KR20140132271A

KR20140132271A - 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 박리방법

Info

Publication number: KR20140132271A
Application number: KR1020140050060A
Authority: KR
Inventors: 이우람; 정대철; 이동훈; 박태문
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2013-05-07
Filing date: 2014-04-25
Publication date: 2014-11-17
Also published as: JP6367842B2; CN104903794A; TW201504775A; CN104903794B; TWI539249B; JP2016511843A; KR101668063B1

Abstract

본 발명은 포토레지스트에 대한 우수한 제거 및 박리 성능을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상의 얼룩 또는 이물의 발생 또는 잔류를 효과적으로 억제할 수 있는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법에 관한 것이다. 상기 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물은 1종 이상의 아민 화합물; 극성 유기 용매; 알킬렌글리콜계 용매; 및 부식 방지제를 포함하는 것이다.

Description

포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 박리방법{STRIPPER COMPOSITION FOR REMOVING PHOTORESIST AND STRIPPING MTHOD OF PHOTORESIST USING THE SAME}

본 발명은 포토레지스트에 대한 우수한 제거 및 박리 성능을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상의 얼룩 또는 이물의 발생 또는 잔류를 효과적으로 억제할 수 있는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법에 관한 것이다.

액정표시소자의 미세회로 공정 또는 반도체 직접 회로 제조공정은 기판 상에 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등의 도전성 금속막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 포크아크릴 절연막 등의 절연막과 같은 각종 하부막을 형성하고, 이러한 하부막 상에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 선택적으로 노광, 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 이를 마스크로 하부막을 패터닝하는 여러 공정을 포함하게 된다. 이러한 패터닝 공정 후 하부막 상에 잔류하는 포토레지스트를 제거하는 공정을 거치게 되는데, 이를 위해 사용되는 것이 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물이다.

이전부터 아민 화합물, 양자성 극성 용매 및 비양자성 극성 용매 등을 포함하는 스트리퍼 조성물이 널리 알려져 왔으며, 이중에서도 특히 극성 양자성 용매로서 알킬렌글리콜 모노알킬에테르계 용매 등이 주로 사용되어 왔다. 이러한 스트리퍼 조성물은 포토레지스트에 대한 어느 정도의 제거 및 박리력을 나타내는 것으로 알려진 바 있다.

한편, 최근 들어서는 TFT-LCD가 대면적화, 초미세화 및 고해상도로 됨에 따라, 구리를 함유하는 배선 패턴을 게이트 전극 또는 신호 전극 등으로 사용하고자 시도되고 있다. 그런데, 이러한 구리의 특성상 포토레지스트 패턴을 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 구리 함유막을 패터닝한 후, 기존에 알려진 스트리퍼 조성물을 이용하여 구리 함유막 상의 잔류 포토레지스트 패턴을 박리 및 제거하면, 구리 함유막 상에 미세한 얼룩 또는 이물이 발생하여 잔류하는 경우가 많았다. 이는 구리가 갖는 소수성에 기인한 것으로 예측된다.

이러한 미세한 얼룩 또는 이물은 TFT-LCD의 표시 특성을 저하시킬 수 있고, 특히 해상도가 매우 높아지고 화소가 초미세화된 최근의 TFT-LCD에서 더욱 큰 문제로 대두되고 있다.

이에 따라, 상기 구리를 함유하는 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 발생 및 잔류시키지 않으면서도, 포토레지스트에 대한 우수한 박리력을 갖는 스트리퍼 조성물 또는 관련 기술의 개발이 계속적으로 요구되고 있다.

본 발명은 포토레지스트에 대한 우수한 제거 및 박리 성능을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상의 얼룩 또는 이물의 발생 또는 잔류를 효과적으로 억제할 수 있는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 1종 이상의 아민 화합물; 극성 유기 용매; 알킬렌글리콜계 용매; 및 부식 방지제를 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물을 제공한다.

본 발명은 또한, 구리가 함유된 하부막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴으로 상기 하부막을 패터닝하는 단계; 및 상기 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함하는 포토레지스트의 박리방법을 제공한다.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 박리방법에 대해 설명하기로 한다.

발명의 일 구현예에 따르면, 1종 이상의 아민 화합물; 극성 유기 용매; 알킬렌글리콜계 용매; 및 부식 방지제를 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물이 제공된다.

본 발명자들의 실험 결과, 아민 화합물, 양자성 극성 용매 및/또는 비양자성 극성 용매 등의 극성 유기 용매와 함께, 비스(2-히드록시에틸) 에테르 등의 알킬렌글리콜계 용매를 함께 사용하여, 포토레지스트에 대한 우수한 박리 및 제거력을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 실질적으로 발생 및 잔류시키지 않음을 확인하고 발명을 완성하였다.

보다 구체적으로, 상기 알킬렌글리콜계 용매는 기본적으로 상기 스트리퍼 조성물의 표면 장력을 낮추어 포토레지스트에 대한 습윤성(젖음성)을 향상시킬 수 있으며, 포토레지스트에 대한 우수한 용해성을 나타낼 수 있다. 더구나, 이러한 알킬렌글리콜계 용매는 스트리퍼 조성물을 이루는 다른 유기물 등과의 우수한 상용성을 나타낼 수 있다. 따라서, 이러한 알킬렌글리콜계 용매를 포함하는 일 구현예의 스트리퍼 조성물을 포토레지스트에 대한 우수한 박리 및 제거력을 나타낼 수 있다.

