JP2003344992A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
- Publication number
- JP2003344992A JP2003344992A JP2002151632A JP2002151632A JP2003344992A JP 2003344992 A JP2003344992 A JP 2003344992A JP 2002151632 A JP2002151632 A JP 2002151632A JP 2002151632 A JP2002151632 A JP 2002151632A JP 2003344992 A JP2003344992 A JP 2003344992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- photosensitive resin
- resin composition
- compound
- substituent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
縁材料、無電解めっきレジストとして要求される高解像
度、耐熱性、密着性、電気特性、耐熱衝撃性、耐PCT
性、耐無電解めっき性に優れ、かつ保存安定性の良い感
光性樹脂組成物を提供することにある。 【解決手段】一分子中に少なくとも2個のエポキシ基を
有する化合物(A)と少なくとも2個のフェノール性水
酸基を有する化合物(B)と光塩基発生剤(C)と塩基
の作用により分解してウレタン結合由来の塩基を発生す
る塩基増殖剤(D)とからなる感光性樹脂組成物で解決
される。
Description
する感光性樹脂組成物に関し、更に詳しくは光硬化性塗
料、光硬化性インク、絶縁材料、接着剤等に広く用いら
れるものである。特にプリント配線板に使用される、ソ
ルダーレジストや層間絶縁材料、めっきレジスト、エッ
チングレジストとして解像度、耐熱性、絶縁性、耐熱衝
撃性、耐PCT特性、耐無電解めっき性に優れる感光性
樹脂組成物に関するものである。
によって、それに使用されるプリント配線板も高密度
化、高信頼性化が進み、いわゆるビルドアップ配線板が
広く使用されるようになってきている。またビルドアッ
プ基板は半導体を搭載するパッケージ基板として使用さ
れるようになってきた。よって使用される材料も高密度
化、高信頼性に対応できるように、高解像度化や厳しい
耐熱性、密着性、電気特性、耐無電解めっき性、耐熱衝
撃性、耐PCT(プレッシャクッカーテスト)性が要求
されている。ソルダーレジストや層間絶縁材料、永久無
電解めっきレジストは、高精度、高密度のパターン形成
を行う必要があるため、紫外露光後、現像することによ
りパターン形成し、光および熱硬化で完全硬化する写真
現像型レジストが使用されている。一般的には現像液と
してアルカリ水溶液を用いるアルカリ現像タイプのレジ
ストが主流となっている。このようなアルカリ現像型レ
ジストとしては、特開平6−324490のような不飽
和基含有ポリカルボン酸と光重合開始剤、希釈剤、およ
び硬化剤からなるレジストインキや特開平6−3321
71のようなエチレン性不飽和基含有重合性化合物、カ
ルボキシル基を有する熱可塑性重合体および光重合開始
剤を含む感光性樹脂組成物が示されている。
物は解像度や耐熱性には優れているが、アルカリ水溶液
で現像するために組成中にカルボキシル基を含み硬化後
に未反応のカルボキシル基が多く残るため、絶縁特性や
耐PCT性などの長期信頼性が十分でない。またこれら
のレジスト組成物はエポキシ樹脂とカルボキシル基、更
にアミン類、イミダゾール類、酸無水物類など硬化剤、
硬化促進剤を含むため、混合後に反応が進行し可使時間
の制御ができず、粘度安定性も悪く、長期保存性に欠け
る。これを防ぐために、エポキシ樹脂とカルボキシル化
合物、硬化剤、触媒及び促進剤成分を分け、2液にして
保存する必要があった。よって使用前に混合する必要が
あり作業性が問題となっている。よって本発明の目的は
プリント配線板のソルダーレジストや層間絶縁材料、無
電解めっきレジストとして要求される高解像度、耐熱
性、絶縁性、耐熱衝撃性、耐PCT特性、耐無電解めっ
き性に優れ、かつ長期保存安定性に優れた感光性樹脂組
成物を提供することにある。
を解決すべく鋭意検討した結果、一分子中に少なくとも
2個のエポキシ基を有する化合物(A)と一分子中に少
なくとも2個のフェノール性水酸基を有する化合物
(B)と光塩基発生剤(C)と塩基の作用により分解し
てウレタン結合由来の塩基を発生する塩基増殖剤(D)
とからなる感光性樹脂組成物を用いることにより達成さ
れることを見いだし本発明に到達した。
T性などの長期信頼性が十分でない主要因は硬化物中に
未反応のカルボキシル基やアミノ基が残るためである。
本発明の感光性樹脂組成物は、架橋成分としてカルボキ
シル基やアミノ基を含まないことから絶縁特性や耐PC
T性などの長期信頼性に優れた硬化物が得られる。
