JPH03173493A - めっきレジスト剥離防止剤 - Google Patents
めっきレジスト剥離防止剤Info
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- JPH03173493A JPH03173493A JP31261489A JP31261489A JPH03173493A JP H03173493 A JPH03173493 A JP H03173493A JP 31261489 A JP31261489 A JP 31261489A JP 31261489 A JP31261489 A JP 31261489A JP H03173493 A JPH03173493 A JP H03173493A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、めっきレジスト剥離防止剤に係り、さらに詳
しくは分子内に2−チオ−ベンゾチアゾール基と、少な
くとも1個の不飽和基および/またはエポキシ基とを有
する化合物を有効成分とするめっきレジスト剥離防止剤
に関する。
しくは分子内に2−チオ−ベンゾチアゾール基と、少な
くとも1個の不飽和基および/またはエポキシ基とを有
する化合物を有効成分とするめっきレジスト剥離防止剤
に関する。
本発明のめっきレジスト剥離防止剤は、金属基材の特定
部分のみに金属めっきを行う場合に、非めっき部分に形
成されるめっきレジスト膜の金属基材からの剥離を防止
することを目的として、めっきレジスト剤に予め添加し
て使用するこができ、金属基材に部分的に金属めっきを
施工するプリント配線板等の製造等において好適に用い
られる。
部分のみに金属めっきを行う場合に、非めっき部分に形
成されるめっきレジスト膜の金属基材からの剥離を防止
することを目的として、めっきレジスト剤に予め添加し
て使用するこができ、金属基材に部分的に金属めっきを
施工するプリント配線板等の製造等において好適に用い
られる。
金属基材に部分的に金属めっきを施工して製造するもの
として回路板などが挙げられ、その代表的なものにプリ
ント配線板がある。このプリント配線板の製造方法とし
て種々の方法が採用されており、例えば、パートリ−ア
ディティブ法では、銅張り積層板をエツチングして平面
回路を形成した後、非めっき部分にレジスト膜を形成し
、スルーホール部と金属の露出部に無電解銅めっきを施
して導体を形成している。また、プリント配線板で銅の
配線が露出する端子部には、金やニッケルなどの金属め
っきが施される場合が多い。
として回路板などが挙げられ、その代表的なものにプリ
ント配線板がある。このプリント配線板の製造方法とし
て種々の方法が採用されており、例えば、パートリ−ア
ディティブ法では、銅張り積層板をエツチングして平面
回路を形成した後、非めっき部分にレジスト膜を形成し
、スルーホール部と金属の露出部に無電解銅めっきを施
して導体を形成している。また、プリント配線板で銅の
配線が露出する端子部には、金やニッケルなどの金属め
っきが施される場合が多い。
これらの金属めっきにおいて、非めっき部分(めっきを
析出させる以外の部分)を被覆しているものがめつきレ
ジスト膜であり、その形成に一般にエポキシ樹脂系を主
成分とするレジスト剤が多用されている。金属めっきを
施す際に、このめっきレジスト膜が金属を被覆している
境界部分でめっきレジスト膜の剥離が生じ易いため、こ
れを抑制することを目的としてエポキシ樹脂系めっきレ
ジスト剤に特定の硬化剤(特開昭63−218776号
、特開昭63−089521号等参照)を使用するか、
もしくはめっき抑制剤(特公平1−25790号等参照
)などを用いることが提案されている。
析出させる以外の部分)を被覆しているものがめつきレ
ジスト膜であり、その形成に一般にエポキシ樹脂系を主
成分とするレジスト剤が多用されている。金属めっきを
施す際に、このめっきレジスト膜が金属を被覆している
境界部分でめっきレジスト膜の剥離が生じ易いため、こ
れを抑制することを目的としてエポキシ樹脂系めっきレ
ジスト剤に特定の硬化剤(特開昭63−218776号
、特開昭63−089521号等参照)を使用するか、
もしくはめっき抑制剤(特公平1−25790号等参照
)などを用いることが提案されている。
また、一般に用いられている従来のめっきレジスト剥離
防止剤は、めっき液の汚染性の点で問題が残されている