더구나, 상기 알킬렌글리콜계 용매는 구리 등을 함유한 소수성 하부막에 대해서도, 스트리퍼 조성물의 젖음성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 이를 포함하는 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 구리 함유 하부막에 대해 우수한 린스력을 나타내어 스트리퍼 조성물 처리 후에도 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 거의 발생 및 잔류시키지 않고, 이러한 얼룩 및 이물을 효과적으로 제거할 수 있다.

따라서, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 기존의 스트리퍼 조성물이 갖는 문제점을 해결하고, 구리 함유 하부막 상에도 얼룩 또는 이물을 실질적으로 발생 및 잔류시키지 않으면서, 포토레지스트에 대한 우수한 박리력을 나타낼 수 있다.

부가하여, 상기 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 상술한 성분과 함께 부식 방지제를 포함함에 따라, 이를 사용해 포토레지스트를 박리하는 과정에서, 상기 스트리퍼 조성물, 예를 들어 아민 화합물로 인해, 구리 등을 함유한 하부막에 부식이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이로서, 구리 배선 패턴 등의 전기적 특성이 저하되는 것을 억제하고, 보다 향상된 특성을 갖는 소자를 제공할 수 있게 된다.

이하, 일 구현예의 스트리퍼 조성물을 각 구성 성분별로 보다 구체적으로 설명하기로 한다.

상기 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 기본적으로 포토레지스트에 대한 박리력을 나타내는 성분인 아민 화합물을 포함한다. 이러한 아민 화합물은 포토레지스트를 녹여 이를 제거하는 역할을 할 수 있다.

일 구현예의 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 등을 고려하여, 상기 아민 화합물은 사슬형 아민 화합물 및 고리형 아민 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 사슬형 아민 화합물로는 (2-아미노에톡시)-1-에탄올 [(2-aminoethoxy)-1-ethanol; AEE ], 아미노에틸에탄올아민(aminoethyl ethanol amine; AEEA), 모노메탄올 아민, 모노에탄올 아민, N-메틸에틸아민 (N-methylethylamine; N-MEA), 1-아미노이소프로판올 (1-aminoisopropanol; AIP), 메틸 디메틸아민 (methyl dimethylamine; MDEA), 디에틸렌 트리아민 (Diethylene triamine; DETA) 및 트리에틸렌 테트라아민 (Triethylene tetraamine; TETA)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으며, 이중에서도 (2-아미노에톡시)-1-에탄올 또는 아미노에틸에탄올아민을 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 상기 고리형 아민 화합물로는 이미다졸릴-4-에탄올(Imidazolyl-4-ethanol; IME), 아미노 에틸 피페라진 (Amino ethyl piperazine; AEP) 및 히드록시 에틸피페라진 (hydroxyl ethylpiperazine; HEP)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있고, 이미다졸릴-4-에탄올을 적절히 사용할 수 있다.

이러한 아민 화합물 중 고리형 아민 화합물은 포토레지스트에 대한 보다 우수한 박리력을 나타낼 수 있으며, 사슬형 아민 화합물은 포토레지스트에 대한 박리력과 함께 하부막, 예를 들어, 구리 함유막 상의 자연 산화막(구리 산화막 등)을 적절히 제거하여 구리 함유막과 그 상부의 절연막, 예를 들어, 실리콘 질화막 등과의 막간 접착력을 보다 향상시킬 수 있다.

일 구현예의 스트리퍼 조성물이 나타내는 보다 우수한 박리력 및 자연 산화막 제거 성능을 고려하여, 상기 사슬형 아민 화합물과 고리형 아민 화합물의 혼합 비율은 사슬형 아민 화합물 : 고리형 아민 화합물의 중량비가 약 5 : 1 내지 1 : 5, 혹은 약 3 : 1 내지 1 : 3으로 될 수 있다.

상술한 아민 화합물은 전체 조성물에 대해 약 0.1 내지 10 중량%, 혹은 약 0.5 내지 7 중량%, 혹은 약 1 내지 5 중량%, 혹은 약 1.5 내지 3 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 이러한 아민 화합물의 함량 범위에 따라, 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 우수한 박리력 등을 나타낼 수 있으면서도, 과량의 아민으로 인한 공정의 경제성 및 효율성 저하를 줄일 수 있고, 폐액 등의 발생을 줄일 수 있다. 만일, 지나치게 큰 함량의 아민 화합물이 포함되는 경우, 이에 의한 하부막, 예를 들어, 구리 함유 하부막의 부식이 초래될 수 있고, 이를 억제하기 위해 많은 양의 부식 방지제를 사용할 필요가 생길 수 있다. 이 경우, 많은 양의 부식 방지제에 의해 하부막 표면에 상당량의 부식 방지제가 흡착 및 잔류하여 구리 함유 하부막 등의 전기적 특성을 저하시킬 수 있다.