くする主因は、保存中にカルボキシル基、アミン類、イ
ミダゾール類、酸無水物類など硬化剤、硬化促進剤がエ
ポキシ樹脂と架橋反応が進行するためである。本発明の
感光性樹脂組成物は、 化合物(C)に光照射するとア
ミン類を生成し、このアミン類の作用によって化合物
(D)からもアミン類が新たに生成する。生成したアミ
ン類は少量で化合物(A)と(B)の架橋反応の硬化促
進剤として働く。よって光を照射しない限りアミン類は
発生せず化合物(A)と(B)は架橋しないので粘度安
定性の良い感光性樹脂組成物となる。また化合物(C)
と(D)から生成させるアミン類の量も少量でよいので
絶縁性や耐PCT性にも悪影響は与えない。
有する化合物(A)の具体例としては、例えば DER
331J、DER661J、(以上、ダウケミカル
製)、エピクロン800(以上、大日本インキ化学工業
製)、エピコート1001、エピコート828(以上、
ジャパンエポキシレジン製)などのビスフェノールA型
エポキシ樹脂;DER431(以上、ダウケミカル
製)、アラルダイトEPN1138(チバガイギー社
製)、エピコート154、エピコート180S65(以
上、ジャパンエポキシレジン製)などのノボラック型エ
ポキシ樹脂;シラキュアー6100、ERL2256
(以上、ユニオンカーバイド製)、アラルダイトCY−
175(以上、チバガイギー製)、チッソノックス09
0、チッソノックス301(以上、チッソ製)などの脂
環式エポキシ樹脂;1,6−ヘキサンジオールジグリシ
ジルエーテル、2,2−ジブロモネオペンチルグリコー
ルジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシ
ジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリ
メチロールプロパンジグリシジルエーテル、ネオペンチ
ルグリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコ
ールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジ
グリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリ
シジルーエテル、水素添加ビスフェノールAのジグリシ
ジルエーテルなどの脂肪族多価アルコールの多価グリシ
ジルエーテル;ビスフェノールAアルキレンオキシド付
加体ジグリシジルエーテル、ビスフェノールFアルキレ
ンオキシド付加体ジグリシジルエーテル、ビスフェノー
ルSアルキレンオキシド付加体ジグリシジルエーテルな
どの芳香族多価アルコール誘導体多価グリシジルエーテ
ル;ジグリシジルp−オキシ安息香酸、ダイマー酸グリ
シジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエ
ステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロ
フタル酸ジグリシジルエステルなどのグリシジルエステ
ル;N,N−ジグリシジルアニリン、テトラグリシジル
ジアミノジフェニルメタン、トリグリシジルp−アミノ
フェノールなどのグリシジルアミン;トリグリシジルイ
ソシアヌレート、ヒダントイン型エポキシ樹脂などの複
素環式エポキシ樹脂などが挙げられる。更にノボラック
型多官能エポキシ樹脂のエポキシ基の部分(メタ)アク
リレートもふくまれる。
する化合物(B)の具体例としては、例えばフェノライ
トTD−2131、フェノライトTD−2090(大日
本インキ化学工業製)などのノボラック型フェノール樹
脂。フェノライトVH−4150、フェライトVH−4
290(大日本インキ化学工業製)のノボラック型アル
キルフェノール樹脂。フェノライトLA−7051、フ
ェノライトLA−7054(大日本インキ化学工業製)
などのトリアジン変性フェノールノボラック樹脂。DP
P−M、DPA−145−L(日本石油化学製)のジシ
クロペンタジエンクレゾール樹脂などがあげられる。
ミノ基,N−ホルミル化芳香族アミノ基,N−アシル化
芳香族アミノ基、ニトロベンジルカーバメイト基、アル
コオキシベンジルカーバメート基 から選ばれる少なく
とも一個の置換基を含む化合物などが用いられる。
む化合物の具体例としては,OO’−コハク酸ジアセト
フェノンオキシム,O,O’−コハク酸ジナフトフェノ
ンオキシム、ベンゾフェノンオキシムアクリレートース
チレン共重合体などがあげられる。
くとも1個含む化合物物を合成する方法としては例えば
カルボン酸ハライドとオキシムから合成する方法、ジシ
クロヘキシルカルボンイミドの存在下、カルボン酸とオ
キシムとから直接合成する方法などがある。またアシル
オキシイミノ基を有する重合体をえるには上記の方法を
用いてオキシムアクリレートを合成し、単独重合または
他のモノマーと共重合する事により得られる。またカル
ボキシル基を含む重合体を合成し、その後上記の方法に
て目的物を合成しても良い。
ル化芳香族アミノ基を含む化合物の具体例としては、例
