CN1627166A - 薄膜晶体管阵列面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种薄膜阵列面板，其包括：一门线，其形成在一基板上；一第一绝缘层，其形成在该门线上；一半导体层，其形成在该门绝缘层上；一数据线，其形成在该门绝缘层上并且与该门线相交；一漏极，其至少形成在该半导体层上；一导体，其与该数据线平行排列；一第二绝缘层，其形成在该数据线、该漏极以及该导体上，并且具有一第一接触孔，该第一接触孔曝露该漏极的一部分；以及一像素电极，其形成在该第二绝缘层上、通过该第一接触孔连接到该漏极上、完全覆盖该数据线。

Description

薄膜晶体管阵列面板
技术领域
本发明涉及一种薄膜阵列面板，并且特定而言，涉及一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列面板。
背景技术
譬如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的显示装置包括复数个以矩阵形式排列的像素，并且各像素均包括用于显示图像的像素电极。该等像素电极由来自于信号线的信号驱动，该等信号线包括门线和数据线，其彼此相交来界定像素区域并且通过开关元件(例如薄膜晶体管(TFT))连接到像素电极。该等开关元件响应来自于门线的扫描信号控制来自于数据线的数据信号。
LCD包括一种TFT阵列面板，该面板包括信号线、像素电极、和TFT以及共同电极面板，该共同电极面板包括一朝向该等像素电极的共同电极和一具有朝向该等像素区域的开口的黑色矩阵。
当LCD的底板中的有效区域过大以至于不能使用曝光光罩时，通过重复一种叫做分步重复法的分区曝光来实现整体曝光。一个分区曝光单元或区域被称作一个照射(shot)。由于在曝光期间，产生了转变、旋转、扭曲等等，该等照射并未正确地对准。相应地，产生在信号线与像素电极之间的寄生电容根据照射而不同，并且这样造成了该等照射之间的亮度差，该亮度差在位于照射之间的边界的像素处被辨别出。因此，由于照射之间的亮度不连续性，所以在LCD的屏幕上产生了接缝缺陷。
发明内容
本发明的一个动机是解决传统技术的问题。
提供一种薄膜阵列面板，其包括：一门线，其形成在一基板上；一第一绝缘层，其形成在该门线上；一半导体层，其形成在该门绝缘层上；一数据线，其形成在该门绝缘层上并且与该门线相交；一漏极，其至少形成在该半导体层上；一导体，其与该数据线平行排列；一第二绝缘层，其形成在该数据线、该漏极以及该导体上，并且具有一第一接触孔，该第一接触孔曝露该漏极的一部分；以及一像素电极，其形成在该第二绝缘层上、通过该第一接触孔连接到该漏极上、完全覆盖该数据线。
该导体较佳是浮动的。
该像素电极的边缘较佳放置于该导体上。
该第二绝缘层可包括有机材料。
该第二绝缘层可包括一彩色滤光片以及一钝化膜，该钝化膜置于该彩色滤光片之上或之下。
该薄膜阵列面板还可包括一置于该数据线与该导体之间的光阻断构件。
该数据线具有一条平行于该像素电极的边缘延伸的边缘。
该第二绝缘层可具有第二和第三接触孔，该第二接触孔和该第三接触孔曝露该数据线和该门线的一部分并且该薄膜晶体管阵列面板还可包括通过该第二接触孔和该第三接触孔连接到该数据线的第一接触助件和第二接触助件。
该第二接触孔或该第三接触孔曝露该门线或该数据线的边缘。
除置于该数据线与该漏极之间的一部分以外，该半导体层可具有实质上与该数据线和该漏极相同的平面形状。
附图说明
通过参看附图详细描述本发明的实施例，本发明将变得更加显而易见，其中：
图1是根据本发明的一个实施例的TFT阵列面板的示范性布局图；
图2是沿线II-II’截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图3是沿线III-III’截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图4和图5是根据本发明的另一个实施例，分别沿线II-II’和线III-III’截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图6、8、10和12是根据本发明的一个实施例，在TFT阵列面板的制造方法中的中间步骤中，图1-3中所示的TFT阵列面板的布局图；