한편, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 극성 유기 용매를 포함한다. 이러한 극성 유기 용매는 상기 아민 화합물을 양호하게 용해시킬 수 있으면서, 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 제거될 포토레지스트 패턴 및 그 하부막 상에 적절히 스며들게 하여, 상기 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 및 린스력 등을 담보할 수 있다.

보다 구체적으로, 상기 극성 유기 용매는 비양자성 극성 용매, 알킬렌글리콜 모노알킬에테르계 용매 등의 양자성 극성 용매 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.

이중 비양자성 극성 용매로는, N-메틸포름아미드(NMF), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디에틸설폭사이드(diethylsulfoxide), 디프로필설폭사이드(dipropylsulfoxide), 설포란(sulfolane), N-메틸피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone, NMP), 피롤리돈(pyrrolidone), N-에틸피롤리돈(N-ethyl pyrrolidone), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(DPE) 및 N, N'-디알킬카복스아미드로 이루어진 군에서, 선택된 1종 이상의 용매를 사용할 수 있으며, 기타 스트리퍼 조성물에 사용 가능한 것으로 알려진 다양한 비양자성 극성 용매를 사용할 수 있다.

다만, 이중에서도 N, N'-디에틸카복스아미드 등의 N, N'-디알킬카복스아미드, 혹은 N-메틸포름아미드 등을 바람직하게 사용할 수 있고, 특히 N, N'-디에틸카복스아미드를 가장 바람직하게 사용할 수 있다.

상기 N, N'-디알킬카복스아미드, 혹은 N-메틸포름아미드 등을 사용함에 따라, 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 하부막 상에 보다 잘 스며들게 하여 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 보다 우수한 포토레지스트 박리력 및 린스력 등을 나타내게 할 수 있다.

그런데, 이중 N-메틸포름아미드 및 N, N'-디메틸카복스아미드는 생체에 독성을 나타내는 것으로 알려진 바 있고, 또 경시적으로 아민의 분해를 유발하여 일 구현예의 스트리퍼 조성물의 박리력 및 린스력을 경시적으로 저하시킬 수 있다. 이에 비해, 상기 N, N'-디에틸카복스아미드를 포함하는 스트리퍼 조성물은 상기 N-메틸포름아미드나 N, N'-디메틸카복스아미드를 포함하는 조성물에 준하거나 이보다도 우수한 포토레지스트 박리력 및 린스력을 나타낼 수 있으면서도, 실질적으로 생체 독성을 나타내지 않는다.

더 나아가, 상기 N, N'-디에틸카복스아미드는 아민 화합물의 분해를 거의 유발하지 않으며, 잔류 포토레지스트가 스트리퍼 조성물 내에 용해된 경우에도, 실질적으로 아민 화합물의 분해를 거의 일으키지 않는다. 따라서, 이를 포함하는 스트리퍼 조성물은 경시적인 박리력 등의 저하가 줄어들 수 있으므로, 이러한 N, N'-디에틸카복스아미드가 비양자성 극성 용매로서 가장 바람직하게 사용될 수 있다.

이러한 N, N'-디에틸카복스아미드와 비교하여, 기존부터 스트리퍼 조성물에 많이 사용되던 N-메틸포름아미드, N, N'-디메틸카복스아미드 및 디메틸아세트아미드와 같은 다른 비양자성 극성 용매의 경우, 생식 또는 생체 독성 문제로 인해 디스플레이 또는 소자 공정 중에 사용이 규제되고 있으며, 특히, N, N'-디메틸카복스아미드는 생식독성 및 특정 표적 장기 독성 물질로서 백혈병에 관련된 것으로 확인되어 사용이 규제되고 있다. 또한, 기존에 스트리퍼 조성물에 사용되던 N-메틸피롤리돈 (NMP; N-methylpyrrolidone)의 비양자성 극성 용매 역시도, 유럽 내에서 N, N'-디메틸카복스아미드 및 디메틸아세트아미드 등과 함께 SVHC(고위험성물질)로 분류 되어 있으며, 사용 규제 여부에 대한 심사가 진행 중에 있다. 부가하여, 국내에서도, N-메틸포름아미드, N, N'-디메틸카복스아미드 및 디메틸아세트아미드와, N-메틸피롤리돈 등은 생식 독성을 나타내는 Category 1B(GHS 기준) 물질로서 분류 및 관리되고 있다. 이에 비해, N, N'-디에틸카복스아미드의 비양자성 유기 용매는 이러한 생식 및 생체 독성을 나타내지 않으면서도, 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 등 뛰어난 물성을 달성할 수 있게 한다.

한편, 극성 유기 용매로서, 알킬렌글리콜 모노알킬에테르계 용매 등의 양자성 극성 용매를 포함할 수도 있는데, 이러한 양자성 극성 용매는 일 구현예의 스트리퍼 조성물이 하부막 상에 보다 잘 스며들게 하여 상기 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력을 보조할 수 있다. 단, 이러한 양자성 극성 용매는 후술하는 알킬렌글리콜계 용매과 상이한 종류의 용매로 될 수 있다.

