DE1923079A1 - Verfahren zum Niederschlagen einer Substanz auf einen ausgewaehlten Teil der Oberflaeche eines Substrates - Google Patents

Verfahren zum Niederschlagen einer Substanz auf einen ausgewaehlten Teil der Oberflaeche eines Substrates

Info

Publication number
DE1923079A1
DE1923079A1 DE19691923079 DE1923079A DE1923079A1 DE 1923079 A1 DE1923079 A1 DE 1923079A1 DE 19691923079 DE19691923079 DE 19691923079 DE 1923079 A DE1923079 A DE 1923079A DE 1923079 A1 DE1923079 A1 DE 1923079A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
substrate
substance
catalyst
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691923079
Other languages
English (en)
Inventor
Davidson Edmund Benjamin
Nathan Feldstein
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE1923079A1 publication Critical patent/DE1923079A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886—Multistep pretreatment
    • C23C18/1889—Multistep pretreatment with use of metal first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/0713—Plating poison, e.g. for selective plating or for preventing plating on resist
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1415—Applying catalyst after applying plating resist

Description

(§) . , , Int. CI.:
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT C 23 c, 3/02
Deutsche K .: 48 b, 3/02
Offenlegungsschrift 1923 079
Aktenzeichen: P 19 23 079.6 Anmeldetag: 6. Mai 1969
Offenleguhgstag: 15. Januar 1970
Ausstellungspriorität: —
Unionspriorität Datum: Land:
Aktenzeichen:
6. Mai 1968
V. St. v. Amerika
726929
Bezeichnung:
Verfahren zum Niederschlagen einer Substanz auf einen ausgewählten Teil der Oberfläche eines Substrates ·
Zusatz zu: Ausscheidung aus: Anmelder:
Vertreter:
Radio Corp. of America, New York, N.Y. (V. St. A.) Sommerfeld. Dr.-Ing. Ernst, Patentanwalt, 8000 München
Als Erfinder benannt: Feldstein, Nathan, Kendall Park, N.J.;-
Davidson, Edmund Benjamin, Vardley, Pa. (V. St. A.)
I
Rechercheantrag gemäß § 28 a PatG ist gestellt
Für die Beurteilung der Patentfähigkeit in Betracht zu ziehende Druckschriften:
β 12.69 909 883 1486 12/90
6776 - 69/H . . '
RCA 59, 545 -...:.. /■ ■ \ U.S.Serial No. 726, 929 /' .'*
Piled May, 6, 1968
Radio Corporation of America, New York, ■ . N.Y., USA.
Verfahren zum Niederschlagen einer Substanz auf einen ausgewählten Teil der Oberfläche eines Substrates
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Niederschlagen einer Substanz auf einen ausgewählten Teil der Oberfläche eines Substrates, wobei die Substanz aus einer Lösung in Gegenwart eines gegebenen Katalysators niederschlagbar ist und die Niederschlagung der Substanz in Gegenwart des Katalysators verhindert wird, wenn der Katalysator in Berührung mit einemsVergiftungsmaterial gebracht wird.
Die Erfindung betrifft also ein Verfahren zum selektiven Niederschlagen von Schichten auf ein Substrat, wobei die Schicht beim Vorhandensein eines geeigneten Katalysators aus dem gelösten Zustand niedergeschlagen wird.
Die katalytische Niederschlagung von Sxchichten auf ein Substrat ist ein häufig angewandtes Verfahren. Ein Anwendungsbeispiel für dieses Verfahren ist die stromlose Plattierung oder Metallisierung, bei.welcher metallische Substanzen aus einer wässrigen Lösung auf ein Substrat niedergeschlagen werden, das mitbels eines geeigneten Katalysators "aktiviert" worden ist.
Das wohl am häufigsten angewandte stromlose Niederschlagungsverfahren ist das Verfahren zum Niederschlagen stromloser Nickel-
Ö09883/U86
BAD t
_ ρ —
Phosphor-Legierungen. In den meisten Fällen wird bei" der stromlosen Vernickelung die zu plattierende Oberfläche mit einem geeigneten Katalysator,· der gewöhnlich eines der Über-' ' gangsraetalle aus der VIII. Gruppe des Periodensystems enthält, · aktiviert.
Wenn man die Nickel-Phosphor-Schicht nur auf einen Teil des Substrates aufbringen will, wie es z.B. bei der Herstellung von ' gedruckten Schaltkreisen oder bei der Ausbildung von "Kontäktpol-stern" auf monolithischen Plättchen- integrierter Schaltkreise der Fall ist, ist es bei einem allgemein angewandten Verfahren erforderlich, zunächst das gesamte Substrat zu beschichten und anschließend die Schicht so zu ätzen, daß die unerwünschten !Teile entfernt werden.
Dies ist ein verhältnismäßig kompliziertes Verfahren,' bei dem Schwierigkeiten hinsichtlich möglicher Beschädigungen des Substratmaterials oder (im Falle integrierter Schaltkreise) der auf dem Substrat ausgebildeten elektrischen Elemente auftreten. Wo eine hohe Auflösung erforderlich ist, setzen zudem die zusätzlichen Abdeckungs- und iitzungs-Verfahrensschritbe die Genauigkeit herab, mit der die gewünschten Muster niedergeschlagen werden können. Im Falle des Erfordernisses einer extrem hohen Auflösung ist es nicht möglich, an der Grenze zwischen den beschichteten und unbeschichteten Teilen des Substrates vertikale Ränder zu erhalten, denn bei dem Ätzverfahren wird das Beschichtungsmaterial sowohl in Querrichtung als auch in Vertikalrichtung aufgelöst. Die Schichtränder sind deshalb bezüglich der Substratoberfläche abgeschrägt·
Ein anderes. Problem, das bei der Anwendung der stromlosen Plattierung auftritt, besteht darin, daß die Nicke1-Fhosphor-Legierung dazu neigt, nicht nur das in die Plattierungslösung eingetauchte Substrat, sondern auch die Aufhängvorrichtung zu plattieren, die zum Eintauchen des Substrates in die Lösung verwendet wird. Dieses Plattieren der Halte- oder Aufhängvorrichtung führt oft
. P 809883/1488
BAD
dazu, daß,die. PlattiGrungslösung, schnell unbrauchbar wird und : daß durch,.die..Ausbildung,einer .Palladiumschicht auf.der plattierten AjLif hängvprrichtuxig zusät zliche Kosten. entstehen, wenn, die Aufhandvorrichtung später dazu,verwendet wird, Substrate, in eine kostspielige Palladium-haltige Aktivierungslösung einzutauchen.