图7、9、11和13是分别沿线VII-VII’、IX-IX’、XI-XI’和XIII-XIII’截取的在图6、8、10和12中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图14是根据本发明的另一实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图；
图15A是沿线XVA-XVA’截取的图1 4中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图15B是沿线XVB-XVB’截取的图14中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图16是根据本发明的一个实施例，在TFT阵列面板的制造方法中的第一步骤中的图14-15B中所示的TFT阵列面板的布局图；
图17A和17B是分别沿线XVIIA-XVIIA’和XVIIB-XVIIB’截取的在图17A中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图18A和18B是分别沿线XVIIA-XVIIA’和XVIIB-XVIIB’截取的在图16中所示的TFT阵列面板的剖视图，并且说明了在图17A和17B中所示的步骤之后的步骤；
图19A和19B是分别沿线XVIIA-XVIIA’和XVIIB-XVIIB’截取的在图16中所示的TFT阵列面板的剖视图，并且说明了在图18A和18B中所示的步骤之后的步骤；
图20是在图19A和19B中所示的步骤之后的步骤中的TFT阵列面板的布局图；
图21A和21B是分别沿线XXIA-XXIA’和XXIB-XXIB’截取的图20中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图22是在图21A和21B中所示的步骤之后的步骤中的TFT阵列面板的布局图；
图23A和23B是分别沿线XXIIIA-XXIIIA’和XXIIIB-XXIIIB’截取的在图22中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图24是根据本发明的另一实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图；及
图25是沿线XXV-XXV’截取的在图24中所示的TFT阵列面板的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参看附图更为充分地描述本发明，在该等附图中展示了本发明的较佳实施例。然而，本发明可以通过不同形式来体现并且不应被解释为限制在本文所陈述的实施例中。
在图中，为了清楚的目的，放大了层、膜和区域的厚度。全文中相同的数字表示相同的元件。应理解，当将譬如层、膜、区域或基板的元件称作“在另一个元件上”时，其可直接在其它元件上或也可存在介入元件。相反，当将元件称作“直接在另一个元件上”时，则不存在介入元件。
现将参看附图描述根据本发明的实施例的TFT阵列面板和其制造方法。
将参看图1-3详细描述一种用于LCD的TFT阵列面板。
图1是根据本发明的一个实施例的TFT阵列面板的示范性布局图，图2是沿线II-II’截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图，图3是沿线III-III’截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图。
用于传输门信号的复数个门线121形成在绝缘基板110上。各门线121均实质上在横向方向上延伸并且其包括形成复数个栅极124以及向下突出的复数个突出部分127的复数个部分。门线121可延伸以连接到整合在基板110上的驱动电路(未图示)，或者门线121可具有一末端部分(未图示)，该末端部分具有一个较大区域以用来与安装在基板110上或其它装置(例如可附在基板110上的柔性印刷电路膜(未图示))上的其它层或外部驱动电路连接。
