JP2007242848A

JP2007242848A - 基板の製造方法及び基板処理装置

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Publication number: JP2007242848A
Application number: JP2006062495A
Authority: JP
Inventors: Koji Yabushita; 宏二薮下; Masami Hayashi; 正美林; Takahito Yamabe; 貴人山部
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2006-03-08
Filing date: 2006-03-08
Publication date: 2007-09-20
Also published as: KR100879038B1; TWI342071B; KR20070092121A; CN101034659A; TW200735373A

Abstract

【課題】工程数を増やすことなく、Ｍｏ酸化物を除去すると共にＭｏ酸化物の基板への付着を抑制する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板の製造方法は、基板上にモリブデンを含む層を形成し、前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対し、少なくとも窒素ガスを用いた大気圧プラズマ処理を行うものである。このような構成により、工程数を増やすことなく、Ｍｏ酸化物を除去すると共にＭｏ酸化物の基板への付着を抑制する基板の製造方法を提供する。
【選択図】図２

Description

本発明は、モリブデンを含む層が形成された基板の製造方法及び基板処理装置に関する。

近年、液晶表示装置用薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと示す）の電極及び配線材料は、従来のクロム（以下、Ｃｒと示す）系材料から配線抵抗の低いアルミニウム（以下、Ａｌと示す）系やモリブデン（以下、Ｍｏと示す）系の材料が使用されている。しかし、Ｍｏは酸化されやすく、Ｍｏ酸化物は水等に容易に溶けるという性質を有している。従って、ＭｏをＴＦＴの電極等に使用する場合、Ｍｏ表面に生成されたＭｏ酸化物（ＭｏＯ_ｘ）が洗浄工程において洗浄液に溶け出すという問題が生じる。洗浄液に溶け出したＭｏ酸化物が、基板乾燥後ＴＦＴに再付着するという二次汚染が生じ、表示ムラ等ＴＦＴの機能不良の原因となっている。

上記問題について、逆スタッガ−ト型ａ−Ｓｉ（amorphous Silicon）ＴＦＴの断面構造を例にとり、図５に従って説明する。逆スタッガート型ａ−ＳｉＴＦＴは、液晶表示装置用ＴＦＴとして最も多く製造される構造である。

図５に示すように逆スタッガ−ト型ａ−ＳｉＴＦＴ１２１は、ガラスなどにより形成された基板１２２上にゲート電極層１２３を形成した後、ゲート絶縁層１２４、半導体層１２５、およびオーミックコンタクト層１２６を連続成膜しパターニングする。半導体層１２５は、チャネル層として形成され、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を材料とする。また、オーミックコンタクト層１２６は、半導体層１２５と電極とのオーミックコンタクトとして形成され、低抵抗アモルファスシリコン（ｎ^＋ａ−Ｓｉ）を材料とする。その後、ソース電極層１２７及びドレイン電極層１２８として、Ｍｏを含有する材料を成膜し、パターニングする。パターニング後、ソース電極層１２７及びドレイン電極層１２８の形成に用いたレジストを除去する。

ソース電極層１２７及びドレイン電極層１２８表面にＭｏが含まれる場合、酸化によって電極層表面にＭｏ酸化物が生成される。このＭｏ酸化物は、水やアルカリ性の液体などに対して溶解しやすい性質を持つ。従って、ソース電極層１２７及びドレイン電極層１２８形成後にレジスタを除去する純水洗浄の際、洗浄液にＭｏ酸化物が溶け出す場合がある。その後、洗浄液に浸漬したＴＦＴ１２１を乾燥すると、ＴＦＴ１２１上にＭｏ酸化物１３０が析出する。

析出したＭｏ酸化物１３０が、図５に示すようにＴＦＴ１２１のチャネル表面に付着すると、Ｍｏ酸化物１３０を介して表面リーク電流が流れやすくなる。従って、ＴＦＴ１２１のオン／オフ制御ができなくなり、電流−電圧特性が低下する。その結果、ＴＦＴ１２１を使用した液晶表示装置の画像ムラなどの画像欠陥が生じるという問題が生ずる。