えば、ジ−N−(p−ホルミルアミノ)ジフェニルメタ
ン、ジ−N(p−アセエチルアミノ)ジフェニルメラ
ン、ジ−N−(p−ベンゾアミド)ジフェニルメタン、
4−ホルミルアミノトルイレン、4−アセチルアミノト
ルイレン、2,4−ジホルミルアミノトルイレン、1−
ホルミルアミノナフタレン、1−アセチルアミノナフタ
レン、1,5−ジホルミルアミノナフタレン、1−ホル
ミルアミノアントラセン、1,4−ジホルミルアミノア
ントラセン、1−アセ チルアミノアントラセン、1,
4−ジホルミルアミノアントラキノン、1,5−ジホル
ミルアミノアントラキノン、3,3’−ジメチル−4,
4’−ジホルミルアミノビフェニル、4,4’−ジホル
ミルアミノベンゾフェノンなどがあげられる。
基,N−アシル化芳香族アミノ基を少なくとも1個含む
化合物の合成方法としては、例えば、芳香族ジイソシア
ネートとギ酸、酢酸、プロピオン酸、安息香酸などとの
反応、芳香族アミンと上記カルボン酸とをジシクロヘキ
シルカルボジイミドを縮合剤として用いて合成する方
法、芳香族アミンと上記のカルボン酸のカルボン酸ハラ
イドとから合成す方法などがあげられる。
キシベンジルカーバメート基を少なくとも1個含む化合
物の具体例としては、例えば、ビス{{(2−ニトロベ
ンジル)オキシ}カルボニル}ジアミノジフェニルメタ
ン、2,4−ジ{{(2−ニトロベンジル)オキシ}ト
ルイレン、ビス{{(2−ニトロベンジルオキシ)カル
ボニル}ヘキサン−1,6−ジアミン、m−キシリジン
{{(2−ニトロ−4−クロロベンジル)オキシ}アミ
ド}などがあげられる。
基、アルコオキシベンジルカーバメート基 を含む化合
物の合成方法として例えば、芳香族、脂環族または脂肪
族の 多官能性イソシアネートとニトロ基またはメトキ
シ基を含むベンジルアルコールとの反応によって合成さ
れる。このとき触媒としてトリエチルアミン、ジブチル
錫ジラウレートなどの触媒を用いることが出来る。
来の塩基を発生する塩基増殖剤(D)は下記一般式
(1)で表されるウレタン化合物からなる。
示すが、少なくともその一方は電子吸引性基を示し、R
3、R4は水素または置換基を示しZはアミノ基を示す。
電子吸引性基としてはフルオレニル基、有機スルホキシ
ド基、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カルボニル
基、アミド基、ピリジル基などがある。置換基としては
炭素数1から12、好ましくは1から6のアルキル基、
炭素数4から10、好ましくは5から8のシクロアルキ
ル基、炭素数6から14、好ましくは6から10のアリ
ール基、炭素数7から15、好ましくは7から11のア
リールアルキル基が用いられる。具体例としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル
基、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ベンジル基、
フェネチル基、ナフチルメチル基などが挙げられる。
とができる。
基を示す。この置換基には炭素数1から12、好ましく
は1から6のアルキル基、炭素数4から10、好ましく
は5から8のシクロアルキル基、炭素数6から14、好
ましくは6から10のアリール基、炭素数7から15、
好ましくは7から11のアリールアルキル基がなどが用
いられる。具体例としてはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、トリ
ル基、ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、ナフチ
ルメチル基などが挙げられる。
およびR6は連結して含窒素環を形成することができ
る。この場合の含窒素環の環構成原子数は3から12、
好ましくは5から8である。前記含窒素環はその環構成
原子に複数のヘテロ原子(N、S、O等)を含有するこ
とができる。
の塩基増殖機能を有するウレタン化合物の残基であって
もよい。
クロロ蟻酸エステルを反応させて非対称な炭酸エステル
を生成し、次いでこの炭酸エステルに塩基を反させる
か、あるいはアルコールにイソシアネート化合物を反応
させることにより得られる。
に示す。
釈剤としてや架橋密度を調整するために使用することが
できる。エチレン性不飽和化合物(E)の具体例として
はメチル(メタ)アクリレート[以下、(メタ)アクリ
レートとはアクリレートとメタクリレートのいずれでも
使用可能なことを意味する。]、ブチル(メタ)アクリ
レートなどのアルキル(メタ)アクリレート類;ヒドロ
キシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル
(メタ)アクリレートなどのヒドロキシ基含有(メタ)
アクリレート類;1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)
アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アク
