JPH03256048A - めっきレジスト剥離防止剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、めっきレジスト剥離防止剤に係り、更に詳し
くは、特定のＳ−トリアジン誘導体を有効成分とするめ
っきレジスト剥離防止剤に関する。

本発明のめつきレジスト剥離防止剤は、金属基材の特定
の部分のみに金属めっきを行う場合に、非めっき部分に
形成されるレジスト膜の金属基材からの剥離を防止する
ことを目的として、めっきレジスト剤に予め添加して使
用することができ、金属基材に部分的に金属めっきを施
すプリント配線板等の製造において好適に用いられる。

〔従来の技術〕

金属基材に部分的に金属めっきを施して製造するものと
して回路板などが挙げられ、その代表的なものにプリン
ト配線板がある。このプリント配線板の製造方法として
種々の方法が採用されており、例えば、パートリ−アデ
ィティブ法では、銅張り積層板をエツチングして平面回
路を形成した後、非めっき部分にレジスト膜を形成し、
スルーホール部と金属の露出部に無電解銅めっきを施し
て導体化している。また、プリント配線板で銅の配線が
露出する端子部には、金やニッケルなどの金属めっきが
処せられている場合が多い。

これらのめっきにおいて、非めっき部分（めっきを析出
させる以外の部分）を被覆しているものがめつきレジス
ト膜であり、一般に、エポキシ樹脂系を主成分とするも
のが多用されている。めっきを施す際に、このめっきレ
ジスト膜が金属を被覆している界面部分で剥離が生じ易
いため、これを抑制することを目的にしてエポキシ樹脂
系めっきレジスト剤に特定の硬化剤（特開昭６３−２１
８７７６号、特開昭６３−０８９５２１号）を使用する
か、若しくは、めっき抑制剤（特公平１−０２５７９０
号）などを用いることが提案されている。

また、一般に用いられている従来のめっきレジスト剥離
防止剤は、めっき液の汚染性の点で問題が一残されてい
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のめっきレジスト剥離防止剤は、前述の如く、めっ
きレジスト剤としてエポキシ樹脂系を使用し、エポキシ
樹脂の硬化剤としての役割をも兼ねている場合が殆どで
ある。従って、前記硬化剤系のものでは、アクリル樹脂
系めっきレジスト剤に適用することができず、汎用性に
欠けている。

また、各種めっきレジスト剤との相溶性が充分でなく、
更に、めっきレジスト膜の剥離防止効果を高めるために
添加量を多く必要とすることなどから、めっき液汚染性
を呈することにより、めっき析出を阻害し、析出めっき
の物性低下をもたらす原因となっている。

本発明は、エポキシ樹脂系及びアクリル樹脂系のめっき
レジスト剤との相溶性が良好であり、めっきレジスト膜
の剥離防止性に優れ、実質的にめっき液汚染性がなく、
更に析出めっき物性に優れためっきレジスト剥離防止剤
を提供することを目的とする。

〔問題を解決するための手段〕

本発明者等は、前述の目的を遠戚すべく鋭意検討を重ね
た結果、分子内に官能性基を含む置換基を有するＳ−）
リアジン誘導体が、各種のレジスト剤との相溶性に優れ
、かつ極めて優れたレジスト膜の剥離防止性効果及びめ
っき液弁汚染性効果を示すことを見出し、本発明を完成
した。

本発明は、下記の一般式［１］で表され、式中のＲ１−
Ｒ１の少なくとも１個は、不飽和基、エポキシ基、ヒド
ロキシ基、カルボキシル基、メルカプト基及びアミノ基
よりなる群から選択された官能性基を含む置換基であり
、残余の置換基は、水素原子、アルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基及び
アシル基よりなる群から選択された無置換若しくは置換
された基を表す）で示されるＳ−）リアジン誘導体を有
効成分とすることを特徴とするめつきレジスト剥離防止
剤である。

／ 以下、本発明の詳細な説明する。

本発明は、前記一般式［１］に示すように、Ｓ−トリア
ジン環を骨格とし、その置換基Ｒ２〜Ｒ４の少なくとも
１個が、官能性基を含む置換基であるＳ−）リアジン誘
導体を主成分とするめっきレジスト剥離防止剤である。