이러한 양자성 극성 용매로는, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노프로필에테르 또는 트리프로필렌글리콜 모노부틸에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬에테르계 용매를 사용할 수 있으며, 이들 중에 선택된 2종 이상을 사용할 수도 있다. 그리고, 일 구현예의 스트리퍼 조성물의 우수한 젖음성 및 이에 따른 향상된 박리력 등을 고려하여, 상기 양자성 극성 용매로는 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG) 또는 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG) 등을 적절히 사용할 수 있다.

상술한 비양자성 극성 용매 또는 양자성 극성 용매 등을 포함하는 극성 유기 용매는 전체 조성물에 대해 약 20 내지 80 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 그리고, 상기 비양자성 극성 용매 및 양자성 극성 유기 용매가 함께 포함될 경우, 비양자성 극성 용매가 약 10 내지 65 중량%, 혹은 약 15 내지 60 중량%의 함량으로 포함될 수 있고, 양자성 극성 용매가 약 5 내지 60 중량%, 혹은 약 10 내지 55 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 이러한 극성 용매의 함량 범위에 따라, 일 구현예의 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 등이 담보될 수 있다.

한편, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 상술한 극성 유기 용매 외에 물을 더 포함하여 수계 스트리퍼 조성물로서 사용될 수도 있고, 이러한 물이 선택적으로 포함될 경우 이의 함량은 상기 극성 유기 용매의 함량 범위 중 적절한 범위 내에서 결정될 수 있다.

또, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 상술한 아민 화합물 및 극성 유기 용매 외에, 알킬렌글리콜계 용매를 더 포함한다. 이러한 알킬렌글리콜계 용매는 일종의 양자성 유기 용매이나, 상술한 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 등의 양자성 극성 용매와는 상이한 종류로서 포함된다. 이미 상술한 바와 같이, 상기 알킬렌글리콜계 용매가 일 구현예의 스트리퍼 조성물에 포함됨에 따라, 스트리퍼 조성물의 표면 장력을 낮추고 제거할 포토레지스트 및 구리 등을 함유한 하부막에 대한 습윤성 및 젖음성을 향상시킬 수 있다. 또, 이러한 알킬렌글리콜계 용매는 포토레지스트에 대한 우수한 용해성을 나타낼 수 있고, 스트리퍼 조성물을 이루는 다른 유기물 등과의 우수한 상용성을 나타낼 수 있다. 따라서, 이러한 알킬렌글리콜계 용매를 포함하는 일 구현예의 스트리퍼 조성물을 포토레지스트에 대한 우수한 박리 및 제거력을 나타낼 수 있으며, 이와 동시에 상기 하부막에 대해 우수한 린스력을 나타내어 스트리퍼 조성물 처리 후에도 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 거의 발생 및 잔류시키지 않고, 이러한 얼룩 및 이물을 효과적으로 제거할 수 있다.

이러한 알킬렌글리콜계 용매로는 비스(2-히드록시에틸) 에테르, 글리콜 비스(히드록시에틸) 에테르 및 [2-(2-히드록시에톡시)에톡시]에탄올로 이루어진 그룹에서 선택된 양자성 유기 용매 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으며, 기타 다양한 알킬렌글리콜계 용매를 사용할 수도 있다. 이 중에서도, 포토레지스트 및 하부막에 대한 보다 우수한 젖음성과, 이로부터 발현되는 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 및 린스력 등을 고려하여, 상기 비스(2-히드록시에틸) 에테르가 바람직하게 사용될 수 있다.

상술한 알킬렌글리콜계 용매는 전체 조성물에 대해 약 10 내지 70 중량%, 혹은 약 20 내지 60 중량%, 혹은 약 30 내지 50 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 이러한 함량 범위에 따라, 일 구현예의 스트리퍼 조성물의 우수한 박리력 및 린스력, 특히, 구리 등을 함유한 하부막 상의 우수한 얼룩 및 이물 제거 성능이 담보될 수 있다.

한편, 상술한 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 부식 방지제를 더 포함하는데, 이러한 부식 방지제는 스트리퍼 조성물을 사용한 포토레지스트 패턴의 제거시 구리 함유막 등의 금속 함유 하부막의 부식을 효과적으로 억제하여 상기 스트리퍼 조성물, 특히, 이에 포함된 아민 화합물에 의한 하부막의 전기적 특성 저하 등을 억제할 수 있다.

이러한 하부막의 부식을 효과적으로 억제하기 위해, 상기 부식방지제로는 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 하기 화학식 1 또는 2의 화합물 등을 사용할 수 있다:

[화학식 1]

상기 식에서, R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,

R10 및 R11은 서로 동일하거나 상이하고 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이고,

a는 1 내지 4의 정수이고,

[화학식 2]

상기 식에서, R12은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,

b는 1 내지 4의 정수이다.

이러한 부식 방지제의 보다 구체적인 예로서, 벤조트리아졸 또는 테트라하이드로톨릴트리아졸 등의 트리아졸계 화합물, 5-아미노테트라졸 또는 이의 수화물과 같은 테트라졸계 화합물, 상기 화학식 1에서 R9는 메틸기이고, R10 및 R11은 각각 히드록시에틸이며, a는 1인 화합물, 또는 상기 화학식 2에서 R12는 메틸기이고, b는 1인 화합물 등을 들 수 있고, 이들 화합물을 사용하여, 금속 함유 하부막의 부식을 효과적으로 억제하면서도, 스트리퍼 조성물의 박리력 등을 우수하게 유지할 수 있다.