リレートなどの多価アルコールまたは多価アルコールの
アルキレンオキサイド付加物の(メタ)アクリレート
類;フタル酸と1,6−ヘキサンジオールからなるポリ
エステルジオールのジ(メタ)アクリレート、アジピン
酸とエチレングリコ−ルからなるポリエステルジオ−ル
のジ(メタ)アクリレ−トなどの多塩基酸と多価アルコ
ールからのポリエステル樹脂の末端に(メタ)アクリレ
ート基を有するポリエステル(メタ)アクリレート類;
ポリエステルジオール・TDI付加物ジ(メタ)アクリ
レート、ポリエーテルトリオール・MDI付加物トリ
(メタ)アクリレートなどの多価イソシアネートとヒド
ロキシ基、カルボキシル基、アミノ基等の活性水素基を
有する(メタ)アクリレートとの反応物であるウレタン
(メタ)アクリレート類;ビスフェノールAジグリシジ
ルエーテルジ(メタ)アクリレート、フェノールノボラ
ック(メタ)アクリレートなどの多官能エポキシ樹脂と
(メタ)アクリ酸との反応物であるエポキシ(メタ)ア
クリレート類;グリシジル(メタ)アクリレート;(メ
タ)アクリル酸;(メタ)アクリルアミド;スチレン
類;不飽和ポリエステル樹脂など、およびこれらの混合
物を挙げることが出来る。これらのうち多価アルコール
または多価アルコールのアルキレンオキサイド付加物の
(メタ)アクリレート類が好ましい。
ジカルを発生させエチレン性不飽和化合物(E)を架橋
させるものであり、具体例としては、例えば1−(4−
イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル
プロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフ
ェニルケトン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、
2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2
−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1
−オン、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニ
ル)−2−モルホリノプロパン−1、4−フェノキシジ
クロロアセトフェノン、4−(2−ヒドロキシエトキ
シ)−フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケト
ン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、p−t−
ブチルトリクロロアセトフェノン、p−ジメチルアミノ
アセトフェノンなどのアセトフェノン類;ベンゾイン、
ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−n
−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベ
ンジルジメチルケタールなどのベンゾイン類;ベンゾフ
ェノン、ベンゾフェノンメチルエーテル、ベンゾイル安
息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、ヒドロキシベンゾ
フェノン、4−フェニルベンゾフェノン、3,3’−ジ
メチル−4−メトキシベンゾフェノン、3,3’−ビス
(N,N−ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’
−ビス(N,N−ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、
4’,4”−ジエチルイソフタロフェノン、3,3’,
4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)
ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェ
ニルサルファイド、アクリル化ベンゾフェノンなどのベ
ンゾフェノン類;チオキサントン、2−メチルチオキサ
ントン、イソプロピルチオキサントン、2,4−ジメチ
ルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、
2,4−ジイソプロピルチオキサントン、2−クロロチ
オキサントン、2,4−ジクロロチオキサントンなどの
キサントン類;ジアセチル、ベンジルなどのジケトン
類;2−エチルアントラキノン、2−t−ブチルアント
ラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1,2
−ベンズアントラキノン、オクタメチルアントラキノ
ン、カンファーキノン、ジベンゾスベロン、9,10−
フェナンスレンキノンなどのキノン類などが挙げられ
る。
(A)と化合物(B)の配合比は化合物(A)のエポキ
シ基のモル数をM、化合物(B)のフェノール性水酸基
のモル数をXとするとM:X=1.0:0.5から1.