门线121包括两层具不同物理特性的膜：下层膜121p和上层膜121q。该下层膜121p和该上层膜121q中的一层较佳由包括以下材料的低电阻率金属制成以用来减少门线121中的信号延迟或电压降落：含铝金属(例如铝和铝合金)、含银金属(例如银和银合金)、含铜金属(例如铜和铜合金)。另一方面，该下层膜121p和该上层膜121q中的另一层较佳由譬如铬、钼、钼合金、钽和钛的材料制成，该类材料相对于其它譬如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的材料具有良好的物理、化学、和电接触特性。该等两个薄膜的结合的实例为下层铬膜和上层铝(或铝-钕)膜以及上层钼(或钼合金)膜和下层铬膜和上层铝膜。图2中，栅极124的下层膜和上层膜分别由参考数字124p和124q表示，并且突出部分127的下层膜和上层膜分别由参考数字127p和127q表示。
然而，门线121可包括较佳由含铝金属、含银金属、含铜金属、铬、钼、钼合金、钽或钛制成的单层。或者，门线121可具有包括含有中间铝层的至少三层的多层结构。
另外，门线121的侧面相对于基板110的表面倾斜，并且其倾角介于约30-80度的范围内。
较佳由氮化硅(SiNx)制成的门绝缘层140形成在门线121上。
较佳由氢化非晶硅(简写为“a-Si”)制成的复数个半导体条纹151形成在门绝缘层140上。各半导体条纹151均实质上在纵向方向上延伸并且具有朝向栅极124分枝出来的复数个突出部分154。各半导体条纹151的宽度均在靠近门线121处变大使得半导体条纹151覆盖门线121的较大区域。
较佳由硅化物或以n型杂质重掺杂的n+氢化a-Si制成的复数个欧姆接触条纹和岛状物161和165形成在半导体条纹151上。各欧姆接触条纹161均具有复数个突出部分163，并且该等突出部分163和该等欧姆接触岛状物165成对地位于半导体条纹151的突出部分154上。
半导体条纹151和欧姆接触161和165的侧面相对于基板110的表面倾斜，并且其倾角较佳地介于约30-80度之间的范围内。
复数个数据线171、复数个漏极175、复数个光阻断导体178以及复数个存储电容器导体177形成在欧姆接触161和165以及门绝缘层140上。
用于传输数据电压的数据线171实质上在纵向方向上延伸并且与门线121相交。各数据线171均包括一个用以与另一层或外部装置接触的末端部分179并且该末端部分179可具有增加的区域以增强接触。
朝向漏极175突出的各数据线171的复数个分枝形成了复数个源极173。每一对源极173和漏极175均彼此分离并且相对于栅极124彼此相对。栅极124、源极173、和漏极175以及半导体条纹151的突出部分154形成了一个TFT，该TFT具有形成在置于源极173与漏极175之间的突出部分154中的通道。
光阻断导体178中的每一个均置于该等门线121中的相邻的两个之间并且平行于数据线171延伸。光阻断导体178是绝缘的并且阻断光泄漏。
存储电容器导体177与门线121的突出部分127重叠。
数据线171、漏极175、光阻断导体178以及存储电容器导体177较佳由譬如铬、钼、钽、钛和其合金的难熔金属制成。然而，其也可具有包括一个低电阻率层以及一个良好接触层的多层结构。
如同门线121一般，数据线171、漏极175、以及存储电容器导体177具有相对于基板110的表面的锥形侧面，并且其倾角介于约30-80度的范围内。
欧姆接触161和165仅插入在下方的半导体条纹151与上方的数据线171之间以及在上方的数据线171与覆在其上方的漏极175之间，并且减少其间的接触电阻。半导体条纹151包括并未由数据线171和漏极175覆盖的复数个曝露部分，例如位于源极173与漏极175之间的部分。如上所述，尽管在大多数地方半导体条纹151比数据线171更窄，但是在靠近门线121处其宽度变大，以使表面的轮廓平滑从而防止数据线171断开。
钝化层180形成在数据线171、漏极175、存储电极电容器177以及并未由数据线171和漏极175覆盖的半导体条纹151的曝露部分上。该钝化层180较佳由具有良好平面度特性的感光有机材料或由等离子增强化学气相沉积(PECVD)形成的譬如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电绝缘材料制成。该钝化层180可具有包括一个较佳由氮化硅或二氧化硅制成的下层无机膜和一个上层有机膜的双层结构以防止半导体与有机材料之间的直接接触。
钝化层180具有复数个接触孔182、185和1 87，其分别曝露数据线171的末端部分179、漏极175、以及存储导体177。接触孔182曝露数据线171的末端部分179的边缘并且较佳接触孔182不曝露铝层。
