JPH03200249A

JPH03200249A - めっきレジスト剥離防止剤

Info

Publication number: JPH03200249A
Application number: JP34118689A
Authority: JP
Inventors: Eiji Takahashi; 栄治高橋; Takao Morikawa; 森川　隆男; Hiroyuki Haruta; 治田　宏之
Original assignee: Nippon Soda Co Ltd
Current assignee: Nippon Soda Co Ltd
Priority date: 1989-12-28
Filing date: 1989-12-28
Publication date: 1991-09-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、めっきレジスト剥離防止剤に係り、更に詳し
くは、特定のＳ−）　ＩＪアジン誘導体化合物を主成分
とするめっきレジスト剥離防止剤に関する。

本発明のめっきレジスト剥離防止剤は、金属基非めっき
部分に形成されるレジスト膜の金属基材からの剥離を防
止することを目的として、めっきレジスト剤に予め添加
して使用することができ、金属基材に部分的に金属めっ
きを施すプリント配線板等の製造において好適に用いら
れる。

〔従来技術〕

金属基材に部分的に金属袷っきを施して製造するものと
して回路板などが挙げられ、その代表的なものにプリン
ト配線板がある。このプリント配線板の製造方法として
種々の方法が採用されており、例えば、パートリ−アデ
ィティブ法では、銅張り積層板をエツチングして平面回
路を形成した後、非めっき部分にレジスト膜を形成し、
スルーホール部と金属の露出部に無電解銅めっきを施し
て導体化している。また、プリント配線板で銅の配線が
露出する端子部には、金やニッケルなどの金属めっきが
処せられている場合が多い。

これらのめっきにおいて、非めっき部分くめっきを析出
させる以外の部分）を被覆しているものがめつきレジス
ト膜であり、一般に、エポキシ樹脂系を主成分とするも
のが多用されている。めっきを施す際に、このめっきレ
ジスト膜が金属を被覆している界面部分で剥離が生じ易
いため、これを抑制することを目的にしてエポキシ樹脂
系めっきレジスト剤に特定の硬化剤（特開昭６３−２１
８７７６号、特開昭６３−０８９５２１号）を使用する
か、若しくは、狛つき抑制剤（特公平１−０２５７９０
号）などを用いることが提案されている。

また、一般に用いられている従来のめっきレジスト剥離
防止剤は、めっき液の汚染性の点で問題が残されている
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のめっきレジスト剥離防止剤は、前述の如く、めっ
きレジスト剤としてエポキシ樹脂系を使用し、エポキシ
樹脂の硬化剤としての役割をも兼ねている場合が殆どで
ある。従って、前記硬化剤系のものでは、アクリル樹脂
系めっきレジスト剤に適用することができず、汎用性に
欠けている。

また、各種めっきレジスト剤との相溶性が充分でなく、
更に、めっきレジスト膜の剥離防止効果を高めるために
添加量を多く必要とすることなどから、狛つき液汚染性
を呈することにより、めっき析出を阻害し、析出めっき
の物性低下をもたらす原因となっている。

すごとを見出して本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の要旨とするところは、下記一般式［
１コ本発明は、エポキシ樹脂系及びアクリル樹脂系のめっき
レジスト剤との相溶性が良好であり、めっきレジスト膜
の剥離防止性に優れ、実質的にめっき液汚染性がなく、
更に析出めっき物性に優れためっきレジスト剥離防止剤
を提供することを目的とする。

〔問題を解決するための手段〕

本発明者等は、前述の目的を達成すべく鋭意検討を重ね
た結果、分子内に特定の置換基を有するＳ　−）　ＩＪ
アジン誘導体化合物が各種のレジスト剤との相溶性に浸
れ、かつ極めて優れたレジスト膜”Ｄ　Ｐ’ｌ　培防止
性効果及びめっき液算汚染性効果を示へ＼Ｒ３（但し、式中のＲ，は水素原子又はアルキル基、シクロ
アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基
、アラルキル基、アシル基、アシロキシ基及びアミノ基
よりなる群から選択された無置換若しくは置換された基
を表し、Ｒ２−Ｒ３は不飽和基、エポキシ基、ヒドロキ
シル基、カルボキシル基、メルカプト基及びアミノ基よ
りなる群から選択された基を有する置換基であり、該置
換基をＲ２−Ｒ５内に少なくとも１個有し、該置換基以
外の基は水素原子又はアルキル基、シクロアルキル基、
アルケニル基、アリール基、アラルキル基及びアシル基
よりなる群から選択された無置換若しくは置換された基
を表す）で示されるＳ−）！Ｊアジン誘導体化合物を主
成分とする狛つきレジスト剥離防止剤である。