또한, 이러한 부식 방지제는 전체 조성물에 대해 약 0.01 내지 0.5중량%, 혹은 약 0.05 내지 0.3중량%, 혹은 약 0.1 내지 0.2중량%로 포함될 수 있다. 이러한 함량 범위로 인해, 하부막 상의 부식의 효과적으로 억제할 수 있으면서도, 이러한 부식 방지제의 과량 함유로 인해 스트리퍼 조성물의 물성이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 만일, 이러한 부식 방지제가 과량 함유되는 경우, 하부막 상에 상당량의 부식 방지제가 흡착 및 잔류하여 구리 함유 하부막 등의 전기적 특성을 저하시킬 수도 있다.

그리고, 상술한 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 세정 특성 강화를 위해 계면활성제를 추가로 포함할 수 있다.

이러한 계면 활성제로는 실리콘계 비이온성 계면활성제를 사용할 수 있는데, 이러한 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 아민 화합물 등이 포함되어 염기성이 강한 스트리퍼 조성물 내에서도 화학적 변화, 변성 또는 분해를 일으키지 않고 안정하게 유지될 수 있으며, 상술한 비양자성 극성 용매, 양자성 극성 용매 또는 알킬렌 글리콜계 용매 등과의 상용성이 우수하게 나타날 수 있다. 이에 따라, 상기 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 다른 성분과 잘 섞여 스트리퍼 조성물의 표면 장력을 낮추고 상기 스트리퍼 조성물이 제거될 포토레지스트 및 그 하부막에 대해 보다 우수한 습윤성 및 젖음성을 나타내게 할 수 있다. 그 결과, 이를 포함하는 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 보다 우수한 포토레지스트 박리력을 나타낼 수 있을 뿐 아니라, 하부막에 대해 우수한 린스력을 나타내어 스트리퍼 조성물 처리 후에도 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 거의 발생 및 잔류시키지 않고, 이러한 얼룩 및 이물을 효과적으로 제거할 수 있다.

더구나, 상기 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 매우 낮은 함량의 첨가로도 상술한 효과를 나타낼 수 있고, 이의 변성 또는 분해에 의한 부산물의 발생이 최소화될 수 있다.

이러한 계면 활성제로는, 이전부터 알려지거나 상용화된 통상적인 실리콘 함유 비이온성 계면 활성제, 예를 들어, 폴리실록산계 중합체를 포함하는 계면 활성제를 별다른 제한 없이 모두 사용할 수 있다. 이러한 계면 활성제의 구체적인 예로는, 폴리에테르 변성 아크릴 관능성 폴리디메틸실록산, 폴리에테르 변성 실록산, 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산, 폴리에틸알킬실록산, 아르알킬 변성 폴리메틸알킬실록산, 폴리에테르 변성 히드록시 관능성 폴리디메틸셀록산, 폴리에테르 변성 디메틸폴리실록산 또는 변성 아크릴 관능성 폴리디메틸실록산이나 이들의 용액 등을 들 수 있다. 또, 이러한 계면 활성제는 스트리퍼 조성물의 포토레지스트 및 하부막에 대한 젖음성 등을 보다 향상시킬 수 있도록, 스트리퍼의 표면 장력을 감소시키고 하부막의 표면 에너지를 증가시키는 등의 특성을 나타낼 수 있다.

또, 상기 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 전체 조성물에 대해 약 0.0005 내지 0.1 중량%, 혹은 약 0.001 내지 0.09 중량%, 혹은 약 0.001 내지 0.01 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 만일, 계면 활성제의 함량이 지나치게 낮아지는 경우, 계면 활성제 첨가에 따른 스트리퍼 조성물의 박리력 및 린스력 향상 효과를 충분히 거두지 못할 수 있고, 계면 활성제가 지나치게 높은 함량으로 포함될 경우, 스트리퍼 조성물을 사용한 박리 공정 진행시 고압에서 버블이 발생하여 하부막에 얼룩이 발생하거나, 장비 센서가 오작동을 일으키는 등의 문제점이 발생할 수 있다.

또한, 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 필요에 따라 통상적인 첨가제를 추가로 포함할 수 있고, 그 종류나 함량은 이 분야의 당업자에게 잘 알려져 있다.

그리고, 상술한 일 구현예의 스트리퍼 조성물은 상술한 각 성분을 혼합하는 일반적인 방법에 따라 제조될 수 있고, 이의 제조 방법이 특히 제한되지 않는다. 이러한 스트리퍼 조성물은 포토레지스트에 대한 우수한 박리력 등을 나타내면서도, 구리 함유 하부막 상에 얼룩 및/또는 이물이 발생 및 잔류하는 것을 실질적으로 방지할 수 있다. 이로서, 상기 얼룩 및/또는 이물에 의해 고해상도 TFT-LCD 등의 소자의 표시 특성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

이에 발명의 다른 구현예에 따르면, 상술한 스트리퍼 조성물을 이용한 포토레지스트의 박리 방법이 제공된다. 이러한 박리 방법은 구리가 함유된 하부막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴으로 상기 하부막을 패터닝하는 단계; 및 상기 일 구현예의 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함한다.