较佳由ITO或IZO制成的复数个像素电极190和复数个接触助件82形成在钝化层180上。
像素电极190通过接触孔185而物理连接并电连接到漏极175上、并且通过接触孔187连接到存储电容器导体177上使得像素电极190接收来自于漏极175的数据电压并且将所接收到的数据电压传输到存储电容器导体177。
供应有数据电压的像素电极190与另一面板(未图示)上的共同电极(未图示)合作产生电场，该电场使置于像素电极190与共同电极之间的液晶层(未图示)中的液晶分子再定向。
像素电极190与共同电极形成一个液晶电容器，其在TFT关闭后存储所施加的电压。提供了一个并联到液晶电容器上的被称作“存储电容器”的附加电容器，以用来增强电压存储能力。通过使像素电极190和与其相邻的门线121(称作“先前门线”)重叠来建构该等存储电容器。存储电容器的电容(意即，存储电容)通过以下行为而增加：在门线121处提供突出部分127以增加重叠区域；以及提供存储电容器导体177，其被连接到像素电极190上并且在像素电极190下与突出部分127重叠以减少端子之间的距离。
视需要，像素电极190可与门线121和数据线171重叠以增加孔径比。低介电钝化层180限制了由于其间重叠而在像素电极190与门线121或数据线171之间产生的寄生电容的增加。
另外，像素电极190中的每一个均完全覆盖与其相邻的数据线171并且此配置使像素电极190与数据线171之间的寄生电容在分区曝光以在TFT阵列面板上形成薄膜下保持恒定。意即，虽然使像素电极190对准以较靠近左侧和右侧数据线171中的一侧，但像素电极190和与其相邻的两条数据线171之间的重叠区域实质上是保持恒定的。因此，在不同曝光区域中(其中像素电极190的位置相对于数据线171可不同)的像素电极190与数据线171之间的寄生电容实质上彼此相等。
此外，像素电极190与光阻断导体178重叠。较佳地，像素电极190的纵向边缘与光阻断导体178重叠使得光阻断导体178置于该等像素电极190中的相邻的两个之间。因此，光阻断导体178至少部分地阻断像素电极190之间的光泄漏。由于光阻断导体178是浮动的，所以像素电极190与光阻断导体178之间不存在有效寄生电容。
接触助件82覆盖接触孔182，以通过该接触孔182连接到数据线171的曝露的末端部分179上。接触助件82保护曝露部分179并且补充曝露部分179与外部装置之间的黏接。
像素电极190可由透明导电聚合物制成或对于反射性LCD而言，由不透明的反射性金属制成。在这些情况下，接触助件82可由不同于像素电极190的譬如ITO或IZO的材料制成。
将参看图4和5详细描述根据本发明的另一实施例的用于LCD的TFT阵列面板。
图4和图5是根据本发明的另一实施例，分别沿线II-II’和线III-III’截取的图1中所示的TFT阵列面板的剖视图。
参看图4和5，根据此实施例的TFT阵列面板的层化结构与图2和图3中所示的结构大致相同。
意即，包括复数个栅极124的复数个门线121形成在基板110上，并且门绝缘层140、包括复数个突出部分154的复数个半导体条纹151、以及包括复数个突出部分163的复数个欧姆接触条纹161和复数个欧姆接触岛状物165相继形成在该基板110上。包括复数个源极173的复数个数据线171、复数个漏极175、复数个光阻断导体178、以及复数个存储电容器导体177形成在欧姆接触161和165上，并且门绝缘层140、以及钝化层180形成在其上。在钝化层180上提供了复数个接触孔182和185，并且复数个像素电极190以及复数个接触助件82形成在该钝化层180上。
不同于图1和图2中所示的TFT阵列面板的是：根据此实施例的TFT阵列面板在数据线171与光阻断导体178之间提供了复数个光阻断构件220。该等光阻断构件220较佳由含有黑色颜料或氮化铬的绝缘材料制成。该等光阻断构件220阻断像素电极190之间的光泄漏，并且，特定而言，阻断像素电极190与与其相邻的光阻断导体178之间的光泄漏。光阻断构件220置于数据线171、光阻断导体178、以及门绝缘层140上，但是其可置于门绝缘层140下或置于钝化层180或像素电极190上。
将参看图6至图13以及图1-3详细描述根据本发明的实施例，图1-3中所示的TFT阵列面板的制造方法。