本発明のめっきレジスト剥離防止剤である一般式［１］
に示されるＳ−トリアジン誘導体化合物とは、Ｒ，が水
素原子又はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、アシル
基、アシロキシ基及びアミノ基よりなる群から選択され
た無置換若しくは置換された基である。ここで、アルキ
ル基はメチル、エチル、プロピル、ブチル等の低級アル
キル基、シクロアルキル基はシクロプロピル、シクロブ
チル等、アルケニル基はビニル、アリル、イソプロペニ
ル等、アルコキシ基はメトキシ、エトキシ、プロポキシ
等、アリール基はフェニル、トリル、キシリル、ナフチ
ル、フェノキシ等、アラルキル基は、ベンジル、フェニ
ルメチル、フェニル　エチル、ナフチルメチル等、アシ
ル基はカプロイル、エナントイル、カプリロイル等、ア
シロキシ基はホルミルオキシ、アセトキシ、プロピオニ
ルオキシ等である。

また、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ
基、アシル基、アシルオキシ基等は、置換されていても
よく、係る置換基として、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
アノ基、アルキル基、アルキルチオ基（メチルチオ、エ
チルチオ、プロピルチオ等）、アルキルアミノ基（メチ
ルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ等）、アルコ
キシ基、アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル
、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル）、ベン
ジルオキシ基、アシル基、ヒドロキシル基及びアミノ基
等が挙げられる。

Ｒ１のアミノ基は、−Ｎ　ＲａＲ、基（但し、Ｒ６、Ｒ
１は同−若しくは相異なる水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ア
リール基、アラルキル基を表す）で示されるものである
。

Ｒ２−Ｒ５は、不飽和基、エポキシ基、ヒドロキシル基
、カルボキシル基、メルカプト基及びアミノ基なる群か
ら選択された基を有する置換基であり、これらの置換基
をＲ２−Ｒ３内に少なくとも１個有するものである。ま
た、該置換基以外の基として、水素原子又はアルキル基
、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラ
ルキル基及びアシル基よりなる群から選択された無置換
若しくは置換された基である。

前記の不飽和基としては、内部エチレン型、アクリロイ
ル型、メタクリロイル型、アセチレン型を有する置換基
であり、好ましく用いられ基として、ビニル、アクリロ
イル、メタクリロイル、ビニレン等である。

Ｒ２−Ｒ３の不飽和基、エポキシ基、ヒドロキシル基、
カルボキシル基、メルカプト基及びアミノ基を有する代
表的な置換基として、次のようなものが挙げられる。

−ＣＨ２００ＣＨＮ−Ｘ−ＮＨＣｏｏＣｌｌ、Ｃ）１．
０ＣＯＣ＝ＣＩＩ。

−ＣＨ，ＤＣＯＲ”ＣＤ叶、−ＣＨ，ＣＨＣＨ２ＤＣＯ
Ｒ”Ｃ０ＯＨ叶（但し、Ｒは水素原子又はメチル基、Ｒｏ　は脂肪族又
は芳香族の有機基、Ｒ”は脂肪族又は芳香族の２価の有
機基、Ｘは２官能性イソシアネート残基を表す）また、該置換基以外の基であるアルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基及び
アシル基の無置換若しくは置換された基（前記のＲ１で
述べたものと同意義）である。

尚、前記の一般式［１］に示されるＳ−）リアジン誘導
体化合物は、一部分が結合されて得られる化合物を含ん
でいてもよい。

本発明のめっきレジスト剥離防止剤は、通常、めっきレ
ジスト剤に配合添加して用いられる。めっきレジスト剤
は、耐めっき性や耐熱性に優れたものであればよく、熱
硬化型、光硬化型等の硬化型の種類や、アクリル樹脂系
又はエポキシ樹脂系の種類等に特に制限されるものでな
い。

