膜上，因而使含銅及類似物的下膜之電特性劣化。
除此之外，一實施例之剝離劑組成物可進一步包括用於強化清潔性之界面活性劑。
關於該界面活性劑，可使用矽基非離子型界面活性劑。由於該矽基非離子型界面活性劑包括胺化合物，即便在強鹼剝離劑組成物中也可穩定地保持而不造成化學變化、修飾、或分解，並與上述之非質子性極性溶劑或質子性極性溶劑或亞烷基二醇溶劑及類似物具有優異的相容性。因此，該矽基非離子型界面活性劑可與其他成分充分混合以降低該剝離劑組成物之表面張力，並且對該剝離劑組成物提供將被移除之光阻及下膜優異濕潤性。因此，根據一實施例之包括其之剝離劑組成物可表現優異的下膜漂洗性及優異的光阻剝離性，且因此，實質上不在下膜上產生汙斑或異物，並能有效地移除汙斑及異物。
此外，該矽基非離子型界面活性劑可以非常小量即能達到上述效果，且可盡量最小化因其修飾或分解所產生的副產物。
關於界面活性劑，可使用習用或商規矽基非離子性界面活性劑，譬如，包括聚矽氧烷聚合物之界面活性劑而無特別限制。界面活性劑之具體實施例可包括聚醚改性丙烯酸官能基聚二甲基矽氧烷、聚醚改性矽氧烷、聚醚改性聚二甲基矽氧烷、聚乙基烷基矽氧烷、芳烷基改性聚甲基烷基矽氧烷、聚醚改性羥基官能基聚二甲基矽氧烷、聚醚改性聚二甲基矽氧烷、改性丙烯酸官能基聚二甲基矽氧烷、以及其溶液。並且，該界面活性劑可降低剝離劑組成物之表面張力並增加下膜之表面能，使該剝離劑組成物對於光阻及下膜具有更好的濕潤性。
並且，以總組成物為基準，可包括含量約0.0005至0.1wt%、約0.001至0.09wt%、或約0.001至0.1wt%之該矽基非離子型界面活性劑。當界面活性劑之含量過低時，額外添加該界面活性劑至剝離劑組成物以改善剝離性及漂洗性之效果不明顯；且若含量過高，當剝離過程中利用該剝離劑組成物時，在高壓下可能產生氣泡，進而在下膜上產生汙斑或使感測器故障。
並且，在必要時一實施例之剝離劑組成物可進一步包括常用添加劑，且其種類與含量係熟習本領域技術之人士習知的。
並且，一示例性實施例之剝離劑組成物可藉由一般方法將上述成分混合來進行製備，且該方法並無特別限制。剝離劑組成物可實質上避免汙斑及/或異物形成或殘留在含銅下膜上，並展現優異的光阻剝離性及類似特性。因此，可抑制裝置(譬如高解析度TFT-LCD等)因汙斑及/或異物所導致之顯示特性劣化。
根據本發明另一實施例，提供一種利用上述剝離劑組成物以移除光阻之方法。該剝離方法可包括於一基板上形成一光阻圖案，且該基板上形成有含銅下膜；以該光阻圖案使該含銅下膜圖案化；以及利用上述之該剝離劑組成物以使光阻剝離。
於該剝離方法中，首先，光阻圖案可經由光刻製程形成於一基板上，且其中該基板已形成有將進行圖案化之含銅下膜。其中該含銅下膜可為單層銅層或可為包括 有其他金屬層(譬如另一銅層、鉬層、及類似者)之多層結構。且接著，利用光阻圖案作為遮罩以圖案化該下膜，接著利用上述之剝離劑組成物剝離光阻。在上述製程中，形成光阻圖案及圖案化下膜可藉由一般裝置製備步驟進行，在此省略附加說明。
同時，若利用該剝離劑組成物剝離光阻，微小汙斑及/或異物實質上不產生並殘留在下膜，且可抑制剝離過程中下膜之腐蝕。
根據本發明所提供之用於移除光阻之剝離劑組成物展現優異的光阻剝離及移除性，且實質上不在含銅及類似物的下膜上產生並殘留汙斑或異物。換言之，透過該剝離劑組成物的使用，含銅下膜之光阻可有效地被移除，且同時表現出優異的漂洗性，因此，即便以剝離劑組成物處理，在下膜上實質不產生或殘留汙斑或異物，且該些汙斑及異物可有效地被移除。
並且，當以該剝離劑組成物處理下膜時，下膜之腐蝕可有效地被抑制。
圖1及圖2係以實施例2及9之剝離劑組成物處理銅閘極圖案之後的表面形狀之FE-SEM圖。
於下文中，本發明將搭配實施例及比較例詳加解釋。然而，該些實施例僅用於說明本發明，然本發明之 範圍並不限於此。
<實施例與比較例>製備用於移除光阻之剝離劑組成物
根據下表1及2之組成物，將其成分混合以製備根據實施例1至11及比較例1至2之用於移除光阻之剝離劑組成物。
基]雙乙醇(2,2’[[(Methyl-1H-benzotriazol-1-yl)methyl]imino]bis ethanol)