.Erfindung, gibt ein Verfahren zum Niederschlagen einer Substanz, aus einer Lösung und in Gegenwart eines Katalysators auf einen ausgewählten,Teil,der Oberfläche eines Substrates an. Das Verfahren schließt die Niederschlagung einer Abdeckschicht auf den nicht.ausgewählten Teil der Substratoberfläche ein. Diese Maskierungs- oder Abdeckschicht enthält ein Vergiftungsinaterial, das in der. LaQe ist, den Katalysator unwirksam zum Einleiten der Niederschlagung der erwälinten Substanz zu machen. Der Katalysator wird in Form einer dünnen Schicht auf die Oberfläche des Substrates aufgebracht. Alle Teile der: Katalysatorschicht, die die Abdeckschicht bedecken, werden durch das Vergiftungsmaterial in der Abdeckschicht unwirksam gemacht. Anschließend wird die Substratoberfläche der erwähnten Lösung ausgesetzt, so daß der Katalysator die Niederschlagung der Substanz bevorzugt auf den ausgewählten Teil der Substratoberfläche einleitet.
Anhand der Zeichnung soll die Erfindung im folgenden näher erläutert werden. Die Zeichnung zeigt in;
Pig» 1 ein Substrat im Querschnitt, das gemäß einen bevorzugten Äusführungsbeispier der Erfindung behandelt wird, und zwar bei verschiedenen Verfahrensstufen während der Behandlung; und
Fig. 2 ein Flußdiagramm für das bevorzugte Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1.
Fig. 1 zeigt ein klassubstrai; 1 bei verschiedenen Stufen der äeÜahdiung gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung.* Bei diesem Aüsführungsbelspiel handelt es sich um die stromlose Niederschlagung' einer Iiickel-niosphor-Legierung auf
BAD ORIGINAL
ausgewählte Teile des Glassubstrates 1. Die mit (a) bis (e) bezeichneten Verfahrensstufeη gemäß -^ig. 2 entsprechen den . Teilansichten (ä) bis (e) gemäß Fig.1, wobei jede Teilansicht der Fig. 1 mit der Struktur des behandelten Substrates am Ende ' des entsprechenden Verfahrensschrittes gemäß Fig. 2 übereinstimmt.
Fig. 1 (a) zeigt das Glassubstrat Ί, nachdem eine polymerisierbare Abdeckschicht 2 auf eine Oberfläche 4· des Substrates niedergeschlagen worden ist.
Fig. 1 (b) zeigt die entsprechende Struktur, nachdem die Aböeck- * schicht 2 von ausgewählten Teilen 3 der Oberfläche 4 des Substrates entfernt und die übrigen Teile der Schicht 2 polymerisiert worden sind.
Fig. 1 (c) zeigt die entsprechende Struktur, nachdem eine dünne Schicht f?> die einen Niederschlagungskatalysator enthält, auf der Substratoberfläche ausgebildet worden ist. Wie in der Darstellung zu erkennen ist, verdecken Teile der dünnen Katalysatorschicht 3g die Abdeckschicht 2.·
Fig. 1 (d) zeigt die entsprechende Struktur nach dem Eintauchen in ein stromloses Vernickelungsbad. Eine metallische Schicht 6 ι aus einer Nickel-PhosphorwLegierung ist bevorzugt auf den unmaskierten, also nicht abgedeckten ausgewählten Teilen 3 des Glassubstrates 1 niedergeschlagen worden.
Fig. 1 (e) zeigt die entsprechende Struktur, nachdem die Abdeckschicht 2 vollständig entfernt worden ist,
Fig. 2 gibt bei (a) den ersten Schritt des Verfahrens gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung an. Dieser Schritt schließt die Niederschlagung einer lichtempfindlichen Schicht 2 ein, die ein Katalysatorvergiftungsmittel wie z.B. eine Schwefelverbindung enthält. Diese Schicht 2 kann nach dem "negativen"
809883/US6
Photoabdeckverfahren, wie es nachfolgend in den Beispielen 1 und 2 beschrieben ist oder nach dem "positiven" Verfahren gemäß Beispiel 3 niedergeschlagen werden.
Beispiel 1
Ein ungesättigtes Polymer wie z.B. Naturgummi wird mit einem lichtempfindlich machenden Mittel wie z.B. Benzophenon und einem Vergiftungsmittel wie z.B. Schwefel versetzt. Eine Lösung dieser Zutaten in einem geeigneten organischen Lösungsmittel wie z.B. Toluol wird vorbereitet.
Dieses lichtempfindliche Präparat wird dann in Form einer Schicht auf die Oberfläche 4 des Substrates aufgebracht, und zwar dadurch, daß entweder das Substrat in das Präparat eingetaucht wird, oder dadurch, daß das Präparat auf das Substrat gedrückt oder "gekreiselt" wird, wodurch man eine verhältnismäßig dünne Schicht erhält, oder dadurch, daß das Präparat auf das Substrat aufgesprüht wird. Vorzugsweise wird die "Kreiseltechnik" angewandt, die allgemein zum Auftragen von Photoabdeckmaterialien verwendet wird, so daß man eine lichtempfindliche Schicht mit einer Dicke von ungefähr 0,2 bis 1,0 Mikron erhält, -^ie lichtempfindliche Schicht läßt man dann bei Raumtemperatur trocknen (durch Verdampfen des Toluols).