前記めっきレジスト剥離防止剤の使用に際し、エポキシ
基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、メルカプト基及
びアミノ基を含む置換基を有するものは、エポキシ樹脂
系レジストの硬化剤であるアミノ化合物若しくは酸無水
物等と反応性を有し、ヒドロキシル基、カルボキシル基
、・メルカプト基及びアミノ基を含む置換基を有するも
のは、エポキシ樹脂系レジストのエポキシ基と反応性を
有するため、エポキシ樹脂系レジストに好んで適用され
る。一方、メルカプト基はアクリル樹脂系のレジストの
不飽和基と反応性を有し、不飽和基を含む置換基は、ア
クリル樹脂系のレジストの不飽和基と共に光硬化を有す
るため、アクリル樹脂系レジストに好んで適用される。

また、前記のアクリル樹脂系、エポキシ樹脂系レジスト
に適用できる双方の反応性基を含む置換基を有する場合
は、何れの樹脂系にも用いることができるので適宜選択
して使用される。

めっきレジスト剥離防止剤の使用量は、レジスト剤に対
して０．０５〜５０重量％、好ましくは３〜３０重量％
配合添加して用いられる。

めっきレジスト剥離防止剤の配合割合が過少な場合、十
分な剥離防止効果が得られず、一方、配合割合が過大と
なると、めっき液汚染性を示すようになり、析出めっき
の物性低下をもたらす。尚、前記めっきレジスト剥離防
止剤は、通常レジスト剤に配合添加して用いられるが、
溶剤に溶解して基材に塗布するプライマー処理での使用
も可能である。

〔作　　　用〕

本発明のめっきレジスト剥離防止剤は、不飽和基、エポ
キシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、メルカプト
基、アミノ基含む置換基を有するＳ　−）　ＩＪアジン
誘導体化合物を主成分とすることを特徴とする。

めっきレジスト剥離防止剤の主成分化合物は、Ｓ　−）
　ＩＪアジン環が析出を抑制する働きがあり、基材の金
属とレジスト膜界面へのめっき液の浸入が抑制される。

また、不飽和基、エポキシ基、ヒドロキシル基、カルボ
キシル基、メルカプト基、アミノ基等含む置換基等を導
入することにより、めっきレジスト剤との相溶性を向上
させる。

更に、これらの官能基がレジスト剤成分の樹脂系と反応
して、より強靭なレジスト膜が形成されるため、基材の
金属とレジスト膜との境界面へのめっき液の浸入及び剥
離防止剤のめっき液中への移行が抑制される。

その結果、これらの相乗作用により、レジスト膜の剥離
防止性、めっき液卵汚染性、析出めっき物性などに極め
て優れた効果が得られるものと推定される。

〔実　施　例〕

本発明を、実施例、比較例により、更に具体的に説明す
る。但し、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもの
ではない。

尚、例中の「部」　及び「％」は断りのない限り重量基
準である。

（１）　　めっきレジスト剥離防止剤の合成（ａ）　　
試料Ａ−１２−ビニル−４，６−ジアミツーＳ−）リアジン（１モ
ル）と３７％ホルマリン水溶液（ホルマリン２モル）を
ｐＨ９の水溶液中で８０℃にて１０分間反応させて白色
固形の生成物を得た。該生成物をカラムクロマトを用い
て単離し、咳単離品（１モル）と無水マレイン酸　（１
モル）を５０％ジオキサン溶液中で約１００℃にて２時
間反応せしめた後、ジオキサンを除去し、Ｒ３が−Ｃ）
ｌ：ｃ　Ｈ２、Ｒ２−Ｒ３の内水素原子が２個、−ＣＨ
２叶が１個、−ＣＨ２０ＣＯＣＲ＝ＣＩｌＣＯＤＨ１個
の置換基を有する本発明の化合物〔試料Ａ−１〕を得た
。

得られた化合物〔試料Ａ−１〕は、黄白色固形物であり
、他のエポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂との相溶性が
良好であった。

