JPS60186019A - Ｉｔｏのエツチング方法 - Google Patents
Ｉｔｏのエツチング方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は工ＴＯのエツチング方法、とくに工ＴＯ（工
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ 、以下ＩＴ’０と記
す。）のファインパターンを可能にするエツチング溶液
に関するものである。
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ 、以下ＩＴ’０と記
す。）のファインパターンを可能にするエツチング溶液
に関するものである。
従来工Ｔｏをエツチングした後のデバイスは、第１図、
第２図、第３図、及び第４図に：示すようなものがあっ
た。第１図は従来の塩酸（Ｈｃ ｉ ）系エツチング溶
液によって形成されたＩＴＯ配線を示す部分平面図、第
２図は第１図Ａ−Ａ線に浴った断面図、第３図はＡｔ又
はＡｌ系合金よりなる電極配線を含む回路基板に形成さ
れたＩＴＯを従来の塩酸系エツチング溶液でエツチング
したデバイスを示す部分平面図、第４図は第３図Ｂ−Ｂ
線に削った断］ｌ］Ｊ図である。図中、（１）はＩＴＯ
で′電極配線をなす。（２）は基板、（３）はＡｌ又は
Ａｌ系合金よりなる電極配線、（４）は層間絶縁膜、（
５）、（６）、（７）は層間絶縁膜（４）Ｋできる欠陥
で、（５）はピンホール欠陥、（６）は異物欠陥、（７
）は低密度欠陥である。
第２図、第３図、及び第４図に：示すようなものがあっ
た。第１図は従来の塩酸（Ｈｃ ｉ ）系エツチング溶
液によって形成されたＩＴＯ配線を示す部分平面図、第
２図は第１図Ａ−Ａ線に浴った断面図、第３図はＡｔ又
はＡｌ系合金よりなる電極配線を含む回路基板に形成さ
れたＩＴＯを従来の塩酸系エツチング溶液でエツチング
したデバイスを示す部分平面図、第４図は第３図Ｂ−Ｂ
線に削った断］ｌ］Ｊ図である。図中、（１）はＩＴＯ
で′電極配線をなす。（２）は基板、（３）はＡｌ又は
Ａｌ系合金よりなる電極配線、（４）は層間絶縁膜、（
５）、（６）、（７）は層間絶縁膜（４）Ｋできる欠陥
で、（５）はピンホール欠陥、（６）は異物欠陥、（７
）は低密度欠陥である。
（２０）は絶縁性基板である。
なお、ＩＴＯ（わけ第１図では絶縁性基板よりなる基板
（２）上に形成されており、第３図では絶縁性基板（２
０）上にＡｔ又１ｄＡｔ系合金よりなる電極配線（３）
を設けて回路基板（２ンとし、この回路基板（２）に形
成された層間絶縁層（４）上にＩ Ｔ Ｏ（１）が形成
されている。
（２）上に形成されており、第３図では絶縁性基板（２
０）上にＡｔ又１ｄＡｔ系合金よりなる電極配線（３）
を設けて回路基板（２ンとし、この回路基板（２）に形
成された層間絶縁層（４）上にＩ Ｔ Ｏ（１）が形成
されている。
このような構成のデバイスにおいて、工ＴＯのエツチン
グは従来、塩酸系エツチング溶液、特に塩酸と塩化第２
鉄（Ｆｏ２Ｃ／３・５Ｈ２０）と水を４：１：４の重量
比で混合したものが一般によく使用されていた。第１図
、第２図は工Ｔｏ薄膜を上記の塩酸系エツチング溶液で
エツチングした例であり、基板（２）上に形成された工
ＴＯ薄膜（膜厚約１０００大）上にフォトレジスト等で
例えば５０μｍ巾のパターンを形成した後、塩酸系エツ
チング溶液でエツチングした結果である。
グは従来、塩酸系エツチング溶液、特に塩酸と塩化第２
鉄（Ｆｏ２Ｃ／３・５Ｈ２０）と水を４：１：４の重量
比で混合したものが一般によく使用されていた。第１図
、第２図は工Ｔｏ薄膜を上記の塩酸系エツチング溶液で
エツチングした例であり、基板（２）上に形成された工
ＴＯ薄膜（膜厚約１０００大）上にフォトレジスト等で
例えば５０μｍ巾のパターンを形成した後、塩酸系エツ
チング溶液でエツチングした結果である。
この場合、１漠厚１０００ｃＡの工ＴＯがジャストエッ
チであるとき、ＩＴＯのサイドエッチは約１０μｍ位と
なり、図に示すように、きれいな配線パターンが得られ
ず、このため従来の塩酸系エツチング溶液では、パター
ンニング可能な工ＴＯの線巾は３０μｍ ′＋５；限度
でこれ以下になると、断線の可能性が生じる。また、第