Nach dem Trocknen wird die lichtempfindliche Schicht 2 durch eine geeignete Pbotomaske hindurch so mit aktinischem Licht bestrahlt (Schritt (b) in Fig. 2), daß nur die ausgewählten Teile 5 der Oberfläche des Substrates 1 nicht der aktinischen Strahlung ausgesetzt v/erden.
Auf die Belichtung mit dieser aktinischen Strahlung hin wird das ungesättigte Polymer bzw. der Naturgummi mit der Einfügung von Schwefel vernetzt. D.h.,der Gummi wird photovulkanisiert·
Dann wird die Schicht 2 dadurch entwickelt," daß man das Substrat 1 in Toluol eintaucht, um die unbelichteten Teile der
909883/H86
Schicht 2 zu lösen. Die sich dabei ergebende Struktur ist'«£n^'i^ Fig. 1 (b) dargestellt. : .:;γ,ΐ^Λ .■■,<
Bei dem beschriebenen Verfahren geschieht, die Vernetzung des ungesättigten Polymers (um dieses unlöslich zu machen) und die Einfügung des Vergiftungsmittels (Schwefel) in die Schicht 2 rin einem einzigen Arbeitsgang. > ' v■"■'■-
Vorzugsweise sollte die Konzentration des Benzophenons im An- : fangspräparat verhältnismäßig gering sein. Ein Wert ven in der ; Grössenordnung von 5 # wird bevorzugt. -
> ■ ■ . ■■ ■ - ■
Beispiel 2 :-"·
Ein gesättigtes Polymer, das Wasserstoffatome enthält, die abgespalten werden können und dadurch reaktionsfähige Radikalstellen auf der Polymergrundkette bilden, wirdmit einem 1 ichtempfind- ' "■-lich-machenden Stoff oder Photosensibilisator und mit- einem schwefelhaltigen Vernetzungsmittel gemischt. Die sich ergebende Mischung wird in einem geeigneten organischen Lösungsmittel wie z.B. Toluol gelöst. Das gesättigte Polymer kann beispielsweise Polyäthylen oder Polypropylen enthalten, während der Photosensibilisator Anthrachinon und das Vernetzungsmittel Diallylsulfid enthalten kann. Diese Lösung bringt man in ähnlicher Weise wie beim Beispiel 1 auf das Substrat H- auf und läßt sie bei Raumtemperatur trocknen (durch Verdampfen des Toluols),
Auf eine Belichtung mit aktinischer Strahlung hin, die so erfolgt, daß nur die ausgev/ählten Teile 3 des Substrates ΐ nicht bestrahlt werden, erfahren die belichteten Teile der Schicht 2 eine Vernetzungsreaktion mit gleichzeitiger Einfügung des Vernetzungsmittels. Die unbelichteten Teile der Schicht 2 werden beispielsweise in Toluol gelöst,'so daß ein Schema entsteht, dss ähnlich.dem in Fig. 1 (b) dargestellten ist. _
909883/1486 BADORfGtNAL
Vorzugsweise sollte die Konzentration des Photosensibilisators im Anfangspräparat ungefähr 5 % betragen.
Beispiel 3
Ein thiolhaltiges Vorpolymerisat wird mit einem geeigneten Oxydationsmittel versetzt und so, wie es beim Beispiel 1 beschrieben wurde, als Schicht auf die Oberfläche 4 des Substrates aufgebracht. Die Konzentrationen des Vorpolionerisates und des Oxydationsmittels werden so gewählt, daß die Oxydationsreaktion so langsam erfolgt, daß es möglich ist, die Zusammensetzung aus dem Vorpolymerisat und dem Oxydationsmittel auf die Substratoberfläche 4- aufzubringen, bevor das resultierende unlösliche dreidimensionale Polymer vollständig gebildet worden ist.
Das thiolhaltige Vorpolymerisat.-kann aus Bis-Betachloräthylformal und Natriumdisulfid hergeleitet werden. Geeignete Oxydationsmittel sind Bleidioxyd, also PbO2j und Quecksilberoxyd, also HgO.
Auf eine Bestrahlung mit ultraviolettem Licht derjenigen Teile der lichtempfindlichen Schicht 2 hin, die den ausgewählten Teilen 3 der Substratoberfläche 4- entsprechen', findet eine Photo's
reduktion der Disulfidbindung statt, wodurch die mit dem ultravioletten Licht bestrahlten Bereiche in einem geeigneten organischen, Lösungsmittel, wie z.B. Toluol gelöst werden können. Das sich nach der Entwicklung durch Eintauchen in Toluol ergebende Bild entspricht der Darstellung der ^ig. 1 (b).
Als nächstes wird die Oberfläche 4 des Substrates Λ gemäß dem Verfahrensschritt 2 (c) dadurch "aktiviert", daß auf dieser Oberfläche eine dünne Schicht 5» die Palladium enthält, ausgebildet wird. Diese PallEdiumschicht wirkt als Katalysator für die nachfolgende stromlose Hiederschlagung der Nickel-Phosphor-Legierung aus einer wässrigen Lösung. Die Dünnschicht 5 besitzt
909883/1486
eine Dicke von höchstens wenigen Moleküldurchmessern des Schichtmaterials und kann sogar monomolekular sein, also die Dicke von nur einem Molekül besitzen.