（ハ）試料Ａ−２２−（ｍ−）ルイル）−４，６−シアミツ−Ｓ−トリア
ジン（１モル）とエピクロルヒドリン　（６モル）をオ
ートクーレブの中で約１８０℃にて５時間反応させた後
、アルカリで脱塩酸によりエポキシ環を閉環させる。次
いで、未反応のエピクロルヒドリンを除去し、Ｒｔがｍ
−トルイル、Ｒ３−Ｒ２の内容々グリシジルの置換基を
有する本発明の化合物〔試料Ａ−２〕を得た。

得られた化合物〔試料Ａ−２〕は、黄褐色粘稠物であり
、他のエポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂との相溶性が
良好であった。

（Ｃ）　　試料Ａ−３試料Ａ−２の合成において得られた化合物〔試料Ａ−２
〕のエポキシ基（１当量）に対し、エチレンジアミン　
（１モル）の割合で加え、５０％ジオキサン溶液中で９
０℃にて２時間反応せしめた後、ジオキンを除去し、Ｒ
１がｍ　−）ルイル、Ｒ２−Ｒ１が各々−ＣＨ３ＣＮ　
（ＯＨ）　ＣＨ，ＮＨＣＨ，［：Ｈ，ＮＨ，置換基を有
する本発明の化合物〔試料Ａ−３〕を得た。

得られた化合物〔試料Ａ−３〕は、褐色粘稠物であり、
他のエポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂との相溶性が良
好であった。

（ｄ）　　試料Ａ−４２−（ｎ−プロピルアミノエチル）−４，６−ジアミツ
ーＳ−）リアジン（１モル）との３７％ホルマリン水溶
液（ホルマリン４モル）を使用して８０℃にて１０分間
反応させた後、水を除去した。

該生成物（１モル）に対し、予め、ヘキサメチレンジイ
ソシアナート（１モル）と２−ヒドロキシエチルアクリ
レート（１モル）を反応させたウレタンプレポリマー（
２モル）を５０％ジオキサン溶液中で約１００℃にて約
２時間反応させた後、ジオキサンを除去し、Ｒ３がｎ−
プロピルアミノエチル、Ｒ３−Ｒ２の内に−ＣＨ，ＤＨ
が２個、Ｃｆ１ａ００Ｃ）ＩＮ　（ＣＬ）　５ＮＨｃＯ
ＯｃＨｚｃＨ２０ｃ口Ｃ）ｌ＝ｃ）１２２個の置換基を
有する本発明の化合物〔試料Ａ−４〕を得た。

得られた化合物〔試料Ａ−４〕は、黄褐色粘稠物であり
、他のエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂との相溶性が良
好であった。

（ｅ）　　試料Ａ−５２−（ｐ−シアノフェニル）−４，６−ジアミノＳ−）
リアジンに３７％ホルマリン水溶液（ホルマリン４モル
）を加え、８０℃にて１０分間反応させた後人を除去し
た。該生成物（１モル）に対し、過剰のメタクリル酸無
水物（６モル）を加えて、５０％ジオキサン溶液中で約
１００℃にて２時間反応させた後、ジオキサン及び未反
応メタクリル酸無水物を除去し、Ｒ１がｐ−シアノフェ
ニル、Ｒ２−Ｒ３が各々−ＣＨ２０ＣＯＣ（ＣＩＩ３）
：ＣＨ基である化合物〔試料Ａ−５〕を得た。

得られた化合物〔試料Ａ−５〕は、白色固形物であり、
他のエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂との相溶性が良好
であった。

（２）　　レジスト剤の調整（ａ）　　試料Ｂ−１タレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東部化成社製、
ＹＤＣＮ−７０４＞１００部、ジアミノジフェニルメタ
ン（ＤＤＭ）２０部、イミダゾール系硬化剤２Ｅ４ＭＺ
　（四国化成工業製）３部及び前記第（１）項で合成し
ためっきレジスト剥離防止剤〔試料Ａ−１１５部に適量
のｎ−ブチルセロソルブで溶解し、めっきレジスト剥離
防止剤入りのレジスト剤〔試料Ｂ−１〕を調製した。