本発明において、前記官能性基として、不飽和基、エポ
キシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、メルカプト基
及びアミノ基等が挙げられる。

不飽和基として、内部エチレン型、アクリロイル型、メ
タクリロイル型、アセチレン型の置換基が挙げられ、ビ
ニル、アクリロイル、メタクリロイル、ビニレン等が好
ましい。

Ｒ１−Ｒ４に導入される不飽和基、エポキシ基、ヒドロ
キシ基、カルボキシル基、メルカプト基及びアミノ基等
の官能性基を含む代表的な置換基として、下記が例示さ
れる。

−ＣＨ２００ＣＨＮ−Ｘ−ＮＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ２０Ｃ
ＯＣ＝ＣＨ２Ｈ υ −ＣＨ２０ＣＯＲ″Ｃ０ＯＨ。

ＣＨ２ＣＨＣＨ２０ＣＯＲ″Ｃ０ＯＨ Ｈ （但し、Ｒは水素原子又はメチル基、Ｒｏは脂肪族又は
芳香族の有機基、Ｒ”は脂肪族又は芳香族の２価の有機
基、Ｘは２官能性イソシアネート残基を表す） Ｒ１−Ｒ４の内、前記官能性基を含む置換基以外の基は
、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニ
ル基、アリール基、アラルキル基及びアシル基よりなる
群から選択された無置換若しくは置換された基である。

アルキル基として、メチル、エチル、プロピル、ブチル
等の低級アルキル基が、シクロアルキルとして、シクロ
ペンチル、シクロヘキシル等が、アルケニル基として、
ビニル、アリル、イソプロペニル等が、アリール基とし
て、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル、フェノキ
シ等が、アラルキル基として、ベンジル、フェニルメチ
ル、フェニルエチル、ナフチルメチル等が、アシル基と
して、カプロイル、エナントイル、カプリロイル等が挙
げられる。

また、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
アリール基、アラルキル基及びアシル基等は、置換され
ていてもよく、係る置換基として、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基（メトキシ
、エトキシ、プロポキシ）等が挙げられる。

さらに、化合物中のフェニル基は置換されていてもよく
、係る置換基としてアルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、
アシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基等
が挙げられる。

尚、Ｓ−トリアジン誘導体は、一部が結合して得られる
化合物を含んでいてもよい。

本発明のめっきレジスト剥離防止剤は、前記Ｓ−トリア
ジン誘導体の単体またはそれらを溶剤に溶解した溶液で
あり、通常、それらの単体をめっきレジスト剤に配合添
加して用いる。

めっきレジスト剤は、耐めっき性や耐熱性に優れたもの
であればよく、熱硬化型、光硬化型等の硬化型の種類や
、アクリル樹脂系又はエポキシ樹脂系の種類等に特に制
限はない。

本発明のめっきレジスト剥離防止剤の使用に際し、エポ
キシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、メルカプト基
、アミノ基等の官能性基を含む置換基は、エポキシ樹脂
系レジストの硬化剤であるアミノ化合物若しくは酸無水
物等と反応性を有し、またヒドロキシル基、カルボキシ
ル基、メルカプト基、アミノ基の官能性基を含む置換基
は、エポキシ樹脂系レジストのエポキシ基と反応性を有
するため、エポキシ樹脂系レジストに好んで適用される
。

一方、メルカプト基はアクリル樹脂系レジストの不飽和
基と反応性を有し、不飽和基を、含む置換基はアクリル
樹脂系レジストの不飽和基と共に光硬化性を有するため
、アクリル樹脂系レジストに好んで適用される。

また、前記のアクリル樹脂系、エポキシ樹脂系レジスト
に適用できる双方の反応性置換基を有する場合は、何れ
の樹脂系にも用いることができるので適宜選択して使用
される。

めっきレジスト剥離防止剤の使用量は、Ｓ−）リアジン
誘導体としてレジスト剤に対し、０．０５〜５０重量％
、好ましくは３〜３０重量％である。

めっきレジスト剥離防止剤の配合割合が過少な場合、十
分な剥離防止効果が得られず、一方配合割合が過大とな
ると、めっき液汚染性を示すようになり、析出めっきの
物性低下をもたらす。

