DE1954265A1 - Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents
Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselbenInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 11
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 claims 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 7
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
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- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
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Description
Halbleiter-Baue1ement
und
Verfahren zur Herstellung desselben
Verfahren zur Herstellung desselben
Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauteil und Verfahren zur
Herstellung desselben.
Sie verschiedenen Merkmale der Erfindung sind in den Ansprüchen
enthalten.
Sie Erfindung ist anhand einiger Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme
auf die Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen sindt
Fig. 1-5 die Sarstellung fünf verschiedener Phasen
An der Herstellung von Sioden gemäB einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei Pig. 5 ia
vergrößertem Maßstab dargestellt ist,
Fig. 6 eine Braufsieht auf die Darstellung der Fig. 3,
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Fig. 7-12 Darstellungen von sechs verschiedenen Phasen
in der Herstellung von Dioden gemäß einem zweiten AusfUhrungsbeispiel der Erfindung und
In Fig. 1-6 ist ein Siliziumplättchen 10 aus p- oder n-Material
gezeigt, das mit Hilfe bekannter Diffusionsverfahren zur Herstellung
einer p-n-Terbindung (Fig. 2) behandelt wird. Nach Herstellung der p-n-Yerbindung werden geeignete Metallschichten (nicht
dargestellt) auf die Oberfläche des Plättchens abgelagert, um die Herstellung anschließender elektrischer Verbindungen mit den herzustellenden
Dioden zu erleichtern. Das Plättchen 10 wird dann durch eine dünne Wachsschicht 12 mit einer Glas- oder Keramikscheibe 11
verbunden. Eine Stahlabdeckung (nicht dargestellt), die eine Vielzahl rechteckiger Löcher enthält, wird dann oben auf das Plättchen
aufgelegt, und eine Wachslösung wird durch die Abdeckung auf das Plättchen aufgespritzt. Das Wachs haftet am Plättchen derart, daß
bei Entfernen der Abdeckung die Oberfläche des Plättchens eine Vielzahl rechteckiger Bereiche I3 enthält, die mit Wachs beschichtet
sind( Fig. 3). Die Scheibe 11, die das Plättchen trägt, wird dann in ein Ätzmittel eingetaucht, das die Gebiete des Plättchens
zwischen den Bereichen 13 entfernt (Fig. 4)· Dabei versteht es sich,
daß das Wachs, das zum Befestigen des Plättchena an der Scheibe verwendet wird, und daß das Wachs, das die Bereiche 13 des Plättchens
abdeckt, so gewählt sind, daß sie durch das Ätzmittel nicht angegriffen werden. Es können natürlich auch andere Substanzen außer
Wachs benutzt werden, die dem Ätzmittel widerstehen.
Nachdem die freiliegenden Flächen des Plättchen« weggeätzt worden sind, wird die Scheibe 11 aus dem Ätzmittel herausgenommen, ge-
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waschen und getrocknet. In dieser Phase trägt die Scheite eine
Vielzahl rechteckiger p-n-Dioden 15, die durch Kanäle 14 voneinander
getrennt sind. In jedem davon liegt eine p-n-Verbindung frei. Dabei sind die Dioden immer noch über die Scheibe miteinander verbunden.
Eine Lösung, die aus ca. 5 % Silikonharz, einem Katalysator (Beispielsweise
Zinkazetat) und einem Flüchtigstoff-Träger besteht, wird dann auf die Scheibe 11 gegossen und zum Einfließen in die
Kanäle 14 zwischen den Dioden 15 gebracht (Fig. 5). Wenn die freiliegenden
geätzten Ränder 16 der Dioden 15 mit der Lösung beschichtet
sind, wird die Scheibe einem Warmluftstrom ausgesetzt, der bewirkt,
daß der Flüchtigstoff-Träger verdampft, so daß der Lack und dessen Katalysator an den freiliegenden geätzten Rändern der Dioden
verbleiben. Die Scheibe wird dann in einen Ofen bei einer Temperatur zwischen 105 und 115 °C 48 Stunden lang gelegt, und während dieser
Zeit härtet das Silikonharz aus und bildet einen dünnen haftenden Schutzfilm 17 an den zuvor freiliegenden Rändern 16 der Dioden 15·
Nach dem Aushärten des Films 17 an den Rändern 16 der Dioden wird
die Scheibe 11 aus dem Ofen herausgenommen und in einem Lösungsmittel gewaschen, beispielsweise Trichlorethylen, das das Wachs auflöst,
das die obere und untere Seite des Plättchens 15 beschichtet, das
aber den Film 17 nicht angreift. Die Dioden 15 werden von der Scheibe 11 abgenommen, wenn sich das Wachs auflöst, und sie werden dann
erneut in einen Ofen gelegt, um sicherzustellen, daß der Film an den Rändern 16 voll ausgehärtet J&t. Danach sind die Dioden zur Prüfung
fertig. Nach der Prüfung werden durch Löten mit den Dioden die Kontakte hergestellt, und die Dioden werden in jeder beliebigen Weise
gelagert.