（ｂ）　　試料Ｂ−２試料Ｂ−１の調製で用いたＹＤＣＮ−７０４；１００部
、ＤＤＭ　；　２０部、２部４ＭＺ；３部、前記第（１
）項で合成しためっきレジスト剥離防止剤〔試料Ａ−２
１２０Ｒに適量のｎ−ブチルセロソルブを加えて溶解し
、めっきレジスト剥離防止剤入りのレジスト剤〔試料Ｂ
−２〕を調製した。

社製）３部に前記第（１）項で合成しためっきレジスト
剥離防止剤〔試料Ａ−４：１３０部に適量のｎブチルセ
ロソルブを加えて溶解し、めっきレジスト剥離防止剤入
りのレジスト剤〔試料Ｂ−４〕を調製した。

（Ｃ）　　試料Ｂ−３試料Ｂ−２の調製で用いたＹＤＣＮ−７０４・１００部
、ＤＤＭ　；　２０部、２部４ＭＺ；３部、前記第（１
）項で調整しためっきレジスト剥離防止剤〔試料Ａ−３
３１０部に適量のｎ−ブチルセロソルブを加えて溶解し
、めっきレジスト剥離防止剤入りのレジスト剤〔試料Ｂ
−３〕を調製した。

（ｅ）　　試料Ｂ−４タレゾールノボラック型アクリル変性エポキシ樹脂（新
中村化学社製、ＥＡ−７２００Ｈ）１００部、アクリル
モノマー（日立化成社製、ＦＡ−５１３Ａ）７０部、Ｄ
ＤＭ；１０部、２部４ＭＺ；３部、イルガーキュア−６
５１（チバガイギ−（ｅ）　　試料Ｂ−５試料Ｂ−４の調製において、めっきレジスト剥離防止剤
〔試料Ａ−４１３０部の代わりに前記第（１）項で合成
しためっきレジスト剥離防止剤〔試料Ａ−５〕を１０部
用いた以外は、全く同様な仕様にてレジスト剤〔試料Ｂ
−５〕を調製した。

（ｆ）　　試料Ｂ−６試料Ｂ−４の調製において、めっきレジスト剥離防止剤
〔試料Ａ−４］３０部の代わりに前記第（１）項で合成
しためっきレジスト剥離防止剤〔試料Ａ−１〕を５部用
いた以外は、全く同様な仕様でレジスト剤〔試料Ｂ−６
〕を調製した。

（印　比較試料Ｃ−１前記試料Ｂ−１の調製において、めっきレジスト剥離防
止剤〔試料Ａ−１〕の添加を除いた以外は、全く同様な
仕様でレジスト剤〔試料Ｃ−１〕を調製した。

（５）　比較試料Ｃ−２試料Ｂ−１の調整で用いたＹＤＣＮ−７０４；１００部
、ＤＤＭ；２０部、２部４ＭＺ；３部とベンゾトリアゾ
ール；５部に適量のｎ−ブチルセロソルブを加えて溶解
し、本発明のめっきレジスト剥離防止剤の代わりにベン
ゾトリアゾールを用いたレジスト剤〔試料Ｃ−２〕を調
製した。

（ｉ）　　比較試料Ｃ−３試料Ｂ−４の調製において、めっきレジスト剥離防止剤
〔試料Ａ−４１３０部を除いた以外は全く同様な仕様で
レジスト剤〔試料Ｃ−３〕を調製した。

（３）　　レジスト膜の形成（ａ）　　熱硬化レジスト膜前記（２）項で調整したレジスト剤の試料Ｂ−１゜Ｂ−
２，Ｂ−３及び比較試料Ｃ−１，Ｃ−２を、１０８１０
ｃｍのガラスエポキシ基板（以下、Ａ基板と称す）及び
銅張りガラスエポキシ基板（以下、Ｂ基板と称す）上に
ドクターブレードを用いて乾燥後の塗膜が約３０μｍに
なるように基板の表面に各々５枚ずつ塗布し、オーブン
で１５０℃にて１時間硬化させた。また、裏面にも同様
に塗布し、硬化させて基板の両面にレジスト膜を形成せ
め、各々のテストピースを作製した。