*耐腐蝕劑2：5-氨基四唑單水合物(5-aminotetrazole monohydrate)
*耐腐蝕劑3：苯並三唑(benzotriazole)
[實驗例]剝離劑組成物之物理特性評估
1.剝離劑組成物之剝離力評估
實施例及比較例之剝離劑組成物之剝離力評估如下。
首先，將3.5ml的光阻組成物(產品名：JC-800，已知能夠形成具有相對較強強度的光阻)滴在100mm x 100mm的玻璃基板上，且以400rpm之旋塗機塗佈該光阻組成物10秒。將該玻璃基板組設在熱板上，並且以165℃之溫度下進行硬烘烤10分鐘以形成光阻。
形成有光阻的玻璃基板在室溫下進行氣冷形成，且接著，切割成30mm x 30mm的尺寸以製備用於評估剝離力的樣品。
準備500g於實施例及比較例中各自製得的剝離劑組成物，並利用該些剝離劑組成物處理玻璃基板上的光阻，並在50℃溫度下進行測量。測量將光阻完全剝離並移除所需的時間以測得剝離力。其中，利用UV光照射玻璃基板後觀察是否有光阻殘留以確認光阻剝離。
透過上述方法，評估實施例1至9及比較例1 及2之剝離劑組成物之剝離力並顯示於表3。其係根據光阻之硬烘烤條件進行評估。
表3中，可確認實施例之剝離劑組成物相較於比較例之剝離劑組成物，展現出優異的光阻剝離表現(短暫的剝離時間)。
2.剝離劑組成物之漂洗力評估
實施例及比較例之剝離劑組成物之漂洗力評估如下。
準備500g之剝離劑組成物，將溫度調整至50℃，且光阻粉末以150℃之溫度下進行硬烘烤4小時並溶解(0~5wt%之含量)。在由氮化矽所形成的玻璃基板上形成一銅單層，並在銅單層上形成光阻圖案並以剝離劑組成物進行處理。隨後，由該玻璃基板上移除液體，滴加數滴超純水， 並將基板放置30至90秒。再次利用超純水清洗，並利用顯微鏡觀察銅單層上方的汙斑或異物，以評估在3 x 3cm2的面積範圍內所產生汙斑及光阻衍生之異物時光阻濃度。
評估實施例1至9及比較例1及2之剝離劑組成物之漂洗力並顯示於表4。
如表4所示，與比較例相比，可確認當使用實施例之剝離劑組成物時，在銅單層上僅產生並殘留小量的汙斑及異物，因而表現出改善的漂洗力。特別是，可確認 藉由利用含量分別為20至30wt%之質子性極性溶劑(如BDG)及亞烷基二醇溶劑，漂洗力顯著地得到改善。且亦可確認當亞烷基二醇溶劑及質子性極性溶劑之總含量為45至55wt%時，漂洗力更加卓越。
3.銅膜表面之腐蝕性評估
形成有銅閘極圖案之玻璃基板利用實施例2及9之剝離劑組成物在70℃下處理10分鐘。經處理後，透過掃描電子顯微鏡(FE-SEM)分析表面形狀。除了分析表面形狀外，也評估了銅閘極圖案表面之粗糙度以判斷是否發生腐蝕。用於分析表面形狀及測量粗糙度之方法及具體評估標準如下。
(1)銅閘極表面之粗糙度分析
利用AFM測量銅閘極表面之粗糙度以判斷是否發生腐蝕。在經剝離劑組成物處理前後以AFM測量閘極表面，且該測量條件係在5 x 5cm2的面積下，以1Hz的掃描頻率進行。在處理後，當表面粗糙度在2.3nm內時，判斷為未發生腐蝕；當表面粗糙度在2.3~3.0nm時，判斷為發生低程度腐蝕；當表面粗糙度在3.0~4.0nm時，判斷為發生中等程度腐蝕；當表面粗糙度在4.0~5.0nm時，判斷為發生高程度腐蝕；當表面粗糙度為5.0nm時，判斷為發生嚴重腐蝕。該評估結果如表5所示。
(2)銅閘極表面之形狀分析
以肉眼觀察該FE-SEM照片以確認是否發生表面損傷。以肉眼確認之表面損傷如下圖所示，以判斷是否 發生腐蝕。經實施例2及9之剝離劑組成物處理後之FE-SEM照片如圖1及圖2所示。
考量圖1並輔以圖2結果，可判斷是否發生腐蝕。
如上表1、圖1及圖2所示，可確認實施例之剝離劑組成物處理銅閘極圖案時，不實質上產生銅閘極圖案之腐蝕。

Claims (17)