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Der Flüchtigstoff-Träger kann in den verschiedensten Formen vorgesehen
sein» vorzugsweise ist jedoch ein Alkohol oder Keton vorzuziehen. Sas in dem bevorzugten Aueführungebeispiel verwendete Harz
hat die folgende Fora:
-O-Si-C-
6
>
>
Dabei ist E die Methylgruppe, und dieses Harz erbringt in dem betreffenden
Ausführungsbeispiel die besten Ergebnisse, das hier beschrieben wird, weil es nach dem Aushärten durch das Lösungsmittel
nicht beeinflußt wird, das zum Entfernen des Wachses verwendet wird, die beim Löten auf tretenden Temperatur Widerstehen kann und nicht
durch die mechanische Handhabung der Dioden beschädigt wird. Die Anforderungen an äas Harz ändern sich jedoch mit dem betreffenden Anwendungsfall.
Beispielsweise können die Dioden 15 auf einem federnden Träger angeordnet sein und dann gezeichnet werden. Danach wird
der Träger gestreckt, um die Dioden zu trennen, die sich immer noch auf dem Träger befinden, wobei Kanäle zwischen ihnen liegen. Das
Harz kann gemäß der vorangegangenen Beschreibung verwendet werden, es braucht aber jetzt nicht gegen das Lösungsmittel widerstandsfähig
zu sein, da kein Wachs entfernt werden muß. In bestimmten Anwendungsfällen
kann ein Löten bei einer tieferen Temperatur durchgeführt werden,und in diesem Fall spielt die Fähigkeit des Harzes
eine untergeordnete Bolle, hohen Temperaturen widerstehen zu können. Ferner kann in bestimmten Fällen die Diode eingebettet werden, nachdem
die Kontakte hergestellt worden sind, und dann spielt es keine Bolle, wenn beim Löten der Schutzfilm entfernt wird, weil der Film
durch das Einbettungematerial ersetzt wird. Es ist festgestellt worden,
daß man die besten Ergebnisse mit Silikonharzen der folgenden
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forn erhältt
-O-Sl-Οι
O
I
I
oder ^
- O - S» - R
I
I
O
1
1
oder Gemischen davon, wobei R eine Aryl- oder Alkylgruppierung ist.
Im falle einer Arylgruppierung wird Phenyl bevorzugt, und im Falle einer Alkylgruppierung CH. .., wobei η vorzugsweise 1-6 ist» wobei
Methyl vorzuziehen ist.
In einer Abwandlung des beschriebenen Ausführungsbeispiele wird das
Diffusionsverfahren in der in Fig. 2 gezeigten Phase nur teilweise
abgeschlossen» und das erforderliche Eintreiben erfolgt während des
Aushärtens.
In einer anderen Abwandlung hört man mit dem Ätzen in der in Fig. 4
gezeigten Phase auf, nachdem die p-n-Verbindungen freiliegen, jedoch bevor die η-Lage vollkommen durohgeätzt worden ist. Das Verfahren
geht weiter, wie das beschrieben worden ist, wobei jedoch alle Dioden miteinander verbunden sind. Die Dioden werden nach Bedarf durch Reißen
und Brechen getrennt*
In einem weiteren Ausführungsbeispiel werden die freiliegenden Verbindungen
jeweils an einem einzelnen Bauelement, das in jeder beliebigen bekannten Weise hergestellt ist, dadurch geschützt, daß man
die jeweils freiliegende Verbindung mit einem haftenden Film oder einem Ettgehärteten Silikonharz beschichtet, vorzugsweise das Harz,
da* in i«m in I7Ig. 1-6 gezeigten Beispiel verwendet wird.