이러한 박리 방법에 있어서는, 먼저 패터닝될 구리 함유 하부막이 형성된 기판 상에 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 이때 구리 함유 하부막은 구리막의 단일막으로 되거나 기타 구리막 및 몰리브덴막 등의 다른 금속막을 포함하는 다중막 구조로 될 수도 있다. 이후, 이러한 포토레지스트 패턴을 마스크로 하부막을 패터닝한 후, 상술한 스트리퍼 조성물 등을 이용해 포토레지스트를 박리할 수 있다. 상술한 공정에서, 포토레지스트 패턴의 형성 및 하부막의 패터닝 공정은 통상적인 소자 제조 공정에 따를 수 있다.

한편, 상기 스트리퍼 조성물을 이용해 포토레지스트를 박리하면, 하부막 상에 미세한 이물 및/또는 얼룩이 실질적으로 발생 및 잔류하지 않고, 이러한 박리 과정에서 하부막 상에 부식이 발생하는 것이 억제될 수 있다.

본 발명에 따르면, 포토레지스트에 대한 우수한 박리 및 제거력을 나타내면서도, 구리 등을 함유한 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 실질적으로 발생 및 잔류시키지 않는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물이 제공될 수 있다. 즉, 이러한 스트리퍼 조성물을 사용해, 구리 등을 함유한 하부막 상의 포토레지스트를 효과적으로 제거하면서도, 우수한 린스력을 발현하여 스트리퍼 조성물 처리 후에도 하부막 상에 얼룩 또는 이물을 거의 발생 및 잔류시키지 않고, 이러한 얼룩 및 이물을 효과적으로 제거할 수 있다.

또한, 상기 스트리퍼 조성물을 사용한 처리시에 하부막의 부식 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.

도 1 및 2 는 실시예 2 및 9의 스트리퍼 조성물을 사용해 구리 게이트 패턴을 처리한 후의 표면 형상을 나타내는 FE-SEM 사진이다.

이하 발명의 실시예 및 비교예를 참고하여 발명의 작용, 효과를 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 다만, 이러한 실시예 및 비교예는 발명의 예시에 불과하며, 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니다.

<실시예 및 비교예> 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물의 제조

하기 표 1 및 2의 조성에 따라, 각 성분을 혼합하여 실시예 1 내지 11, 비교예 1 및 2에 따른 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물을 각각 제조하였다.

분류	실시예1 (wt%)	실시예2 (wt%)	실시예3 (wt%)	실시예4 (wt%)	실시예5 (wt%)	실시예6 (wt%)	실시예7 (wt%)	실시예8 (wt%)
LGA	2.0	1.8	2.0	2.0	2.0	2.0	3.0	3.0
AEE	3.0	3.1	3.0	3.0	5.0	5.0	1.0	1.0
DCA	52.0	45.0	45.0	52.0	52.0	52.0	52.0	42.0
BDG	20.0	26.8	20.0	14.0	10.0	-	10.0	-
HEE	22.8	23.1	29.8	28.8	30.8	40.8	33.8	53.8
부식 방지제 1	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2

분류	실시예9 (wt%)	실시예10 (wt%)	실시예11 (wt%)	비교예1 (wt%)	비교예2 (wt%)
LGA	2.3	2.3	2.3	3.0	3.0
AEE	2.9	2.9	2.9	-	-
NMF				55.0	50.0
DCA	43.3	43.3	43.3	-	-
DMAC	-	-	-	-	25.0
BDG	26.5	26.5	26.5	41.8	21.8
HEE	24.85	24.85	24.85	-	-
부식 방지제 1	0.15			0.2	0.2
부식 방지제 2		0.15
부식 방지제 3			0.15

* LGA: 이미다졸릴-4-에탄올(Imidazolyl-4-ethanol; IME)

* AEE: (2-아미노에톡시)-1-에탄올

* DMAC: 디메틸아세트아미드

* NMF : N-메틸포름아미드

* DCA: N, N'-디에틸카복스아미드

* BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르

* HEE: 비스(2-히드록시에틸) 에테르

* 부식 방지제 1: 2,2'-[(Methyl-1H-benzotriazol-1-yl)methyl]imino]bisethanol

* 부식 방지제 2: 5-aminotetrazole monohydrate

* 부식 방지제 3: benzotriazole

[실험예] 스트리퍼 조성물의 물성 평가

1. 스트리퍼 조성물의 박리력 평가

실시예 및 비교예의 스트리퍼 조성물의 박리력을 다음의 방법으로 평가하였다.

먼저, 100mm x 100mm 유리 기판에 포토레지스트 조성물(제품명: JC-800; 비교적 강한 강도를 갖는 포토레지스트의 형성을 가능케 하는 것으로 알려짐) 3.5ml를 적하하고, 스핀 코팅 장치에서 400rmp의 속도 하에 10 초 동안 포토레지스트 조성물을 도포하였다. 이러한 유리 기판을 핫 플레이트에 장착하고 165℃의 온도에서 10분간 하드베이크하여 포토레지스트를 형성하였다.

