DE2513860A1 - Verfahren zur herstellung einer aus tantal bestehenden schicht fuer duennschichtkondensatoren bzw. duennschichtwiderstaenden - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer aus tantal bestehenden schicht fuer duennschichtkondensatoren bzw. duennschichtwiderstaendenInfo
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Description
SIEISITS AKTIEIiC-SSEII1SCaIPT !.Tünchen 2, den 27MRZ 197
Eerlin und München Witteisbacherplatz 12
2513860 ™ 75 P 6 0 h 6 BRD
Verfahren zur Herstellung einer aus Tantal bestehenden Schicht
für Dünnschichtkondensatoren bsAV. Dünnschichtwiderständen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer aus Tantal bestehenden Schicht für Dünnschichtkondensatoren bzw.
Dünnschichtwiderständen, wobei auf einem Substrat eine Tantalschicht und danach eine Photolackschicht aufgebracht wird, und
wobei anschließend das so hergestellte Produkt getrocknet, balichtet,
entwickelt> in "/asser gespült, der Lack ausgehärtet,
die Tanta!schicht sodann geätzt wird, woran sich eine Spülung
in V,rasser, ein Ablösen der Laektnaske urdein weiterer Spülvorgang
anschließen.
Ss ist bekannt, die Tantalschicht von Dünnschichtkondensatoren
es·.·/. Dünnschichtwiderständen an vorgegebenen Bereichen in Plußsäure-Salpetersäure-Gemischen
wegzuätzen. Dabei werden die Stellen, die nicht wegzuätzen sind, durch Photolithographie mit
einer Laeknaske versehen. Häufig reicht jedoch die Haftung der Lackmaske nicht aus, so daß je nach Beschaffenheit und Dicke
der Tantalschicht eine starke Uxiterätzung und/oder Abschwimmen der Xaeknaske vor Beendigung des Ätzprozesses auftreten können.
Zur Vermeidung dieses Hachteils ist es üblich, die Haftung von
Photolacken durch Ausheizen der Substrate durch spezielle Lackzusätze oder Haftvermittler zu erhöhen. Ein derartiges Vorgehen
verbietet sich jedoch bei Tantalschichten. Bei ihnen ist nämlich ein Trocknen bei einer Temperatur oberhalb 1500C problematisch,
da hierbei bereits Diffusionsvorgänge sov/ie Oberflächenoxydation
auftreten. Bekannte Lackzusätze sind dagegen für die Anwendung
VPA 9/610/4003 GS/Bo - 2-
609840/0623
auf dem Gebiet der Tantaldünnschichttechnik nicht ausreichend
oder bedingen einen hohen bearbeitungstechnischen Aufwand.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer aus Tantal bestehenden Schicht anzugeben, die an den entsprechend
der Elektrodenkonfiguration zu entfernenden Bereichen v/eggeätzt werden soll, wobei ein Angreifen bzw. eine Unterätzimg
der Lackniaske vermieden wird.
Das Verfahren gemäß der Erfindung besteht darin, daß die Ätzlösung,
durch die die Tantalschicht an den nicht durch die Lackmaske abgedeckten Stellen weggeätzt wird, mit in an sich bekannter
Weise mit einem Essigsäure-Zusatz versehen wird.
Ätzlösungen mit Essigsäure-Zusätzen sind zwar bekannt. Bei ihnen
dient jedoch der Essigsäure-Zusatz lediglich zur Pufferung, Alle bisherigen bekannten Bemühungen, die Unterätzung und/oder das
Abschwimmen der Lackmaske zu verhindern, richteten sich ausschließlich auf die Beschaffenheit oder Behandlung der lackmaske.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird nun überraschender Weise eine größtmögliche Schonung dex' Iiackmaske erreich.
Demnach kann das Ausheizen bei hohen Temperaturen entfallen, das wegen der oben aufgeführten Nachteile problematisch ist. Der aus
Essigsäure bestehende Zusatz zum Ätzmittel übertrifft weiterhin die Wirkung der bekannten lackzusätze um ein Vielfaches. Gleichzeitig
wird der bekannte Puffer-und Verdünnungseffekt der Essigsäure ausgenutzt.
Im folgenden wird das Verfahren anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert:
Das Ausführungsbeispiel betrifft ein Verfahren zur Herstellung
der Grundelektrode eines Tantal-Dünnschichtkondensators.
VPA 9/610/4003 . - 3 -
609840/0623
Das Grundmaterial bestellt aus einem Hart glas substrat, das
durch Kathodenzerstäubung mit einer Tantal-Schicht von etwa 4-500 A beschichtet wird. Danach wird ohne spezielle Trocknung
des beschichteten Hartg\Lassubstrats eine etwa 2 u dicke Photolackschicht
durch Schleudern aufgebracht. Eine sich anschließende Trocknung erfolgt bei 800C eine halbe Stunde lang im Umluftofen.
Danach wird das Produkt mit einer 200 ¥ starken Belichtungsmaschine etwa 12 Sekunden lang belichtet und in einem
verdünnten alkalischen Entwickler etwa 50 Sekunden lang entwickelt,
!lach einer Spülung in Wasser (10 Minuten) und einer
Aushärtung des leckes von einer 1/2 Stunde bei 1500C im Unlux'tofen
erfolgt das Eintauchen des Produkts bei Raumtemperatur in ein C-eniisch, das aus 40 jiiger Flußsäure, 65 $iger Salpetersäure
und Essigsäure im Verhältnis 1:3:3 besteht. Dabei wird die Tantalschicht
an den nicht abgedeckten Stellen in 90 Sekunden vollständig weggeätzt. Anschließend erfolgt eine Spülung in V/asser
10 I.Iinuten lang und ein Ablösen der Lackmaske in Azeton z.B. bei
einer Temperatur von 800C, einninütiger Dauer und einer Spülung
in Wasser.
2 Patentansprüche
VPA 9/610/4003 - 4 -
609840/0623
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung einer aus Tantal bestehenden
Schicht für Dünnschichtkondensatoren bzw. Dünnschichtwiderständen, wobei auf einem Substrat eine Tantalschicht und
danach eine Photolackschicht aufgebracht wird, und wobei anschließend
das so hergestellte Produkt getrocknet, belichtet, entwickelt, in V/asser gespült, der Lack ausgehärtet, die Ta.ntalschicht
sodann geätzt v/ird, woran sich eine Spülung in Wasser, ein Ablösen der Lackniaske und ein weiterer Spülvorgang
anschließen, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ätzlösung, durch die Tantalschicht an den nicht durch
die lackmaske abgedeckten Stellen v/eggeätzt wird, mit in an sich bekannter V/eise mit einem Essigsäure-Zusatz versehen wird,
2. Pur das Verfahren nach Anspruch 1 verwendete Ätzlösung, da durch
gekennzeichnet , daß die Ätzlösung
aus einem Gemisch von etwa 40 $iger- Flußsäure, etwa
65 zeiger Salpetersäure und Essigsäure im Verhältnis von etwa
1:3:3 besteht.
VPA 9/610/4003
6098A0/0623
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| IT21523/76A IT1058515B (it) | 1975-03-27 | 1976-03-24 | Procedimento per formare uno strato di tantalio per condensatori a strato sottile o per resistori a strato sottile |
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