３図、第４図はＡＩ又はＡｌ系合金の電極配線を含む回
路基板に形成された工Ｔｏｔｌｔｌ摸を従来の塩酸系エ
ツチング溶液でエツチングした例であり、絶縁性基板（
２０）上圧形成されたＡｌ又はＡｌ系合金よりなる電極
配線（３）を含む回路基板（２）の上に８１Ｎ等で層間
絶縁物、この場合絶縁１］ｉ＊ （４）を施した後、そ
の上に工ＴＯ薄膜（約１ｏｏｏｉ ）を形成し、これを
７オトエツチング等で例えば５０μｍの線巾にパターン
ニングした後、従来の塩酸系エツチング溶液でエツチン
グした結果である。この場合、層間絶縁膜（４）として
用いられるＳｉＮ等は従来成膜時あるいは成膜後に第３
図、第４図に示すようなピンホール欠陥（５）、異物欠
陥（６）及び低密度欠陥（７）ができ、これを避けるこ
とはほとんど不可能である。ＩＴＯのエツチング時これ
らへ欠陥を通して従来の塩酸系エツチング溶液が浸入し
、下層のＡＩ又はＡｌ系合金よりなる電極配線（３）も
エツチングしてしまう。これにより膜ＩＭＥ約１ｏｏｏ
λの工ＴＯがジャストエッチである場合には、下層のＡ
Ｉ又はＡｌ系合金の電極配線（３）はかなりエッチオフ
され、断線を生じることもたびたびあった。
チであるとき、ＩＴＯのサイドエッチは約１０μｍ位と
なり、図に示すように、きれいな配線パターンが得られ
ず、このため従来の塩酸系エツチング溶液では、パター
ンニング可能な工ＴＯの線巾は３０μｍ ′＋５；限度
でこれ以下になると、断線の可能性が生じる。また、第
３図、第４図はＡＩ又はＡｌ系合金の電極配線を含む回
路基板に形成された工Ｔｏｔｌｔｌ摸を従来の塩酸系エ
ツチング溶液でエツチングした例であり、絶縁性基板（
２０）上圧形成されたＡｌ又はＡｌ系合金よりなる電極
配線（３）を含む回路基板（２）の上に８１Ｎ等で層間
絶縁物、この場合絶縁１］ｉ＊ （４）を施した後、そ
の上に工ＴＯ薄膜（約１ｏｏｏｉ ）を形成し、これを
７オトエツチング等で例えば５０μｍの線巾にパターン
ニングした後、従来の塩酸系エツチング溶液でエツチン
グした結果である。この場合、層間絶縁膜（４）として
用いられるＳｉＮ等は従来成膜時あるいは成膜後に第３
図、第４図に示すようなピンホール欠陥（５）、異物欠
陥（６）及び低密度欠陥（７）ができ、これを避けるこ
とはほとんど不可能である。ＩＴＯのエツチング時これ
らへ欠陥を通して従来の塩酸系エツチング溶液が浸入し
、下層のＡＩ又はＡｌ系合金よりなる電極配線（３）も
エツチングしてしまう。これにより膜ＩＭＥ約１ｏｏｏ
λの工ＴＯがジャストエッチである場合には、下層のＡ
Ｉ又はＡｌ系合金の電極配線（３）はかなりエッチオフ
され、断線を生じることもたびたびあった。
以上のように従来のＩＴＯのエツチング方法では、約３
０μｍ以下のファイン−ターンが形成困難で、また下層
にＡｌ又はＡｌ系合金よりなる電極配線が形成されてい
る場合、この電極配線部もエツチングし、断線不良を多
発しやすいという欠点があった。
０μｍ以下のファイン−ターンが形成困難で、また下層
にＡｌ又はＡｌ系合金よりなる電極配線が形成されてい
る場合、この電極配線部もエツチングし、断線不良を多
発しやすいという欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、基板に形成された絶縁層上に形成
された工Ｔｏを硫酸と硫酸アンモニウムを共に含む溶液
でエツチングすることにより、ＩＴＯのファインパター
ンが形成できる方法を提供するものである。
めになされたもので、基板に形成された絶縁層上に形成
された工Ｔｏを硫酸と硫酸アンモニウムを共に含む溶液
でエツチングすることにより、ＩＴＯのファインパター
ンが形成できる方法を提供するものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第５
図はこの発明の一実施例による工Ｔｏのエツチング方法
により形成された工ＴＯ配線を示す部分平面図、第６図
は第５図Ｃ−，Ｃ線に浴った断面図である。図において
工Ｔｏ（１）は絶縁性基板よりなる基板（２）上に形成
されたＩＴＯ薄膜（１ｔ１００Ａ）の上にフォトレジス
ト等で例えば５μｍ中のパターンを形成した後、硫酸と
硫酸アンモニウムを共に１０重量％含む水溶液で、その
溶液温度を７０℃に保ってエツチングして作成されたも
のである。