尚、前記めっきレジスト剥離防止剤は、通常レジスト剤
に配合添加して用いられるが、溶剤に溶解して基材に塗
布するプライマー処理での使用も可能である。

〔作　　　用〕

本発明のめっきレジスト剥離防止剤は、不飽和基、エポ
キシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、メルカプト
基、アミノ基等の官能性基を含む置換基を有するＳ−）
リアジン誘導体を有効成分とすることを特徴とする。

めっきレジスト剥離防止剤の有効成分であるＳ−トリア
ジン誘導体中の、Ｓ−トリアジン環がめつき金属の析出
を抑制する働きがあり、基材の金属とレジスト膜界面へ
のめっき液の浸入が抑制される。また、不飽和基、エポ
キシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、メルカプト
基、アミノ基等の官能性基を含む置換基を導入すること
により、めっきレジスト剤との相溶性を向上させる。

更に、これらの官能性基がレジスト剤成分の樹脂系と反
応して、より強靭なレジスト膜が形成されるため、基材
の金属とレジスト膜との境界面へのめっき液の浸入及び
剥離防止剤のめっき液中への移行が抑制される。

その結果、これらの相乗作用により、レジスト膜の剥離
防止性、めっき液弁汚染性、析出めっき物性などに極め
て優れた効果が得られるものと推定される。

〔実　施　例〕

本発明を、実施例及び比較例により、更に具体的に説明
する。

但し、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものでは
ない。

尚、例中の「部」及びｒ％Ｊは断りのない限り重量基準
である。

（１）めっきレジスト剥離防止剤の合成ｆａ）　　試料
Ａ−１ ２−フェニル−４，６−シアミツ−Ｓ−トリアジン：１
モルと３７％ホルマリン水溶液（ホルムアルデヒド：２
モル）とを、ｐＨ９の水溶液中において８０℃で１０分
間反応させて白色固形状生成物を得た。得られた生成物
をカラム゛クロマトを用いて単離し、得られた単離品：
１モルと無水マレイン酸：１モルとを、５０％ジオキサ
ン溶液中において約１００℃で２時間反応させた後、ジ
オキサンを除き、Ｒ１−Ｒ１としてＨ・２個、−Ｃ）１
２ＤＩ（：１個および−ＣＨ２０ＣＯＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ
ＯＨ：　１個を有するＳトリアジン誘導体：試料Ａ−１
を得た。

得られた試料Ａ−１は、黄白色固形物であり、エポキシ
系樹脂及びアクリル系樹脂との相溶性か良好であった。

ｆｂ）　　試料Ａ−２ ２−フェニル−４，６−ジアミツーｓ−トリアジン＝１
モルとエピクロルヒドリン２６モルとを、オートクーレ
フ中において約１８０℃で５時間反応させた後、アルカ
リで脱塩酸処理してエポキシ環を閉環させた。次いで、
未反応のエピクロルヒドリンを除去し、Ｒ１−Ｒ４のそ
れぞれがグリシジル基であるＳ−）リアジン誘導体：試
料Ａ−２を得た。

得られた試料Ａ−２は、黄褐色粘稠物であり、エポキシ
系樹脂及びアクリル系樹脂との相溶性が良好であった。

（Ｃ）　　試料Ａ−３ 前記（ｂ）項において得られたＳ−）リアジン誘導体：
試料Ａ−２のエポキシ基：ｌ当量に対し、エチレンジア
ミン：４モルを加え、５０％ジオキサン溶液中において
９０℃で２時間反応させた後、ジオキンを除去してＲ１
−Ｒ４のそれぞれが、−ＣＨ２Ｃｌ（ＯＨ）ＣＨ２ＮＨ
ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２であるＳ−トリアジン誘導体：試料
Ａ−３を得た。