Ｍｏ酸化膜の付着を解決する技術が、特許文献１に開示されている。図６は、その実施形態の模式図を示したものである。図６に示すように、表面にＭｏ酸化物１３０が形成された基板上に、ヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ_３）_３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ_３）_３）を塗布して加熱させることにより、基板表面の水酸基（ＯＨ）と反応し、アンモニア（ＮＨ_４）を発生させる。このアンモニアとＭｏ酸化物１３０が結合し、（ＮＨ_４）_２Ｍｏ_３Ｏ_１０となり、Ｍｏ酸化物１３０を除去することができる。Ｍｏを含む配線１３１を形成した後、洗浄処理を行う前にＭｏ酸化物１３０を除去することによって、Ｍｏ酸化物１３０による表示欠陥を防止する。

また、特許文献２では、Ｍｏによって形成されたソース電極層及びドレイン電極層上に残留した有機物を除去する技術が開示されている。この有機物は、ソース電極層及びドレイン電極層上に形成された有機絶縁膜の残留物であり、有機絶縁膜の開口部に残留した有機物を酸素プラズマによって除去するという技術が開示されている。上述したようにＭｏ配線より溶け出したＭｏ酸化物を除去する技術とは異なる。

また、特許文献３では、ＭｏとＡｌ系金属との二層構造のソース電極層及びドレイン電極層において、Ｍｏ成膜時に窒素を添加する技術について開示されている。Ｍｏに窒素を添加することにより、ＭｏとＡｌ系金属とのエッチングレートを近くさせ、二層同時にエッチングできるようにするものである。従って、上述したようにＭｏ配線より溶け出したＭｏ酸化物を除去する技術とは異なる。
特開平７−３０１１９号公報特開平１０−１３５４６５号公報特開平０９−１４８５８６号公報

特許文献１の構成によって、析出したＭｏ酸化物を除去することで表示品質の低下を防止することができる。しかしながら、この方法は、通常の薄膜パターン形成のための工程に対して、Ｍｏ酸化膜の除去のための処理工程を追加することになる。従って、製造処理工程数を増やす結果となり、製造の生産性が低下するという問題が生じる。

また、Ｍｏ酸化物を除去した後も、Ｍｏを含む層が短時間でも大気中に放置された場合、表面に再度Ｍｏ酸化物が生成されることがあり、Ｍｏ酸化物を完全に除去することができない。

本発明は、工程数を増やすことなく、Ｍｏ酸化物を除去すると共にＭｏ酸化物の基板への付着を抑制する基板の製造方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明に係る基板の製造方法は、基板上にモリブデンを含む層を形成し、前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対し、少なくとも窒素ガスを用いた大気圧プラズマ処理を行うものである。

また、本発明に係る基板処理装置は、モリブデンを含む層が露出して形成された基板に対して、前記モリブデンを含む層に形成されたモリブデン酸化物を除去し、モリブデン窒化物を形成する大気圧プラズマ処理部を備えるものである。

また、本発明に係る配線基板は、基板上に形成されたモリブデンを含む層において、前記モリブデンを含む層の表面に形成されたモリブデン窒化物を有するものである。

本発明によれば、工程数を増やすことなく、Ｍｏ酸化物を除去すると共にＭｏ酸化物の基板への付着を抑制する基板の製造方法及び基板処理装置を提供することができる。

以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明する。説明の明確化のため、以下の記載および図面は、適宜、省略および簡略化がなされている。また、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。

実施の形態１
始めに、本実施の形態に係る液晶表示装置（不図示）について説明する。まず、ガラス基板にＴＦＴと各電極線、および蓄積容量を形成したＴＦＴアレイ基板と、ガラス基板にコモン電極およびＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタを形成した対向基板とを、シール剤を用いて貼り合わせる。その後、それらの基板の隙間に液晶を注入し、注入口を封止剤で封じて液晶パネルを形成する。次に、駆動用ＬＳＩやパネル制御用ＩＣが実装された駆動回路基板を液晶パネルに接続する。更に、バックライトユニットをＴＦＴアレイ基板の背部に配置して、液晶表示装置が完成する。この液晶表示装置は、駆動回路によって駆動された液晶パネルが、バックライトユニットからの光の透過を制御することによって、画像を表示することができる。