図はこの発明の一実施例による工Ｔｏのエツチング方法
により形成された工ＴＯ配線を示す部分平面図、第６図
は第５図Ｃ−，Ｃ線に浴った断面図である。図において
工Ｔｏ（１）は絶縁性基板よりなる基板（２）上に形成
されたＩＴＯ薄膜（１ｔ１００Ａ）の上にフォトレジス
ト等で例えば５μｍ中のパターンを形成した後、硫酸と
硫酸アンモニウムを共に１０重量％含む水溶液で、その
溶液温度を７０℃に保ってエツチングして作成されたも
のである。
コノ場合、膜厚約１０００λの工ＴＯがジャストエッチ
であるとき、ＩＴＯのサイドエッチはほとんど生じず、
図に示すようにシャープな配線パターンが得られ、ＩＴ
Ｏの線ｒｌｌが５μｍのものでもパターンニングが充分
可能である。
であるとき、ＩＴＯのサイドエッチはほとんど生じず、
図に示すようにシャープな配線パターンが得られ、ＩＴ
Ｏの線ｒｌｌが５μｍのものでもパターンニングが充分
可能である。
また、第７図はこの発明の一実施例による工ＴＯのエツ
チング方法により形成したＡｔ又ＶｉＡｇ系合金よねな
る電極配線を有するデバイス全７Ｊ＜す部分断面図、第
８図は第７図Ｄ−Ｄ緑に沿ったｌＩＩ而図面あり、絶縁
性基板（２０）上にＡＩ又はＡＩ系て 合金よりなる電極配線（３）を設は低回路基板（２）と
し、この回路基板（２）上に８１１１等で層間絶縁物、
この場合は絶縁膜（４）を施し、その後、この絶縁膜（
４）ヒに工ＴＯ＃膜（約１０ＵＯＸ ）を形成し、これ
をフォトエツチング等でパターンニングした後、例えば
硫酸と硫酸アンモニウムを共に５重量％含む水層液で、
液温を７０℃に保ってエツチンーグした。パターンニン
グ速度はおそくなるが第７図に示すようなパターンニン
グされた工Ｔｏ（υを得る。この場合、第７図、第８図
に示されるような欠陥（５）、（６）、（７）が層間絶
縁膜（４）中に存在しても、ＩＴＯとＡ／又はＡＩ系合
金とのエツチングレイトの比が２０；ｌであるので、下
層のＡ／又けＡｅ糸金合金、エツチングされず、従って
、Ａ／又はＡ／系合金よりなる電極配線（３）の断線も
防ぐことができる。
チング方法により形成したＡｔ又ＶｉＡｇ系合金よねな
る電極配線を有するデバイス全７Ｊ＜す部分断面図、第
８図は第７図Ｄ−Ｄ緑に沿ったｌＩＩ而図面あり、絶縁
性基板（２０）上にＡＩ又はＡＩ系て 合金よりなる電極配線（３）を設は低回路基板（２）と
し、この回路基板（２）上に８１１１等で層間絶縁物、
この場合は絶縁膜（４）を施し、その後、この絶縁膜（
４）ヒに工ＴＯ＃膜（約１０ＵＯＸ ）を形成し、これ
をフォトエツチング等でパターンニングした後、例えば
硫酸と硫酸アンモニウムを共に５重量％含む水層液で、
液温を７０℃に保ってエツチンーグした。パターンニン
グ速度はおそくなるが第７図に示すようなパターンニン
グされた工Ｔｏ（υを得る。この場合、第７図、第８図
に示されるような欠陥（５）、（６）、（７）が層間絶
縁膜（４）中に存在しても、ＩＴＯとＡ／又はＡＩ系合
金とのエツチングレイトの比が２０；ｌであるので、下
層のＡ／又けＡｅ糸金合金、エツチングされず、従って
、Ａ／又はＡ／系合金よりなる電極配線（３）の断線も
防ぐことができる。
なお、上記実施例では硫酸と硫酸アンモニクｋを共に５
〜１０重景チ含む水溶液でエツチングしたが、溶液の濃
度としては、５〜５０重量−の硫酸と５〜５０重量％の
硫酸アンモニウムを共に含む溶液であればよく、最適濃
度としては、５〜２０重量％の硫酸と硫酸アンモニウム
を共に含む溶液が好ましい。なお５重量％未満では反応
速度がおそくなり、エツチング時間がかかりずきる。ま
た５０重量％以上では反応が激しくなりコントロールで
きなくなる。また、溶液温度としては５０℃以上で沸点
以下であればよく、５０℃以下では反応速度がおそすぎ
て実用的でない。
〜１０重景チ含む水溶液でエツチングしたが、溶液の濃
度としては、５〜５０重量−の硫酸と５〜５０重量％の
硫酸アンモニウムを共に含む溶液であればよく、最適濃
度としては、５〜２０重量％の硫酸と硫酸アンモニウム
を共に含む溶液が好ましい。なお５重量％未満では反応
速度がおそくなり、エツチング時間がかかりずきる。ま
た５０重量％以上では反応が激しくなりコントロールで
きなくなる。また、溶液温度としては５０℃以上で沸点
以下であればよく、５０℃以下では反応速度がおそすぎ