。
防止剤は、めっき液の汚染性の点で問題が残されている
。
従来のめっきレジスト剥離防止剤は、前述の如くめっき
レジスト剤としてエポキシ樹脂系を使用し、エポキシ樹
脂の硬化剤としての役割をも兼ねている場合が殆どであ
る。したがって、前記硬化剤系のものでは、アクリル樹
脂系めっきレジスト剤に適用することができず、汎用性
に欠けている。
レジスト剤としてエポキシ樹脂系を使用し、エポキシ樹
脂の硬化剤としての役割をも兼ねている場合が殆どであ
る。したがって、前記硬化剤系のものでは、アクリル樹
脂系めっきレジスト剤に適用することができず、汎用性
に欠けている。
また、各種めっきレジスト剤との相溶性が充分でなく、
さらにめっきレジスト膜の剥離防止効果を高めるために
多量の添加を必要とすることなどから、めっき液を汚染
することにより、めつき析出を阻害し、析出めっきの物
性低下の原因となっている。
さらにめっきレジスト膜の剥離防止効果を高めるために
多量の添加を必要とすることなどから、めっき液を汚染
することにより、めつき析出を阻害し、析出めっきの物
性低下の原因となっている。
本発明は、エポキシ樹脂系およびアクリル樹脂系のめっ
きレジスト剤との相溶性が良好であり、めっきレジスト
膜の剥離防止性に侵れ、実質的にめっき液汚染性がなく
、さらに析出めっきの物性の優れためっきレジスト剥離
防止剤を提供することを目的とする。
きレジスト剤との相溶性が良好であり、めっきレジスト
膜の剥離防止性に侵れ、実質的にめっき液汚染性がなく
、さらに析出めっきの物性の優れためっきレジスト剥離
防止剤を提供することを目的とする。
本発明者等は、前記目的を達成すべく鋭意研究した結果
、特定の置換基を有する2−チオ−ベンゾチアゾール誘
導体が各種のレジスト剤との相溶性に優れ、かつ極めて
優れためっきレジスト膜の剥離防止効果およびめっき液
卵汚染性効果を示すことを見出し、本発明を完成した。
、特定の置換基を有する2−チオ−ベンゾチアゾール誘
導体が各種のレジスト剤との相溶性に優れ、かつ極めて
優れためっきレジスト膜の剥離防止効果およびめっき液
卵汚染性効果を示すことを見出し、本発明を完成した。
本発明は、分子内に、2−チオ−ベンゾチアゾール基と
、少なくとも1個の不飽和基および/またはエポキシ基
とを有する化合物を主成分とすることを特徴とするめっ
きレジスト剥離防止剤である。
、少なくとも1個の不飽和基および/またはエポキシ基
とを有する化合物を主成分とすることを特徴とするめっ
きレジスト剥離防止剤である。
本発明において、めっきレジスト剥離防止剤の主成分で
ある化合物は、下記一般式(1)(ここに、Rは、少な
くとも1個の不飽和基および/またはエポキシ基を有す
る1価の有機基を表す。)で表される2−チオ−ベンゾ
チアゾール誘導体および/または下記一般式(2) (ここに、R”は水素原子またはメチル基を、R″″は
水素原子またはメチル基を表し、β9mおよびnは正数
(ただしlまたはmの何れか一方は0であってもよい)
である。)で表される化合物である。
ある化合物は、下記一般式(1)(ここに、Rは、少な
くとも1個の不飽和基および/またはエポキシ基を有す
る1価の有機基を表す。)で表される2−チオ−ベンゾ
チアゾール誘導体および/または下記一般式(2) (ここに、R”は水素原子またはメチル基を、R″″は
水素原子またはメチル基を表し、β9mおよびnは正数
(ただしlまたはmの何れか一方は0であってもよい)
である。)で表される化合物である。
本発明において、前記一般式(1)または一般式(2)
で表される化合物の代表的な合成法として、下記の方法
が挙げられる。
で表される化合物の代表的な合成法として、下記の方法
が挙げられる。
(a) 不飽和結合を有するエポキシ化合物と2−メ
ルカプトベンゾチアゾールとの反応 (b) 多官能性エポキシ樹脂と2−メルカプトベン
ゾチアゾールとを、所定のエポキシ基を残存させる比率
での反応 (C) 多官能性エポキシ樹脂、分子内に不飽和結合
ならびに反応性基(ただしエポキシ基と反応性の)を有
する化合物および2−メルカプトベンゾチアゾールとの
反応 (ω エポキシ化合物または多官能性エポキシ樹脂と2
−メルカプトベンゾチアゾールとの反応生成物と、不飽
和結合を有するイソシアネート化合物との反応 (a)の反応において、不飽和結合を有するエポキシ化
合物として、例えばグリシジル(メタ)アクリレート、
アリルグリシジルエーテル、シクロヘキセンビニルモノ