次に、ＴＦＴアレイ基板の製造方法を、図１に従って説明する。図１は、画素電極部分を含めたＴＦＴ２１の構成を示す断面図が示されるが、その他の部分は省略した。まず、例えば光透過性のガラス、ポリカーボネート、アクリル樹脂等により形成された基板２２を純水又は酸等を用いて洗浄する。次に、ゲート電極層２３を形成する。具体的には、基板２２上に、例えばモリブデンタンタル（ＭｏＴａ）の膜をスパッタリング法により成膜する。次に、ＭｏＴａの膜上にフォトレジストを塗布し、ベーク後に所定のパターン形状のマスキングをして露光処理をする。その後、例えば有機アルカリ系の現像液で現像をしてフォトレジストをパターニングする。次に、例えばリン酸および硝酸の混合溶液を用いて、ウエットエッチングを行う。これにより、ＭｏＴａ膜が、所望のパターン形状に形成される。そして、フォトレジストを基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された基板２２を洗浄する。以上の工程を経て、基板２２上に、ゲート電極層２３形成され、このゲート電極層２３がゲート配線として利用される。

次に、化学気相成膜（ＣＶＤ）法を用いて、ゲート絶縁層２４を基板２２上のゲート電極層２３を覆うように成膜する。同様に、このゲート絶縁層２４上に積層して半導体層２５の材料であるアモルファスシリコン膜を成膜する。更に、このアモルファスシリコン層にイオンドープしてｎ＋アモルファスシリコン膜を形成し、オーミックコンタクト層２６を形成する。この積層の上にレジストパターンを形成し、ドライエッチングを行う。ｎ＋アモルファスシリコン膜、アモルファスシリコン膜、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜をエッチングして、所望のパターン形状に形成する。そして、フォトレジストを基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された基板２２を洗浄する。以上の工程を経て、基板２２上に、半導体層２５、ゲート絶縁層２４およびオーミックコンタクト層２６が形成される。

次に、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８を形成する。まず、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８を形成する金属膜をスパッタリング法により成膜する。例えば、Ｍｏ−Ａｌ−Ｍｏ積層膜を基板上に形成する。その積層膜上にレジストパターンを形成した後に、ドライエッチングにてチャネルエッチを行う。これにより、Ｍｏ−Ａｌ−Ｍｏ積層膜が、所望のパターン形状に形成され、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８がソース配線として利用される配線を形成する。そして、フォトレジストを基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された基板２２を洗浄する。具体的な洗浄方法については以降に詳述するが、この段階でＭｏを含む配線の表面に窒化物を形成するための処理が行われる。

続いて、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８の上からパッシベーション膜２９を形成する。パッシベーション膜２９は、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８を覆うように形成される。まず、パッシベーション膜２９の材料である窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を、例えばＣＶＤ法により基板２２上に成膜する。その上にレジストパターンを形成し、フッ素（Ｆ）系ガスなどを使用してドライエッチングを行う。これによって、パッシベーション膜２９中に、コンタクトホール３１を形成する。そして、フォトレジストを基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された基板２２を洗浄する。

次に、画素電極を形成する。まず、基板２２上に、画素電極の材料となる透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）を、スパッタリングにより成膜する。このとき、コンタクトホール３１の内側にもＩＴＯ膜が成膜され、ドレイン電極層２８とＩＴＯ膜とが接続される。次に、レジストパターンを形成し、ウエットエッチィングを行う。これによって、ＩＴＯ膜を所望のパターン形状に形成する。フォトレジストを基板２２上から除去し、フォトレジストが除去された基板２２を洗浄する。以上の工程を経て、液晶表示装置用ＴＦＴアレイ基板が完成する。

図２を参照し、ＴＦＴ２１製造に係るレジスト除去及び洗浄方法について詳細に説明する。図２は、本実施形態に係る基板処理装置の構成図である。図２は、ローダ１１、入口コンベア１２、剥離処理ユニットＡ１３、剥離処理ユニットＢ１４、洗浄ユニット１５、乾燥ユニット１６、出口コンベア１７、アンローダ１８、及び大気圧プラズマ処理部１９を有する基板処理装置１である。本実施形態では、ＴＦＴ製造工程の中でも、Ｍｏを含む配線層を形成後、Ｍｏを含む層が露出した状態で行うレジスト除去及び洗浄工程を対象とする。