  1. 一種用於移除光阻之剝離劑組成物，包括：至少一胺化合物；一極性有機溶劑；一亞烷基二醇溶劑；以及一耐腐蝕劑，其中，該亞烷基二醇溶劑包括至少一選自由：雙(2-羥乙基)醚(bis(2-hydroxyethyl)ether)、二醇雙(羥乙基)醚(glycolbis(hydroxyethyl)ether)、以及[2-(2-羥基乙氧基)乙氧基]乙醇([2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethanol)所組成之群組。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該胺化合物包括至少一選自由鏈胺化合物以及一環胺化合物所組成之群組。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該鏈胺化合物包括至少一選自由：(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(2-aminoethoxy)-1-ethanol,AEE)、氨基乙基乙醇胺(aminoethyl ethanol amine,AEEA)、單甲醇胺(monomethanol amine)、單乙醇胺(monoethanol amine)、N-甲基乙基胺(N-methylethylamine,N-MEA)、1-氨基異丙醇(1-aminoisopropanol,AIP)、甲基二甲胺(methyl dimethylamine,MDEA)、二乙烯三胺(diethylene triamine,DETA)以及 三亞乙基四胺(triethylene tetraamine,TETA)所組成之群組。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該環胺化合物包括至少一選自由：咪唑基-4-乙醇(imidazolyl-4-ethanol,IME)、氨基乙基哌嗪(amino ethyl piperazine,AEP)、及羥基乙基哌嗪(hydroxyl ethylpiperazine,HEP)所組成之群組。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，以總組成物為基準，包括含量為0.1至10wt%之該胺化合物。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該極性有機溶劑包括一非質子性極性溶劑、一質子極性溶劑、或其混合物。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該非質子性極性溶劑包括至少一選自由：N-甲基甲醯胺(N-methylformamide,NMF)、二甲基亞碸(dimethylsulfoxide,DMSO)、二甲基乙醯胺(dimethylacetamide,DMAc)、二丙二醇單甲醚(dipropyleneglycol monomethylether,DPM)、二乙基亞(diethylsulfoxide)、二丙基亞碸(dipropylsulfoxide)、環丁碸(sulfolane)、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone,NMP)、吡咯烷酮(pyrrolidone)、N-乙基吡咯烷酮(N-ethyl pyrrolidone)、二丙二醇單乙基 醚(dipropyleneglycol monoethylether,DPE)以及N,N'-二烷基甲醯胺(N,N’-dialkylcarboxamide)所組成之群組。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該質子性極性溶劑包括至少一選自由：二乙二醇單甲醚(diethyleneglycol monomethylether)、乙二醇單乙醚(ethyleneglycol monoethylether)、乙二醇單丁醚(ethyleneglycol monobutylether)、丙二醇單甲醚(propyleneglycol monomethylether)、丙二醇單乙醚(propyleneglycol monoethylether)、丙二醇單丁醚(propyleneglycol