得られた試料Ａ−３は、褐色粘稠物であり、エポキシ系
樹脂及びアクリル系樹脂との相溶性が良好であった。

（ｄ）　　試料Ａ−４ ２−フェニル−４，６−シアミツ−Ｓ−トリアジン：１
モルと３７％ホルマリン水溶液（ホルムアルデヒド＝４
モル）とを、８０℃で１０分間反応させた抜水を除去し
た。得られた生成物：１モルに対して、予め、ヘキサメ
チレンジイソシアナート：１モルと２−ヒドロキシエチ
ルアクリレート：１モルとを反応させたウレルタンプレ
ポリマー＝２モルを加え、５０％ジオキサン溶液中にお
いて約１００℃で約２時間反応させた後、ジオキサンを
除去し、Ｒ１−Ｒ４として−ＣＨ２０Ｈ：　２個、−Ｃ
Ｈ２００ＣＨＮ（ＣＨ２）６ＮＨＣＯＯＣＨ２Ｃ）１２
０ＣＯＣＨ＝ＣＨ，：　２個を有するＳ−トリアジン誘
導体：試料Ａ−４を得た。

得られた試料Ａ−４は、黄褐色粘稠物であり、他のエポ
キシ系樹脂、アクリル系樹脂瓶との相溶性が良好であっ
た。

（ｅ）　　試料Ａ−５ ２−フェニル−４，６−シアミツ−Ｓ−トリアジン：１
モルに３７％ホルマリン水溶液（ホルムアルデヒド：４
モル）を加え、８０℃で１０分間反応させた抜水を除去
した。得られた生成物＝１モルに対し、過剰のメタクリ
ル酸無水物二６モルを加えて、５０％ジオキサン溶液中
において約１００℃で２時間反応させた後、ジオキサン
及び未反応メタクリル酸無水物を除去し、Ｒ１−Ｒ４の
それぞれが、−ＣＨ２０ＣＯＣ（Ｃ）１２　）＝ＣＨ，
であるＳ−トリアジン誘導体：試料Ａ−５を得た。

得られた試料Ａ−５は、白色固形物であり、エポキシ系
樹脂、アクリル系樹脂との相溶性が良好であった。

（ｆ）試料Ａ−６ 前記Ｃｅ１項の試料Ａ−５の合成において、２−フェニ
ル−４，６−シアミツーＳ−）リアジンを２−（Ｐ−シ
アノフェニル）−４，６−グアミツ−Ｓ−トリアジンに
代えて用いた以外は、同様に処理し、Ｒ１−Ｒ４のそれ
ぞれが−ＣＨ２０ＣＯＣ（ＣＩ（１）＝ＣＨ２であるＳ
−）リアジン誘導体：試料Ａ−６を得た。

得られた試料Ａ−６は、白色固形物であり、エポキシ系
樹脂、アクリル系樹脂との相溶性が良好であった。

（ｇ＋　　試料Ａ−７ 試料Ａ−５の合成において、２−フェニル−４゜６−グ
アミツ−Ｓ−トリアジンを２−（Ｐ−１リル）−４，６
−ジアミツーｓ−トリアジンに代えて用いる以外は全く
同様にして、Ｒ，−Ｒ，のそれぞれが−ＣＨ２０ＣＯＣ
（ＣＨ，）＝ＣＨ２であるＳ−トリアジン誘導体：試料
Ａ−７を得た。

得られた試料Ａ−７は、白色固形物であり、エポキシ系
樹豚、アクリル系樹脂との相溶性が良好であった。

（２）　　レジスト剤の調製 （ａｌ　　試料Ｂ−１ タレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東部化、成社製
、ＹＤＣＮ−７０４）；　１００部、ジアミノジフェニ
ルメタン（ＤＤＭ）；　２０部、イミダゾール系硬化剤
２Ｅ４ＭＺ（四国化成工業製）；３部及び前記第（１）
　（ａ）項で合成しためっきレジスト剥離防止剤：試料
Ａ−１，１０部を適量のｎ−ブチルセロソルブに溶解し
た溶液を混合し、めっきレジスト剥離防止剤入りのレジ
スト剤：試料Ｂ−１を調製した。

