JPH08228068A - 無電解めっき用レジスト組成物 - Google Patents
無電解めっき用レジスト組成物Info
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- JPH08228068A JPH08228068A JP7032765A JP3276595A JPH08228068A JP H08228068 A JPH08228068 A JP H08228068A JP 7032765 A JP7032765 A JP 7032765A JP 3276595 A JP3276595 A JP 3276595A JP H08228068 A JPH08228068 A JP H08228068A
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
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- C08L63/10—Epoxy resins modified by unsaturated compounds
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 めっきレジスト表面への触媒吸着に基づく不
要部分へのめっき析出や表面抵抗の低下を起こすことな
く、しかも低コストで無電解めっきにより微細な配線パ
ターンを形成することができる印刷配線板の製造に好適
なレジスト組成物を提供すること。 【構成】 無電解めっきにより部分めっきする際に使用
されるレジスト組成物において、レジスト樹脂１００重
量部に対して、窒素、リンまたは硫黄元素を含有し、か
つこれらの元素が非共有電子対を有する化合物の少なく
とも一種を１〜１５重量部添加した。したがって、印刷
配線板への上記レジスト組成物の適用により部分めっき
を信頼性良く実施することができ、従来のレジスト表面
上の不要部分に吸着した触媒の除去等の工程を削減する
ことができる。
要部分へのめっき析出や表面抵抗の低下を起こすことな
く、しかも低コストで無電解めっきにより微細な配線パ
ターンを形成することができる印刷配線板の製造に好適
なレジスト組成物を提供すること。 【構成】 無電解めっきにより部分めっきする際に使用
されるレジスト組成物において、レジスト樹脂１００重
量部に対して、窒素、リンまたは硫黄元素を含有し、か
つこれらの元素が非共有電子対を有する化合物の少なく
とも一種を１〜１５重量部添加した。したがって、印刷
配線板への上記レジスト組成物の適用により部分めっき
を信頼性良く実施することができ、従来のレジスト表面
上の不要部分に吸着した触媒の除去等の工程を削減する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は無電解めっきにより部分
めっきする際に好適に使用されるレジスト組成物に関
し、特に、絶縁基板を出発材料とし無電解めっきで導体
回路を形成するアディティブ法による印刷配線板の製造
に好適なレジスト組成物に関する。
めっきする際に好適に使用されるレジスト組成物に関
し、特に、絶縁基板を出発材料とし無電解めっきで導体
回路を形成するアディティブ法による印刷配線板の製造
に好適なレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】印刷配線板の製造方法は、大きく二つに
分けることができる。一つはサブトラクティブ法であ
り、銅箔の不要部分を化学処理で選択的に取り除くこと
により導体パターンと絶縁部を作る方法である。もう一
つはアディティブ法であり、絶縁基板上に無電解めっき
等によって導電性材料を選択的に析出させて導体パター
ンを形成する方法である。
分けることができる。一つはサブトラクティブ法であ
り、銅箔の不要部分を化学処理で選択的に取り除くこと
により導体パターンと絶縁部を作る方法である。もう一
つはアディティブ法であり、絶縁基板上に無電解めっき
等によって導電性材料を選択的に析出させて導体パター
ンを形成する方法である。
【０００３】近年、電子機器の高密度実装が進み、印刷
配線板に対する微細パターン化の要求が一段と高まって
いるが、この微細パターン形成において従来から広く適
用されているサブトラクティブ法ではその対応が難し
く、アディティブ法が注目されている。その中で特にフ
ルアディティブ法は微細パターン形成と低コスト化が両
立できるプロセスとして注目されている。現在実用化さ
れているプロセスの基本としてはＣＣー４法とＡＰーII
法がある。
配線板に対する微細パターン化の要求が一段と高まって
いるが、この微細パターン形成において従来から広く適
用されているサブトラクティブ法ではその対応が難し
く、アディティブ法が注目されている。その中で特にフ
ルアディティブ法は微細パターン形成と低コスト化が両
