DE2637105B2 - Verfahren zum gleichmäßigen Verteilen eines Lackes - Google Patents

Verfahren zum gleichmäßigen Verteilen eines Lackes

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Siegfried Dipl.-Ing. 4788 Warstein Potyka
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
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Description

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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum gleichmäßigen Verteilen eines Lackes, insbesondere eines Fotolakkes, auf einer Halbleiterscheibe, bei dem im Zentrum der ruhenden Halbleiterscheibe der Lack aufgebracht wird und bei dem nach dem gleichmäßigen Verteilen des Lackes auf der Halbleiterscheibe diese in eine Rotationsbewegung mit einer derart hohen Rotationsgeschwindigkeit versetzt wird, daß ein Teil des Lackes von der Halbleiterscheibe abgeschleudert und dadurch eine gleichmäßig dünne Lackschicht auf der Halbleiterscheibe erzielt wird. Ein derartiges Verfahren ist aus der Zeitschrift »Solid State Technology«, Band 14, Juni 1971, Nr. 6, Seiten 41 bis 46, bekannt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, welches weniger Lack erfordert als das bekannte Verfahren.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Lack zunächst nur im Zentrum der Halbleiterscheibe aufgebracht wird und daß danach die Halbleiterscheibe zunächst nur in eine langsame Rotationsbewegung versetzt wird, die ausreicht, um den
Lack gleichmäßig auf der Halbleiterscheibe zu verteilen.
Das Wesen der Erfindung besteht also darin, daß der Lack zunächst nur im Zentrum der Halbleiterscheibe aufgebracht wird, und die Verteilung des Lackes über die gesamte Halbleiterscheibe erst durch eine anschließende langsame Rotation der Halbleiterscheibe erfolgt, an die sich die bekannte schnelle Rotation der Halbleiterscheibe zur gleichmäßigen Verdünnung der Lackschicht anschließt.
Aus der Zeitschrift »Elektro-Anzeiger«, 23. Jahrgang, Dezember 1970, Nr. 27, Seiten 517 bis 521, ist zwar ein Lackaufbringverfahren mit einer zunächst langsamen und dann schnelleren Rotationsbewegung bekannt, doch wird beim bekannten Verfahren der Lack auf die in langsamer Rotationsbewegung befindliche Scheibe aufgesprüht. Ein Aufsprühverfahren hat den Nachteil, daß beim Aufsprühen Luftblasen gebildet werden, so daß Löcher in der Lackschicht entstehen. Diese Löcher können nur vermieden werden, wenn der Lack dicker aufgesprüht wird, damit die Luftblasen nach oben steigen können und der Lack unter den Luftblasen zusammenläuft. Die Beseitigung der Luftblasen erfordert deshalb bei dem bekannten Verfahren eine dickere Lackschicht in Verbindung mit erhöhtem Lackverbrauch und bedingt gleichzeitig auch eine längere Prozeßdauer, da das Aufsteigen der Luftblasen abgewartet werden muß. Schließlich wird der Lack beim bekannten Lackverfahren auch nicht nur im Zentrum der Scheibe aufgebracht, sondern ganzflächig, da bei Lackaufsprühverfahren stets die gesamte Scheibe besprüht wird.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß gegenüber anderen Belakkungsverfahren Lackeinsparungen in Höhe von 50% erzielt werden. Zur gleichmäßigen Verteilung des zunächst nur im Zentrum der Halbleiterscheibe befindlichen Lackes wird die Halbleiterscheibe gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung für wenige Sekunden in eine langsame Drehbewegung von etwa 100 bis 1500 Umdrehungen pro Minute versetzt. Bei der nachfolgenden schnelleren Drehbewegung, die aus der zunächst dickeren Lackschicht eine dünne Lackschicht macht, wird die Halbleiterscheibe beispielsweise in etwa 2000 bis 8000 Umdrehungen pro Minute versetzt.
Der Lack wird beim Verfahren nach der Erfindung beispielsweise nicht unmittelbar auf die Halbleiterscheibe, sondern auf eine auf dem Halbleiterkörper befindliche Isolierschicht aufgebracht. Obwohl von einer Belackung einer Halbleiterscheibe die Rede ist, kann der Halbleiterkörper oder anstelle eines Halbleiterkörpers auch ein anderer zu belackender Körper natürlich auch eine von der Scheibenform abweichende Konfiguration aufweisen.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum gleichmäßigen Verteilen eines Lackes, insbesondere eiies Fotolacks, auf einer Halbleiterscheibe, bei dem im Zentrum der ruhenden Halbleiterscheibe der Lack aufgebracht wird und bei dem nach dem gleichmäßigen Verteilen des Lackes auf der Halbleiterscheibe diese in eine Rotationsbewegung mit einer derart hohen Rotationsgeschwindigkeit versetzt wird, daß ein Teil des Lackes von der Halbleiterscheibe abgeschleudert und dadurch eine gleichmäßige dünne Lackschicht auf der Halbleiterscheibe erzielt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Lack zunächst nur im Zentrum der Halbleiterscheibe aufgebracht wird und daß danach die Halbleiterscheibe zunächst nur in eine langsame Rotationsbewegung versetzt wird, die ausreicht, um den Lack gleichmäßig auf der Halbleiterscheibe zu verteilen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe zur gleichmäßigen Verteilung des zunächst nur im Zentrum der Halbleiterscheibe befindlichen Lackes für wenige Sekunden in eine langsame Rotationsbewegung von 100 bis 1500 Umdrehungen pro Minute versetzt wird.
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