图6、8、10和12是根据本发明的一个实施例，在TFT阵列面板的制造方法中的中间步骤中，图1-3中所示的TFT阵列面板的布局图，以及图7、9、11和13是分别沿线VII-VII’、IX-IX’、XI-XI’和XIII-XIII’截取的在图6、8、10和12中所示的TFT阵列面板的剖视图。
将两层导电膜(下层导电膜和上层导电膜)依次溅镀在譬如透明玻璃的绝缘基板110上。该下层导电膜较佳由诸如铬、钼、以及钼合金的材料制成，该类材料相对于ITO或IZO具有良好接触特性，并且其具有约500的厚度。该上层导电膜较佳由含铝金属制成并且较佳具有约2,500的厚度。
参看图6和图7，通过使用光阻图案进行光蚀刻来顺次对上层导电膜和下层导电膜进行图案化，以形成包括复数个栅极124以及复数个突出部分127的门线121。尽管可在不同的条件下独立地蚀刻下层膜和上层膜121p和121q，但可在较佳使用使其具有倾斜的边缘外形的铝蚀刻剂(包括8-15％CH3COOH、5-8％HNO3、50-60％H3PO4、和剩余量的H2O)的情况下，同时对其进行蚀刻。上述蚀刻剂也可蚀刻钼，同时使其具有倾斜的蚀刻外形。
参看图8和图9，在对门绝缘层140、内部a-Si层、外部a-Si层依次进行沉积后，将该外部a-Si层及该内部a-Si层进行光蚀刻以在门绝缘层140上形成复数个外部半导体条纹164和包括复数个突出部分154的复数个内部半导体条纹151。门绝缘层140较佳由氮化硅制成，具有约2,000到约5,000的厚度，并且沉积温度较佳介于约250-500℃的范围内。
参看图9和图10，使用光阻膜(未图示)将导电层溅镀并蚀刻，以形成包括复数个源极173的复数个数据线171、复数个漏极175、复数个光阻断导体178、以及复数个存储电容器导体177。
在去除光阻膜之前或之后，通过蚀刻来去除并未由数据线171、漏极175、光阻断导体178、以及存储电容器导体177覆盖的外部半导体条纹164的部分以完成包括复数个突出部分163的复数个欧姆接触条纹161以及复数个欧姆接触岛状物165并且曝露内部半导体条纹151的部分。如果在去除光阻膜之后，通过使用作为蚀刻光罩的数据线171、漏极175、光阻断导体178、以及存储电容器导体177来去除外部半导体条纹164的曝露的部分，则较佳使用CF4+HCl来对外部半导体条纹164进行干式蚀刻以防止在数据线171等的含钼膜上造成损害。
随后可进行氧等离子处理以稳定半导体条纹151的经曝露的表面。
参看图12和图13，涂覆由感光有机材料制成的钝化层180并使其经受曝光和显影以形成曝露数据线171的末端部分179、漏极175、以及存储电容器导体177的复数个接触孔182、185和187。
参看图1-3，溅镀并光蚀刻由ITO和IZO制成的透明导电层以形成复数个像素电极190并且在钝化层180上形成了复数个接触助件82。
将参看图14、图15A和15B详细描述根据本发明的另一实施例的用于LCD的TFT阵列面板。
图14是根据本发明的另一实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图，图15A是沿线XVA-XVA’截取的图14中所示的TFT阵列面板的剖视图，以及图15B是沿线XVB-XVB’截取的图14中所示的TFT阵列面板的剖视图。
参看图14-15B，根据此实施例的TFT阵列面板的层化结构与图1-3中所示的结构大致相同。
意即，包括复数个栅极124的复数个门线121形成在基板110上，并且门绝缘层140、包括复数个突出部分154的复数个半导体条纹151、以及包括复数个突出部分163的复数个欧姆接触条纹161和复数个欧姆接触岛状物165相继形成在该基板110上。包括复数个源极173的复数个数据线171、复数个光阻断导体178、以及复数个漏极175形成在欧姆接触161和165上，并且钝化层180形成在其上。在钝化层180上提供了复数个接触孔182和185，并且复数个像素电极190以及复数个接触助件82形成在该钝化层180上。
不同于图1-3中所示的TFT阵列面板的是：根据此实施例的TFT阵列面板在与门线121相同的层上提供了复数个存储电极线131，该等存储电极线131与门线121分离并且在门线121处不提供突出部分。该等存储电极线131由譬如共同电压的预定电压供应。在不提供图1-3中所示的存储电容器导体177的情况下，存储电极线131包括具有较大区域的复数个存储电极133以及漏极175，该等漏极175延伸以与该等存储电极133重叠以形成存储电容器。如果门线121与像素电极191重叠所产生的存储电容足够的话，则可省略存储电极线131。存储电极线131可靠近门线121安置以增加孔径比。