상기 포토레지스트가 형성된 유리 기판을 상온에서 공냉한 후, 30mm x 30mm 크기로 잘라 박리력 평가용 시료를 준비하였다.

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 스트리퍼 조성물 500g을 준비하고, 50℃로 승온시킨 상태에서 스트리퍼 조성물로 유리 기판 상의 포토레지스트를 처리하였다. 상기 포토레지스트가 완전히 박리 및 제거되는 시간을 측정하여 박리력을 평가하였다. 이때, 포토레지스트의 박리 여부는 유리 기판 상에 자외선을 조사하여 포토레지스트가 잔류하는지 여부를 관찰하여 확인하였다.

위와 같은 방법으로 실시예 1 내지 9, 비교예 1 및 2의 스트리퍼 조성물의 박리력을 평가하여 하기 표 3에 나타내었다. 이러한 평가 결과는 포토레지스트의 하드베이크 조건 별로 각각 평가하여 나타내었다.

실시예1

실시예2

실시예3

실시예4

실시예5

실시예6

실시예7

실시예8

실시예9

비교예1

비교예2

하드베이크 조건

160도, 10분

70초

100초

120초

80초

130초

100초

140초

100초

160초

170초

상기 표 3을 참고하면, 실시예의 스트리퍼 조성물은 비교예의 스트리퍼 조성물에 비해 우수한 포토레지스트 박리력(빠른 박리 시간)을 나타내는 것으로 확인되었다.

2. 스트리퍼 조성물의 린스력 평가

실시예 및 비교예의 스트리퍼 조성물의 린스력을 다음의 방법으로 평가하였다.

스트리퍼 조성물의 500g을 준비하여 50℃의 온도로 승온하고, 150℃에서 4 시간 동안 하드베이크한 포토레지스트 파우더를 0 내지 5 중량%로 용해시켰다. 실리콘 질화물로 구성된 절연막 유리 기판 상에 구리 단일막을 형성하고 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 이를 상기 스트리퍼 조성물로 처리하였다. 이후, 상기 유리 기판을 액절하고 초순수를 몇 방울 적하하고 30 내지 90초간 대기하였다. 초순수로 다시 세정하고, 구리 단일막 상의 얼룩 및 이물을 광학 현미경으로 관찰하여 3x3cm² 면적 내의 얼룩 및 포토레지스트 유래 이물이 발생하는 포토레지스트 농도를 측정하였다.

위와 같은 방법으로 실시예 1 내지 9, 비교예 1 및 2의 스트리퍼 조성물의 린스력을 평가하여 하기 표 4에 나타내었다.

PR 투입조건	실시예1	실시예2	실시예3	실시예4	실시예5	실시예6	실시예7	실시예8	실시예9	비교예1	비교예2
0.5중량%	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK
1.0중량%	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK
1.5중량%	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK
2.0중량%	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	NG	NG
2.0중량% 투입하고, 24시간 경시 후 사용	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	OK	NG	NG

상기 표 4를 참고하면, 실시예의 스트리퍼 조성물을 사용할 경우, 비교예에 비해 구리 단일막 상에 얼룩 및 이물이 매우 작은 개수로 발생 및 잔류하여 향상된 린스력을 나타냄이 확인되었다. 특히, 알킬렌글리콜계 용매와, BDG와 같은 양자성 극성 용매를 각각 20 내지 30 중량%으로 함께 사용함에 따라 린스력의 향상이 보다 두드러짐이 확인되었다. 그리고, 전체 알킬렌글리콜계 용매 및 양자성 극성 용매 함량이 45 내지 55 중량% 일 경우의 린스력이 보다 우수하게 나타남이 확인되었다.

3. 구리막 표면 부식 발생 여부 평가

구리 게이트 패턴이 형성된 유리 기판 상에 실시예 2 및 9의 스트리퍼 조성물을 70℃ 온도에서 10분간 처리하였다. 처리 후, 주사전자 현미경(FE-SEM)으로 표면 형상을 분석하였다. 이러한 표면 형상 분석과 함께 구리 게이트 패턴 표면의 거칠기를 측정하여 부식 여부를 판단하였다. 상기 표면 형상 분석 및 거칠기 측정 방법과, 구체적인 평가 기준은 다음과 같다.

(1) 구리 게이트 표면 거칠기 분석

AFM을 이용하여 구리 게이트 표면의 거칠기를 측정하여 부식 여부를 판단하였다. 스트리퍼 조성물 처리 전후의 게이트 표면을 AFM 측정하였고, 측정 조건은 측정 면적 5x5cm², 스캔속도 1Hz로 설정하였다. 처리 후에, 표면 거칠기가 2.3nm 이내인 경우 부식이 없는 것으로 평가하였고, 2.3~3.0nm인 경우 낮은 수준의 부식이 발생한 것으로 평가하였으며, 3.0~4.0nm인 경우 중간 수준의 부식이 발생한 것으로 평가하였고, 4.0~5.0nm인 경우 높은 수준의 부식이 발생한 것으로 평가하였으며, 5.0nm이상인 경우 심한 부식이 발생한 것으로 평가하였다. 이러한 평가 결과는 하기 표 5에 정리하여 나타내었다.