立できるプロセスとして注目されている。現在実用化さ
れているプロセスの基本としてはＣＣー４法とＡＰーII
法がある。
【０００４】ＣＣー４法は絶縁基材に無電解めっきの触
媒核が予め含有されているので、触媒付与工程を必要と
せずプロセス的に簡単である。しかしながら、必要以上
の触媒が含有されているためコスト高となる。また、Ａ
ＰーII法は触媒が入っていない基材を用いるので材料の
選択の自由度は増えるが、触媒付与工程において触媒が
ＣＣー４法のように分散されないことと、めっきレジス
トの下に残存することのため表面抵抗が低下する。
媒核が予め含有されているので、触媒付与工程を必要と
せずプロセス的に簡単である。しかしながら、必要以上
の触媒が含有されているためコスト高となる。また、Ａ
ＰーII法は触媒が入っていない基材を用いるので材料の
選択の自由度は増えるが、触媒付与工程において触媒が
ＣＣー４法のように分散されないことと、めっきレジス
トの下に残存することのため表面抵抗が低下する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらＣＣー４法およ
びＡＰーII法の欠点を改良するために、変法としてめっ
きレジストを形成したのち基板に触媒を付与し、レジス
ト表面の余分な触媒を除去する方法（例えば特開平４ー
１１８９９２号公報）、あるいはレジストに撥水性樹脂
を使用するか、あるいは撥水処理をすることによりレジ
スト表面に触媒が吸着しないようにする方法（例えば特
開平１ー８７７８１号公報）が提案されている。しかし
ながら、触媒の吸着選択性が乏しいため、いずれも十分
なものではない。
びＡＰーII法の欠点を改良するために、変法としてめっ
きレジストを形成したのち基板に触媒を付与し、レジス
ト表面の余分な触媒を除去する方法（例えば特開平４ー
１１８９９２号公報）、あるいはレジストに撥水性樹脂
を使用するか、あるいは撥水処理をすることによりレジ
スト表面に触媒が吸着しないようにする方法（例えば特
開平１ー８７７８１号公報）が提案されている。しかし
ながら、触媒の吸着選択性が乏しいため、いずれも十分
なものではない。
【０００６】本発明は上述の点にかんがみてなされたも
ので、めっきレジスト表面への触媒吸着に基づく不要部
分へのめっき析出や表面抵抗の低下を起こすことなく、
しかも低コストで無電解めっきにより微細な配線パター
ンを形成することができる印刷配線板の製造に好適なレ
ジスト組成物を提供することを目的とする。
ので、めっきレジスト表面への触媒吸着に基づく不要部
分へのめっき析出や表面抵抗の低下を起こすことなく、
しかも低コストで無電解めっきにより微細な配線パター
ンを形成することができる印刷配線板の製造に好適なレ
ジスト組成物を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、鋭意検討した結果、無電解めっきの還元触媒の触媒
毒として作用すると考えられる窒素、リンまたは硫黄元
素を含有し、かつこれらの元素が非共有電子対を有する
化合物の少なくとも一種を所定量含有させたレジスト組
成物表面には、めっき触媒付与後無電解めっきを行って
もめっきが析出しないことがわかった。
め、鋭意検討した結果、無電解めっきの還元触媒の触媒
毒として作用すると考えられる窒素、リンまたは硫黄元
素を含有し、かつこれらの元素が非共有電子対を有する
化合物の少なくとも一種を所定量含有させたレジスト組
成物表面には、めっき触媒付与後無電解めっきを行って
もめっきが析出しないことがわかった。
【０００８】すなわち、本発明は無電解めっきにより部
分めっきする際に使用されるレジスト組成物において、
レジスト樹脂１００重量部に対して、窒素、リンまたは
硫黄元素を含有し、かつこれらの元素が非共有電子対を
有する化合物の少なくとも一種を１〜１５重量部添加し
てなることを特徴とする。また、前記化合物（窒素、リ
ンまたは硫黄元素を含有し、かつこれらの元素が非共有
電子対を有する化合物）が水に難溶性であること、また
は前記化合物の融点が１００℃以上であることを特徴と
する。また、本発明は無電解めっきにより部分めっきす
る際に使用されるレジスト組成物において、レジスト樹
脂骨格中に窒素、リンまたは硫黄元素の少なくとも一種
を非共有電子対を有するように化学結合した状態で３〜
３０重量％含有することを特徴とする。
分めっきする際に使用されるレジスト組成物において、
レジスト樹脂１００重量部に対して、窒素、リンまたは
硫黄元素を含有し、かつこれらの元素が非共有電子対を
有する化合物の少なくとも一種を１〜１５重量部添加し
てなることを特徴とする。また、前記化合物（窒素、リ
ンまたは硫黄元素を含有し、かつこれらの元素が非共有
電子対を有する化合物）が水に難溶性であること、また
は前記化合物の融点が１００℃以上であることを特徴と