始めに、ローダ１１にＴＦＴ２１が形成された基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を収納したカセットを設置する。ＴＦＴ基板は、ロボット等の移動手段によって抜き取られ、入口コンベア１２へ移載される。その後、剥離処理ユニットＡ１３及び剥離処理ユニットＢ１４にて、ＴＦＴ基板を剥離液に浸漬する。これにより、ＴＦＴ基板上に残ったレジスト残渣が除去される。そして、洗浄ユニット１５にて、ＴＦＴ基板を純水洗浄することにより、剥離液を洗い流す。次に、乾燥ユニット１６にて、ＴＦＴ基板を乾燥させた後、出口コンベア１７までＴＦＴ基板が搬送される。その際、出口コンベア１７を通過するＴＦＴ基板に大気圧プラズマ処理部１９で大気圧プラズマ処理を実施する。大気圧プラズマ処理されたＴＦＴ基板はアンローダ１８のカセットにロボット等の移動手段によって収納される。これら一連の洗浄動作は、自動的に行われることが可能であり、図示しないコントローラによって制御される。もちろん、一連の作業を手動にて行うことも可能である。

剥離処理ユニットＡ１３及び剥離処理ユニットＢ１４では、ＴＦＴ基板に残ったレジスト残渣をレジスト剥離液に浸漬して取り除く。レジスト剥離液は、配線材料や化学的耐性の低い材料を劣化させずに、微細な箇所に残るレジスト残渣を短時間に除去する。レジスト剥離液は、アセトン及びアルコール等による有機洗浄液や、過酸化水素水やアンモニア系溶剤等による酸アルカリ洗浄液等多数の種類を有す。各レジストには種類によって指定剥離液があるため、剥離処理ユニットを複数設け、レジスト毎に使い分けることが可能である。また、複数の剥離処理ユニットに同じ剥離液を注入し、粗洗浄と仕上げ洗浄とに分割することも可能である。

洗浄ユニット１５では、ＴＦＴ基板表面に付着したレジスト剥離液や、パーティクル等の異物を洗浄液により取り除く。本実施形態では、洗浄液として純水を使用する。純水は、不純物を出来得る限り除去したものであり、イオン交換水又は脱イオン水とも呼ばれる。一般的な半導体製造プロセスでは、電気伝導率を１×１０^−６Ｓ／ｃｍ程度以下まで下げた水が使用される。回路の集積度によっては、電気伝導率を６×１０^−８Ｓ／ｃｍ以下まで下げた、更に高純度な純水を使用することがある。

大気圧プラズマ処理部１９では、通常真空下でしか発生できないグロー放電状態を特殊な手法により大気圧下で発生させる。大気圧プラズマ処理部１９では、それにより生じたプラズマ活性種を用いて、有機物除去等の洗浄が行われる。大気圧プラズマ処理では、表面層が除去され、化学組成及び構造が変化した新しい表面層が形成される。大気圧プラズマ処理は、表面に凹凸形状を形成する粗面効果や表面処理等の活性効果を利用して接着性を向上させることができる。また、ＣＶＤ法等への適用に代表されるように成膜への応用も可能である。

図３に大気圧プラズマ処理部１９の構成例を示す。大気圧プラズマ処理部１９は、例えば、ガスが導入されたチャンバー３４内に、電源印加用電極３３及び接地電極３５等を有している。大気圧プラズマ処理部１９の構成については、当業者によって考えうる他の構造を用いることも可能である。酸素や窒素等のプラズマ生成用の混合ガスをチャンバー３４に導入し、ガスに電圧を印加してプラズマ３７を発生させる。発生したプラズマ３７が大気圧プラズマ処理部１９の直下を搬送されていくＴＦＴ基板３６に衝突することにより、ＴＦＴ基板３６上の有機物等を除去するものである。プラズマ生成用のガスには、酸素や窒素の他に、アルゴン、ヘリウム、及び空気等を使用することができる。本実施形態では、窒素及び酸素を使用する。大気圧プラズマ処理部１９は、出口コンベア１７に配設されているが、レジスト除去後の基板搬送経路であればどの位置に配設されることも可能である。