此外，半导体条纹151具有与数据线171和漏极175以及在下方的欧姆接触161和165大致相同的平面形状。然而，半导体条纹151的突出部分154包括一些并未由数据线171和漏极175覆盖的部分，例如位于源极173与漏极175之间的部分。
另外，TFT阵列面板还包括安置于其上的复数个半导体岛状物(未图示)以及复数个欧姆接触岛状物(未图示)，其安置在光阻断导体179上。
而且，门线121和存储电极线131具有单层结构并且门线121和数据线171分别具有延伸的末端部分129和179。因此，在门绝缘层140和钝化层180上提供了曝露门线121的末端部分129的复数个接触孔181，以及另外提供了通过接触孔181连接到末端部分129的复数个接触助件81。
图1-3中所示的用于LCD的TFT阵列面板的许多上述特征皆可适用于图14-15B中所示的TFT阵列面板。
现将参看图16-23B以及图14-15B详细描述根据本发明的实施例的在图14-15B中所示的TFT阵列面板的制造方法。
图16是根据本发明的一个实施例，在TFT阵列面板的制造方法中的第一步骤中的在图14-15B中所示的TFT阵列面板的布局图；图17A和17B是分别沿线XVIIA-XVIIA’和XVIIB-XVIIB’截取的在图17A中所示的TFT阵列面板的剖视图；图18A和18B是分别沿线XVIIA-XVIIA’和XVIIB-XVIIB’截取的在图16中所示的TFT阵列面板的剖视图，并且说明了在图17A和17B中所示的步骤之后的步骤；图19A和19B是分别沿线XVIIA-XVIIA’和XVIIB-XVIIB’截取的在图16中所示的TFT阵列面板的剖视图，并且说明了在图18A和18B中所示的步骤之后的步骤；图20是在图19A和19B中所示的步骤之后的步骤中的TFT阵列面板的布局图；图21A和21B是分别沿线XXIA-XXIA’和XXIB-XXIB’截取的图20中所示的TFT阵列面板的剖视图；图22是在图21A和21B中所示的步骤之后的步骤中的TFT阵列面板的布局图；图23A和23B是分别沿线XXIIIA-XXIIIA’和XXIIIB-XXIIIB’截取的在图22中所示的TFT阵列面板的剖视图。
参看图16-11B，包括复数个栅极124的复数个门线121和包括复数个存储电极133的复数个存储电极线131通过沉积并光蚀刻导电膜而形成在基板110上。
参看图18A和18B，相继通过CVD沉积门绝缘层140、内部a-Si层150、以及外部a-Si层160，使得层140、150和160分别承受约1,500-5,000、约500-2,000和约300-600的厚度。通过溅镀沉积导电膜170，并且将具有约1-2微米厚度的光阻膜涂覆在导电层170上。
通过曝光光罩(未图示)将光阻膜曝光、并使其显影使得经显影的光阻具有依位置而定的厚度。图18A和18b中所示的光阻包括具有减少的厚度的复数个第一部分到第三部分。位于导线区域A的第一部分和位于通道区域C的第二部分分别由参考数字52和54表示，并且没有为位于剩余区域B的第三部分分配参考数字，这是因为其实质上具有零厚度以曝露导电层170的在下方的部分。第二部分54与第一部分52的厚度比可根据在相继的处理步骤中的处理条件而作出调整。较佳地，第二部分54的厚度等于或小于第一部分52的厚度的一半，并且特定而言，等于或小于4,000。
由几种技术获得光阻的依位置而定的厚度，例如，通过在曝光光罩上提供半透明区域以及透明区域和光阻断不透明区域来获得。该半透明区域可具有缝隙型图案(slitpattern)、格子图案、具有中间透射率或中间厚度的(多个)薄膜。当使用缝隙型图案时，缝隙的宽度或缝隙之间的距离较佳小于用于微影的曝光器的分辨率。另一个实例为使用可软熔光阻。详细而言，一旦通过使用仅具有透明区域和不透明区域的普通曝光光罩形成了由可软熔材料制成的光阻图案，则该图案经受软熔过程来流入无光阻的区域上，从而形成薄的部分。
当使用合适的处理条件时，光阻52和54的不同厚度使得能够选择性地蚀刻在下方的层。因此，通过一系列蚀刻步骤获得了图20-21B中所示的包括复数个源极173的复数个数据线171、和复数个漏极175、以及包括复数个突出部分163的复数个欧姆接触条纹161、复数个欧姆接触岛状物165和包括复数个突出部分154的复数个半导体条纹151。