する。また、本発明は無電解めっきにより部分めっきす
る際に使用されるレジスト組成物において、レジスト樹
脂骨格中に窒素、リンまたは硫黄元素の少なくとも一種
を非共有電子対を有するように化学結合した状態で３〜
３０重量％含有することを特徴とする。
【０００９】本発明で無電解めっきの還元触媒の触媒毒
として作用すると考えられる化合物としては、窒素、リ
ンまたは硫黄元素を含有し、かつこれらの元素が非共有
電子対を有する化合物が挙げられる。一般に触媒毒作用
を示す物質として、周期率表VｂおよびVIｂに属する非
金属の化合物が挙げられるが、これらのうち安全性等の
実用性、汎用性を考え有用なものとして、上記元素の化
合物が選択される。これらの化合物すべてが触媒毒作用
を有するのではなく、実際に触媒に対して毒性となるも
のは、いずれも非共有電子対があるのに対し、共有電子
八隅子を有する構造を有する多くのものは非毒性とな
る。
として作用すると考えられる化合物としては、窒素、リ
ンまたは硫黄元素を含有し、かつこれらの元素が非共有
電子対を有する化合物が挙げられる。一般に触媒毒作用
を示す物質として、周期率表VｂおよびVIｂに属する非
金属の化合物が挙げられるが、これらのうち安全性等の
実用性、汎用性を考え有用なものとして、上記元素の化
合物が選択される。これらの化合物すべてが触媒毒作用
を有するのではなく、実際に触媒に対して毒性となるも
のは、いずれも非共有電子対があるのに対し、共有電子
八隅子を有する構造を有する多くのものは非毒性とな
る。
【００１０】これらの化合物は、水に対して難溶性、好
ましくは不溶性であることが必要である。無電解めっき
はめっき工程はもちろんのこと、前処理工程も種々の水
溶液系で実施される。
ましくは不溶性であることが必要である。無電解めっき
はめっき工程はもちろんのこと、前処理工程も種々の水
溶液系で実施される。
【００１１】したがって、これらの化合物が水溶性であ
ると、前処理液あるいはめっき液中に溶出して汚染する
のみならず、めっきにおける還元反応の停止、反応速度
の低下あるいはめっき膜物性の低下等が起こる場合があ
り、好ましくない。
ると、前処理液あるいはめっき液中に溶出して汚染する
のみならず、めっきにおける還元反応の停止、反応速度
の低下あるいはめっき膜物性の低下等が起こる場合があ
り、好ましくない。
【００１２】また、これらの化合物には、ある程度の耐
熱性が必要である。めっき工程およびその前後の工程に
おいて加熱処理されることにより、これらの化合物がレ
ジスト層から必要以上にブルームすると、触媒毒作用が
減じるのみならず、液や基板表面を汚染させるため好ま
しくない。したがって、これらの化合物は融点が１００
℃以上であることが必要であり、好ましくは１４０℃以
上である。
熱性が必要である。めっき工程およびその前後の工程に
おいて加熱処理されることにより、これらの化合物がレ
ジスト層から必要以上にブルームすると、触媒毒作用が
減じるのみならず、液や基板表面を汚染させるため好ま
しくない。したがって、これらの化合物は融点が１００
℃以上であることが必要であり、好ましくは１４０℃以
上である。
【００１３】以上のことを考慮すると、上記化合物のう
ち硫黄化合物が、また不対電子が多いためか特に２価の
硫黄含有化合物が好ましい。具体的には、Ｎ、Ｎ´ージ
フェニルチオ尿素、２ーメルカプトベンゾチアゾール、
ジベンゾチアジルジスルフィド、テトラメチルチウラム
モノスルフィド等が挙げられる。
ち硫黄化合物が、また不対電子が多いためか特に２価の
硫黄含有化合物が好ましい。具体的には、Ｎ、Ｎ´ージ
フェニルチオ尿素、２ーメルカプトベンゾチアゾール、
ジベンゾチアジルジスルフィド、テトラメチルチウラム
モノスルフィド等が挙げられる。
【００１４】本発明におけるこれらの化合物の添加量
は、レジスト樹脂１００重量部に対して１〜１５重量部
であり、好ましくは２〜８重量部である。添加量が１重
量部より少ないと、レジスト層表面に無電解めっきが析
出してしまい、また、添加量が１５重量部を越えると、
レジスト層表面へのブルーム等に影響を及ぼし、さらに
コスト高となり好ましくない。
は、レジスト樹脂１００重量部に対して１〜１５重量部
であり、好ましくは２〜８重量部である。添加量が１重
量部より少ないと、レジスト層表面に無電解めっきが析
出してしまい、また、添加量が１５重量部を越えると、
レジスト層表面へのブルーム等に影響を及ぼし、さらに
コスト高となり好ましくない。
【００１５】レジスト樹脂骨格内に上記元素を非共有電
子対を有する状態で化学結合させて導入する方法は、特
に限定されない。例えば、両端にメルカプト基を有する
ポリスルフィド樹脂等をレジスト樹脂の硬化剤として、
所定量添加する方法やビニルメルカプタン、エチルビニ
ルスルフィド、α−ビニルチオフェン等の２価の硫黄を
含む化合物を所定量エポキシアクリレートと共重合させ