本実施形態では、大気圧プラズマ処理部１９による大気圧プラズマ処理の条件の一例を、窒素流量４００Ｌ／ｍｉｎ、酸素流量１．６９×１０^−１Ｐａ・ｍ^３／ｓｅｃ（１００ＳＣＣＭ）の混合ガスを使用し、基板と電極間距離を３ｍｍ、基板搬送速度１ｍ／ｍｉｎとする。上記処理条件によって大気圧プラズマ処理をすることで、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８の表面に形成されたＭｏ酸化物を除去すると共に、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８の表面にＭｏ窒化物（以下、ＭｏＮｘ層と称す）を生成する。なお、上記処理条件の値は、基板の搬送方向と垂直方向の基板寸法が４００ｍｍの場合の値であり、基板の寸法を増大させたい場合は電極の長さも長くする必要がある。また、それに従い、窒素流量や酸素流量も適宜増やす必要がある。

Ｍｏを含有するソース電極層２７及びドレイン電極層２８は、パターンからレジストを剥離した直後から、大気中の酸素により表面にＭｏ酸化物が形成される。ここで、大気圧プラズマ処理部１９による大気圧プラズマ処理をすることにより、表層に形成されたＭｏ酸化物が除去され、新たにＭｏＮｘ層が形成される。図４は、図１の一部を拡大した断面図である。図４に示すように、Ｍｏを含有するソース電極層２７及びドレイン電極層２８の表層には、大気圧プラズマ処理を実施することにより、ＭｏＮｘ層３２が生成される。従って、大気圧プラズマ処理後、大気中にＴＦＴ基板が放置されたとしても、Ｍｏ表面にＭｏＮｘ層が形成されているため、Ｍｏ酸化物の形成が抑制される。ここで重要なのは、ＮｏＮｘ層を形成するために、大気圧プラズマ処理では、少なくとも窒素を使用する必要がある。

例えば、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８を形成し、レジストを剥離した後、大気圧プラズマ処理を実施した場合、その次のパッシベーション膜の成膜前洗浄にて純水洗浄を実施しても、洗浄液にＭｏ酸化物の溶け出しは発生しない。即ち、ソース電極層２７及びドレイン電極層２８の表面には、大気圧プラズマ処理によるＭｏＮｘ層が形成されているからである。

また、パッシベーション膜２９にドレイン電極層２８とＩＴＯ膜との接続用コンタクトホール３１等をパターニングし、レジストを剥離した後にも洗浄工程が実施される。しかし、ドレイン電極層２８の表面には既に大気圧プラズマ処理によるＭｏＮｘ層が形成されているため、洗浄液にＭｏ酸化物の溶け出しは発生しない。なお、ＭｏＮｘ層は、導電性を有す層であることが必要である。

更に、その後のＩＴＯ膜の成膜前洗浄においても、洗浄工程が実施されるが、同様に、洗浄液にＭｏ酸化物の溶け出しは発生しない。このように、大気圧プラズマ処理実施後は、Ｍｏを含む層にＭｏＮｘ層が形成しＭｏ酸化物の生成が抑制されるため、基板の純水洗浄時において、Ｍｏ酸化物が洗浄液に溶け出すことを防止できる。従って、洗浄後の乾燥工程時において、ＴＦＴ２１上にＭｏ酸化物の析出が発生しない。その結果、析出したＭｏ酸化物によるＴＦＴ２１の表面リーク電流が発生することなく、液晶表示装置の画像ムラ等の表示欠陥を防ぐことができる。

なお、本実施形態では、大気圧プラズマ処理をソース電極層２７及びドレイン電極層２８のレジスト剥離工程後に実施したが、パッシベーション膜２９の成膜前洗浄工程の最後に実施することも可能である。同様に、パッシベーション膜２９のレジスト剥離工程後に実施することも可能である。更に、その後のＩＴＯ膜等の成膜前洗浄工程の最後に大気圧プラズマ処理を実施することも可能である。

以上のような構成により、配線材料にＭｏを含有する金属を用いた場合でも、ＴＦＴ２１に析出したＭｏ酸化物を除去することが出来ると同時に、Ｍｏ表面にＭｏＮｘ層が形成されることで、Ｍｏ酸化物の形成を抑制することができる。その結果、洗浄工程で溶け出したＭｏ酸化物がＴＦＴ２１に再付着することなく、電気特性の良好なＴＦＴ２１を得ることができる。

また、以上のような構成により、レジスト剥離及び洗浄工程における一連の作業の中で大気圧プラズマ処理が実施できる。従って、製造工程数を増やすことなくＭｏ酸化物の除去や洗浄液へのＭｏ酸化物の溶け出しをなくすことができる。