Die palladiumhaltige Katalysatorschicht 5 wird gemäß der folgenden Schritte gebildet:
1.) Die Anordnung mit den freiliegenden Teilen 3 der Substratoberfläche 4 und den Abdeckschichtteilen 2 wird einer ersten wässrigen Lösung ausgesetzt, die man dadurch erhält, daß man 70 g pro Liter Zinnchlorür (SnCl2 . 2H2O) mit 4-0 enr pro Liter 37-prozentiger (gewichtsqiäßig) Salzsäure kombiniert, wobei der Rest V/asser ist«
2.) In diese wässrige Lösung wird die Anordnung für eine kurze Zeitdauer1, die in keiner Weise kritisch ist, eingetaucht (bevorzugt wird eine Eintauchdauer von ungefähr 1 Minute), und anschließend wird sie in entionisiertem Wasser abgespült.
3·) Als nächstes wird die Anordnung in eine zweite wässrige Lösung eingetaucht, die 1 g pro Liter Palladiumchlorid (PdCl2) und 1 cnr pro Liter 37-prozentiger (gev/ichtsmäßig) Salzsäure und als Rest Wasser enthält. Auch hier ist die Eintauchdauer unkritisch und beträgt vorzugsweise ungefähr 1 Minute· Anschliessend wird die Anordnung in entionisiertem V/asser abgespült.
Die beiden genannten wässrigen Lösungen könen eine kleine Menge (pro Liter der Lösung ungefähr 1 mg) eines geeigneten Benetzungsmittels enthalten.
Nach diesem "Aktivierungsll-Verfahrensschritt 2 (c), bei dem auf der Substratoberfläche 4 eine den Palladiumkatalysator enthaltende dünne Schicht 5 ausgebildet worden ist, hat sich die in Fig. 1 (c) dargestellte Struktur ergeben. Entsprechend der Darstellung ist die dünne Katalysatorschicht 5 nicht nur auf den ausgewählten (nicht abgedeckten) Teilen 3 des Glassubstrates 1 gebildet worden,
909883/1486
BAD ORIGINAL
- 9 sondern sie bedeckt auch die übrigen Teile der Abdeckschicht 2.
Gemäß der Erfindung enthält die Abdeckschicht 2 ein Vergiftungsmaterial für den Palladiumkatalysator in der Aktivierungsschicht 5, so daß diejenigen Teile der Schicht 5> die die Abdeckschicht bedecken, durch die Berührung mit dieser Schicht 2 vergiftet werden. Mit anderen Worten: Die Abdeckschicht 2 macht die darüberliegenden Teile der katalytischen Dünnschicht 5 unwirksam zum Einleiten einer stromlosen Niederschlagung.
Man nimmt an, daß die Vergiftungswirkung, die die Abdeckschicht auf die darüberliegenden Teile der katalytischen Schicht 5 aisübt, von der Affinität des darin enthaltenen Schwefels für die Palladiumatome in der Schicht 5 herrührt. Vermutlich macht die V/echs el wirkung des Schwefels mit dem Palladium in der Schicht 5 das Palladium als Katalysator für die stromlose Niederschlagungsreaktion unwirksam..
Selbstverständlich sollte insbesondere im Falle sehr dünner Abdeckschichten die funktionelle Gruppe, die eine Affinität für den Katalysator in der Dünnschicht J? aufweist, an die freiliegende Prontflache (d.h. die von der Substrat oberfläche U- abgelegene Prontflache) der Abdeckschicht 2 angrenzen. Die Abdeckschicht 2 sollte derart am Substrat 1 haften, daß für die Bindung zwischen der Abdeckschicht und dem Substrat nicht die vergiftende funktionelle Gruppe der Abdeckschicht ben/tfutzt wird. Ve. mutlich würde andernfalls die vergiftende funktionelle Gruppe nicht für eine optimale Wechselwirkung mit dem Palladiumkatalysator in der Dünnnschicht 5 zur Verfügung stehen.
Gemäß dem nächsten Schritt 2 (d) des Verfahrens nach dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die in ^ig. 1 (c) dargestellte selektiv "aktivierte" Anordnung bei Raumtemperatur in ein wässriges stromloses Vernickelungsbad eingetaucht. Dieses Bad besitzt die folgende Zusammensetzung (zu der noch eine kleine Menge eines geeigneten Benetzungsmittels hinzugefügt werden kann):
90988 3 /H 8 6
-■-·*-"■■ BAD OBlGiNAL
- ίο -·
(Ό 25 g pro Liter (des Bades) Nickelsulfat (NiS0^.6H2Ö);
(2) 50 g pro Liter (des Bades) pyrophosphorsaures Hatron (Na4P2O7.10H2O); und
(3) 25 g pro Liter (des Bades) unterphosphoriges "atron (NaH2PO2.H2O), wozu eine 15-molare Lösung aus Ammoniumhydroxid (IIH.OH) hinzugefügt- wird, so daß man einen pH-Wert zwischen 9 und 11,5 und vorzugsweise von ungefähr 10,5 erhält.
Da diejenigen Teile eier katalytischen Schicht ;>} welche die Abdeckschicht 2 bedecken, inaktiv, d,h. unwirksam zum Einleitender Niederschlagung eines metallischen Nickel-Phosphor-Stoffes aus dem stromlosen Plattierungsbad gemacht worden sind,v/ird eine Schicht 6 aus einer Nickel-Phosphorlegierung bevorzugt auf die ausgewählten ieile 3 des Glassubstrates 1 niedergeschlagen. In E'ig. 1 (d) ist die sich bei diesem Verfahrensschritt ergebende Struktur dargestellt.
