JP5691357B2 - 半導体デバイス形成用基板の製造方法及びドライエッチング方法 - Google Patents
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Description
請求項2に記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項1に記載の発明であって、前記半導体層が成膜された基板は、半導体を含むデバイスが配列される領域である素子形成領域を備え、前記第3の工程は、前記素子形成領域で前記第一のドライエッチング工程における前記絶縁層のエッチング速度よりも前記第二のドライエッチング工程における前記絶縁層のエッチング速度の方が速くなるように、前記第一のドライエッチング工程及び前記第二のドライエッチング工程を行なうことを特徴するものである。
請求項3に記載の発明に係るシリコン化合物膜の半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項2に記載の発明であって、前記デバイスはチャネル保護膜型の薄膜トランジスタであって、前記第3の工程は、前記素子形成領域において前記半導体層上に前記絶縁膜からなるチャネル保護膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項4の記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項3に記載の発明であって、前記薄膜トランジスタは表示装置が有する画素電極に送られるデータ信号のON、OFFを制御するために設けられたものであることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項1〜4のいずれかに記載の発明であって前記第3の工程は、前記半導体層をエッチングストッパーとして前記絶縁膜をドライエッチングして前記半導体層を露出させる工程を含むことを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項1〜5のいずれかに記載の発明であって、前記半導体層は真性アモルファスシリコンからなることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項1〜6のいずれかに記載の発明であって、前記第3の工程は、前記半導体層が成膜された基板に第一のドライエッチング工程を施した後に、第二のドライエッチング工程を施すことを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項1〜6のいずれかに記載の発明であって、前記第3の工程は、前記半導体層が成膜された基板に第二のドライエッチング工程を施した後に、第一のドライエッチング工程を施すことを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項1〜8のいずれかに記載の発明であって、前記絶縁膜をドライエッチングする工程は、15Pa以上50Pa以下の環境下で行うことを特徴徴とするものである。
請求項10に記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項1〜9のいずれかに記載の発明であって、前記レジスト膜はポジ型であることを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項1〜10のいずれかに記載の発明であって、前記エッチングガスはさらにN2、Ar又はHeを含むことを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明に係る半導体デバイス形成用基板の製造方法は、請求項1〜11のいずれかに記載の発明であって、前記第一のドライエッチング工程は、前記絶縁膜の面積1m2に対して前記COF2の流量は0sccm超1000sccm未満に設定し、前記酸素の流量は前記COF2の流量の2倍以上と設定し、前記第二のドライエッチング工程は、前記絶縁膜の面積1m2に対して前記COF2の流量は1000sccm以上に設定し、前記酸素の流量は前記COF2の流量の1倍以上2倍未満と設定することを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明に係るドライエッチング方法は、窒化シリコンを含む絶縁膜の上面に形成されたレジスト膜から露出されている前記絶縁膜を、COF2と酸素とを含む混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングにより除去するドライエッチング方法であって、前記COF2と前記酸素との流量比(COF2/酸素)を第1の値に設定して、前記所定の領域の外周に形成された帯状のレジスト膜に隣接する前記絶縁膜のエッチングスピードを、前記所定の領域上の前記絶縁膜のエッチングスピードよりも速くした第一のドライエッチング工程と、前記COF2と前記酸素との流量比を前記第1の値よりも大きい第2の値に設定して、前記所定の領域上の前記絶縁膜のエッチングスピードを、前記第一のドライエッチング工程における前記所定の領域上の前記絶縁膜のエッチングスピードよりも速くした第二のドライエッチング工程と、を含むことを特徴とするものである。
請求項14に記載の発明に係るドライエッチング方法は、請求項13に記載の発明であって、前記第一のドライエッチング工程は、前記絶縁膜の面積1m2に対して前記COF2の流量は0sccm超1000sccm未満に設定し、前記酸素の流量は前記COF2の流量の2倍以上と設定し、前記第二のドライエッチング工程は、前記絶縁膜の面積1m2に対して前記COF2の流量は1000sccm以上に設定し、前記酸素の流量は前記COF2の流量の1倍以上2倍未満と設定することを特徴とするものである。
また、COF2ガスと酸素ガスに加えて窒素、Ar又はHeをエッチングガスとして用いてもよい。
3 デバイス製造領域
4 周辺領域
5 隣接領域
6 離間領域
7 第一露出領域
8 第二露出領域
10 薄膜トランジスタ
11 画素電極
20 素子形成領域
30 ドライエッチング装置
31 反応容器
32 下部電極
33 上部電極
34 高周波電源
35 被加工物
37 真空ポンプ
38 ガス導入管
42、43 電磁弁
44、45 マスフローコントローラ
46 COF2ガス供給源
47 酸素ガス供給源
50 液晶表示パネル
51 引き回し配線
52 走査線(ゲート線)
53 信号線(ソース線)
54 データ端子
55 ゲート端子
56 駆動回路搭載領域
57 表示領域
100 ガラス基板
102 ゲート電極
103 ゲート絶縁層
104 半導体層
105 チャネル保護膜
106、107 オーミックコンタクト層