5、好ましくは0.8から1.2である。Xが0.5未
満の場合、未反応のエポキシ基が多く残りはんだ耐熱性
や耐熱衝撃性が低下する。Xが1.5を超えると未反応
のフェノール性水酸基が残り耐PCT性、無電解めっき
性が低下する。化合物(C)及び(D)の比率は化合物
(A)と化合物(B)の総質量に対してそれぞれ0.0
1〜20質量%、好ましくは0.1から10質量%であ
る。0.01質量%未満の場合は塩基が十分に発生せず
に硬化反応が起こらない。20質量%を超えると、発生
するアミン類が過剰となり絶縁性、耐PCT性、耐無電
解めっき性が低下する。化合物(E)の比率は化合物
(A)と化合物(B)の総重量に対して500質量%以
下、好ましくは1から100質量%である。500質量
%を超えると、エチレン性不飽和結合の重合に伴う架橋
が多くなり耐熱衝撃性が低下する。化合物(F)の比率
は化合物(E)の質量に対して0.1から50質量%以
下、好ましくは1から20質量%である。0.1質量%
以下の場合は化合物(E)の反応が十分に起こららず、
50質量%を超えると解像度、はんだ耐熱性が低下す
る。
必要に応じて、オリゴマー、ポリマー、充填剤、染料や
顔料などの着色剤、熱安定剤、密着促進剤、可塑剤、シ
リカやタルクなどの顔料、塗工適性を与えるレベリング
剤などを添加してもよい。
法、ロールコート法、フローコート法、スピンコート
法、アプリケータ法、バーコート法、スクリーン印刷法
などの方法により任意の厚さに塗布することが出来る。
このとき必要により、硬化性組成物を溶解する溶剤をし
ようする事が出来る。例えば、トルエン、アセトン、メ
チルエチルケトン、ジエチレングリコールジメチルエー
テル、ジメチルホルムアミドなどがある。これらの溶剤
は単独または混合して用いられる。更に硬化性組成物を
ポリエステルフイルに塗布、乾燥後ポリエチレンフイル
ム等のフイルでラミネートしドライフイルムを形成後、
基材にラミネートし転写する方法も有効である。
銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンラ
ンプ、蛍光灯、タングステンランプ、アルゴンレーザ
ー、ヘリウメカドミウムレーザーなどがあげられる。
進する事が出来る。温度は、通常5〜250℃、好まし
くは60〜180℃である。
法について説明する。まず、硬化性樹脂組成物を基材上
に前記方法で塗布し、必要に応じて加熱乾燥または熱風
乾燥により溶剤を除去し塗膜を基材上に形成する。その
後光照射を行い、必要により後加熱を行なう。
たはポジマスクを通して、乾燥途膜に光照射を行う。次
いで、現像液を用いて未露光部分を現像する。現像液と
しは水酸化ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、
アンモニウムハイドロキサイド水溶液などのアルカリ水
溶液が用いられる。現像後、必要により後露光、後加熱
をしても良い。
が、本発明は以下の実施例により限定されるものではな
い。
タン溶液(10g/320mL)に、1,3−ビス(4
−ピペリジル)プロパンのジクロロメタン溶液(12g
/80mL)を氷浴中でゆっくりと滴下した。滴下後、
氷浴中で20分間攪拌し、さらに室温で1.5時間攪拌
した。反応終了後、反応溶液を水、5%塩酸、飽和食塩
水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた
後、溶媒を減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エ
チル=2:1)により精製して9gの白色結晶を得た。
これを塩基増殖剤D1とする。
ロホーメートとジシクロヘキシルアミンと反応させ、生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶
媒;ヘキサン:酢酸エチル=2:1)により精製して8
gの白色結晶を得た。これを塩基増殖剤D2とする。
液(10.0g/320mL)に、イソホロンジイソシ
アネートのジクロロメタン溶液(12.2g/80m
L)を氷浴中でゆっくりと滴下した。滴下後、氷浴中で
20分間攪拌し、さらに室温で1.5時間攪拌した。反
応終了後、反応溶液を水、5%塩酸、飽和食塩水の順で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を
減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=2:
1)により精製して8gの白色結晶を得た。これを塩基
増殖剤D3とする。
表1に示す配合比率で混合した後、3本ロールで混練し
て実施例1から6、比較例1から5の感光性樹脂組成物
を作成した。
5で調製した感光性樹脂組成物を、エッチングにより配
線パターンを形成したガラスエポキシ樹脂基板上にスク
リーン印刷により塗布し、80℃の順風乾燥器で30分
間加熱乾燥して厚さ20μmの感光性樹脂層を得た。次
にフォトマスクを通して、高圧水銀灯を用い500mJ
/cm2の露光を行なった。露光後、80℃で30分加
熱処理した後、5%水酸化ナトリウム水溶液からなる現
像液で現像温度30℃、スプレー圧2Kgf/cm2で60秒
間スプレー現像した。現現像後、水洗によりプリント基
板上に残った現像液を除去し、乾燥後、次いで、180
℃で60分間加熱処理し熱硬化を行なった。
性樹脂組成物の硬化物の性能を以下の方法により評価し
た。結果を表2に示す。 (1)解像度 現像後に形成されたライン/スペース(=1/1)の最
小幅(μm)を解像度とした。パターン形成できない場
合は×とした。 (2)はんだ耐熱性 260℃のはんだ浴に30秒浸漬した後の外観を目視に
より観察した。 ○:変化なし、×:われ、膨れあり (3)絶縁性 85℃、湿度85%で24時間処理した後に、表面抵抗
値を測定した。 ○:1×1010Ω以上 ×:1×1010Ω未満 (4)耐熱衝撃性 −55℃から125℃で500サイクルのヒートサイク