Nachdem .die Iiickel-Phosphor-Schicht 6 in der gewünschten i>icke niedergeschlagen worden ist, v/ird das Substrat 1 aus dem Plattierungsbad heraus.;enomuen und in entionisiertem Wasser abgespült. Anschließend wird die Abdeckschicht 2 zusammen mit dem darüberliegenden Teil der katalytischen Schicht 5 dadurch entfernt, daß das Substrat 1 in eine wässrige Lösung aus Wasserstoffsuperoxid eingetaucht v/ird. Die sich ergebende fertige Struktur ist in Pig. 1 (e) dargestellt.
Alle. "Verfahrensschrib-ce des bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung können bei Raumtemperatur (ungefähr 25° C) durchgeführt werden. .-
Obwohl gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel eine Abdeckschicht 2 verwendet wird, die als Katalysatorvergiftungsmaterial ein schwefelhaltiges Polymer enthält, könnten selbstverständlich auch andere Vergiftungsstoffe benutzt werden, die Lewis-Basen enthalten. .
909883/1486
BAD
Wenn die Abdeckschicht 2 nicht lichtempfindlieh ist, können die ausgewählten Teile 5 der Oberfläche 4· des Glassubstrates dadurch freigelegt werden,, daß man entweder mittels einer Photoabdeckmaske in Verbindung mit einem geeigneten Lösungsmittel für das Abdeckschichtmaterial die Abdeekschicht 2 seJäctiv ätzt, oder dadurch, daß man. die unerwünschten Teile der Abdeekschicht 2 durch ein Schneidverfanren, durch eine Sandstrahl— behandlung oder durch andere Abtragungsverfahren beseitigt.
Insbesondere kann das Vergiftungsmaterial in der Abdeekschicht 2 andere Substanzen enthalten, die an der freiliegenden Oberfläche der Abdeekschicht schwefelhaltige funktioneile Gruppen besitzen.
Gemäß dem bevorzugten Ausführung!" üeispiel enthält die dünne katalytische Schicht 5 zwar ein palladiumhaltiges Material, doch können zum Katalysieren des stromlosen Nickel-Hiosphor-Niedcrschlagungsprozesses auch andere Ubergangsmetalle aus der VIII. Gruppe des periodischen Systems verwendet werden. Zu solchen Katalysatoren gehören z.B. Rhodium, Ruthenium, Kobalt (insbesondere in einer Alkalilösung) und Nickel (insbesondere in aktiver Form, d.h. wenn es frisch aus seinem lonenzustand reduziert worden ist).
Statt eines schwefelhaltigen Polymers kann die Abdeekschicht 2 auch irgendein anderes Katalysatorvergiftungsmaterial enthalten, das die gewür.sc*. iö Vergiftung bewirkt, wenn es in JiOrm einer Abdeckschichv auf -i.-a ze verwendende Substrat niedergeschlagen wird,,
Das bevorzugte Ausführungsbeiapiei des Verfahrens gemäß der Erfinditr^j weist den Vorzug auf, daß alle Verfahrensschritte bei Raumtemperatur durchge* Jiirt werden können» Dadurch werden spezielle tenpercturgere^elte lösungen und die dabei auftretenden Stabilitätsprobleme vermiedoxio
Wenn eine zu behandelnde Substanz sum Eintauchen in das Plattierungsbad in eine Plattierungs-Aufhängvorrichtunggshalten wird,
909883/U86
BAD
kann man ein Auf plat tier en von Nickel-Phosphor-Legieruttgen1 ■ ; =-vJ auf die Aufhängvorrichtung selbst dadurch verhindern, daß man die Aufhängvorrichtung mit einer Abdeckschicht ■beschichtet* ' welche die gleiche Struktur wie die Abdeckschicht 2 besitzt oder irgendein geeignetes Material enthält, das als ein Gift für den Katalysator in der dünnen Aktivierungsschicht 5 wirkt.
Für solche Zwecke zum Verhindern der Plattierung von Aufhängvorrichtungen besonders geeignete Stoffe sind Epoxydharze und Piastisole, für welche nachstehend zwei Beispiele angegeben werden.
> ■■■ . - ■■■ ■ ■ ■
Beispiel A
Es wird eine Mischung angesetzt, die (a) 1 Teil (gewichtsmäßig) Araldit No. 502, das von der Firma Ciba Pharmaceutical Products vertrieben wird, (b) 0,1 Teile Härter No. 951 der Firma Ciba und (c) 0,5 bis 1 Teile Thiokol LP-J enthält. Die sich ergebende Epoxydmischung bringt man auf die zu schützende Oberfläche auf und läßt sie bei Rauntemperatur aushärten, um eine harte Schicht zu schaffen, in welche schwefelhaltige funktioneile Gruppen als Vergiftungsmittel eingefügt sind. *
Beispiel B
Es wird ein Plastisol angesetzt. Dazu mischt man (a) 9 Teile (gewichtsmäßig) eines Stoffes der von der Firma M&T Chemical unter der Bezeichnung Super 218X Green hergestellt wird und (b) 1 Teil Thiokol LP-3. Die sich ergebende Mischung wird auf die zu schützende Oberfläche aufgebracht und dadurch erhärtet, daß man sie ungefähr 10 bis 15 Minuten lang bei einer Temperatur von etwa 150° C erhitzt.
Gemäß einem abgewandelten Ausführungsbeispiel der Erfindung entgalt die Abdeckschicht 2 Bleisulfid, das durch Ausfällen aus einer wässrigen Lösung gemäß folgender Verfahrensschritte auf die
909883/U86
Oberfläche 4- des Substrates 1 niedergeschlagen wird:
1) Die Substratoberfläche (Glas) wird sorgfältig gereinigt.
2) Das Substrat wird in eine wässrige Lösung eingetaucht, die man dadurch erhält, daß man das Wasser mit 70 g pro Liter (der Lösung) Zinnchlorür (SnCl2*2H2O) mischt0
3) Das Substrat wird dann in destilliertem oder entionisiertem Wasser abgespült.