［ｂ）　　試料Ｂ−２ 前記（ａ）項において、試料Ａ−１，１０部に代えて前
記第（１）（ｂ）項で合成しためっきレジスト剥離防止
剤：試料Ａ−２，２０部を用いた以−外には試料Ｂ−１
と同一の仕様とし、めっきレジスト剥離防止剤入りのレ
ジスト剤：試料Ｂ−２を調製した。

（Ｃ）　　試料Ｂ−３ 前記（ａ）項において、試料Ａ−１，１０部に代えて前
記第（１）　（Ｃ１項で合成しためっきレジスト剥離防
止剤：試料Ａ−３、１０部を用いた以外には試料Ｂ−１
と同一の仕様とし、めっきレジスト剥離防止剤入りのレ
ジスト剤：試料Ｂ−３を調製した。

（ｄ）　　試料Ｂ−４ タレゾールノボラック型アクリル変性エポキシ樹脂（新
中村化学社製、ＥＡ−７２００Ｈ）　；　１００部、ア
クリルモノマー（日立化成社製、ＦＡ−５１３Ａ）；７
０部、ＤＤＭ、１０部、２部４Ｍ２．３部、イルガーキ
ュア−６５１（チバガイギー社製）；３部及び前記第（
ＩＨｄ１項で合成しためっきレジスト剥離防止剤：試料
Ａ−４，３０部を適量のｎ−ブチルセロソルブに溶解し
た溶成を混合し、めっきレジスト剥離防止剤入りのレジ
スト剤：試料Ｂ−４を調製した。

ｆｅ）　　試料Ｂ−５ 前記（ｄ）項において、試料Ａ−４，３０部に代えて前
記第ｍ　（ｅ）項で合成しためっきレジスト剥離防止剤
：試料Ａ−５、１０部を用いた以外は試料Ｂ４と同一の
仕様とし、レジスト剤：試料Ｂ−５を調製した。

（ｆ）　　試料Ｂ−６ 前記（ｄ１項において、試料Ａ−４，３０部に代えて前
記第（１１（ｆ）項で合成しためっきレジスト剥離防止
剤：試料Ａ−６．１０部を用いた以外は試料Ｂ４と同一
の仕様とし、レジスト剤：試料Ｂ−６を調製した。

（ｇ）　　試料Ｂ−７ 前記（ｄ１項において、試料Ａ−４，３０部に代えて前
記第（１）　（ｇ）項で合成しためっきレジスト剥離防
止剤：試料Ａ−７．２０部を用いた以外は試料Ｂ４と同
一の仕様とし、レジスト剤：試料Ｂ−７を調製した。

（ｊ）　　比較試料Ｃ−２ 前記（ａ）項において、試料Ａ−１，１０部に代えて２
−フェニル−４，６−グアミツ−Ｓ−トリアジン（ベン
ゾグアナミン）；１０部を用いた以外は試料Ｂ−１と同
一の仕様とし、レジスト剤：比較試料Ｃ−２を調製した
。

（ｈ）　　試料Ｂ−８ 前記（ｄ）項において、試料Ａ−４，３０部に代えて前
記第（１）　（ａ）項で合成しためっきレジスト剥離防
止剤：試料Ａ−１，１０部を用いた以外は試料Ｂ−４と
同一の仕様とし、レジスト剤：試料Ｂ−７を調製した。

（１）比較試料Ｃ−１ 前記Ｃａ１項において、試料Ａ−１の添加を除いた以外
には試料Ｂ　−’　１と同一の仕様とし、レジスト剤：
比較試料Ｃ−１を調製した。

（ｋ）　　比較試料Ｃ−３ 前記（ｄ）項において、試料Ａ−４の添加を除いた以外
には試料Ｂ−４と同一の仕様とし、レジスト剤：比較試
料Ｃ−３を調製した。

（３）　　レジスト膜の形成 ＋ａＪ熱硬化レジスト膜 前記（２）項で調整したレジスト剤の試料Ａ−１〜試料
Ａ−３及び比較試料Ｃ−１、Ｃ−２を、１０１０Ｘ１０
のガラスエポキシ基板（以下、Ａ基板と称す）及び銅張
りガラスエポキシ基板（以下、Ｂ基板と称す）上に、ド
クターブレードを用いて乾燥後の塗膜が約３０μｍにな
るようにそれぞれ５枚ずつ塗布し、オーブンを用いて１
５０℃で１時間硬化させた。また、裏面にも同様に塗布
し、硬化させて基板の両面にレジスト膜を形成したテス
トピースを作製した。