て実用的でない。
また上記実施例では層間絶縁膜（４）をＳｉＮとしたが
、５１０２あるいは３ｉ０２／ＳｉＨの二層にした場合
でも同様の効果が期待できる。特に８１０２／ＳＩＮ
の二層とすることによりピンホール欠陥（５）、低密度
欠陥（７）は減少させることができるが、それでも異物
欠陥（６）をとりのぞくことはできないので、この発明
のエツチング方法を用いることは極めて効果的である。
、５１０２あるいは３ｉ０２／ＳｉＨの二層にした場合
でも同様の効果が期待できる。特に８１０２／ＳＩＮ
の二層とすることによりピンホール欠陥（５）、低密度
欠陥（７）は減少させることができるが、それでも異物
欠陥（６）をとりのぞくことはできないので、この発明
のエツチング方法を用いることは極めて効果的である。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、基板に形成された絶
縁層上に形成されたＩ’ｌ’Ｏを硫酸と硫酸アンモニウ
ムを共に含む溶液でエツチングしたので１ＴＯのファイ
ンパターンが可能となる。
縁層上に形成されたＩ’ｌ’Ｏを硫酸と硫酸アンモニウ
ムを共に含む溶液でエツチングしたので１ＴＯのファイ
ンパターンが可能となる。
第１図は従来の工Ｔｏ工°ツチング方法により形成され
たＩＴＯ配線を示す部分平面図、第２図は第１図Ａ７Ａ
線に沿った断面図、第３図は、従来のＩＴＯのエツチン
グ方法により形成されたＡ／又はＡＩ系合金の電極配線
を有するデ）＜イスを示す部分平面図、第４図は第３図
Ｂ−’Ｂ線に潜った断面図、第５図はこの発明の一実施
例による工ＴＯのエツチング方法により形成された工Ｔ
Ｏ配線を示す部分平面図、第６図は第５図Ｃ−Ｃ線に潜
った断面図、第７図はこの発明の一実施例による工ＴＯ
のエツチング方法により形成されたＡｌ又はＡＩ系合金
の電極配線を有するデバイスを示す部分平面図、第８図
は第７図Ｄ−Ｄ線に沿った断面図である。 （１） 工Ｔ Ｏ、（２）・基板、（３）・・・電極配
線、（４）・絶縁膜 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大暑 増 雄 第１図 第２図 第３図
たＩＴＯ配線を示す部分平面図、第２図は第１図Ａ７Ａ
線に沿った断面図、第３図は、従来のＩＴＯのエツチン
グ方法により形成されたＡ／又はＡＩ系合金の電極配線
を有するデ）＜イスを示す部分平面図、第４図は第３図
Ｂ−’Ｂ線に潜った断面図、第５図はこの発明の一実施
例による工ＴＯのエツチング方法により形成された工Ｔ
Ｏ配線を示す部分平面図、第６図は第５図Ｃ−Ｃ線に潜
った断面図、第７図はこの発明の一実施例による工ＴＯ
のエツチング方法により形成されたＡｌ又はＡＩ系合金
の電極配線を有するデバイスを示す部分平面図、第８図
は第７図Ｄ−Ｄ線に沿った断面図である。 （１） 工Ｔ Ｏ、（２）・基板、（３）・・・電極配
線、（４）・絶縁膜 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大暑 増 雄 第１図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）基板に形成された絶縁物上に形成された工ＴＯを
硫酸と硫酸アンモニウムを共に含む溶液でエツチング−
ｆることを特徴とする工ＴＯのエツチング方法。 - （２）溶液は５〜５０重量−の硫酸と５〜５０厘量チの
硫酸アンモニウムを共に含み、かつ溶液温度が５０℃以
上で沸点以下であることを特徴とする特ｉ￥ｆ請求の範
囲第１項記載のＩＴＯのエツチング方法。 - （３）基板はＡｌ又はＡｌ系合金よりなる電極配線を有
すると々を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２Ｊ
！４記載のＩＴＯのエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4251084A JPS60186019A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | Ｉｔｏのエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4251084A JPS60186019A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | Ｉｔｏのエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60186019A true JPS60186019A (ja) | 1985-09-21 |
Family
ID=12638059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4251084A Pending JPS60186019A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | Ｉｔｏのエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60186019A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01151237A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 透明導電性膜のエツチング方法 |
| JP2002140021A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-17 | Techno Semichem Co Ltd | 透明導電膜のエッチング液組成物 |
| JP2006077241A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | 酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物及びそれを用いたエッチング方法 |
| JP2007027708A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | エッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
| CN103046108A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-04-17 | 上海申和热磁电子有限公司 | 电解工艺在ito膜洗净中的应用 |
| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
-
1984
- 1984-03-05 JP JP4251084A patent/JPS60186019A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7329365B2 (en) | 2004-08-25 | 2008-02-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant composition for indium oxide layer and etching method using the same |
| JP2007027708A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | エッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
| CN103046108A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-04-17 | 上海申和热磁电子有限公司 | 电解工艺在ito膜洗净中的应用 |
| CN103046108B (zh) * | 2012-12-24 | 2017-03-29 | 上海申和热磁电子有限公司 | 电解工艺在ito膜洗净中的应用 |
| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
| US10465112B2 (en) | 2014-07-17 | 2019-11-05 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
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