108 ソース電極
109 ドレイン電極
112 オーバーコート膜
113 開口部
121 半導体薄膜形成用膜
122 チャネル保護膜形成用膜
123 チャネル保護膜パターニング用レジスト膜
124 オーミックコンタクト層形成用膜
125 ソース・ドレイン電極形成用膜
126、127 ソース・ドレイン電極パターニング用レジスト膜
128 開口部パターニング用レジスト膜
300 第一エッチング領域
400 第二エッチング領域
Claims (14)
- 所定の領域に半導体を含むデバイスが配列された半導体デバイス形成用基板の製造方法であって、
半導体層が成膜された基板上に窒化シリコンを含む絶縁膜を成膜する第1の工程と、
前記絶縁膜がレジスト膜から部分的に露出するように、前記レジスト膜をパターニングする第2の工程と、
前記レジスト膜から露出されている前記絶縁膜を、COF2と酸素とを含む混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングにより除去する第3の工程と、
前記レジスト膜を剥離する第4の工程と、
を有し、
前記第3の工程は、
前記COF2と前記酸素との流量比(COF2/酸素)を第1の値に設定して、前記所定の領域の外周に形成された帯状のレジスト膜に隣接する前記絶縁膜のエッチングスピードを、前記所定の領域上の前記絶縁膜のエッチングスピードよりも速くした第一のドライエッチング工程と、
前記COF2と前記酸素との流量比を前記第1の値よりも大きい第2の値に設定して、前記所定の領域上の前記絶縁膜のエッチングスピードを、前記第一のドライエッチング工程における前記所定の領域上の前記絶縁膜のエッチングスピードよりも速くした第二のドライエッチング工程と、
を含むことを特徴とする半導体デバイス形成用基板の製造方法。 - 前記半導体層が成膜された基板は、半導体を含むデバイスが配列される領域である素子形成領域を備え、
前記第3の工程は、前記素子形成領域で前記第一のドライエッチング工程における前記絶縁層のエッチング速度よりも前記第二のドライエッチング工程における前記絶縁層のエッチング速度の方が速くなるように、前記第一のドライエッチング工程及び前記第二のドライエッチング工程を行なうことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。 - 前記デバイスはチャネル保護膜型の薄膜トランジスタであって、前記第3の工程は、前記素子形成領域において前記半導体層上に前記絶縁膜からなるチャネル保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項2記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタは表示装置が有する画素電極に送られるデータ信号のON、OFFを制御するために設けられたものであることを特徴とする請求項3に記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。
- 前記第3の工程は、前記半導体層をエッチングストッパーとして前記絶縁膜をドライエッチングして前記半導体層を露出させる工程を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。
- 前記半導体層は真性アモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。
- 前記第3の工程は、前記半導体層が成膜された基板に第一のドライエッチング工程を施した後に、第二のドライエッチング工程を施すことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。
- 前記第3の工程は、前記半導体層が成膜された基板に第二のドライエッチング工程を施した後に、第一のドライエッチング工程を施すことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。
- 前記絶縁膜をドライエッチングする工程は、15Pa以上50Pa以下の環境下で行うことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。
- 前記レジスト膜はポジ型であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。
- 前記エッチングガスはさらにN2、Ar又はHeを含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。
- 前記第一のドライエッチング工程は、前記絶縁膜の面積1m2に対して前記COF2の流量は0sccm超1000sccm未満に設定し、前記酸素の流量は前記COF2の流量の2倍以上と設定し、
前記第二のドライエッチング工程は、前記絶縁膜の面積1m2に対して前記COF2の流量は1000sccm以上に設定し、前記酸素の流量は前記COF2の流量の1倍以上2倍未満と設定することを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の半導体デバイス形成用基板の製造方法。 - 窒化シリコンを含む絶縁膜の上面に形成されたレジスト膜から露出されている前記絶縁膜を、COF2と酸素とを含む混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングにより除去するドライエッチング方法であって、
前記COF2と前記酸素との流量比(COF2/酸素)を第1の値に設定して、前記所定の領域の外周に形成された帯状のレジスト膜に隣接する前記絶縁膜のエッチングスピードを、前記所定の領域上の前記絶縁膜のエッチングスピードよりも速くした第一のドライエッチング工程と、
前記COF2と前記酸素との流量比を前記第1の値よりも大きい第2の値に設定して、前記所定の領域上の前記絶縁膜のエッチングスピードを、前記第一のドライエッチング工程における前記所定の領域上の前記絶縁膜のエッチングスピードよりも速くした第二のドライエッチング工程と、を含むことを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記第一のドライエッチング工程は、前記絶縁膜の面積1m2に対して前記COF2の流量は0sccm超1000sccm未満に設定し、前記酸素の流量は前記COF2の流量の2倍以上と設定し、
前記第二のドライエッチング工程は、前記絶縁膜の面積1m2に対して前記COF2の流量は1000sccm以上に設定し、前記酸素の流量は前記COF2の流量の1倍以上2倍未満と設定することを特徴とする請求項13に記載のドライエッチング方法。
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