オキシド等が挙げられる。
ルカプトベンゾチアゾールとの反応 (b) 多官能性エポキシ樹脂と2−メルカプトベン
ゾチアゾールとを、所定のエポキシ基を残存させる比率
での反応 (C) 多官能性エポキシ樹脂、分子内に不飽和結合
ならびに反応性基(ただしエポキシ基と反応性の)を有
する化合物および2−メルカプトベンゾチアゾールとの
反応 (ω エポキシ化合物または多官能性エポキシ樹脂と2
−メルカプトベンゾチアゾールとの反応生成物と、不飽
和結合を有するイソシアネート化合物との反応 (a)の反応において、不飽和結合を有するエポキシ化
合物として、例えばグリシジル(メタ)アクリレート、
アリルグリシジルエーテル、シクロヘキセンビニルモノ
オキシド等が挙げられる。
(b)、(C)および(山の反応において、多官能性エ
ポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノール型エポキシ
樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂
、ハロゲン化エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、グリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、エポ
キシ化ポリブタジェンなどの一般的なエポキシ樹脂が挙
げられ、中でも芳香族エポキシ化合物系が好ましく使用
される。
ポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノール型エポキシ
樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂
、ハロゲン化エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、グリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、エポ
キシ化ポリブタジェンなどの一般的なエポキシ樹脂が挙
げられ、中でも芳香族エポキシ化合物系が好ましく使用
される。
また、(C)の反応において、分子内に不飽和結合なら
びに反応性基(ただしエポキシ基と反応性の)を有する
化合物として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マ
レイン酸、フマール酸、イタコン酸、(メタ)アクリル
アミド等の分子内に不飽和結合を有するカルボン酸類等
が挙げられる。
びに反応性基(ただしエポキシ基と反応性の)を有する
化合物として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マ
レイン酸、フマール酸、イタコン酸、(メタ)アクリル
アミド等の分子内に不飽和結合を有するカルボン酸類等
が挙げられる。
(d)の反応において、エポキシ化合物として、例えば
、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、イソブチレ
ンオキシド、ブチルグリシジルエーテル、スチレンオキ
シド、フェニルグリシジルエーテル等のモノエポキシ化
合物などが用いられる。
、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、イソブチレ
ンオキシド、ブチルグリシジルエーテル、スチレンオキ
シド、フェニルグリシジルエーテル等のモノエポキシ化
合物などが用いられる。
また不飽和結合を有するイソシアネート化合物として、
ビニルイソシアネート、ビニルフェニルイソシアネート
、およびトリレンジイソシアネート、4.4”ジイソシ
アネートジフェニルメタン、ヘキサメチレンジイソシア
ネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイ
ソシアネート等のポリイソシアネート化合物を、2−ヒ
ドロキシルエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキ
シルプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシル
ブチル(メタ)アクリレート、アリルアルコール、ケイ
皮アルコール、ビニルフェノール等の不飽和結合と水酸
基とを有する化合物を用いて部分プロ7りさせて得られ