ル処理を実施した後、クラック発生の有無を確認した。 ○:クラックなし、×:クラック発生 (5)耐PCT性 121℃、2気圧で168時間の処理を実施した後、硬
化被膜外観の状態を評価した。 ○:はがれ、変色なし、×:はがれまたは変色発生 (6)耐無電解めっき性 硬化後のレジストを硫酸銅、エチレンジアミン四酢酸ナ
トリウム、ポリエチレングリコール、ジピリジル、ホル
マリン、水酸化ナトリウム、水を含む無電解銅めっき液
にpH12、浴温度70℃の条件で15時間浸漬した後
のレジスト外観、銅への密着性を観察し、次の基準で評
価した。 (7)溶出率 アセトン中に30分間浸漬した。浸漬前の重量をW1と
して、浸漬後の重量をW2、塗布前のガラス板の重量を
W3として(W1−W3)−(W2−W3)×100/
(W1−W3)より溶出率を算出した。
5で調製した感光性樹脂組成物を40℃の恒温槽に5日
間入れ、5日後の粘度を測定した。配合時の粘度をV1
として、40℃、5日後の粘度をV2とし、(V2−V
1)×100/V1粘度上昇率とした。結果を表2に示
す。
5で調製した感光性樹脂組成物をガラス板、鋼板、アル
ミ板に塗布して、80℃の順風乾燥器で30分間加熱乾
燥して厚さ10μmの感光性樹脂層を得た。次に高圧水
銀灯を用い500mJ/cm 2の露光を行なった後、1
00℃で20分加熱処理した後、次いで150℃で60
分間加熱処理し熱硬化を行なった。このようにして得ら
れた硬化物をセロハン粘着テープ剥離によるゴバン目接
着性試験を行った。結果を表2に示す。 ○:100/100、×:100/100未満
縁性、密着性、耐熱衝撃性、耐熱湿性、耐PCT性、耐
無電解めっき性に優れ、使用する現像液もリサイクル可
能で廃液が発生しないことからプリント配線板の製造時
に用いられるソルダーレジスト、層間絶縁材料、無電解
めっきレジストとして好適である。
Claims (6)
- 【請求項1】 一分子中に少なくとも2個のエポキシ基
を有する化合物(A)と一分子中に少なくとも2個のフ
ェノール性水酸基を有する化合物(B)と光塩基発生剤
(C)と塩基の作用により分解してウレタン結合由来の
塩基を発生する塩基増殖剤(D)とからなる感光性樹脂
組成物。 - 【請求項2】 光塩基発生剤(C)がアシルオキシイミ
ノ基,N−ホルミル化芳香族アミノ基,N−アシル化芳
香族アミノ基、ニトロベンジルカーバメイト基、アルコ
オキシベンジルカーバメート基から選ばれる少なくとも
一個の置換基を含む化合物である請求項1記載の感光性
樹脂組成物。 - 【請求項3】 更にエチレン性不飽和化合物(E)と光
照射によりラジカルを発生する光重合開始剤(F)を含
有する請求項1または2記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項4】 塩基増殖剤(D)が、下記一般式(1) 【化1】 (式中、R1及びR2は水素、置換基または電子吸引性基
を示すが、少なくともその一方は電子吸引性基を示し、
R3、R4は水素または置換基を示しZはアミノ基を示
す)で表される請求項1〜3いずれか記載の感光性樹脂
組成物。 - 【請求項5】 塩基増殖剤(D)が、下記一般式(2) 【化2】 (式中、Aはフルオレニル基を示し、R2は水素または
置換基を示し、R3、R4は水素または置換基を示しZは
アミノ基を示す)で表される請求項1〜3いずれか記載
の感光性樹脂組成物。 - 【請求項6】 塩基増殖剤(D)が、下記一般式(3) 【化3】 (式中、Bは有機スルホキシドを示し、R2は水素また
は置換基を示し、R3、R 4は水素または置換基を示しZ
はアミノ基を示す)で表される請求項1〜3いずれか記
載の感光性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002151632A JP4191956B2 (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | 感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002151632A JP4191956B2 (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003344992A true JP2003344992A (ja) | 2003-12-03 |
JP4191956B2 JP4191956B2 (ja) | 2008-12-03 |
Family
ID=29769145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002151632A Expired - Fee Related JP4191956B2 (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4191956B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007241205A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Koji Arimitsu | 感活性エネルギー線塩基発生剤、感活性エネルギー線塩基発生剤組成物、塩基反応性組成物及びパターン形成方法 |
JP2007256745A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板 |
JP2008003581A (ja) * | 2006-05-22 | 2008-01-10 | Osaka Prefecture Univ | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた回路基板 |