る方法等がある。
子対を有する状態で化学結合させて導入する方法は、特
に限定されない。例えば、両端にメルカプト基を有する
ポリスルフィド樹脂等をレジスト樹脂の硬化剤として、
所定量添加する方法やビニルメルカプタン、エチルビニ
ルスルフィド、α−ビニルチオフェン等の２価の硫黄を
含む化合物を所定量エポキシアクリレートと共重合させ
る方法等がある。
【００１６】本発明で用いられるレジスト樹脂として
は、アディティブ法用として使用されているレジストイ
ンキ、液状レジスト等上記化合物を均一に混合させるこ
とができるものであれば、熱硬化型、光硬化型、感光
性、非感光性を問わずいずれも使用できる。具体的に
は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレ
ート等が挙げられる。ただし、感光性のものを使用する
ときは、上記化合物添加により感光性が阻害されない程
度に添加量を抑える必要がある。また、触媒の吸着を抑
制するために、撥水性樹脂を必要に応じて添加、使用す
ることもできる。これらの化合物のレジスト中への均一
混合方法は特に限定されないが、レジストおよび所定の
化合物のいずれも溶解する有機溶剤に溶解、混合、撹拌
し、必要に応じて脱泡、粘度調整等をすればよい。
は、アディティブ法用として使用されているレジストイ
ンキ、液状レジスト等上記化合物を均一に混合させるこ
とができるものであれば、熱硬化型、光硬化型、感光
性、非感光性を問わずいずれも使用できる。具体的に
は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレ
ート等が挙げられる。ただし、感光性のものを使用する
ときは、上記化合物添加により感光性が阻害されない程
度に添加量を抑える必要がある。また、触媒の吸着を抑
制するために、撥水性樹脂を必要に応じて添加、使用す
ることもできる。これらの化合物のレジスト中への均一
混合方法は特に限定されないが、レジストおよび所定の
化合物のいずれも溶解する有機溶剤に溶解、混合、撹拌
し、必要に応じて脱泡、粘度調整等をすればよい。
【００１７】以上説明したように上記化合物を所定量含
有させることにより本発明の目的を達成することができ
るが、別の方法としてレジスト樹脂骨格内に上記元素を
非共有電子対を有する状態で化学結合させて導入するこ
ともできる。この場合、化合物の水に対する不溶性およ
び耐熱性を考慮する必要はないが、前述の化合物を添加
する場合に比べて元素量としてやや多めに、レジスト樹
脂全体の３〜３０重量％、好ましくは１０〜２０重量％
含有させる必要があるが、原因は明らかでない。３０重
量％以上含有させると、樹脂が軟化し、好ましくない。
有させることにより本発明の目的を達成することができ
るが、別の方法としてレジスト樹脂骨格内に上記元素を
非共有電子対を有する状態で化学結合させて導入するこ
ともできる。この場合、化合物の水に対する不溶性およ
び耐熱性を考慮する必要はないが、前述の化合物を添加
する場合に比べて元素量としてやや多めに、レジスト樹
脂全体の３〜３０重量％、好ましくは１０〜２０重量％
含有させる必要があるが、原因は明らかでない。３０重
量％以上含有させると、樹脂が軟化し、好ましくない。
【００１８】なお、レジスト組成物中には、必要に応じ
て通常のレジストインキに含有される充填材、着色剤等
を添加してもよい。また、これらの組成物は通常のレジ
ストインキ等と同様に使用してもよいし、ドライフイル
ム化したものを使用してもよい。
て通常のレジストインキに含有される充填材、着色剤等
を添加してもよい。また、これらの組成物は通常のレジ
ストインキ等と同様に使用してもよいし、ドライフイル
ム化したものを使用してもよい。
【００１９】
【作用】上述したように、無電解めっきの還元触媒の触
媒毒として作用すると考えられる特定の化合物をレジス
ト組成物中に含有させることにより、無電解めっき工程
におけるレジスト層表面へのめっき析出を抑制すること
ができる。したがって、印刷配線板への上記レジスト組
成物を用いた部分めっきを信頼性良く実施することがで
きる。
媒毒として作用すると考えられる特定の化合物をレジス
ト組成物中に含有させることにより、無電解めっき工程
におけるレジスト層表面へのめっき析出を抑制すること
ができる。したがって、印刷配線板への上記レジスト組
成物を用いた部分めっきを信頼性良く実施することがで
きる。
【００２０】
【実施例】本発明の無電解めっき用レジスト組成物の実
施例を説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定
されるものでない。 （実施例１）太陽インキ製造社製レジストインキＳ−２
２を１００重量部とＮ、Ｎ´ージフェニルチオ尿素４重
量部を少量のセロソルブ系溶媒に溶解、均一混合し、過