る化合物等が用いられる。
ビニルイソシアネート、ビニルフェニルイソシアネート
、およびトリレンジイソシアネート、4.4”ジイソシ
アネートジフェニルメタン、ヘキサメチレンジイソシア
ネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイ
ソシアネート等のポリイソシアネート化合物を、2−ヒ
ドロキシルエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキ
シルプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシル
ブチル(メタ)アクリレート、アリルアルコール、ケイ
皮アルコール、ビニルフェノール等の不飽和結合と水酸
基とを有する化合物を用いて部分プロ7りさせて得られ
る化合物等が用いられる。
11
前記反応は、触媒および溶媒の存在下または非存在下に
60〜140℃において、それぞれの原料化合物を反応
させる通常の方法で容易に行うことができる。
60〜140℃において、それぞれの原料化合物を反応
させる通常の方法で容易に行うことができる。
これらの反応によって得られる代表的化合物として、例
えば下記一般式(3)〜(9)に示す化合物が挙げられ
る。
えば下記一般式(3)〜(9)に示す化合物が挙げられ
る。
Xは2官能性イソシアネート残基を表し、β9mnは正
数である) 本発明のめっきレジスト剥離防止剤の主成分である化合
物の合成方法として、前記例示した反応は代表的な方法
であり、分子内に2−チオ−ベンゾチアゾール基と少な
くとも1個の不飽和基および/またはエポキシ基とを有
する化合物が得られる方法であれば、何らこれらに制限
されるものではない。
数である) 本発明のめっきレジスト剥離防止剤の主成分である化合
物の合成方法として、前記例示した反応は代表的な方法
であり、分子内に2−チオ−ベンゾチアゾール基と少な
くとも1個の不飽和基および/またはエポキシ基とを有
する化合物が得られる方法であれば、何らこれらに制限
されるものではない。
°(9)
(但し、式中、R1は水素原子またはメチル基、R2は
2価の有機基、R3は水素原子またはメチル基、本発明
のめっきレジスト剥離防止剤は、通常、めっきレジスト
剤に添加配合して用いられる。
2価の有機基、R3は水素原子またはメチル基、本発明
のめっきレジスト剥離防止剤は、通常、めっきレジスト
剤に添加配合して用いられる。
めっきレジスト剤は、耐めっき液性や耐熱性に優れたも
のであればよく、熱硬化型、光硬化型等の硬化型の種類
や、アクリル樹脂系またはエポキシ樹脂系等の樹脂系の
種類等に制限はない。
のであればよく、熱硬化型、光硬化型等の硬化型の種類
や、アクリル樹脂系またはエポキシ樹脂系等の樹脂系の
種類等に制限はない。
前記めっきレジスト剥離防止剤の使用に際し、分子内に
不飽和基を有するものは、アクリル樹脂系のレジスト剤
に、エポキシ基を有すものは、エポキシ樹脂系のレジス
ト剤に適宜選択して用いるのが望ましく、不飽和基およ
びエポキシ基の双方を有するものは、いずれの樹脂系の
レジスト剤にも適用できる。
不飽和基を有するものは、アクリル樹脂系のレジスト剤
に、エポキシ基を有すものは、エポキシ樹脂系のレジス
ト剤に適宜選択して用いるのが望ましく、不飽和基およ
びエポキシ基の双方を有するものは、いずれの樹脂系の
レジスト剤にも適用できる。
めっきレジスト剥離防止剤は、レジスト剤に対して0.
05〜30重量%、好ましくは、3〜20重量%配合し
て用いられる。
05〜30重量%、好ましくは、3〜20重量%配合し
て用いられる。
めっきレジスト剥離防止剤の配合割合が過少な場合、十
分な剥離防止効果が得られず、一方、配合割合が過大と
なると、めっき液汚染性を示すようになり、析出めっき
の物性低下をもたらす。
分な剥離防止効果が得られず、一方、配合割合が過大と
なると、めっき液汚染性を示すようになり、析出めっき
の物性低下をもたらす。
なお、前記めっきレジスト剥離防止剤は、通常レジスト
剤に添加配合して用いられるが、溶剤に溶解して基材に
塗布するブライマー処理法での使用も可能である。
剤に添加配合して用いられるが、溶剤に溶解して基材に
塗布するブライマー処理法での使用も可能である。
本発明のめっきレジスト剥離防止剤は、分子内に2−チ
オ−ベンゾチアゾール基と不飽和基および/またはエポ
キシ基とを有する化合物を主成分とすることを特徴とす