また、洗浄液へのＭｏ酸化物の溶け出しを抑制することにより、洗浄液の交換頻度が少なくなり、洗浄液の材料コスト及び交換による人件費を削減することができる。

なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲において、上記の実施形態の各要素を、当業者であれば容易に考えうる内容に変更、追加、変換することができる。例えば、上記の実施形態は、ソース電極層及びドレイン電極層電極層にＭｏ材料を使用する場合において説明したが、他配線にＭｏ材料を用いた場合でも同様のことが可能である。更に、ソース電極層及びドレイン電極層が、Ｍｏ−Ａｌ−Ｍｏ積層膜の場合について説明したが、Ｍｏの単層膜やＭｏを含む他の膜構成でも同様の効果を奏することが可能である。

また、液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板に限らず、Ｍｏ酸化物を使用した基板製造に関して、同様のことが可能である。更に、液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板の製造工程を例として本発明の好適な実施形態を説明したが、その他の表示装置への適用や、ソース電極層及びドレイン電極層以外の配線への適用も可能である。即ち、液晶表示装置に限定されることなくＭｏを含む層を有する基板の製造一般に適用することが可能である。

本発明に係る液晶表示用薄膜トランジスタの断面図である。本発明に係る基板処理装置の構成図を示す。本発明に係る大気圧プラズマ処理部の構成図である。本発明に係るＭｏ層の状態を示す断面図である。Ｍｏ酸化物が析出した液晶表示装置用薄膜トランジスタの状態を示す断面図である。特許文献１によるＭｏ酸化物を除去する方法の模式図である。

符号の説明

１基板処理装置、
１１ローダ、１２入口コンベア、
１３剥離処理ユニットＡ、１４剥離処理ユニットＢ、
１５洗浄ユニット、１６乾燥ユニット、
１７出口コンベア、１８アンローダ、
１９大気圧プラズマ処理部、
２１ＴＦＴ、
２２基板、２３ゲート電極層、
２４ゲート絶縁層、２５半導体層、
２６オーミックコンタクト層、
２７ソース電極層、２８ドレイン電極層、
２９パッシベーション膜、３１コンタクトホール、
３２ＭｏＮｘ層、
３３電源印加用電極、３４チャンバー、
３５接地電極、３６ＴＦＴ基板、３７プラズマ
１２１ＴＦＴ、
１２２基板、１２３ゲート電極層、
１２４ゲート絶縁層、１２５半導体層、
１２６オーミックコンタクト層、
１２７ソース電極層、１２８ドレイン電極層、
１２９パッシベーション膜、１３０Ｍｏ酸化物、
１３１Ｍｏを含む配線

Claims

基板上にモリブデンを含む層を形成し、
前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対し、少なくとも窒素ガスを用いた大気圧プラズマ処理を行う基板の製造方法。
前記モリブデンを含む層の表面は、前記大気圧プラズマ処理によりモリブデン窒化物が形成される請求項１に記載の基板の製造方法。
前記大気圧プラズマ処理の処理条件は、窒素流量４００Ｌ／ｍｉｎ、酸素流量１．６９×１０^−１Ｐａ・ｍ^３／ｓｅｃ（１００ＳＣＣＭ）の混合ガスを使用し、基板と電極間距離を３ｍｍ、基板搬送速度１ｍ／ｍｉｎである請求項１又は２に記載の基板の製造方法。
モリブデンを含む層が露出して形成された基板に対して、
前記モリブデンを含む層に形成されたモリブデン酸化物を除去し、モリブデン窒化物を形成する大気圧プラズマ処理部を備える基板処理装置。
前記大気圧プラズマ処理部では、少なくとも窒素ガスを用いている請求項４に記載の基板処理装置。
前記大気圧プラズマ処理部における処理条件は、窒素流量４００Ｌ／ｍｉｎ、酸素流量１．６９×１０^−１Ｐａ・ｍ^３／ｓｅｃ（１００ＳＣＣＭ）の混合ガスを使用し、基板と電極間距離を３ｍｍ、基板搬送速度１ｍ／ｍｉｎである請求項４又は５に記載の基板処理装置。
基板上に形成されたモリブデンを含む層において、
前記モリブデンを含む層の表面に形成されたモリブデン窒化物を有する配線基板。
前記モリブデン窒化物は、大気圧プラズマ処理により形成される請求項７に記載の配線基板。