monobutylether)、二乙二醇單乙醚(diethyleneglycol monoethylether)、二乙二醇單丙醚(diethyleneglycol monopropylether)、二乙二醇單丁醚(diethyleneglycol monobutylether)、二丙二醇單甲醚(dipropyleneglycol monomethylether)、二丙二醇單乙醚(dipropyleneglycol monoethylether)、二丙二醇單丙醚(dipropyleneglycol monopropylether)、二丙二醇單丁醚(dipropyleneglycol monobutylether)、三乙二醇單甲醚(triethyleneglycol monomethylether)、三乙二醇單乙醚(triethyleneglycol monoethylether)、三乙二醇單丙醚 (triethyleneglycol monopropylether)、三乙二醇單丁醚(triethyleneglycol monobutylether)、三丙二醇單甲醚(tripropyleneglycol monomethylether)、三丙二醇單乙醚(tripropyleneglycol monoethylether)、三丙二醇單丙醚(tripropyleneglycol monopropylether)、以及三丙二醇單丁醚(tripropyleneglycol monobutylether)所組成之群組。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，以總組成物為基準，包括含量為20至80wt%之該極性有機溶劑。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，以總組成物為基準，包括含量為10至70wt%之該亞烷基二醇溶劑。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該耐腐蝕劑包括一三唑基化合物、一四唑基化合物、以及一下述化學式1或2之化合物： 於化學式1中，R9係氫或一碳原子數為1至4之烷基；R10及R11，其係彼此相同或不同，且各自獨立為一碳原子數為1至4之羥基烷基；以及a係一1至4之整數； 於化學式2中，R12係氫或一碳原子數為1至4之烷基；且b係一1至4之整數。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，以總組成物為基準，包括含量為0.01至0.5wt%之該耐腐蝕劑。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，更包括一矽基非離子型界面活性劑。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該矽基非離子型界面活性劑包括聚矽氧烷基聚合物。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，該矽基非離子型界面活性劑包括至少一選自由：聚醚改性丙烯酸官能基聚二甲基矽氧烷、聚醚改性矽氧烷、聚醚改性聚二甲基矽氧烷、聚乙基烷基矽氧烷、芳烷基改性聚甲基烷基矽氧烷、聚醚改性羥基官能基聚二甲基矽氧烷、聚醚改性聚二甲基矽氧烷、以及改性丙烯酸官能基聚二甲基矽氧烷所組成之群組。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之該用於移除光阻之剝離劑組成物，其中，以總組成物為基準，包括含量為0.0005至0.1wt%之該矽基非離子型界面活性劑。
  17. 一種用於移除光阻之方法，包括：於一基板上形成一光阻圖案，且該基板上形成有含銅下膜；以該光阻圖案使該含銅下膜圖案化；以及利用根據申請專利範圍第1至16項任一項所述之該剝離劑組成物以使光阻剝離。
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