出于描述的目的，导线区域A上的导电层170、外部a-Si层160、以及内部a-Si层150的部分被称作第一部分，通道区域C上的导电层170、外部a-Si层160、以及内部a-Si层150的部分被称作第二部分，以及在剩余区域B上的导电层170、外部a-Si层160、以及内部a-Si层150的部分被称作第三部分。
形成该种结构的示例性顺序如下：
(1)去除导线区域A上的导电层170、外部a-Si层160和内部a-Si层150的第三部分；
(2)去除光阻的第二部分54；
(3)去除通道区域C上的导电层170、外部a-Si层160的第二部分；及
(4)去除光阻的第一部分52。
另一示例性顺序如下：
(1)去除导电层170的第三部分；
(2)去除光阻的第二部分54；
(3)去除外部a-Si层160和内部a-Si层150的第三部分；
(4)去除导电层170的第二部分；
(5)去除光阻的第一部分52；及
(6)去除外部a-Si层160的第二部分。
详细描述第一实例。
参看图19A和19B，通过湿式蚀刻或干式蚀刻来去除剩余区域B上的导电层170的曝露的第三部分以曝露外部a-Si层160的在下方的第三部分。较佳湿式蚀刻含铝金属膜，而可由干式蚀刻和湿式蚀刻两种方法来蚀刻含钼金属膜。
参考数字174表示数据线171包括彼此连接的导电层170与漏极175的部分。干式蚀刻可蚀去光阻52和54的上端部分。
接着，较佳通过干式蚀刻去除区域B上的外部a-Si层160和内部a-Si层150的第三部分，并且去除光阻的第二部分54以曝露导体174的第二部分。光阻的第二部分54的去除既可与外部a-Si层160和内部a-Si层150的第三部分的去除同时进行也可独立地进行。通过灰化去除剩余在通道区域C上的光阻的第二部分54的残余物。
在此步骤中完成了半导体条纹151，并且参考数字164表示外部a-Si层160包括彼此连接的欧姆接触条纹与岛状物161和165的部分，其被称作“外部半导体条纹”。
参看图20-21B，去除了通道区域C上的导体174和外部a-Si层164的第二部分以及光阻的第一部分52。
在去除了外部半导体条纹164的经曝露的部分的情况下，在去除光阻膜后将数据线171、漏极175、和存储电容器导体177用作蚀刻光罩。
如图21B中所示，可去除通道区域C上的内部半导体条纹151的突出部分154的上端部分以促使厚度减少，并且蚀刻光阻的第一部分52到预定厚度。
以此方式，各导体174均被分为待完成的数据线171和复数个漏极175，并且各外部半导体条纹164均被分为待完成的欧姆接触条纹161和复数个欧姆接触岛状物165。
接下来，连同门绝缘层140将钝化层180沉积并蚀刻以形成复数个接触孔181、182和185。
最后，如图14-15B中所示，通过溅镀并光蚀刻ITO或IZO层来在钝化层180上形成复数个像素电极190和复数个接触助件81和82。IZO膜的蚀刻可包括使用譬如HNO3/(NH4)2Ce(NO3)6/H2O的铬蚀刻剂的湿式蚀刻，其不会穿过接触孔182、183和185侵蚀门线121、数据线171、和漏极175的经曝露的铝部分。
由于根据实施例的TFT阵列面板的制造方法使用一种微影方法同时形成数据线171、漏极175、半导体151、以及欧姆接触161和165，所以通过省略微影步骤简化了制造方法。
将参看图24和图25详细描述根据本发明的另一个实施例的用于LCD的阵列面板。
图24是根据本发明的另一实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图，及图25是沿线XXV-XXV’截取的在图24中所示的TFT阵列面板的剖视图。
参看图24和图25，根据此实施例的TFT阵列面板的层化结构与图1-3中所示的结构大致相同。
意即，包括复数个栅极124的复数个门线121形成在基板110上，并且门绝缘层140、复数个半导体岛状物154、以及复数个欧姆接触163和165相继形成在该基板110上。包括复数个源极173的复数个数据线171、复数个光阻断导体178、以及复数个漏极175形成在欧姆接触161和165上，并且门绝缘层140和钝化层180形成在其上。在钝化层180上提供了复数个接触孔182和185，并且复数个像素电极190以及复数个接触助件82形成在该钝化层180上。