（ｂ）　　光硬化レジスト膜前記（２）項で調整したレジスト剤の試料Ｂ−４゜Ｂ−
５，８−６及び比較試料Ｃ−３を、前記（ａ）項で用い
たものと同様の１０Ｘ１０Ｘ１０基板及びＢ基板上にド
クターブレードを用いて乾燥後の塗膜が約３０μｍにな
るように基板の表面に各々５枚ずつ塗布し、高圧水銀灯
でＩＪ／Ｃｒ１ＵＶ照射し、裏面にも同様に塗布し、照
射して基板の両面にしシスト膜を形成し、更にオーブン
で１５０℃にて１時間硬化させ、各々のテストピースを
作製した。

（４）　　めっき試験前記（３）項で作製したテストピースを下記の化学銅袷
っき液に浸漬し、めっき液中の銅イオン濃度やホルマリ
ン濃度性の狛つき薬剤濃度及びｐＨ（１２、５）を保ち
ながら、７０℃にて１０時間保持した。次いで、めっき
液からテストピースを引き上げて水洗した後、１３０℃
で３０分間乾燥させて銅めっきテストピースを得た。

また引き続き、テストピース浸漬後のめっき液に、めっ
き触媒を付着させたステンレス板を用い、同様に浸漬し
て銅を析出させ、水洗後剥離して銅箔のテストピースを
得た。

２．２−ジピリジル　：　３５ｍｇ／βポリエチレング
リコール（分子量：　６００）　　：　２０ｍ１／ＩＩ水酸化
ナトリウム　　：ｐＨ＝１２．５（２０℃）に維持する
量水　　　　　　　　　：全体をＩＩ！に調整する量得られた銅めっきテストピースを用い、ＪＩＳＫ−５４
００のゴバン目剥離試験及び２６０℃ハンダ浴に３０秒
間浸漬によるハンダ耐熱試験を行った。また、ステンレ
ス板を用いて得られた銅箔の伸び率及び引張強度を測定
した。

上記試験結果を第１表に示す。

く化学銅めっき液組成〉硫酸銅　　　　　　　：１０ｇ／ＩＥＤＴＡ　　　　　　　：　３０　ｇ／１３７％ホルマ
リン　　＋　　３ｍｌ／１第１表、に示したように、本
発明のめっきレジスト剥離防止剤を添加したレジスト剤
を用いて形成した実施例においては、めっき処理後の密
着性に優れるだけでなく、ハンダ耐熱性にも優れている
。

更に銅箔の伸び率が極めて優れてめっき液卵汚染性であ
ることを示している。

〔発明の効果〕

前記の実施例に示したように、本発明の特定のＳ−トリ
アジン誘導体化合物からなるめっきレジスト剥離防止剤
は、めっきレジスト剤に添加配合して用いることにより
、基材の金属とレジスト膜の剥離防止性に優れた効果を
示し、更にめっき波涛性が極めて少なく、良好なめっき
物性が得られる。

従って、レジスト膜の剥離を防止する目的のめっきレジ
スト剤への添加剤として極゛めて有用である。

本発明は、めっきレジスト剤へ添加し、形成されるめっ
きレジスト膜の金属基材からの剥離防止する薬剤として
極めて有用であり、そのめっき分野、特にプリント基板
製造分野等の産業分野における意義は、大きい。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）下記の一般式［１］で示されるＳ−トリアジン誘
導体化合物を主成分とすることを特徴とするめっきレジ
スト剥離防止剤。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、式中のＲ＿１は水素原子又はアルキル基、シク
ロアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール
基、アラルキル基、アシル基、アシロキシ基及びアミノ
基よりなる群から選択された無置換若しくは置換された
基を表し、Ｒ＿２〜Ｒ＿５は不飽和基、エポキシ基、ヒ
ドロキシル基、カルボキシル基、メルカプト基及びアミ
ノ基よりなる群から選択された基を有する置換基であり
、該置換基をＲ＿２〜Ｒ＿５内に少なくとも１個有し、
該換基以外の基は水素原子又はアルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基及び
アシル基よりなる群から選択された無置換若しくは置換
された基を表す）