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In Fig. 7-13 ist ein Siliziumplättchen 20 aus p- oder »-Material
gezeigt, das mit Hilfe bekannter Diffusionsverfahren behandelt wird,
um eine p-n-Yerbindung herzustellen (Fig. 8). Nachdem die p-n-Verbindung
hergestellt worden ist, werden geeignete Metallschichten (nicht dargestellt) auf die Oberflächen des Flättchens galvanisch
aufgetragen, um die Herstellung anschließender elektrischer Verbindungen mit den herzustellenden Dioden zu erleichtern. Das die p-n-Terbindungen
enthaltende Plättchen wird dann mit einer Glas- «der Eeramikscheibe 21 mit Hilfe einer dünnen Wachsschicht 22 verbunden.
Eine Stahlabdeckung (nicht dargestellt), die eine Anzahl rechteckiger Löcher enthält, wird auf die Oberseite des Plättchens gelegt,
und auf die Abdeckung wird eine Wachslöeung aufgespritzt. Das Wachs
dringt in die Löcher in der Abdeckung ein und haftet an dem Plättchen an, so daß bei Entfernen der Abdeckung die Oberfläche des Platt«
chens eine Anzahl rechteckiger Bereiche 23 enthält, die mit Wachs
beschichtet sind (Fig. 9). Die Scheibe 21, die das Plättchen trägt, wird dann in ein Ätzmittel eingetaucht, das die Gebiete des Plättchens
entfernt, die zwischen den abgedeckten Bereichen 23 liegen (Fig. 10). Dabei versteht es sich, daß das Wachs, das zum Befestigen
des Plattohens an der Seheibe verwendet wird, und daS das Wachs,
das die Bereiche 23 des Plättehens abdeckt, so gewählt sind, daß sie
nicht von dem Ätzmittel beeinflußt werden. Fachdem die freiliegenden
Flächen des Plattohens weggeätzt worden sind, wird die Scheibe
21 aus dem Ätzmittel herausgenommen, gespült und getrocknet. In dieser Phase trägt die Scheibe eine Vielzahl kleiner rechteokiger
p-n-Dioden 25» die voneinander getrennt sind und die auf beiden Seiten
mit Wachs beschichtet sind, wobei bloß die geätzten Händer 26 ter Dioden 25 freiliegen. Ss können natürlich auch andere Substanzen
als Wachs benutzt werden, die gegen Ätzmittel widerstandsfähig sind.
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Ein querverbundener Kunstgummi auf Silikonbasis wird in flüssiger
Form dann auf die Scheibe gegossen und dazu gebracht, in die Räume 24 zwischen den Dioden zu fließen (Fig. 11). Wenn die Räume 24 mit
flüssigem Gummi gefüllt sind, wird die Oberfläche des geätzten Plättchens
abgewischt, um überschüssiges Gummi zu entfernen. Es bleibt ein
Netz 27 aus flüssigem Gummi in den Räumen 24· Das flüssige Gummi wird dann gehärtet, und die Scheibe wird dann in ein Flüssigkeitsbad gelegt,
in dem das Wachs löslich ist. Das die Dioden 25 bedeckende
Wachs und das die Dioden mit der Scheibe 22 verbindende Wachs löst sich auf, und es verbleiben die Dioden 25, die durch eine Gummimembrane
27 miteinander verbunden sind (Fig. 12). Damit sind beide Seiten
der Dioden 25 sauber, und die Ränder der Dioden 25 sind durch die
Membrane 27 geschützt.
Wenn eine der Dioden 25 gebraucht wird, wird der feil der Memebrane
27 getrennt, der diese Diode mit den verbleibenden Dioden verbindet,
so daß man eine getrennte Diode erhält, deren Ränder durch die abgetrennten Teile der Membrane geschützt sind.
Wenn durch ein Lötverfahren, das mit hoher Temperatur arbeitet, Verbindungen
mit der Diode hergestellt werden, kann die Löttemperatur so gewählt werden, daß das Gummi zersetzt wird, das die Ränder der
Diode schützt, um damit die Ränder der Diode sauber zu lassen, die sich im fertigen Zustand zur Einbettung befinden. Das Gummi kann jedoch
über die ganze Lebensdauer der Diode hinweg auch die eingenommene Lage beibehalten. Ferner kann in diesem Ausführungebeispiel das
Gummi dazu verwendet werden, eine Handhabung zu erleichtern, ohne daß irgendein Schutz der p-n-Verbindungen erforderlich ist.
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Es ist nicht erforderlich» daß der Membranwerkstoff flexibel ist. Werkstoffe, die zu einer spröden Membrane führen, können verwendet
werden. In diesem Fall werden die Dioden durch Brechen, anstatt durch Trennen der Membrane voneinander getrennt.
Obgleich beide beschriebenen Ausführungsbeispiele sich auf Dioden beziehen, versteht es sich natürlich, daß man die Erfindung zur
Herstellung von !Transistoren, Thyristoren und allgemein Halbleiter-Bauelementen
verwenden kann.
Es versteht sich ferner, daß der Begriff "Silikonharz" in der Besohreibung
und in den Ansprüchen in seinem weitesten Sinn verwendet wird, u.a. also auch Silikongummi einschließt.
Patentansprüche:
009822/U33
Claims (1)
- Patentansprücheί1· Halbleiter-Bauelement mit mindestens einer p-Zone und mindestens einer η-Zone, wobei die p-n-Verbindung am Rand des Bauelementes freiliegt, dadurch gekennzeichnety daß die Verbindung durch einen haftenden Film aus einem gehärteten Silikonharz geschützt ist.2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Harz die Form „- O - S\ - RO
ιhat, wobei E eine Aryl- oder Alkylgruppierung ist.3· Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Harz die Form oO
Ihat, wobei B eine Aryl- oder Alkylgruppierung ist.4. Bauelement nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß E eine Methylgruppferung ist.5· Baulement nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß E eine Phenylgruppierung ist.6. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Plättchen mit mindestens einer p-Zone und mindestens einer η-Zone hergestellt wird, wobei das Plättchen auf einem Träger sitzt, daß das Plättehen in einer Vielzahl von feilen geteilt wird, von denen jeder feil ein Bauelement bilden soll,009822/1433-Jl-10daß Kanäle zwischen den Bauelementen gebildet werden, wobei p-n-Verbindungen in den Kanälen freiliegen, daß eine härtbare Masse in die Kanäle gegossen wird, das die p-n-Verbindungen schützen kann, und daß die Masse ausgehärtet wird, derart, daß über den Verbindungen ein Schutzfilm liegt*7· Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Plättchen mit mindestens einer p-Zone und mindestens einer η-Zone gebildet wird, daß das Plättchen an einer Scheibe durch eine Wachsschicht oder durch eine Schicht aus einer anderen Atzmittelbeständigen Substanz befestigt wird, und daß die freiliegende Fläche des Plättchens mit isolierten Bereichen aus Wachs oder einer anderen Substanz beschichtet wird, daß das Plättchen mit einem Ätzmittel behandelt wird, das das Wachs oder die andere Substanz nicht angreift, wobei das Ätzmittel in den Bereichen des Plättchens zwischen dem Wachs oder der anderen Substanz Kanäle bildet, in denen jeweils eine p-n-Verbindung freiliegt, wobei die Kanäle das Plättchen in eine Vielzahl getrennter Bauelemente unterteilen, die mit der Scheibe verbunden bleiben, daß eine aushärtbare Masse in die Kanäle gegossen wird, die die p-n-Verbindungen schützen kann, daß die Masse ausgehärtet wird, derart, daß ein Schutzfilm über den Verbindungen liegt und daß das Wachs oder die andere Substanz entfernt wird.8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7» dadurch gekennzeichnet, daß als auehärtbare Masse ein quervarbundenes Kunstgummi verwendet, wird, das eine Membrane bildet, die die Bauelemente miteinander verbindet und die p-n-Verbindungen schützt.0Q9822/U33/f/l9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet» daß durch Löten Verbindungen mit den Bauelementen hergestellt werden, wo· bei beim Löten die Membrane zersetzt wird.10· Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet} daß durch Löten Verbindungen mit den Sauelementen hergestellt werden, wobei beim Löten die Membrane intakt bleibt.11. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß als auehärtbare Masse ein Silikonharz verwendet wird.12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Masse die Form j^O ihat, wobei B eine Aryl- oder Alky!gruppierung ist.1?· Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß dieMasse die FormR I- C - f>i - O Chat, wobei B* eine Aryl- oder Alkylgruppierung ist.14· Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß als B eine Methylgruppierung vorgesehen wird.15. Verfahren nach Anspruch I3, dadurch gekennzeichnet, daß als B eine Phenylgruppierung vorgesehen wird,- 4 009822/U3316. Verfahren nach einem der Ansprüche 6-15» dadurch gekennzeichnet, daß die Kanäle sich an den p-n-Verbindungen vorbei erstrecken, jedoch nicht vollständig durch das Plättchen hindurchgehen, so daß die Verbindungen geschützt werden, die Bauelemente aber noch miteinander verbunden bleiben.17· Verfahren nach einem der Ansprüche 6 - 16, dadurch gekennzeichnet, daß das p-n-Plättchen durch Diffusion jeweils während der Herstellung der p-Zone und der η-Zone nur teilweise hergestellt wird und daß die Diffusion während des Aushärtens abgeschlossen wird.18. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Plättchen mit mindestens einer p-Zone und mindestens einer η-Zone hergestellt wird, wobei das Plättchen auf einem Träger sitzt, daß das Plättchen in eine Vielzahl von Teilen geteilt wird, von denen jeder Teil ein Bauelement bilden soll, daß Kanäle zwischen den Bauelementen geformt werden, wobei p-n-Verbindungen in den Kanälen freiliegen, daß eine aushärtbare Hasse in die Kanäle gegossen wird und daß die Masse zum Aushärten gebracht wird, derart, daß eine Membrane gebildet wird, die die Bauelemente miteinander zum Erleichtern der Handhabung derselben verbindet.009822/U33Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB5103568 | 1968-10-28 | ||
GB24991/69A GB1285708A (en) | 1968-10-28 | 1968-10-28 | Semi-conductor devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1954265A1 true DE1954265A1 (de) | 1970-05-27 |
Family
ID=26257416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691954265 Pending DE1954265A1 (de) | 1968-10-28 | 1969-10-28 | Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3756872A (de) |
AT (1) | AT310253B (de) |
BE (1) | BE740836A (de) |
CH (1) | CH522955A (de) |
CS (1) | CS168552B2 (de) |
DE (1) | DE1954265A1 (de) |
DK (1) | DK135071B (de) |
ES (2) | ES373341A1 (de) |
FR (1) | FR2021690B1 (de) |
GB (1) | GB1285708A (de) |
NL (1) | NL154868B (de) |
SE (2) | SE376684B (de) |
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1968
- 1968-10-28 GB GB24991/69A patent/GB1285708A/en not_active Expired
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- 1969-10-06 US US00863984A patent/US3756872A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-10-14 CH CH1540669A patent/CH522955A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-10-20 SE SE7204684A patent/SE376684B/xx unknown
- 1969-10-20 SE SE14326/69A patent/SE363930B/xx unknown
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- 1969-10-25 CS CS1478*[A patent/CS168552B2/cs unknown
- 1969-10-25 ES ES373341A patent/ES373341A1/es not_active Expired
- 1969-10-27 DK DK566969AA patent/DK135071B/da unknown
- 1969-10-27 BE BE740836D patent/BE740836A/xx unknown
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- 1969-10-28 DE DE19691954265 patent/DE1954265A1/de active Pending
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ES399979A1 (es) | 1975-06-16 |
DK135071C (de) | 1977-08-01 |
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BE740836A (de) | 1970-04-01 |
SE363930B (de) | 1974-02-04 |
CH522955A (de) | 1972-05-15 |
GB1285708A (en) | 1972-08-16 |
CS168552B2 (de) | 1976-06-29 |
SE376684B (de) | 1975-06-02 |
NL6916239A (de) | 1970-05-01 |
AT310253B (de) | 1973-09-25 |
FR2021690B1 (de) | 1974-05-03 |
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