(2) 구리 게이트 표면 형상 분석

FE-SEM 사진을 육안 관찰하여 표면 damage가 발생하였는지를 확인하였다. 이하의 그림과 같이 표면 damage의 발생 여부를 육안 확인하여, 표면 부식 발생 여부를 평가하였다. 실시예 2 및 9의 스트리퍼 조성물 처리 후의 FE-SEM 사진은 각각 도 1 및 2에 도시된 바와 같다.

상기 (1)의 결과를 주로 고려하고, (2)의 결과를 보조적으로 고려하여 부식 발생 여부를 판단하였다.

	처리 전	실시예 2	실시예 9
거칠기(nm)	2.019	2.031	2.082
표면 손상	없음	없음	없음
부식수준	부식없음	부식없음	부식없음

상기 표 5, 도 1 및 2에서 확인되는 바와 같이, 실시예의 스트리퍼 조성물은 구리 게이트 패턴 처리시 이의 부식을 실질적으로 발생시키지 않음이 확인되었다.

Claims

1종 이상의 아민 화합물;
극성 유기 용매;
알킬렌글리콜계 용매; 및
부식 방지제를 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 1 항에 있어서, 상기 아민 화합물은 1종 이상의 사슬형 아민 화합물 및 1종 이상의 고리형 아민 화합물을 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 2 항에 있어서, 상기 사슬형 아민 화합물은 (2-아미노에톡시)-1-에탄올 [(2-aminoethoxy)-1-ethanol; AEE ], 아미노에틸에탄올아민(aminoethyl ethanol amine; AEEA), 모노메탄올 아민, 모노에탄올 아민, N-메틸에틸아민 (N-methylethylamine; N-MEA), 1-아미노이소프로판올 (1-aminoisopropanol; AIP), 메틸 디메틸아민 (methyl dimethylamine; MDEA), 디에틸렌 트리아민 (Diethylene triamine; DETA) 및 트리에틸렌 테트라아민 (Triethylene tetraamine; TETA)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 1 항에 있어서, 상기 고리형 아민 화합물은 이미다졸릴-4-에탄올(Imidazolyl-4-ethanol; IME), 아미노 에틸 피페라진 (Amino ethyl piperazine; AEP) 및 히드록시 에틸피페라진 (hydroxyl ethylpiperazine; HEP)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 1 항에 있어서, 상기 아민 화합물은 전체 조성물에 대해 0.1 내지 10 중량%로 포함되는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 1 항에 있어서, 상기 극성 유기 용매는 비양자성 극성 용매, 양자성 극성 용매 또는 이들의 혼합물을 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 6 항에 있어서, 비양자성 극성 용매는 N-메틸포름아미드(NMF), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디에틸설폭사이드(diethylsulfoxide), 디프로필설폭사이드(dipropylsulfoxide), 설포란(sulfolane), N-메틸피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone, NMP), 피롤리돈(pyrrolidone), N-에틸피롤리돈(N-ethyl pyrrolidone), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(DPE) 및 N, N'-디알킬카복스아미드로 이루어진 군에서, 선택된 1종 이상의 용매를 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 6 항에 있어서, 상기 양자성 극성 용매는 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노프로필에테르 및 트리프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 알킬렌글리콜 모노알킬에테르계 용매를 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 1 항에 있어서, 상기 극성 유기 용매는 전체 조성물에 대해 20 내지 80 중량%로 포함되는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 1 항에 있어서, 상기 알킬렌글리콜계 용매는 비스(2-히드록시에틸) 에테르, 글리콜비스(히드록시에틸)에테르 및 [2-(2-히드록시에톡시)에톡시]에탄올로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 1 항에 있어서, 상기 알킬렌글리콜계 용매는 전체 조성물에 대해 10 내지 70 중량%로 포함되는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 1 항에 있어서, 상기 부식 방지제는 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 하기 화학식 1 또는 2의 화합물을 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.
[화학식 1]

상기 식에서, R9는 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
R10 및 R11은 서로 동일하거나 상이하고 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이고,
a는 1 내지 4의 정수이고,
[화학식 2]

상기 식에서, R12은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
b는 1 내지 4의 정수이다.

제 1 항에 있어서, 상기 부식 방지제는 전체 조성물에 대해 0.01 내지 0.5중량%로 포함되는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 1 항에 있어서, 실리콘계 비이온성 계면 활성제를 더 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 14 항에 있어서, 상기 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 폴리실록산계 중합체를 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 14 항에 있어서, 상기 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 폴리에테르 변성 아크릴 관능성 폴리디메틸실록산, 폴리에테르 변성 실록산, 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산, 폴리에틸알킬실록산, 아르알킬 변성 폴리메틸알킬실록산, 폴리에테르 변성 히드록시 관능성 폴리디메틸셀록산, 폴리에테르 변성 디메틸폴리실록산 및 변성 아크릴 관능성 폴리디메틸실록산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

제 14 항에 있어서, 상기 실리콘계 비이온성 계면 활성제는 전체 조성물에 대해 0.0005 내지 0.1 중량 %로 포함되는 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물.

구리가 함유된 하부막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴으로 상기 하부막을 패터닝하는 단계; 및
제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함하는 포토레지스트의 박리방법.