る。
オ−ベンゾチアゾール基と不飽和基および/またはエポ
キシ基とを有する化合物を主成分とすることを特徴とす
る。
めっきレジスト剥離防止剤の主成分化合物は、導入され
た2−チオ−ベンゾチアゾール基が、めっきの析出を抑
制する働きがあり、基材の金属とめっきレジスト膜との
境界面へのめっき液の浸入を抑制する。また、不飽和基
および/またはエポキシ基などの官能基は、めっきレジ
スト剤との相溶性を向上させる。
た2−チオ−ベンゾチアゾール基が、めっきの析出を抑
制する働きがあり、基材の金属とめっきレジスト膜との
境界面へのめっき液の浸入を抑制する。また、不飽和基
および/またはエポキシ基などの官能基は、めっきレジ
スト剤との相溶性を向上させる。
さらに、これらの官能基がめつきレジスト剤成分の樹脂
系と反応して、より強靭なめっきレジスト膜が形成され
るため、基材の金属とめっきレジスト膜との境界面への
めっき液の浸入およびめっきレジスト剥離防止剤のめっ
き液中への移行が抑制される。
系と反応して、より強靭なめっきレジスト膜が形成され
るため、基材の金属とめっきレジスト膜との境界面への
めっき液の浸入およびめっきレジスト剥離防止剤のめっ
き液中への移行が抑制される。
その結果、これらの相乗作用により、レジスト膜の剥離
防止性、めっき液卵汚染性、析出めっき物性などに極め
て優れた効果が得られるものと推定される。
防止性、めっき液卵汚染性、析出めっき物性などに極め
て優れた効果が得られるものと推定される。
本発明を、実施例および比較例により、さらに詳細に説
明する。
明する。
ただし、本発明の範囲は、以下の実施例により何ら限定
されるものではない。
されるものではない。
なお、例中の「部」および「%」は断りのない限り重量
基準である。
基準である。
(1) めっきレジスト剥離防止剤の合成(a)
試料A−1 2−メルカプトベンゾチアゾールとビスフェノールA型
エポキシ樹脂(東部化成社製、YD−8125)とを、
エポキシ基1当mに対し、2−メルカプトベンゾチアゾ
ール0.5モルの割合で、50%ジオキサン溶液中にて
100℃で5時間反応させた後、ジオキサンを除去して
次式に示す本発明の化合物〔試料A−1〕を得た。
試料A−1 2−メルカプトベンゾチアゾールとビスフェノールA型
エポキシ樹脂(東部化成社製、YD−8125)とを、
エポキシ基1当mに対し、2−メルカプトベンゾチアゾ
ール0.5モルの割合で、50%ジオキサン溶液中にて
100℃で5時間反応させた後、ジオキサンを除去して
次式に示す本発明の化合物〔試料A−1〕を得た。
得られた化合物〔試料A−1〕は、黄褐色の粘稠物であ
り、他のエポキシ樹脂との相溶性も良好であった。
り、他のエポキシ樹脂との相溶性も良好であった。
ら)試料A−2
2−メルカプトベンゾチアゾールとクレソ′−ルツボラ
ック型エポキシ樹脂(東部化成社製、YDDN−704
)をエポキシ基1当量に対し、2−メルカプトベンゾチ
アゾール0.5モルの割合で、50%ジオキサン溶液中
にて100℃で5時間反応せしめた後、ジオキサンを除
去して次式に示す本発明の化合物〔試料A−2〕を得た
。
ック型エポキシ樹脂(東部化成社製、YDDN−704
)をエポキシ基1当量に対し、2−メルカプトベンゾチ
アゾール0.5モルの割合で、50%ジオキサン溶液中
にて100℃で5時間反応せしめた後、ジオキサンを除
去して次式に示す本発明の化合物〔試料A−2〕を得た
。
得られた化合物〔試料A−2〕は、黄褐色の固形物であ
り、他のエポキシ樹脂との相溶性も良好であった。
り、他のエポキシ樹脂との相溶性も良好であった。
(ただし、n、mは平均5)
(C) 試料A−3
2−メルカプトベンゾチアゾールとグリシジルメタクリ
レートとを1.0:1.0モルの割合で、100℃にて
5時間反応させ、次式に示す本発明の反応生成物〔試料
A−3〕を得た。
レートとを1.0:1.0モルの割合で、100℃にて
5時間反応させ、次式に示す本発明の反応生成物〔試料
A−3〕を得た。
(d) 試料A−4
エポキシ樹脂(商品名:YDCN−704、東部化成■
製)とアクリル酸とをエポキシ基1当量に対し、アクリ
ル酸0.5モルの割合で、50%ジオキサン溶液中にて
100℃で5時間反応させ、さらに2−メルカプトベン
ゾチアゾールをエポキシ基1当量に対して0.5モルの
割合で加え、100℃で5時間反応させた後、ジオキサ
ンを除去して次式に示す本発明の化合物〔試料A−4〕
を得た。
製)とアクリル酸とをエポキシ基1当量に対し、アクリ
ル酸0.5モルの割合で、50%ジオキサン溶液中にて
100℃で5時間反応させ、さらに2−メルカプトベン
ゾチアゾールをエポキシ基1当量に対して0.5モルの
割合で加え、100℃で5時間反応させた後、ジオキサ
ンを除去して次式に示す本発明の化合物〔試料A−4〕
を得た。
得られた化合物〔試料A−4〕は、黄褐色の固形物であ
り、他のアクリル樹脂との相溶性が良好であった。
り、他のアクリル樹脂との相溶性が良好であった。
得られた化合物〔試料A−3〕は、黄褐色の粘稠物であ
り、他のアクリル樹脂との相溶性が良好であった。
り、他のアクリル樹脂との相溶性が良好であった。
(2) レジスト剤の調製
(a) 試料B−1
タレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東部化成社製、
YDCN−704)100部、ジアミノジフェニルメタ
ン<DDM)20部、イミダゾール系硬化剤2E4MZ
(四国化成工業製)3部および前記第(1)項で調製
しためっきレジスト剥離防止剤〔試料A−1330部に
適量のn−ブチルセロソルブを加えて均一に溶解し、め
っきレジスト剥離防止剤入りのレジスト剤〔試料B−1
〕を調製した。
YDCN−704)100部、ジアミノジフェニルメタ
ン<DDM)20部、イミダゾール系硬化剤2E4MZ
(四国化成工業製)3部および前記第(1)項で調製
しためっきレジスト剥離防止剤〔試料A−1330部に
適量のn−ブチルセロソルブを加えて均一に溶解し、め
っきレジスト剥離防止剤入りのレジスト剤〔試料B−1
〕を調製した。
′4#;DDM 20部、2部4M2 3部および前
記第(1)項で調製しためっきレジスト剥離防止剤〔試
料A−2120部に適量のn−ブチルセロソルブを加え
て均一に溶解し、めっきレジスト剥離防止剤入りのレジ
スト剤〔試料B−2〕を調製した。
記第(1)項で調製しためっきレジスト剥離防止剤〔試
料A−2120部に適量のn−ブチルセロソルブを加え
て均一に溶解し、めっきレジスト剥離防止剤入りのレジ
スト剤〔試料B−2〕を調製した。
(C) 試料B−3
タレゾールノボラック型アクリル変性エボキン樹脂(新
中村化学社製、EA−7200H) 100部、アク
リルモノマー(日立化成社製、F A −513A)7
0部、DDM 10部、2部4M23部、イルガーキ
ュア−651(チバガイギー社製)3部および前記第(
1)項で調製しためっきレジスト剥離防止剤〔試料A−
3〕30部を均一に混合し、めっきレジスト剥離防止剤
入りのレジスト剤〔試料B−3〕を調製した。
中村化学社製、EA−7200H) 100部、アク
リルモノマー(日立化成社製、F A −513A)7
0部、DDM 10部、2部4M23部、イルガーキ
ュア−651(チバガイギー社製)3部および前記第(
1)項で調製しためっきレジスト剥離防止剤〔試料A−
3〕30部を均一に混合し、めっきレジスト剥離防止剤
入りのレジスト剤〔試料B−3〕を調製した。
(d) 試料B−4
前記試料B−3の調製において、めっきレジスト剥離防
止剤〔試料A−3330部に代えて前記第(1)項で調
製しためっきレジスト剥離防止剤〔試料A−4’llO
部を用いた以外には同一の仕様で、レジスト剤〔試料B
−4〕を調製した。
止剤〔試料A−3330部に代えて前記第(1)項で調
製しためっきレジスト剥離防止剤〔試料A−4’llO
部を用いた以外には同一の仕様で、レジスト剤〔試料B
−4〕を調製した。
(e)比較試料C−1
前記試料B−1の調製において、めっきレジスト剥離防
止剤の添加を省略した以外は、試料B−1と同一の仕様
でめっきレジスト剥離防止剤無添加の比較用レジスト剤
〔試料C−1〕を調製した。
止剤の添加を省略した以外は、試料B−1と同一の仕様
でめっきレジスト剥離防止剤無添加の比較用レジスト剤
〔試料C−1〕を調製した。
(f) 比較試料C−2
前記試料B−3の調製において、めっきレジスト剥離防
止剤〔試料A−3]30部に代えて2−メルカプトベン
ゾチアゾール159を用いた以外は同一の仕様で比較用
レジスト剤〔試料C−2〕を調製した。
止剤〔試料A−3]30部に代えて2−メルカプトベン
ゾチアゾール159を用いた以外は同一の仕様で比較用
レジスト剤〔試料C−2〕を調製した。
((至) 比較試料C−3
前記試料B−4の調製において、めっきレジスト剥離防