4) Es wird eine Mischung angesetzt, indem man (a) 60 cnr
1-prozentiger Thiourealösung mit (b) einer Mischung aus 50 cnr
■χ 15-prozentiger wässriger Natriumhydroxidlösung und 15 cnr 4-prozentiger (gewichtsmäßig) wässriger Bleiazetatlösung mischt. Die Mischung läßt man ungefähr 1 Minute lang stehen.
5) Das Substrat (Glas) wird in die Mischung des Schrittes 4-) ungefähr 20 Minuten lang eingetaucht, wodurch die Bleisulfidschicht niedergeschlagen v/ird.
Das gewünschte Muster kann man dadurch erhalten, daß man die unerwünschten Teile der Bleisulfidabdeckschieht mechanisch herausschneidet, um die entsprechenden darunterliegenden ausgewählten Teile 5 des Glassubstrates 1 freizulegen. Die restlichen Schritte (mit dem Schritt 2 (c) beginnend) werden wie beim weiter oben beschriebenen bevorzugten Ausftihrungsbeispiel durchgeführt.
Obwohl gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ein Glassubstrat vorwendet wird, kann das Substrat auch irgendein anderes Material enthalten, an welchem die stromlose Metallschicht 6 und die Abdeckschicht 2 haften werden, solange die Vergiftungsfähigkeit der Abdeckschicht nicht durch eine Wechselwirkung mit dem darunterliegenden Substratmaterial beeinträchtigt wird.
Das Verfahren gemäß der Erfindung wurde zwar im Zusammenhang mit der selektiven stromlosen Niederschlagung von Nickel-Phosphor-
909883/U86
BAD ORtGWAt
Legierungen erläutert, doch kann die Erfindung selbstverständlich auch für die selektive stromlose Niederschlagung von anderen (metallischen) Substanzen angewandt werden, die in Gegenwart, eines vergiftbaren Katalysators aus einer Lösung niedergeschlagen werden. Beispielsweise kann eine stromlose Kupferschicht selektiv gemäß der Erfindung niedergeschlagen werden, wie nachfolgend gezeigt wird.
Eine wässrige stromlose Verkupferungslösung (die eine kleine Menge eines geeigneten Benetzungsmittels enthalten kann) wird , mit der folgenden Zusammensetzung angesetzt:
CuSO^.5H2O 5,0 g/Liter der Lösung
Paraformaldehyd 1,2 g/Liter der Lösung
Il-Hydroxyäthyläthylen-
diamintriacetylsäure- ?>6 ^111163, der Lösung
trinatriumsalz-Dihydrat
(HEEDTANa-, .
Dieses stromlose Kupfex^bad wird mit Kaliumhydroxid auf einen pH-Wert von 12 bei 25° C eingestellt. Das Bad kann bei Raumtemperatur und bei Temperaturen bis zu 75° C verwendet werden und ergibt dabei eine befriedigende selektive Plattierung. Die Abdeckschicht 2 und die palladiumhaltige katalytische Schicht werden auf die gleiche Weise wie bei der stromlosen Vernickelung niedergeschlagen.
Auch andere metallische Schichten wie z.3. magnetische Legierungen können durch das Verfahren gemäß der Erfindung selektiv stromlos niedergeschlagen werden.
Das Verfahren gemäß der Erfindung ist auch bei andersartigen Niederschlagungsreaktionen anwendbar, wobei eine Materialschicht aus einer Lösung in Gegenwart eines vergiftbaren Katalysators niedergeschlagen wird, der auf d^e Oberfläche aufgebracht wird,
9098 83/1486
fe ''■■■ I ·. · S
- 15 -
auf welche die Niederschlagung gewünscht wird. Bin solcher Anwendungsfall wäre beispielsweise die Niederschlagung'von- Polymerschichten aus einer flüssigen Monomerlösung· in Gegenwart eines vergiftbaren polymerisierenden Katalysators. Durch die Verwendung einer das Vergiftungsmaterial enthaltenden. Abdeckschicht ermöglicht die Erfindung offensichtlich eine selektive Niederschlagung der Polymerschicht.
Das Verfahren gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel cer Erfindung wird zwar bei Raumtemperatur durchgeführt, doch kann das Verfahren auch bei anderen Temperaturen angewandt werden, wenn besondere temperaturempfindliche Parameter hervorgehoben werden sollen. Wenn beispielsweise eine höhere Niederschlagungsrate gewünscht wird? kann man eine erhöhte Temperatur wählten» worunter allerdings etwas die Ver,-if tungswirkung leidet. Bei Raumtemperatur reicht nämlich die Vergiftungswirkung der Abdeckschicht 2 auf die Katalysatorschicht 5 aus, weitgehend zu verhindern, daß ein Teil dos Kickel-Phosphorraaterials auf den nicht ausgewählten Teil der Substratoberfläche 4 niedergeschlagen wird. Bei erhöhten Temperaturen ist eine geringfügige Niederschlagung der Nickel-PhosphorTLecierung auf die nicht ausgewählten Teile des Substrates möglich, doch findet die Niederschlagung auch dann noch bevorzugt auf die ausgewählten (nicht abgedeckten) Teile der Substratoberfläche statt.