剰の溶媒を減圧除去した。これを住友ベークライト社製
両面接着剤付きガラス布エポキシ基板EL-8762AD 両面に
スクリーン印刷した後、１４０℃で３０分間該インキを
熱硬化させた。この基板を酸洗浄、中和処理した後、無
電解めっき用触媒付与・活性化、促進化工程をジャパン
エナジー社製のサーキットプレップ３０００および４０
００シリーズにて行い、さらに無電解銅めっきをジャパ
ンエナジー社製ＫＣ−５００にて３０分間実施した。
施例を説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定
されるものでない。 （実施例１）太陽インキ製造社製レジストインキＳ−２
２を１００重量部とＮ、Ｎ´ージフェニルチオ尿素４重
量部を少量のセロソルブ系溶媒に溶解、均一混合し、過
剰の溶媒を減圧除去した。これを住友ベークライト社製
両面接着剤付きガラス布エポキシ基板EL-8762AD 両面に
スクリーン印刷した後、１４０℃で３０分間該インキを
熱硬化させた。この基板を酸洗浄、中和処理した後、無
電解めっき用触媒付与・活性化、促進化工程をジャパン
エナジー社製のサーキットプレップ３０００および４０
００シリーズにて行い、さらに無電解銅めっきをジャパ
ンエナジー社製ＫＣ−５００にて３０分間実施した。
【００２１】該基板表面のレジスト層表面には、無電解
銅の析出は全く認められず、部分めっきパターンが高精
度に形成された。 （実施例２）東京応化工業社製エポキシアクリレート系
感光性接着剤（セロソルブ系溶媒）１００重量部とテト
ラメチルチウラムモノスルフィド４重量部を均一溶解混
合したものを、住友ベークライト社製両面接着剤付きガ
ラス布エポキシ基板EL-8762AD 片面にスピンコーティン
グし、９０℃で５分間プリベークした。これに、ガラス
マスクを用いて１５０ｍｊ／ｃｍ2 露光を行い、所定の
有機アルカリ現像液にて現像後、９０℃雰囲気下で２ｊ
／ｃｍ2 の露光により硬化させ、さらに１４０℃で３０
分間熱処理をおこなった。この基板を実施例１同様に酸
洗浄、中和、触媒付与・活性化、促進化および無電解銅
めっきを実施した。
銅の析出は全く認められず、部分めっきパターンが高精
度に形成された。 （実施例２）東京応化工業社製エポキシアクリレート系
感光性接着剤（セロソルブ系溶媒）１００重量部とテト
ラメチルチウラムモノスルフィド４重量部を均一溶解混
合したものを、住友ベークライト社製両面接着剤付きガ
ラス布エポキシ基板EL-8762AD 片面にスピンコーティン
グし、９０℃で５分間プリベークした。これに、ガラス
マスクを用いて１５０ｍｊ／ｃｍ2 露光を行い、所定の
有機アルカリ現像液にて現像後、９０℃雰囲気下で２ｊ
／ｃｍ2 の露光により硬化させ、さらに１４０℃で３０
分間熱処理をおこなった。この基板を実施例１同様に酸
洗浄、中和、触媒付与・活性化、促進化および無電解銅
めっきを実施した。
【００２２】該基板表面のレジスト層表面には、実施例
１同様無電解銅の析出は全く認められず、部分めっきパ
ターンが高精度に形成された。 （比較例１）実施例１におけるＮ、Ｎ´ージフェニルチ
オ尿素の代わりに、ジフェニルスルホンを使用する以外
は全く同様の操作を行い、無電解銅めっきを実施した。
１同様無電解銅の析出は全く認められず、部分めっきパ
ターンが高精度に形成された。 （比較例１）実施例１におけるＮ、Ｎ´ージフェニルチ
オ尿素の代わりに、ジフェニルスルホンを使用する以外
は全く同様の操作を行い、無電解銅めっきを実施した。
【００２３】該基板のレジスト層表面には、無電解銅め
っきの析出が認められ、良好な部分めっきは得られなか
った。 （比較例２）実施例１におけるＮ、Ｎ´ージフェニルチ
オ尿素の代わりに、Ｎ、Ｎ´ージエチルチオ尿素を使用
して、レジスト層を形成し、該層を熱硬化させた。この
際前記化合物のレジスト層表面へのブルームが認めら
れ、その後の処理工程でこの化合物が処理液中に溶解し
た。また、レジスト表面に無電解銅めっきの析出が認め
られた。 （比較例３）実施例２において、テトラメチルチウラム
モノスルフィド４重量部の代わりに、０．５重量部を使
用する以外は全く同様の操作を行い無電解銅めっきを実
施した。 該基板のレジスト層表面に、無電解銅めっき
の析出が認められた。 （実施例３）ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル
型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製エピコート８
２８）を８５重量部、硬化剤としてポリサルファイド樹
脂を１５重量部、トリス（ジメチルアミノメチルフェノ
ール）を１０重量部均一混合し、これを住友ベークライ
ト社製両面接着剤付きガラス布エポキシ基板EL-8762AD
両面にスクリーン印刷した後、室温で４日間硬化させ
た。この基板を実施例１同様に酸洗浄、中和、触媒付与