US7714162B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-05-11 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Base multiplying agents and base-reactive curable compositions |
JP2012001612A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 光硬化型樹脂組成物、パターン形成された基板の製造方法及び電子部品 |
WO2013172435A1 (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-21 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型の熱硬化性樹脂組成物、プリント配線板 |
WO2013172432A1 (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-21 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型の熱硬化性樹脂組成物、プリント配線板 |
JP2013242348A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-12-05 | Taiyo Ink Mfg Ltd | パターン形成方法、アルカリ現像型の熱硬化性樹脂組成物、及びプリント配線板 |
JP2014149416A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法、電気・電子部品保護用皮膜及び電気・電子部品 |
JP2015018049A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 太陽インキ製造株式会社 | 感光性熱硬化性樹脂組成物およびフレキシブルプリント配線板 |
CN104334604A (zh) * | 2012-05-17 | 2015-02-04 | 太阳油墨制造株式会社 | 碱显影型的热固化性树脂组合物、印刷电路板 |
JP2020002324A (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 日本化薬株式会社 | 電子部品用接着剤 |
WO2022059622A1 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス |
-
2002
- 2002-05-24 JP JP2002151632A patent/JP4191956B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7714162B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-05-11 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Base multiplying agents and base-reactive curable compositions |
JP2007241205A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Koji Arimitsu | 感活性エネルギー線塩基発生剤、感活性エネルギー線塩基発生剤組成物、塩基反応性組成物及びパターン形成方法 |
JP2007256745A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板 |
JP2008003581A (ja) * | 2006-05-22 | 2008-01-10 | Osaka Prefecture Univ | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた回路基板 |
JP2012001612A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 光硬化型樹脂組成物、パターン形成された基板の製造方法及び電子部品 |
JP2013242348A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-12-05 | Taiyo Ink Mfg Ltd | パターン形成方法、アルカリ現像型の熱硬化性樹脂組成物、及びプリント配線板 |
WO2013172432A1 (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-21 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型の熱硬化性樹脂組成物、プリント配線板 |
WO2013171888A1 (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-21 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型の熱硬化性樹脂組成物、プリント配線板 |
WO2013172435A1 (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-21 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型の熱硬化性樹脂組成物、プリント配線板 |
CN104334604A (zh) * | 2012-05-17 | 2015-02-04 | 太阳油墨制造株式会社 | 碱显影型的热固化性树脂组合物、印刷电路板 |
JPWO2013172433A1 (ja) * | 2012-05-17 | 2016-01-12 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型の熱硬化性樹脂組成物、プリント配線板 |