BAD ORlGINAU 909883/14 86

Claims (24)

  1. - 16 Fat ent ans prüche
    tf\) Verfahren zum niederschlagen einer Substanz auf einen ausgewählten Teil der Oberfläche eines Substrates, wobei die Substanz aus einer Lösung in Gegenwart eines gegebenen Katalysators niederschlagbar ist und die Niederschlagung der Substanz in Gegenwart des Katalysators verhindert wird, wenn der Katalysator in Berührung mit einem Vergiftungsmaterial gebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf den nicht ausgewählten Teilen der Oberfläche (4) des Substrates (1) eine Abdeckschicht (2), die das Vergiftungsmaterial enthält, ^ aufgebracht wird; daß auf dieser Oberfläche eine den Katalysator enthaltende Dünnschicht ausgebildet wird, deren die Abdeckschicht bedeckenden Teile durch die Berührung der Dünnschichtteile mit dem darunterliegenden Vergiftungsmaterial der Abdeckschicht unwirksam zum Einleiten der Niederschlagung der Substanz (6) gemacht werden; und daß anschließend die abgedeckte Oberfläche des Substrates der Lösung ausgesetzt wird, so daß die genannte Substanz bevorzugt auf dem ausgewählten Teil der Oberfläche niedergeschlagen wird·
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschicht (5) eine Dicke von höchstens wenigen Moleküldurchnessern besitzt.
  3. 5, Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Vergiftungsniaterial eine funktioneile Gruppe enthält, die eine Affinität für den Katalysator besitzt, und daß die Abdeckschicht (2) so an dem Substrat (1) haftet, daß die funktionelle Gruppe an die freiliegende Oberfläche der Abdeckschicht in einer Position angrenzt, bei der sie die Vergiftung der Katalysatorschicht (5) bewirkt.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch rekennzeichnet, daß die Substanz (6) metallisch ist und stromlos niedere schlagen wird,
  5. 5. Verfahren sum I ig Ifcr::;chlar:en einer litauischen Schicht auf
    BAD ORIGINAL
    einen ausgewählten Teil der Oberfläche eines Substrates nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die wässrige Lösung Nickel und Phosphor enthaltende Ionen aufweist;, die reduzierbar sind, damit in Gegenv/art eines bestimmten Katalysators metallisches Hickei-Phosphor auf die Oberfläche niedergeschlagen wird,
  6. 6, Verfahren nach Anspruch ^, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der genannten Verfahrensschritte bei einer Temperatur von ungefähr 25° G durchgeführt wird.,
  7. 7· Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Katalysator aus der aus Palladium, Rhodium, Ruthenium, Kobalt und Wickel bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 6,, dadurch gekennzeichnet, daß der Katalysator Palladium ist»
  9. 9. Verfahren nach Anspruch >, dadurch gekennzeichnet, daß das Vergiftungsmaterial eine. Substanz enthält, deren Molekularstruktur eine schwefelhaltige Gruppierung an der freiliegenden Oberfläche der Abdeckschicht (2) besitzt.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) Glas enthält.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß das Vergiftungsmaterial Bleisulfid enthält.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Katalysator Palladium enthält.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man zum Aufbringen der Abdeckschicht (2) die Oberfläche O) des Substrates (i) mit einer lichtempfindlichen Schicht belegt, diejenigen Teile der lichtempfindlichen Schicht, welche die nicht ausgewählten Teile des Substrates bedecken, einer
    909883/1486
    BAD
    polymerisierenden Strahlung aussetzt, um die bestrahlten • Teile in einem bestimmten Lösungsmittel unlöslich zu machen, und anschließend die bestrahlte Schicht mit diesem Lösungsmittel behandelt, daß nur die unbestrahlten '!eile der lichtempfindlichen Schicht gelöst werden.
  14. 14* Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht (a) ein ungesättigtes. Polymer,; einen ersten lichtempfindlich' machenden Stoff und Schwefel enthält oder (b) ein gesättigtes Polymer» das. Wasserstoffatome enthält, die abgespalten werden können: und " dadurch reaktionsfähige Radiäikls teilen auf der Polymerkette bilden, und einen zweiten lichtempfindlich machenden Stoff sowie ein schwefelhaltiges Vernetzungsmittel auf v/eist. *
  15. 15» Verfahren nach Anspruch 14-, dadurch gekennzeichnet;, daß das Lösungsmittel Toluol enthält»
  16. 16, Verfahren nach Anspruch 14·, dadurch gekennzeichnet, daß d^s ungesättigte Polymer aus Haturgummi besteht,und daß der erste lichtempfindlich machende Stoff Benzophenon umfaßt.
  17. 17· Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das gesättigte Polymer Polyäthylen; oder Polypropylen umfaßt., daß der zweite lichtempfindlich machende Stoff Anthrachinon umfaßt, und daß das Vernetzungsmittel Biallylsulfict umfaßt.
  18. 18. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man zum Aufbringen der Abdeckschicht die Oberfläche (4) des Substrates (1) mit einer lichtempfindlichen Schicht belegt, die ein Polymer mit einem photoreduzierbaren Bindestoff (Natriumdisulfid) enthält, diejenigen Teile der lichtempfindlichen Schicht, welche die ausgewählten Teile des Substrates bedecken, einer aktinischen Strahlung aussetzt, damit der Bindestoff photoreduziert wird und die bestrahlten Teile der lichtempfindlichen Schicht in einem gegebenen Lösungsmittel
    909883/1486
    ■ ' BAD ORIGINAL
    löslich. gemacht werden und anschließend die bestrahlte Schicht .dienern Lösungcmlttel aussetzt, so daß nur die bestrahlten Teile der lichtempfindlichen Schicht gelöst werden.
  19. 19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das gegebene Lösungsmittel Toluol enthält.
  20. 20. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die licht (impf indliche Schicht anfänglich ein thiolhaltiges Vorpolymerisat und ein Oxydationsmittel enthält.
  21. 21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß
    das Vorpolymerisat aus ^is-Betachloräthylforraal und Natriumdisulf id abgeleitet wird» und daß das Oxydationsmittel Bleidioxid oder Quecksilberoxid, ist.
  22. 22. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Vergiftungsmaterial (a) ein thiolhaltiges Epoxydharz oder (b) ein thiolhaltiges Plastisol enthält.