不同于图1-3中所示的TFT阵列面板的是：根据此实施例的TFT阵列面板的钝化层180包括下层绝缘膜801和上层绝缘膜802以及形成在该下层绝缘膜801与该上层绝缘膜802之间的复数个红、绿和蓝彩色滤光片230。
下层绝缘膜801较佳由譬如氮化硅的无机绝缘物制成，并且上层绝缘膜802较佳由感光有机材料制成。既可省略下层绝缘膜801也可省略上层绝缘膜802。
彩色滤光片230可依照像素电极190的形状并且在相邻两条数据线171上并在纵向方向上排列的彩色滤光片230可彼此连接以形成一条纹。该等彩色滤光片230中的相邻的两个的边缘在数据线171上彼此完全相配，但是彩色滤光片230可彼此重叠以阻断像素电极190之间的光泄漏，或可彼此分离。彩色滤光片230具有曝露接触孔185的复数个开口C1，并且该等接触孔185较佳小于图25中所示的开口C1，使得开口C1曝露接触孔185以及下层绝缘膜801的上表面。
此外，门线121和数据线171分别具有扩展末端部分129和179。因此，在门绝缘层140和钝化层180上提供了曝露门线121的末端部分129的复数个接触孔181，并且另外提供了通过接触孔181连接到末端部分129的复数个接触助件81。在具有门线121和数据线179的扩展部分129和179的外围区域中并未提供彩色滤光片230。
图1-3中所示的用于LCD的TFT阵列面板的许多上述特征皆可适用于图24和25中所示的TFT阵列面板。
虽然已经参考较佳实施例详细描述了本发明，但所属技术领域的技术人员将了解：可对本发明作出多种修改和替代而不脱离在附加权利要求中所陈述的本发明的精神和范畴。
图示中参考数字描述
81，82：接触助件
110：绝缘基板
121、127、129：门线
124：栅极
131：存储电极线
133：存储电极
140：门绝缘层
150：内部非晶硅层
151、154：半导体
160：外部非晶硅层
164：外部a-Si条纹
161、163、165：欧姆接触
171、179：数据线
173：源极
175：漏极
177：存储电容器导体
178：光阻断导体
180：钝化层
181、182、185、187：接触孔
190：像素电极
220：光阻断构件

Claims (12)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，其包含：
一门线，其形成在一基板上；
一第一绝缘层，其形成在该门线上；
一半导体层，其形成在该门绝缘层上；
一数据线，其形成在该门绝缘层上并且与该门线相交；
一漏极，其至少形成在该半导体层上；
一导体，其与该数据线平行排列；
一第二绝缘层，其形成在该数据线、该漏极以及该导体上，并且具有一第一接触孔，该第一接触孔曝露该漏极中的一部分；及
一像素电极，其形成在该第二绝缘层上、通过该第一接触孔连接到该漏极上、完全覆盖该数据线。
2.根据权利要求1所述的薄膜阵列面板，其中该导体为浮动的。
3.根据权利要求1所述的薄膜阵列面板，其中该像素电极的一边缘放置于该导体上。
4.根据权利要求1所述的薄膜阵列面板，其中该第二绝缘层包含有机材料。
5.根据权利要求1所述的薄膜阵列面板，其中该第二绝缘层包含一彩色滤光片。
6.根据权利要求5所述的薄膜阵列面板，其中该第二绝缘层进一步包含一钝化层，该钝化层置于该彩色滤光片上或置于该彩色滤光片之下。
7.根据权利要求1所述的薄膜阵列面板，其进一步包含一置于该数据线与该导体之间的光阻断构件。
8.根据权利要求1所述的薄膜阵列面板，其中该数据线具有一边缘，该边缘平行于该像素电极的一边缘延伸。
9.根据权利要求1所述的薄膜阵列面板，其中该第二绝缘层具有一第二接触孔，该第二接触孔曝露该数据线中的一部分并且该薄膜晶体管阵列面板进一步包含一通过该第二接触孔连接到该数据线的第一接触助件。
10.根据权利要求9所述的薄膜阵列面板，其中该第二绝缘层具有一第三接触孔，该第三接触孔曝露该门线中的一部分并且该薄膜晶体管阵列面板进一步包含一通过该第三接触孔连接到该门线的第二接触助件。
11.根据权利要求10所述的薄膜阵列面板，其中该第二接触孔或该第三接触孔曝露该门线或该数据线中的一边缘。
12.根据权利要求1所述的薄膜阵列面板，其中除置于该数据线和该漏极之间的一部分以外，该半导体层具有实质上与该数据线和该漏极相同的平面形状。
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