（ｂ）光硬化レジスト膜 前記（２）項で調整したレジスト剤の試料Ｂ−４〜試料
Ｂ−８及び比較試料Ｃ−３を、前記（ａ）項で用いたも
のと同様の１０Ｘ１０Ｘ１０基板及びＢ基板上に、ドク
ターブレードを用いて乾燥後の塗膜が約３０μｍになる
ようにそれぞれ５枚ずつ塗布し、高圧水銀灯を用いてＩ
Ｊ／Ｃｌｌ１のＵＶを照射し、また裏面にも同様にレジ
スト剤′を塗布し、ＵＶを照射して基板の両面にレジス
ト膜を形成し、更にオーブンを用いて１５０℃で１時間
硬化させ、テストピースを作製した。

（４）めっき試験 前記（３）項で作製したテストピースを、下記の化学銅
めっき液に浸漬し、めっき液中の銅イオン濃度、ホルマ
リン濃度他のめっき薬剤濃度及びｐＨ（１２，５）を維
持下に、７０℃で１０時間保持した。次いで、めっき液
からテストピースを引き上げて水洗した後、１３０℃で
３０分間乾燥させて銅めっきテストピースを得た。

また引き続き、テストピース浸漬後のめつき液に、めっ
き触媒を付着させたステンレス板を浸漬し、前記と同一
の条件で銅を析出させ、水洗後剥離して銅箔のテストピ
ースを得た。

く化学銅めっき液組成〉 硫酸銅 ＤＴＡ ３７％ホルマリン　　　・ ２．２−ジピリジル　　： ポリエチレングリコール （分子量：６００） 水酸化ナトリウム ：２０ｗｔ／ＩＩ ：ｐＨ＝１２．５（２０℃） に維持する量 ：全体を１１に調整する量 １０ｇ／Ａ’ ３０ｇ／１ ３−／１ ３５■／ｌ 水 得られた銅めっきテストピースを用い、ＪＩＳＫ−５４
００のゴバン目剥離試験及び２６０°Ｃハンダ浴に３０
秒間浸漬によるハンダ耐熱試験を行った。

また、ステンレス板を用いて得られた銅箔の伸び率及び
引張強度を測定した。

上記試験結果を第１表に示す。

第１表に示したように、本発明のめつきレジスト剥離防
止剤を添加したレジスト剤を用いて形成した実施例にお
いては、めっき処理後の密着性に優れるだけでなく、ノ
＼ンダ耐熱性にも優れている。

更に銅箔の伸び率が極めて優れてめっき液弁汚染性であ
ることを示している。

〔発明の効果〕

前記の実施例に示したように、本発明の特定のＳ−）リ
アジン誘導体化合物からなるめっきレジスト剥離防止剤
は、めっきレジスト剤に添加配合して用いることにより
、基材の金属とレジスト膜の剥離防止性に優れた効果を
示し、更にめっき液汚性が極めて少なく、良好なめつき
物性が得られる。

従って、レジスト膜の剥離を防止する目的のめっきレジ
スト剤への添加剤として極めて有用である。

れるめっきレジスト膜の金属基材からの剥離を防止する
薬剤として極めて有用であり、そのめっき分野、特にプ
リント基板製造分野を始めとする産業上の意義は極めて
大きい。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の一般式［１］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （ここに、Ｒ＿１〜Ｒ＿４の少なくとも１個は、不飽和
   基、エポキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、メル
   カプト基及びアミノ基よりなる群から選択された官能性
   基を含む置換基であり、残余の置換基は、水素原子、ア
   ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール
   基、アラルキル基及びアシル基よりなる群から選択され
   た無置換若しくは置換された基を表す）で示されるＳ−
   トリアジン誘導体を有効成分とすることを特徴とするめ
   っきレジスト剥離防止剤。