止剤〔試料A−4〕の使用量30部を100部に増加し
た以外は、同一の仕様で比較用レジスト剤〔試料C−3
〕を調製した。
止剤〔試料A−4〕の使用量30部を100部に増加し
た以外は、同一の仕様で比較用レジスト剤〔試料C−3
〕を調製した。
(3) レジスト膜の形成
(a) 熱硬化レジスト膜
前記第(2)項で調製したレジスト剤試料B−1゜試料
B−2および比較試料C−1を、10cmXIQ cm
のガラスエポキシ基板(以下、八属板と称す)および銅
張りガラスエポキシ基板(以下、B基板と称す)上にド
クターブレードを用いて乾燥後の塗膜が約30μmにな
るように基板の表面に各々5枚ずつ塗布し、オーブンに
て150℃で1時間硬化させた。また、裏面にも同様に
塗布し、硬化させて基板の両面にレジスト膜を形成し、
各々のテストピースを作製した。
B−2および比較試料C−1を、10cmXIQ cm
のガラスエポキシ基板(以下、八属板と称す)および銅
張りガラスエポキシ基板(以下、B基板と称す)上にド
クターブレードを用いて乾燥後の塗膜が約30μmにな
るように基板の表面に各々5枚ずつ塗布し、オーブンに
て150℃で1時間硬化させた。また、裏面にも同様に
塗布し、硬化させて基板の両面にレジスト膜を形成し、
各々のテストピースを作製した。
ら) 光硬化レジスト膜
前記第(2)項で調製したレジスト剤試料B−3゜試料
B−4.比較試料C−2およびC−3を、前記(a)項
で用いたものと同様の10cmX10cmの八属板およ
びB基板上に、ドクターブレードを用いて乾燥後の塗膜
が約30μmになるように基板の表面に各々5枚ずつ塗
布し、高圧水銀灯でIJ/cnf U V照射し、また
、裏面にも同様に塗布し、照射して基板の両面に+←→
÷÷←レジスト膜を形成し、続いてオーブン内において
150℃で1時間硬化させ、各々のテストピース作製し
た。
B−4.比較試料C−2およびC−3を、前記(a)項
で用いたものと同様の10cmX10cmの八属板およ
びB基板上に、ドクターブレードを用いて乾燥後の塗膜
が約30μmになるように基板の表面に各々5枚ずつ塗
布し、高圧水銀灯でIJ/cnf U V照射し、また
、裏面にも同様に塗布し、照射して基板の両面に+←→
÷÷←レジスト膜を形成し、続いてオーブン内において
150℃で1時間硬化させ、各々のテストピース作製し
た。
(4)めっき試験
前記第(3)で調製したテストピースを下記の化学銅め
っき液に浸漬し、めっき液中の銅イオン濃度、ホルマリ
ン濃度性のめっき薬剤濃度およびpH(12、5)を一
定に保持しながら、70℃にて10時間保持した。次い
でめっき液からテストピースを引上げ水洗した後、13
0℃で30分間乾煙させて銅めっきテストピースを得た
。
っき液に浸漬し、めっき液中の銅イオン濃度、ホルマリ
ン濃度性のめっき薬剤濃度およびpH(12、5)を一
定に保持しながら、70℃にて10時間保持した。次い
でめっき液からテストピースを引上げ水洗した後、13
0℃で30分間乾煙させて銅めっきテストピースを得た
。
また引続き、テストピース浸漬後のめっき液に、めっき
触媒を付着させたステンレス板を用い、同様にしてめっ
き液中に浸漬して銅を析出させ、水洗後剥離して銅箔の
テストピースを得た。
触媒を付着させたステンレス板を用い、同様にしてめっ
き液中に浸漬して銅を析出させ、水洗後剥離して銅箔の
テストピースを得た。
ポリエチレングリコール
(分子量:600) :20mβ/1水酸化ナトリ
ウム : pH= 12.5 (20℃)に維持
する量 水 :全体を11に調整する1 得られた銅めっきテストピースを用い、JIS−に−5
400のゴバン目剥離試験および260℃ハンダ浴に3
0秒間浸漬によるノ\ンダ耐熱試験を行った。また、ス
テンレス板を用いて得られた銅箔の伸び率および引張強
度を測定した。
ウム : pH= 12.5 (20℃)に維持
する量 水 :全体を11に調整する1 得られた銅めっきテストピースを用い、JIS−に−5
400のゴバン目剥離試験および260℃ハンダ浴に3
0秒間浸漬によるノ\ンダ耐熱試験を行った。また、ス
テンレス板を用いて得られた銅箔の伸び率および引張強
度を測定した。
上記試験結果を第1表に示す。
く化学鋼めっき液組成〉
硫酸銅
DTA
137%ホルマリン
2.2−ジピリジル
:10 g/Il
:30 g/It
3 m 1 / Il
:35mg/l
第1表に示したように、本発明のめっきレジスト剥離防