・活性化、促進化および無電解銅めっきを実施した。
っきの析出が認められ、良好な部分めっきは得られなか
った。 （比較例２）実施例１におけるＮ、Ｎ´ージフェニルチ
オ尿素の代わりに、Ｎ、Ｎ´ージエチルチオ尿素を使用
して、レジスト層を形成し、該層を熱硬化させた。この
際前記化合物のレジスト層表面へのブルームが認めら
れ、その後の処理工程でこの化合物が処理液中に溶解し
た。また、レジスト表面に無電解銅めっきの析出が認め
られた。 （比較例３）実施例２において、テトラメチルチウラム
モノスルフィド４重量部の代わりに、０．５重量部を使
用する以外は全く同様の操作を行い無電解銅めっきを実
施した。 該基板のレジスト層表面に、無電解銅めっき
の析出が認められた。 （実施例３）ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル
型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製エピコート８
２８）を８５重量部、硬化剤としてポリサルファイド樹
脂を１５重量部、トリス（ジメチルアミノメチルフェノ
ール）を１０重量部均一混合し、これを住友ベークライ
ト社製両面接着剤付きガラス布エポキシ基板EL-8762AD
両面にスクリーン印刷した後、室温で４日間硬化させ
た。この基板を実施例１同様に酸洗浄、中和、触媒付与
・活性化、促進化および無電解銅めっきを実施した。
【００２４】該基板表面のレジスト表面には、実施例１
同様無電解銅の析出は全く認められず、部分めっきパタ
ーンが高精度に形成された。 （比較例４）エポキシアクリレートにおけるアクリル成
分の３モル％に相当するα−ビニルチオフェンを含有さ
せた均一混合物を、住友ベークライト社製両面接着剤付
きガラス布エポキシ基板EL-8762AD 両面にスクリーン印
刷した後、光および熱により硬化させた。この基板を実
施例１同様に酸洗浄、中和、触媒付与・活性化、促進化
および無電解銅めっきを実施した。
同様無電解銅の析出は全く認められず、部分めっきパタ
ーンが高精度に形成された。 （比較例４）エポキシアクリレートにおけるアクリル成
分の３モル％に相当するα−ビニルチオフェンを含有さ
せた均一混合物を、住友ベークライト社製両面接着剤付
きガラス布エポキシ基板EL-8762AD 両面にスクリーン印
刷した後、光および熱により硬化させた。この基板を実
施例１同様に酸洗浄、中和、触媒付与・活性化、促進化
および無電解銅めっきを実施した。
【００２５】該基板表面のレジスト表面には、部分的に
無電解銅の析出が認められ、良好な部分めっきは形成で
きなかった。
無電解銅の析出が認められ、良好な部分めっきは形成で
きなかった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、無電解めっきの還
元触媒の触媒毒として作用すると考えられる特定の化合
物をレジスト組成物中に所定量含有させることにより、
無電解めっき工程におけるレジスト層表面へのめっき析
出を抑制することができる。したがって、印刷配線板へ
の上記レジスト組成物を用いた部分めっきを、信頼性良
く実施することができ、従来の不要部分に吸着した触媒
の除去等の工程を削減することができる。かくして、め
っきレジスト表面への触媒吸着に基づく不要部分へのめ
っき析出や表面抵抗の低下がなく、低コストで無電解め
っきにより微細な配線パターンを形成することができる
印刷配線板の製造に好適なレジスト組成物を得ることが
できる。
元触媒の触媒毒として作用すると考えられる特定の化合
物をレジスト組成物中に所定量含有させることにより、
無電解めっき工程におけるレジスト層表面へのめっき析
出を抑制することができる。したがって、印刷配線板へ
の上記レジスト組成物を用いた部分めっきを、信頼性良
く実施することができ、従来の不要部分に吸着した触媒
の除去等の工程を削減することができる。かくして、め
っきレジスト表面への触媒吸着に基づく不要部分へのめ
っき析出や表面抵抗の低下がなく、低コストで無電解め
っきにより微細な配線パターンを形成することができる
印刷配線板の製造に好適なレジスト組成物を得ることが
できる。
Claims (4)
- 【請求項１】 無電解めっきにより部分めっきする際に
使用されるレジスト組成物において、レジスト樹脂１０
０重量部に対して、窒素、リンまたは硫黄元素を含有
し、かつこれらの元素が非共有電子対を有する化合物の
少なくとも一種を１〜１５重量部添加してなることを特
徴とするレジスト組成物。 - 【請求項２】 前記化合物が水に難溶性であることを特
徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。 - 【請求項３】 前記化合物の融点が１００℃以上である
ことを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。 - 【請求項４】 無電解めっきにより部分めっきする際に
使用されるレジスト組成物において、レジスト樹脂骨格
中に窒素、リンまたは硫黄元素の少なくとも一種を非共
有電子対を有するように化学結合した状態で３〜３０重
量％含有することを特徴とするレジスト組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032765A JPH08228068A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 無電解めっき用レジスト組成物 |
| KR1019960004218A KR960033179A (ko) | 1955-02-22 | 1996-02-22 | 무전해 도금용 레지스트 조성물 |
| DE19606636A DE19606636A1 (de) | 1995-02-22 | 1996-02-22 | Für stromloses Plattieren geeignete Resist-Zusammensetzung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032765A JPH08228068A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 無電解めっき用レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08228068A true JPH08228068A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=12367946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7032765A Pending JPH08228068A (ja) | 1955-02-22 | 1995-02-22 | 無電解めっき用レジスト組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08228068A (ja) |
| KR (1) | KR960033179A (ja) |
| DE (1) | DE19606636A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9297077B2 (en) | 2010-02-11 | 2016-03-29 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
| JPWO2015163053A1 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-04-13 | 太陽インキ製造株式会社 | 永久絶縁膜用樹脂組成物、永久絶縁膜、多層プリント配線板およびその製造方法 |
| US9761458B2 (en) | 2010-02-26 | 2017-09-12 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Apparatus and method for reactive ion etching |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090239079A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Mark Wojtaszek | Process for Preventing Plating on a Portion of a Molded Plastic Part |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4875426A (ja) * | 1972-01-14 | 1973-10-11 | ||
| JPS4967839A (ja) * | 1972-11-02 | 1974-07-01 | ||
| JPS5190475A (ja) * | 1975-02-07 | 1976-08-07 | ||
| JPS52138671A (en) * | 1976-05-17 | 1977-11-18 | Hitachi Ltd | Method of producing printed circuit substrate |
| JPS57162391A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Toshiba Chem Prod | Copper-lined insulating board |
| JPH03173493A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Nippon Soda Co Ltd | めっきレジスト剥離防止剤 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2007875A1 (ja) * | 1968-05-06 | 1970-01-16 | Rca Corp | |
| JPS50112231A (ja) * | 1974-02-15 | 1975-09-03 | ||
| DE3379816D1 (en) * | 1982-06-18 | 1989-06-08 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Process for the stable deposition of metallic layers on a plastic foil, and their utilization in self-healing capacitors |
| JPS6487781A (en) * | 1987-09-30 | 1989-03-31 | Canon Kk | Partial plating method |
| JPH04118992A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP7032765A patent/JPH08228068A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-22 KR KR1019960004218A patent/KR960033179A/ko active IP Right Grant
- 1996-02-22 DE DE19606636A patent/DE19606636A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4875426A (ja) * | 1972-01-14 | 1973-10-11 | ||
| JPS4967839A (ja) * | 1972-11-02 | 1974-07-01 | ||
| JPS5190475A (ja) * | 1975-02-07 | 1976-08-07 | ||
| JPS52138671A (en) * | 1976-05-17 | 1977-11-18 | Hitachi Ltd | Method of producing printed circuit substrate |
| JPS57162391A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Toshiba Chem Prod | Copper-lined insulating board |
| JPH03173493A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Nippon Soda Co Ltd | めっきレジスト剥離防止剤 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9297077B2 (en) | 2010-02-11 | 2016-03-29 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
| US9803280B2 (en) | 2010-02-11 | 2017-10-31 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
| US10676822B2 (en) | 2010-02-11 | 2020-06-09 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
| US9761458B2 (en) | 2010-02-26 | 2017-09-12 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Apparatus and method for reactive ion etching |
| JPWO2015163053A1 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-04-13 | 太陽インキ製造株式会社 | 永久絶縁膜用樹脂組成物、永久絶縁膜、多層プリント配線板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960033179A (ko) | 1996-09-17 |
| DE19606636A1 (de) | 1996-08-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970508 |