  23. 23. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz Kupfer enthält und stromlos niedergeschlagen wird,
  24. 24. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Katalysator Palladium ur.jißt, und daß zum Ausbilden der Dünnschicht (5) die Oberfläche des Substrates (1) einer ersten wässrigen Lösung aus angesäuertem SnCl2TSI^O und anschließend einer· zweiten wässrigen Lösung aus angesäuertem PdCl2 ausgesetzt wird,
    25· Verfahren nach Anspruch 24·, dadurch gekennzeichnet, daß die Obe_fläche des Substrates jeüer üer beiden Lösungen ungefähr 1 llimrüe lan·; bei einer Temperatur von ungefähr 25° C ausgesetzt wird.
    BADORiGlNAL
    26, Verf.- hren sun L^tul^tischen niederschlagen einer metallischen Substanz aus einer wässrigen Lösung auf ein Substrats v/c>bei die liiedernchlagunf: üer Substanz durch das Vorhanden- :;&in eines bei; ti nut on Ver^iftungsrnaterials, das in Berührung r.'iit äer Lünung lcourni;, verhinderbar ist, insbesondere nach Aiii-;T-ruch 1, und wobei der Löpunr· Gine Hilfsvorrichtung ausgenetnt wird, dadurch gelvormzeichiV;!.s daß die Hilfsvorrichtung; mit ei'u-r 3tihicht aus dem Vergiftungsmaterial überzogen v/ir-dj bevor jsi-e dei? Lösung ausgesetzt wird, so daß eine i.'ieder^c-hl.-: jung der metallischen Substanz auf der HiIfsvora-johtung verJiindc-rt v/ii'd.
    SAD
    Leerseite
DE19691923079 1968-05-06 1969-05-06 Verfahren zum Niederschlagen einer Substanz auf einen ausgewaehlten Teil der Oberflaeche eines Substrates Pending DE1923079A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72692968A 1968-05-06 1968-05-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1923079A1 true DE1923079A1 (de) 1970-01-15

Family

ID=24920625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691923079 Pending DE1923079A1 (de) 1968-05-06 1969-05-06 Verfahren zum Niederschlagen einer Substanz auf einen ausgewaehlten Teil der Oberflaeche eines Substrates

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE1923079A1 (de)
FR (1) FR2007875A1 (de)
GB (1) GB1253568A (de)
NL (1) NL6906837A (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08228068A (ja) * 1995-02-22 1996-09-03 Nec Corp 無電解めっき用レジスト組成物
EP1862042B1 (de) * 2005-02-08 2013-04-10 FUJIFILM Corporation Verfahren zur bildung eines metallmusters, dadurch erhaltenes metallmuster, dieses verwendende gedruckte leiterplatte und dieses verwendende tft-leiterplatte
IT201800010168A1 (it) * 2018-11-08 2020-05-08 Montaldi S R L Inibitore di metallizzazione per attrezzature di trattamenti galvanici

Also Published As

Publication number Publication date
FR2007875A1 (de) 1970-01-16
GB1253568A (en) 1971-11-17
NL6906837A (de) 1969-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2460988C2 (de) Verfahren zum Niederschlagen eines Musters aus einem dünnen Film auf einem anorganischen Substrat
EP0002795B1 (de) Verfahren zum Erzeugen von Masken für lithographische Prozesse unter Verwendung von Photolack
DE4292563C1 (de) Verfahren zur Metallisierung von Substraten unter Verwendung einer Verarmungsreaktions-Metalloxid-Reduzierung
DE2238002C3 (de) Verfahren zur additiven Herstellung von aus Metallabscheidungen bestehenden Mustern
DE1917474B2 (de) Verfahren zum Herstellen metallischer Muster auf einer Unterlage
EP0361195B1 (de) Leiterplatte mit einem spritzgegossenen Substrat
EP0361193A2 (de) Leiterplatte mit einem spritzgegossenen Substrat
DE1809115A1 (de) Verfahren zur Herstellung von mehrere Schichten umfassenden Leitungsverbindungen fuer Halbleiteranordnungen
DE2144137A1 (de) Verfahren zum Herstellen der Löcher für die Verbindungen zwischen elektrischen, parallel übereinander liegenden Schaltungslagen einer Mehrlagen-Schaltungspackung
DE2024608C3 (de) Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines Gegenstandes
DE3433251A1 (de) Verfahren zur herstellung von galvanischen lotschichten auf anorganischen substraten
DE3019856A1 (de) Verfahren zur herstellung einer lithographie-maske
DE2809842A1 (de) Verfahren zur abscheidung von metall auf einer oberflaeche
DE2716418A1 (de) Verfahren zum aufbringen von metall auf einer oberflaeche
DE2335497B2 (de) Verfahren zum katalytischen sensibilisieren von oberflaechen von kunststoffen und loesung zur durchfuehrung des verfahrens
DE2725096A1 (de) Verfahren zum praeparieren der oberflaeche eines dielektrischen materials fuer das stromlose aufbringen von metallschichten
DE1589076A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1764758A1 (de) Verfahren zum Bilden von Anschlussleitungen an einen Koerper aus Halbleitermaterial
DE2261337A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE1923079A1 (de) Verfahren zum Niederschlagen einer Substanz auf einen ausgewaehlten Teil der Oberflaeche eines Substrates
DE2351664B2 (de) Verfahren zum elektrolytischen Ätzen einer Dünnschicht aus Gold, Platin und/oder Rhodium
DE2310736A1 (de) Verfahren zum ausbessern defekter metallmuster
DE2528666C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Maske für Röntgenstrahl-Lithographie
DE1546014A1 (de) Verfahren zum AEtzen von Metallschichten mit laengs der Schichtdicke unterschiedlicher Zusammensetzung
DE2001548A1 (de) Verfahren zum Erhoehen der Haftung von Polymeren auf Metallen