止剤を添加したレジスト剤を用いて形成した実施例にお
いては、めっき処理後の接着性に優れるだけでなく、ハ
ンダ耐熱性が極めて優れている。さらに銅箔の伸び率が
極めて優れめっき液卵汚染性であることを示している。
止剤を添加したレジスト剤を用いて形成した実施例にお
いては、めっき処理後の接着性に優れるだけでなく、ハ
ンダ耐熱性が極めて優れている。さらに銅箔の伸び率が
極めて優れめっき液卵汚染性であることを示している。
前記実施例に示したように、本発明の特定化合物からな
るめっきレジスト剥離防止剤は、めっきレジスト剤に添
加配合して用いることにより、基材の金属とレジスト膜
の剥離防止性に優れた効果を示し、さらにめっき液汚性
が極めて少なく、良好なめっき物性のめっき膜が得られ
る。
るめっきレジスト剥離防止剤は、めっきレジスト剤に添
加配合して用いることにより、基材の金属とレジスト膜
の剥離防止性に優れた効果を示し、さらにめっき液汚性
が極めて少なく、良好なめっき物性のめっき膜が得られ
る。
したがって、レジスト膜の剥離を防止する目的のめっき
レジスト剤への添加剤として極めて有用である。
レジスト剤への添加剤として極めて有用である。
する薬剤として極めて有用であり、そのめっき分野、特
にプリント基板製造分野等の産業分野における意義は、
極めて大きい。
にプリント基板製造分野等の産業分野における意義は、
極めて大きい。
Claims (1)
- (1)分子内に、2−チオ−ベンゾチアゾール基と、少
なくとも1個の不飽和基および/またはエポキシ基とを
有する化合物を主成分とすることを特徴とするめっきレ
ジスト剥離防止剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31261489A JPH03173493A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | めっきレジスト剥離防止剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31261489A JPH03173493A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | めっきレジスト剥離防止剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03173493A true JPH03173493A (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=18031323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31261489A Pending JPH03173493A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | めっきレジスト剥離防止剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03173493A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08228068A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-03 | Nec Corp | 無電解めっき用レジスト組成物 |
CN102408422A (zh) * | 2011-09-14 | 2012-04-11 | 深圳市飞世尔实业有限公司 | 一种含硫光学环氧树脂及其制备方法 |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP31261489A patent/JPH03173493A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08228068A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-03 | Nec Corp | 無電解めっき用レジスト組成物 |
CN102408422A (zh) * | 2011-09-14 | 2012-04-11 | 深圳市飞世尔实业有限公司 | 一种含硫光学环氧树脂及其制备方法 |
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