JPWO2013172435A1 (ja) * | 2012-05-17 | 2016-01-12 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型の熱硬化性樹脂組成物、プリント配線板 |
TWI620018B (zh) * | 2012-05-17 | 2018-04-01 | Taiyo Ink Mfg Co Ltd | 鹼顯影型之熱硬化性樹脂組成物、印刷配線板 |
JP2014149416A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法、電気・電子部品保護用皮膜及び電気・電子部品 |
JP2015018049A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 太陽インキ製造株式会社 | 感光性熱硬化性樹脂組成物およびフレキシブルプリント配線板 |
JP2020002324A (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 日本化薬株式会社 | 電子部品用接着剤 |
JP7015220B2 (ja) | 2018-07-02 | 2022-02-15 | 日本化薬株式会社 | 電子部品用接着剤 |
WO2022059622A1 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4191956B2 (ja) | 2008-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6555290B1 (en) | Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same | |
TWI664494B (zh) | Curable resin composition, dry film and cured product thereof, and printed wiring board having the same | |
US7910631B2 (en) | Photosensitive resin composition and flexible printed wiring circuit board having insulative cover layer formed of photosensitive resin composition | |
JP4191956B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP4577361B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント | |
JP3924431B2 (ja) | ソルダーレジストインキ組成物 | |
KR100325670B1 (ko) | 수지조성물 | |
JP2017161859A (ja) | アルカリ現像型ソルダーレジストインキ及びそのプリント配線板加工法とその配線板 | |
JP2003344993A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JPS6148800B2 (ja) | ||
TWI620022B (zh) | Curable resin composition, cured product thereof, printed wiring board having the cured product, and method for producing cured product | |
JP2001131242A (ja) | 樹脂組成物及びこれらの硬化物 | |
JP2001131241A (ja) | 樹脂組成物及びこれらの硬化物 | |
JPS624719A (ja) | 活性エネルギ−線硬化型樹脂組成物 | |
JPH09263635A (ja) | 硬化性樹脂組成物 | |
JP2003280190A (ja) | 光硬化性・熱硬化性樹脂組成物 | |
JP3095658B2 (ja) | シアノグアニジン誘導体及びそれを用いた熱硬化性又は光硬化性熱硬化性樹脂組成物 | |
TW202006467A (zh) | 感光性樹脂組成物 | |
JP2003345009A (ja) | レジスト樹脂組成物 | |
JPS61291619A (ja) | 活性エネルギ−線硬化型樹脂組成物 | |
JPH0695379A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP2002138140A (ja) | ポリエステル樹脂及びそれを用いた感光性樹脂組成物 | |
JPH11160880A (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性フィルム | |
JP2003280191A (ja) | 光硬化性・熱硬化性樹脂組成物 | |
JPS59149917A (ja) | 難燃型感光性樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050523 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080415 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080812 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080916 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080919 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130926 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |