JPS6191996A - プリント配線基板の製造のための半製品 - Google Patents
プリント配線基板の製造のための半製品Info
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- JPS6191996A JPS6191996A JP60220477A JP22047785A JPS6191996A JP S6191996 A JPS6191996 A JP S6191996A JP 60220477 A JP60220477 A JP 60220477A JP 22047785 A JP22047785 A JP 22047785A JP S6191996 A JPS6191996 A JP S6191996A
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- Japan
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- semi
- finished product
- host
- molecule
- compound
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
- Y10T428/31692—Next to addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31699—Ester, halide or nitrile of addition polymer
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- Chemically Coating (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリント配線基板の製造のための半製品に関す
るものである。
るものである。
一般に、通常の絶縁ベース材料上への高度に密着させた
金属付着物の沈澱は費用のかかる予備処理を必要とする
。たとえば、ガラスマット補強エポキシａ１脂又は紙補
強７エ／−ル樹脂からのプリント配線基板の製造のため
のベース板には、先ず付着増進剤層を付与し、次いで酸
化性の液体、好ましくはクロム酸及び硫酸によって処理
したのちに、このような準備した板を、イオン性又はコ
ロイド状貴金属溶液で活性化し、マスクし且つ市販の金
属化浴中で金属化する。
金属付着物の沈澱は費用のかかる予備処理を必要とする
。たとえば、ガラスマット補強エポキシａ１脂又は紙補
強７エ／−ル樹脂からのプリント配線基板の製造のため
のベース板には、先ず付着増進剤層を付与し、次いで酸
化性の液体、好ましくはクロム酸及び硫酸によって処理
したのちに、このような準備した板を、イオン性又はコ
ロイド状貴金属溶液で活性化し、マスクし且つ市販の金
属化浴中で金属化する。
これらの方法の多段階的な本質は別にしても、この方法
は、同伴されるクロムイオンが浴を不ＩＩｆ逆的に毒し
且つ得られるプリント配線基板が不十分な電気的性質を
示すという欠点を有している。
は、同伴されるクロムイオンが浴を不ＩＩｆ逆的に毒し
且つ得られるプリント配線基板が不十分な電気的性質を
示すという欠点を有している。
それ故、基質、たとえばプリント配線基板のベース担体
、の非導電性の表面を、後続する化学的金属化のために
、貴金属／７ミン錯体化合物又は塩化パラジウムの溶液
又はコーティングを用いる酸化的予備処理を行うことな
しに、活性化することが提案されている（たと・えば、
それぞれ米国特許第３．５６０．２５７号及び米国特許
第４，２４８．６３２号に相当する、ドイツ特許公告第
１．６９６．６０３号及び第２，１１６．３８９号参照
）。
、の非導電性の表面を、後続する化学的金属化のために
、貴金属／７ミン錯体化合物又は塩化パラジウムの溶液
又はコーティングを用いる酸化的予備処理を行うことな
しに、活性化することが提案されている（たと・えば、
それぞれ米国特許第３．５６０．２５７号及び米国特許
第４，２４８．６３２号に相当する、ドイツ特許公告第
１．６９６．６０３号及び第２，１１６．３８９号参照
）。
しかしながら、本末材料を攻撃することがない、これら
の活性化方法は、比較的多駄のｅｔ４ｔＭを必要とし且
つ電子工業において必要とする金属析出物の高い剥離強
度を与えないため、従米は実川的に受は入れられること
はできなかった。そのため、腐食剤による付加的な表面
処理が、少なくとも最初に挙げた特許文献（第６列、第
４８行参照）において相称されている。
の活性化方法は、比較的多駄のｅｔ４ｔＭを必要とし且
つ電子工業において必要とする金属析出物の高い剥離強
度を与えないため、従米は実川的に受は入れられること
はできなかった。そのため、腐食剤による付加的な表面
処理が、少なくとも最初に挙げた特許文献（第６列、第
４８行参照）において相称されている。
ここに、錯化させるべき（選択的）配位子及びイオン又
は分子が、いわゆる“ホスドープスト相互関係”にある
−を属錯体化合物を含有する活性剤系を用いてベース板
を処理するときには、これらの欠点を回避することがで
き且つプリント配線基板の９１遺のための半製品を簡単
な方式で、すなわち、腐食を付わず且つ析出増進層を用
いることなく、取得することができるということが見出
された。
は分子が、いわゆる“ホスドープスト相互関係”にある
−を属錯体化合物を含有する活性剤系を用いてベース板
を処理するときには、これらの欠点を回避することがで
き且つプリント配線基板の９１遺のための半製品を簡単
な方式で、すなわち、腐食を付わず且つ析出増進層を用
いることなく、取得することができるということが見出
された。
所望するならば、このようにして活性化した糎に対して
、湿式化学的無電流金属方法又は湿式化学的−ｐ＆電流
／電気めっき方法の岨み合わせによって、０．１〜１０
μ霞の層の厚さに導電性の金属析出物を付与することが
できる。
、湿式化学的無電流金属方法又は湿式化学的−ｐ＆電流
／電気めっき方法の岨み合わせによって、０．１〜１０
μ霞の層の厚さに導電性の金属析出物を付与することが
できる。
このようにして活性化し、次いで場合によっては金属化
したベース板、すなわちいわゆる半製品は、常法に従い
、フル・アディティブ又はセミ・アディティブ力法によ
って処理する、二とによって、プリント配線基板（マウ
ンティング板）とすることができる。
したベース板、すなわちいわゆる半製品は、常法に従い
、フル・アディティブ又はセミ・アディティブ力法によ
って処理する、二とによって、プリント配線基板（マウ
ンティング板）とすることができる。
厚さ７０μ−に至るまでの金属析出物を腐食溶液によっ
て部分的に溶解しなければならない公知のサブ）ラクテ
ィプ法と比較して、本発明による方法は、セミ−７デイ
テイプ法を遂行するときに、僅か１０μｍ、好ましく」
よ０．１〜７．５μｌ又は、特に好ましくは、０．１〜
５．（）あるいは０．１〜２．０μ−の最大Ｆ！、との
金属層を腐食除去する必要があるのみであって、それが
材料の大きな節約をもたらすという利点を有している。
て部分的に溶解しなければならない公知のサブ）ラクテ
ィプ法と比較して、本発明による方法は、セミ−７デイ
テイプ法を遂行するときに、僅か１０μｍ、好ましく」
よ０．１〜７．５μｌ又は、特に好ましくは、０．１〜
５．（）あるいは０．１〜２．０μ−の最大Ｆ！、との
金属層を腐食除去する必要があるのみであって、それが
材料の大きな節約をもたらすという利点を有している。
電気めっきによって又はゴム含有付着増進析出物を用い
る金属の化学的析出物によって調製した８Ｍ析出物の積
層を特徴とする、同様に公知の“薄層法”によるプリン
ト配線基板の製造と比較して、新規方法は作業液が少な
くとも且つ高分子ペース材料の８！械的、熱的及ＶＷｉ
気的性質がすぐれていることによって特徴的である。
る金属の化学的析出物によって調製した８Ｍ析出物の積
層を特徴とする、同様に公知の“薄層法”によるプリン
ト配線基板の製造と比較して、新規方法は作業液が少な
くとも且つ高分子ペース材料の８！械的、熱的及ＶＷｉ
気的性質がすぐれていることによって特徴的である。
使用することができる選択的な錯体配位子は、その化学
的及び／又は物理的性質によってホスト分子となる、す
なわち、錯化すべ終イオン性又は中性化合物の存在にお
いて、錯体又は付加物の形成に対して必要な形態をとり
、その際極性部分がｆｆｉ化すべき媒質の存在において
その方向に配列する、環式又は非環式の化合物である。
的及び／又は物理的性質によってホスト分子となる、す
なわち、錯化すべ終イオン性又は中性化合物の存在にお
いて、錯体又は付加物の形成に対して必要な形態をとり
、その際極性部分がｆｆｉ化すべき媒質の存在において
その方向に配列する、環式又は非環式の化合物である。
公知のように、錯化すべきゲストイオン又は分子に対し
てのホスト分子の選択性は、その環の大きさ、立体的ｖ
ｔ造又は化学的性質（極性であるか又は疎水性であるか
）に依存する。たとえばＬ＋、Ｎａ” 、Ｋ十、Ｃａ’
十又はＮＨげのようなアルカリ金属又はアルカリ土類金
属と共に〔Ｅ・ウェーバ−“コンタクチ”（Ｋ ｏｎｔ
ａｋｔｅ）（ダｌレムスタット）１、（１９８４）及び
Ｊ−Ｇ−シンドラー、“ビオエレクトロヒエミッシェ
メンブランエレクトローデン”（Ｂ １ｏｅｌｅｋｔｒ
ｏｅｈｅ＋＊、１ｓｃｌ＋ｅ Ｍｅｍｂｒａｎｅｌｅｋ
ｔｒ。
てのホスト分子の選択性は、その環の大きさ、立体的ｖ
ｔ造又は化学的性質（極性であるか又は疎水性であるか
）に依存する。たとえばＬ＋、Ｎａ” 、Ｋ十、Ｃａ’
十又はＮＨげのようなアルカリ金属又はアルカリ土類金
属と共に〔Ｅ・ウェーバ−“コンタクチ”（Ｋ ｏｎｔ
ａｋｔｅ）（ダｌレムスタット）１、（１９８４）及び
Ｊ−Ｇ−シンドラー、“ビオエレクトロヒエミッシェ
メンブランエレクトローデン”（Ｂ １ｏｅｌｅｋｔｒ
ｏｅｈｅ＋＊、１ｓｃｌ＋ｅ Ｍｅｍｂｒａｎｅｌｅｋ
ｔｒ。
ｄｅｎ ）、７７−１０４ｆｔ１フルター ド グルイ
タ−のような重−２ｒ、属イオン並びにたとえばＣ１−
及びＳ０４トのような陰イオンと共に（上記Ｊ−Ｇ・シ
ンドラ−による文献、１０４〜１１２頁参照）、及び中
性の配位子又は化合物とノ（に、選択的なゲスト／ホス
［錯体を形成することができろ多くの選択的ホス１４子
が文献中に記されている。
タ−のような重−２ｒ、属イオン並びにたとえばＣ１−
及びＳ０４トのような陰イオンと共に（上記Ｊ−Ｇ・シ
ンドラ−による文献、１０４〜１１２頁参照）、及び中
性の配位子又は化合物とノ（に、選択的なゲスト／ホス
［錯体を形成することができろ多くの選択的ホス１４子
が文献中に記されている。
本発明による新規方法を遂１デするためには、自体の連
鎖中にヘタロ原子（０、Ｎ及びＳ）を含有するすべての
ホスト錯体配位子が適当である。クラウンエーテル、ク
リプタンド及びボーグンド又はそれらの誘導体並びに環
状ペプチド、さらには、たとえば生物学的系において、
輸送調節剤として公知である、テトラヒドロ７ラン及び
たとえばＳ及びＮのようなヘテロ原子に基づく類似の化
合物を含有するエステル結合マクロリドが、たわめて適
している。
鎖中にヘタロ原子（０、Ｎ及びＳ）を含有するすべての
ホスト錯体配位子が適当である。クラウンエーテル、ク
リプタンド及びボーグンド又はそれらの誘導体並びに環
状ペプチド、さらには、たとえば生物学的系において、
輸送調節剤として公知である、テトラヒドロ７ラン及び
たとえばＳ及びＮのようなヘテロ原子に基づく類似の化
合物を含有するエステル結合マクロリドが、たわめて適
している。
“クラウンエーテｔｂ ＠、′クリプタンド”及び“ボ
ーグンド”という術語の定義は、Ｆ・７エーグトル、“
コンタクチ″（グルムスタ７Ｆ）（＋９７７）及び（１
９７８）、Ｅ・ウェーバ−１“コンタクチ”（グルムス
タッ））（１９８４）及び７エーグトル“ヒエミヵ−ツ
ァイッング″（Ｃｌ＋ｃｍｉｋｅｒ−ｚｅｉｔｕＢ）
９７％６（）Ｏ〜６１０（１９７３）による総説中に認
められる。
ーグンド”という術語の定義は、Ｆ・７エーグトル、“
コンタクチ″（グルムスタ７Ｆ）（＋９７７）及び（１
９７８）、Ｅ・ウェーバ−１“コンタクチ”（グルムス
タッ））（１９８４）及び７エーグトル“ヒエミヵ−ツ
ァイッング″（Ｃｌ＋ｃｍｉｋｅｒ−ｚｅｉｔｕＢ）
９７％６（）Ｏ〜６１０（１９７３）による総説中に認
められる。
本発明の方法の遂行のためには、環系中にＮ及びＳのよ
うな付加的なヘテロ原子を含有していてらよい環式又は
非環式クラウンエーテルに基づく、置換された又は置換
されていないホスト配位子を用いることが特に好適であ
る。このような化合物はドイツ特許公告ｊｌ’！２，８
４２，８６２号又はヨーロッパ特許５ｔｊＳ１０，６１
．５号中に記されており且つ式 Ｒ＝アルキル、アリール、ハロゲンその他Ｒ＝アルキル
又はアリール、たとえばメチル、エチル、フェニル、ビ
フエニ ル、フェニルアゾフェニル及びその 他。
うな付加的なヘテロ原子を含有していてらよい環式又は
非環式クラウンエーテルに基づく、置換された又は置換
されていないホスト配位子を用いることが特に好適であ
る。このような化合物はドイツ特許公告ｊｌ’！２，８
４２，８６２号又はヨーロッパ特許５ｔｊＳ１０，６１
．５号中に記されており且つ式 Ｒ＝アルキル、アリール、ハロゲンその他Ｒ＝アルキル
又はアリール、たとえばメチル、エチル、フェニル、ビ
フエニ ル、フェニルアゾフェニル及びその 他。
に相当するものである。
上記の環式イビ合物が好適である。
本発明による方法を遂行するための別の方法は、前記の
ようなホスト分子をポリマー又はオリゴム−化合物中に
共有結合的に導入し、次いでこれを所望の活性化媒体と
錯化させる方法である。このようなオリグマー又はポリ
マー系は公知であって、たとえば、“ポリマー骨格中に
マクロ複索環式（クラウンエーテル）構造を有する新規
ポリウレタン”、Ｊ−Ｅ・バーウェー、ジャーナルオプ
ボリマーサイエンス、ポリマー ケミストリー版（Ｊｏ
ｆＰｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎｅｅ＋Ｐｏ１ｙ糟ｅｒ
ＣＩ＋ｅｍｉｓＬｒｙ Ｅｄｉｔｉｏｎ）、第
２１巻、３１０１（１９８３）中に記されている。
ようなホスト分子をポリマー又はオリゴム−化合物中に
共有結合的に導入し、次いでこれを所望の活性化媒体と
錯化させる方法である。このようなオリグマー又はポリ
マー系は公知であって、たとえば、“ポリマー骨格中に
マクロ複索環式（クラウンエーテル）構造を有する新規
ポリウレタン”、Ｊ−Ｅ・バーウェー、ジャーナルオプ
ボリマーサイエンス、ポリマー ケミストリー版（Ｊｏ
ｆＰｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎｅｅ＋Ｐｏ１ｙ糟ｅｒ
ＣＩ＋ｅｍｉｓＬｒｙ Ｅｄｉｔｉｏｎ）、第
２１巻、３１０１（１９８３）中に記されている。
ホスト／ゲスト分子の３ｖ磯部分は
１）式
％式％
式中で
Ｍｅは水素、アルカリ金属又はアルカリ土類金属原子あ
るいは重金属原子（Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ又はＣｕ ）
又はＮＨ，を表わし、 Ｈａｌはハロゲン（好ましくはＣＩ及びＢｒ）を表わし
、且つ Ｅは原子価論と配位数Ｚを有する、周期表の１又は■亜
族からのｆｒ會ｊ１４原子（好ましくはｐｔ、Ｐｄ及び
Ａｕ）を表わし、ここで２−輪＝ｎである、の化合物か
ら、又は ２） 該元素の陽イオン、好ましくはＡｇ” ％ Ｃｕ
”及びＣｕ＋、から、又は好ましくは、 ：（）式 ％式％（） の、これらの元素の、非錯体塩から、 又は ４）これらの貴金属の通常のコロイド状系から成ってい
ることが好ましい。
るいは重金属原子（Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ又はＣｕ ）
又はＮＨ，を表わし、 Ｈａｌはハロゲン（好ましくはＣＩ及びＢｒ）を表わし
、且つ Ｅは原子価論と配位数Ｚを有する、周期表の１又は■亜
族からのｆｒ會ｊ１４原子（好ましくはｐｔ、Ｐｄ及び
Ａｕ）を表わし、ここで２−輪＝ｎである、の化合物か
ら、又は ２） 該元素の陽イオン、好ましくはＡｇ” ％ Ｃｕ
”及びＣｕ＋、から、又は好ましくは、 ：（）式 ％式％（） の、これらの元素の、非錯体塩から、 又は ４）これらの貴金属の通常のコロイド状系から成ってい
ることが好ましい。
使用すべき新規金属化合物は、弐０２Ｐｄｅ１．、Ｎａ
、（ＰｄＣＩ２８ｒ２＞、Ｎａ２ＰｄＣＬ、Ｃａ Ｐ
ｄ ＣＩ ４、Ｎａ４（ＰｔＣＩｇ）、ＡｇＮＯ２、Ｈ
ＡｕＣＩ、、Ｃｕ ＣＩ ２及びＣｕ ＣＩの化合物で
あることが好ましい、Ｐｄ化合物が特に好適である。
、（ＰｄＣＩ２８ｒ２＞、Ｎａ２ＰｄＣＬ、Ｃａ Ｐ
ｄ ＣＩ ４、Ｎａ４（ＰｔＣＩｇ）、ＡｇＮＯ２、Ｈ
ＡｕＣＩ、、Ｃｕ ＣＩ ２及びＣｕ ＣＩの化合物で
あることが好ましい、Ｐｄ化合物が特に好適である。
適当なコロイド状貴金属系は、なかんずく、金属類Ｐｄ
、ＰＬ、Ａｕ及びＡｇから引導され且つ、たとえば、Ｒ
・ウニイナーによるプラスチックの電気めつき（Ｋ ｕ
ｎｉｔｓｔｏｌＴＨａｌｖａ＋＊ｉｓｉｅｒｕｎｇ）″
、オイデンＧ・ロイツェ出版社、ゾールゴー／ビュルツ
（１９７３）、１８０〜２０９頁中に記されている。
、ＰＬ、Ａｕ及びＡｇから引導され且つ、たとえば、Ｒ
・ウニイナーによるプラスチックの電気めつき（Ｋ ｕ
ｎｉｔｓｔｏｌＴＨａｌｖａ＋＊ｉｓｉｅｒｕｎｇ）″
、オイデンＧ・ロイツェ出版社、ゾールゴー／ビュルツ
（１９７３）、１８０〜２０９頁中に記されている。
項目１）下に示した場合においては、相界面における電
気的に中性の配位子がその肉親水性（ｅｎｄ−ｏｈｙｃ
ｌｒｏｐｌ＋１ｌｉｃ）空孔中に陽イオンＭ１ を受は
入れ、それを有−機溶剤相中に輸送し、それによってま
た望ましい溶剤相中に輸送される。この現象は原則とし
て項Ｕ２）、３）及び４）において挙げた系に対しても
当てはまる。
気的に中性の配位子がその肉親水性（ｅｎｄ−ｏｈｙｃ
ｌｒｏｐｌ＋１ｌｉｃ）空孔中に陽イオンＭ１ を受は
入れ、それを有−機溶剤相中に輸送し、それによってま
た望ましい溶剤相中に輸送される。この現象は原則とし
て項Ｕ２）、３）及び４）において挙げた系に対しても
当てはまる。
活性化ｔｆ＃液は、ホスト分子を、たとえばパークロロ
エチレン、１，１．１−１クロロエタン、ＣＨｔＣｌｉ
、石油エーテル又はクロロホルムのような、約８０℃の
沸点を有する適当な非プロトン溶剤中に溶解し、次いで
前記の原子に従って合金属を添加することによって調製
することができる。
エチレン、１，１．１−１クロロエタン、ＣＨｔＣｌｉ
、石油エーテル又はクロロホルムのような、約８０℃の
沸点を有する適当な非プロトン溶剤中に溶解し、次いで
前記の原子に従って合金属を添加することによって調製
することができる。
本発明に従つて使用すべき活性化系のｉｌ！１９１のた
めの別のｏＪ能性は、水相中に該を金属を導入し且つ、
やはり前記の原理に従って、錯体の形成が可能なホスト
分子を含有する有機相中に拡散させ且つ錯化させ、有へ
相を水相から分離し、必要に応じそれを中性となるまで
洗浄し、再結晶又は蒸発によってそれを溶剤から分離し
、次いでそれを所望の液体媒体中で活性化のために使用
するＨ法である。
めの別のｏＪ能性は、水相中に該を金属を導入し且つ、
やはり前記の原理に従って、錯体の形成が可能なホスト
分子を含有する有機相中に拡散させ且つ錯化させ、有へ
相を水相から分離し、必要に応じそれを中性となるまで
洗浄し、再結晶又は蒸発によってそれを溶剤から分離し
、次いでそれを所望の液体媒体中で活性化のために使用
するＨ法である。
このような系はプラスチックの電気めっきの１支術にお
いて一般的な条件下に、プロトン及び非プロトン溶剤中
で無期限の貯ｉＬ寿命を有しているけれども、これらは
、驚くべきことに、無電気化学的金属化に対する良好な
活性化作用をボす。
いて一般的な条件下に、プロトン及び非プロトン溶剤中
で無期限の貯ｉＬ寿命を有しているけれども、これらは
、驚くべきことに、無電気化学的金属化に対する良好な
活性化作用をボす。
活性剤は０．００１ｇ／リットル（Ｗ金属に大＝１で）
から特定の溶解限度に至るまでの濃度範囲で使用するこ
とができる。０．１〜３．Ｏｇ／リットルのこれらの物
質を使用することが好ましい９それらの長い貯蔵寿命（
場合によっては数週間の貯蔵後においてすら、溶液中に
濁りが生じない）並びに紫外及び／又は町視分尤領域に
おける強い吸収のために、これらは光度計による連続的
な濃度の監視のためにきわめて適している。
から特定の溶解限度に至るまでの濃度範囲で使用するこ
とができる。０．１〜３．Ｏｇ／リットルのこれらの物
質を使用することが好ましい９それらの長い貯蔵寿命（
場合によっては数週間の貯蔵後においてすら、溶液中に
濁りが生じない）並びに紫外及び／又は町視分尤領域に
おける強い吸収のために、これらは光度計による連続的
な濃度の監視のためにきわめて適している。
その上、本発明に従って使用すべＩ！Ｉ錯体化合物の収
着性は、特別な置換基（特にＮＯ２、ＪＲ・、−Ｓ （
１、Ｈ及び−ＣＮ）の導入によって、さらに増進Ｖるこ
とができる。
着性は、特別な置換基（特にＮＯ２、ＪＲ・、−Ｓ （
１、Ｈ及び−ＣＮ）の導入によって、さらに増進Ｖるこ
とができる。
炭ｆｋ分子の吸光性に対する電子吸引性及び電子反ばつ
性の置換基の影響は公知であり且つ、たとえば、Ｄ−Ｈ
・ウィリアムス及びＪ・７レミング“有機化学における
分光学的方法″（Ｓ ｐｅｋｔｒｏｓｃｏｐ宜ｏｃｈｃ
Ｍｃｔｂｏｄｅｎ ｉｎ ｄｅｒ ｏｒｇａｎｉｓｃ
ｈｅｎ Ｃｈｅ＋５ｉｅ）？オルグチーメ出版社、スタ
ットガル）（ＩＬ７１）中に見出すことができる。
性の置換基の影響は公知であり且つ、たとえば、Ｄ−Ｈ
・ウィリアムス及びＪ・７レミング“有機化学における
分光学的方法″（Ｓ ｐｅｋｔｒｏｓｃｏｐ宜ｏｃｈｃ
Ｍｃｔｂｏｄｅｎ ｉｎ ｄｅｒ ｏｒｇａｎｉｓｃ
ｈｅｎ Ｃｈｅ＋５ｉｅ）？オルグチーメ出版社、スタ
ットガル）（ＩＬ７１）中に見出すことができる。
活性剤叉は金属析出物の剥離ｇｉさを高めるために、該
ホス） ｉ？子に対して別の官能基をさらにログするこ
とができる。
ホス） ｉ？子に対して別の官能基をさらにログするこ
とができる。
ある場合には、−基質表面に対するきわめて良好な付着
強度は、さらに他の官能基の付与によって達成されるが
、この付着強度は基質表面との化学反応又は吸着あるい
は吸収に基づくものとすることができる。
強度は、さらに他の官能基の付与によって達成されるが
、この付着強度は基質表面との化学反応又は吸着あるい
は吸収に基づくものとすることができる。
たとえば、カルボン酸基、カルボン酸ハロデニド基、カ
ルボン酸無水物基、カルボン酸エステル基、カルボンア
ミＶ基及びカルボンイミド基、アルデヒド及１ケト基、
エーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸基及びスル
ホナート基、スルホン酸ハロデニド基、スルホン酸エス
テル基、たとえばクロロトリ７ノニル、クロロビラノニ
ル、クロロビリミノニル又はクロロキノキサリジン基の
ようなハロゲン含有複素環式基、たとえばビニルスルホ
ン酸又はアクリルＷｌ誘導体中のもののような活性化し
た二重結合、アミ７基、水酸基、インシアナート基、オ
レフィン基及Ｖアセチレン基並びにメルカプト基及びエ
ポキシド基、且つよたＣ１及びそれ以上の任鎖アルキル
又はアルケニル基、特にオレイル、リルイル、ステアリ
ル又はパルミチル基のような官能基が、活性剤を基′１
１表＋ｆｉロ二対して化学的に投錨するために特に適し
ている。
ルボン酸無水物基、カルボン酸エステル基、カルボンア
ミＶ基及びカルボンイミド基、アルデヒド及１ケト基、
エーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸基及びスル
ホナート基、スルホン酸ハロデニド基、スルホン酸エス
テル基、たとえばクロロトリ７ノニル、クロロビラノニ
ル、クロロビリミノニル又はクロロキノキサリジン基の
ようなハロゲン含有複素環式基、たとえばビニルスルホ
ン酸又はアクリルＷｌ誘導体中のもののような活性化し
た二重結合、アミ７基、水酸基、インシアナート基、オ
レフィン基及Ｖアセチレン基並びにメルカプト基及びエ
ポキシド基、且つよたＣ１及びそれ以上の任鎖アルキル
又はアルケニル基、特にオレイル、リルイル、ステアリ
ル又はパルミチル基のような官能基が、活性剤を基′１
１表＋ｆｉロ二対して化学的に投錨するために特に適し
ている。
化学反応による投錨が存在しない場合には、付着強さは
基′１１表面への有機金属活性剤のＶｉ着によってもま
た影響を受けるが、吸着の原因としてうえるものは、た
とえば、水素結合又は７１ンデルワールス力である。
基′１１表面への有機金属活性剤のＶｉ着によってもま
た影響を受けるが、吸着の原因としてうえるものは、た
とえば、水素結合又は７１ンデルワールス力である。
吸着を生じる官能基は特定の基質に対して適合させるこ
とが有利である。かくして、たとえば、活性剤分子中の
長鎖アルキル又はアルケニル基はポリエチレン又はポリ
プロピレン基質に対する付着強さを向上させる。それに
対して、ポリアミド又はポリエステルに基づく製品の金
属化に対しては、たとえば、付加的なカルボニル又はス
ルホ基を有する活性剤が特に有利である、 たとえばカルボン酸基及ｃ／無水カルボン酸基のような
官能基は、活性剤を吸着によって基′Ｅ裏表面対して吸
ＸＩさせるために待に適している。
とが有利である。かくして、たとえば、活性剤分子中の
長鎖アルキル又はアルケニル基はポリエチレン又はポリ
プロピレン基質に対する付着強さを向上させる。それに
対して、ポリアミド又はポリエステルに基づく製品の金
属化に対しては、たとえば、付加的なカルボニル又はス
ルホ基を有する活性剤が特に有利である、 たとえばカルボン酸基及ｃ／無水カルボン酸基のような
官能基は、活性剤を吸着によって基′Ｅ裏表面対して吸
ＸＩさせるために待に適している。
新規方法を実際に逐行する場合には、一般的に、金属化
させるべきベース担体を適当な有機溶剤中の選択した金
属錯体の溶液によって湿潤させ、溶剤を除去し且つ、望
ましい場合には、担体を適当な還元剤によって増感する
０次いで、このように予備処理した担体な、通常の４を
属化浴中で金属化することができる。
させるべきベース担体を適当な有機溶剤中の選択した金
属錯体の溶液によって湿潤させ、溶剤を除去し且つ、望
ましい場合には、担体を適当な還元剤によって増感する
０次いで、このように予備処理した担体な、通常の４を
属化浴中で金属化することができる。
先に挙げた溶剤に加えて、パークロロエチレン、１．１
．ｉ）リクｏｔｙエタン、ＣＨ、Ｃ１，、ｎ−ヘキサン
、石油エーテル、シクロヘキサノン、たとえば１−ブタ
ノール、トプタ／−ル及びインプロパフールのようなア
ルコール、たとえばメチルエチルケトンのようなケトン
、たとえばｎ−ブタノール−１のようなアルデヒド並び
にＤ Ｍ Ｆ及びＤＭＳＯが適当である。
．ｉ）リクｏｔｙエタン、ＣＨ、Ｃ１，、ｎ−ヘキサン
、石油エーテル、シクロヘキサノン、たとえば１−ブタ
ノール、トプタ／−ル及びインプロパフールのようなア
ルコール、たとえばメチルエチルケトンのようなケトン
、たとえばｎ−ブタノール−１のようなアルデヒド並び
にＤ Ｍ Ｆ及びＤＭＳＯが適当である。
有機金属化合物が基質表面に対する化学的な固定を可能
とする配位子を含有する場合には、水和からの活性化も
また可能である。
とする配位子を含有する場合には、水和からの活性化も
また可能である。
増感に対して適する還元剤は、アミノボラン、アルカリ
金属次亜燐酸塩、アルカリ金属水毒化ホウ素、ヒドラジ
ンヒトラード及びホルマリンである。基質は噴霧、印捺
、浸漬又は含浸によって湿潤させろことができる。
金属次亜燐酸塩、アルカリ金属水毒化ホウ素、ヒドラジ
ンヒトラード及びホルマリンである。基質は噴霧、印捺
、浸漬又は含浸によって湿潤させろことができる。
金属析出物の担体表面への付着を向上させるためには、
金属化すべきプラスチック表面の僅かな初期溶解又は初
期膨醗を生じさせる溶剤又は溶剤混合物を用いることが
、本発明の方法の遂行に対して特に好適である。
金属化すべきプラスチック表面の僅かな初期溶解又は初
期膨醗を生じさせる溶剤又は溶剤混合物を用いることが
、本発明の方法の遂行に対して特に好適である。
たとえば、１．１．ｉ）リクロロエタン、塩化メチレン
、トリクロロメタン、パークロロエチレン及びトルエン
のような非プロトン溶剤が、本発明のか法の遂行のため
に特に著しく適している。
、トリクロロメタン、パークロロエチレン及びトルエン
のような非プロトン溶剤が、本発明のか法の遂行のため
に特に著しく適している。
付加的にチタン、アルミニウム、ノルコニウム、珪素又
はタンタルの加水号解性有磯金属化合物を、０．１〜２
０、好ましくは０．１〜３、特に好ましくは０．１〜２
ｇ／ｌの量で含有している、本発明による活性剤系を用
いることが好ましい、この関係では、珪酸テトラメチル
、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチル
シクロトリシロキサン及びＴｉ、ＡＩまたはＺ「アセチ
ルアセトナートを挙げることができる。
はタンタルの加水号解性有磯金属化合物を、０．１〜２
０、好ましくは０．１〜３、特に好ましくは０．１〜２
ｇ／ｌの量で含有している、本発明による活性剤系を用
いることが好ましい、この関係では、珪酸テトラメチル
、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチル
シクロトリシロキサン及びＴｉ、ＡＩまたはＺ「アセチ
ルアセトナートを挙げることができる。
溶剤は湿った担体がら、簡単に蒸発によって又は、比較
的高沸点の化合物の場合には、抽出によって、除去する
ことができる。
的高沸点の化合物の場合には、抽出によって、除去する
ことができる。
好適な一実施形態においては、活性化浴を検出器として
の尤度計を用いて監視する。この場合には、フィルター
の波長はほぼ溶液の吸収極大に相当しなければならない
。測定された（（号を補償記（Ｊ、ｆｌによって記録し
、１１つタイミング信号発生器によって０．１秒から数
分に至るまでのサイクルで呼び出す、このようにして、
失われた成分（溶剤、活性剤）を計算機の使用によって
測定することができる。
の尤度計を用いて監視する。この場合には、フィルター
の波長はほぼ溶液の吸収極大に相当しなければならない
。測定された（（号を補償記（Ｊ、ｆｌによって記録し
、１１つタイミング信号発生器によって０．１秒から数
分に至るまでのサイクルで呼び出す、このようにして、
失われた成分（溶剤、活性剤）を計算機の使用によって
測定することができる。
本発明による方法の特に著しく好適な実施形態は、無電
流金属化の還元剤を用いて同時に金属化浴中の還元を行
なうことから成っている。この実施形態は従来は不可能
であった無電沈金１属化の簡単化を提供する。
流金属化の還元剤を用いて同時に金属化浴中の還元を行
なうことから成っている。この実施形態は従来は不可能
であった無電沈金１属化の簡単化を提供する。
この実施形態は７ミノポランを含有しているニッケル浴
に対して又はホルマリン含有銅浴に対して特に適してお
り且つそのために使用することが好ホしい。
に対して又はホルマリン含有銅浴に対して特に適してお
り且つそのために使用することが好ホしい。
本発明の方法において使用することができる金属化浴は
、ニッケル塩、コバルト塩、銅塩、金属反り銅塩又はそ
れらの混合物の商業的に入子することがでｂる浴である
。
、ニッケル塩、コバルト塩、銅塩、金属反り銅塩又はそ
れらの混合物の商業的に入子することがでｂる浴である
。
電着による補強のためには次の金属を用いることができ
る：Ｎｉ％Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｉｌ、ＡＩ、Ｃｒ及びＡｕ、
Ｃｕが好適である。
る：Ｎｉ％Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｉｌ、ＡＩ、Ｃｒ及びＡｕ、
Ｃｕが好適である。
ｉ’ ５２品、ｒなわち、はとんど単分子の汁金属−ク
ラツンエーテル層を有し且ったと尤ば〃ラス繊維、アラ
ミドＮ＆維又は炭素紙マット又は堅紙によって補強した
プラスチックから成る本発明によって提供されるベース
板は、これまで文献に記されたことはなく、それ故、同
様に本発明の主題である。
ラツンエーテル層を有し且ったと尤ば〃ラス繊維、アラ
ミドＮ＆維又は炭素紙マット又は堅紙によって補強した
プラスチックから成る本発明によって提供されるベース
板は、これまで文献に記されたことはなく、それ故、同
様に本発明の主題である。
ベース板の製造のための好適なプラスチックは、たとえ
ば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂及び
ポリエステル樹脂のような、硬化性材料である。
ば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂及び
ポリエステル樹脂のような、硬化性材料である。
プリント配線基板の製造のための本発明の半製品は、書
くべきことに、下記の有利な性質を有している： １、空気中で活性化した状態において、これらは、湿気
及び気候や熱の１＃管に対して安定である。
くべきことに、下記の有利な性質を有している： １、空気中で活性化した状態において、これらは、湿気
及び気候や熱の１＃管に対して安定である。
２、その活性剤析出物はホトレジスト付着物の塗布又は
現像の間に表面からはがれることがない。
現像の間に表面からはがれることがない。
３、増感又は金属化に間に金属化は又は増感浴の被毒が
生じない。
生じない。
犬１−倒−上
ガラスマット補強したエポキシ樹脂４脂板（２００Ｘ２
０（ｌＸ１＋ｕ＋）に標準的な穿孔を＋）え、次いで１
．４，７．１０．１３−ペンタオキサンクロドデカンに
基づ＜Ｐｄ含有活性化浴中で室温にｔ；いて、クラウン
エーテル／ＰｄＭを３分間かけて付Ｉｊする。
０（ｌＸ１＋ｕ＋）に標準的な穿孔を＋）え、次いで１
．４，７．１０．１３−ペンタオキサンクロドデカンに
基づ＜Ｐｄ含有活性化浴中で室温にｔ；いて、クラウン
エーテル／ＰｄＭを３分間かけて付Ｉｊする。
上記の活性化浴の調製は以下のようにして行うことがで
さる： ２．５ｇの１．４，７１１０．１ ：（−ペンタオキサ
シクロトデシンと２ｇのチタン酸テトラブチルを含有す
る１１のＣＨ２Ｃｉ’ ＋（工！用）を、室温において
、ＨＣＩを含有しなイ１ 、７ ｇｆ） Ｎ １１２
Ｐ ｄＣｅ ａ水溶液（重量で１５％のＰｄ含拭）に加
え、１０分１」攪拌したのち、水相を有へ相から分離す
る。
さる： ２．５ｇの１．４，７１１０．１ ：（−ペンタオキサ
シクロトデシンと２ｇのチタン酸テトラブチルを含有す
る１１のＣＨ２Ｃｉ’ ＋（工！用）を、室温において
、ＨＣＩを含有しなイ１ 、７ ｇｆ） Ｎ １１２
Ｐ ｄＣｅ ａ水溶液（重量で１５％のＰｄ含拭）に加
え、１０分１」攪拌したのち、水相を有へ相から分離す
る。
このようにして調製した半製品に部分マスク（スクリー
ン印刷り法）を付Ｊ３． Ｌ、ｔ５ｇ、’ｅのツノチル
アミノボランと５吋／ｌの固体Ｋ Ｏ１１から成る水性
の増感浴中で５分間にわたって増感し、洗浄したのち、
市販の金属化浴中で部分的に銅めっきｒる。
ン印刷り法）を付Ｊ３． Ｌ、ｔ５ｇ、’ｅのツノチル
アミノボランと５吋／ｌの固体Ｋ Ｏ１１から成る水性
の増感浴中で５分間にわたって増感し、洗浄したのち、
市販の金属化浴中で部分的に銅めっきｒる。
これは完全にアクティブ法によって製造され且つ良好な
金属の付着強さを有するプリント配線基板を与える。
金属の付着強さを有するプリント配線基板を与える。
宋】Ｉ〔−ζ
３．５ｇの式
のポリマー状のクラウンエーテル化合物〔たとえば、マ
クロモレキュラーレ ヒエミー、ラビッドコンミエニケ
ーション（Ｍａｋｒｏｓｏｌ、Ｃｈｅ＋＋、＋Ｒａｐｉ
ｄＣｏｍｍｕｎ ５．１１５−１１８（１９８４）ｌ照
〕を含有する１１の１．１．１−）リクロａエタンを４
５℃において１５ｇのツタノール性に２ＰｔＣＩｓ溶液
（屯喰で約１．７５％のｐｔ含量）に加え、次いでこの
混合物を、さらに３０分間攪４１′釘る。次いで水相を
有は和から分離したのち、ｔ 、：＋ Ｒのオルンチタ
ン酸テトライソブチルを有機相に加える。
クロモレキュラーレ ヒエミー、ラビッドコンミエニケ
ーション（Ｍａｋｒｏｓｏｌ、Ｃｈｅ＋＋、＋Ｒａｐｉ
ｄＣｏｍｍｕｎ ５．１１５−１１８（１９８４）ｌ照
〕を含有する１１の１．１．１−）リクロａエタンを４
５℃において１５ｇのツタノール性に２ＰｔＣＩｓ溶液
（屯喰で約１．７５％のｐｔ含量）に加え、次いでこの
混合物を、さらに３０分間攪４１′釘る。次いで水相を
有は和から分離したのち、ｔ 、：＋ Ｒのオルンチタ
ン酸テトライソブチルを有機相に加える。
これは暗色の均一な活性化溶液を与える。７ｙラスマッ
ト補強したエポキシ樹脂板（２００Ｘ２００Ｘ２＋ｓ＋
＊）を、この溶液によって５分間処理する。
ト補強したエポキシ樹脂板（２００Ｘ２００Ｘ２＋ｓ＋
＊）を、この溶液によって５分間処理する。
このようにして活性化した板、すなわちほとんど単分子
的な有機金属Ｐｉ／クラ゛ンンエーテル析出物を備えた
板を１１当たり２０ ｔａｇ （６Ｎ Ｈ２−Ｎ ｔ（
２と１２ｍ１のＮＨ，（濃度２５％）を含有する増感浴
中で７．５分間増感し、次いで市販のニッケルめっき浴
中で３０℃において３０号間金属化する。これは半製品
を与え、それは、市販のホトレノストにより部分的にマ
スクし、電着によって７リートラツクを補強し、その後
に基＆表面から又は表面丁に位置側るＮｉ付着物からホ
［レノストを除去したのちに、プリント配線ＪＩＸをり
えるために処１！することができる。
的な有機金属Ｐｉ／クラ゛ンンエーテル析出物を備えた
板を１１当たり２０ ｔａｇ （６Ｎ Ｈ２−Ｎ ｔ（
２と１２ｍ１のＮＨ，（濃度２５％）を含有する増感浴
中で７．５分間増感し、次いで市販のニッケルめっき浴
中で３０℃において３０号間金属化する。これは半製品
を与え、それは、市販のホトレノストにより部分的にマ
スクし、電着によって７リートラツクを補強し、その後
に基＆表面から又は表面丁に位置側るＮｉ付着物からホ
［レノストを除去したのちに、プリント配線ＪＩＸをり
えるために処１！することができる。
部分的金属付着物（導体トラック）の剥離強さは良好で
ある。電気的な、劉査に上って、ベース村科の機械的な
性質は、上記の処理によって影響されないことが示され
た。
ある。電気的な、劉査に上って、ベース村科の機械的な
性質は、上記の処理によって影響されないことが示され
た。
未ノ池、汐９３−
３．５ｇの式
のクラウンエーテルを含有する１リツトルのｃ Ｈ２Ｃ
１２（工業用）を３５℃において１５１？のＨＡ ｕ
Ｃｌ ＜水溶液（Ａｕ含量重量で１．８％）に加え、そ
の混合物をさらに４０分間攪拌する。次いで水相を有機
相から分離したのち、１２＋＊ｆｆｉの珪酸テトラメチ
ルを有機相に加える。
１２（工業用）を３５℃において１５１？のＨＡ ｕ
Ｃｌ ＜水溶液（Ａｕ含量重量で１．８％）に加え、そ
の混合物をさらに４０分間攪拌する。次いで水相を有機
相から分離したのち、１２＋＊ｆｆｉの珪酸テトラメチ
ルを有機相に加える。
碇質の紙補強７エ／−ル州脂板（’２００ Ｘ ２００
Ｘ３，５＋＊＋＊）を室温において５分間処理する。
Ｘ３，５＋＊＋＊）を室温において５分間処理する。
このようにしてＡｕ／クラウンエーテル／Ｓｉ′ｃ処理
した半完成基板は、プリント配線基板を与えるためにセ
ミ−アディティブ法又はフルーアディティブ法の何れに
よっても何らの問題かく加工することができる（ＦＲ−
２品質）。
した半完成基板は、プリント配線基板を与えるためにセ
ミ−アディティブ法又はフルーアディティブ法の何れに
よっても何らの問題かく加工することができる（ＦＲ−
２品質）。
ＬＪ４Ｊ−±
市販のガラスマット補強エポキシ樹脂板（２００Ｘ、２
００ Ｘ １ ＋ｎｍ）（Ｆ Ｒ４品質）を０．０１モ
ルの１．４．７，１０．１３．１６−ヘキサオキサシク
ロオクタデカン／ Ｎ ａ２Ｐ ｄＣＩｔ錯体化合物、
２．５ｇのチタン酸テトラブチル及び１０００＋＋ｆｆ
ｉのＣＣ’ ！ ” ＣＣ１２から成る溶液中で５分間
処理する。
００ Ｘ １ ＋ｎｍ）（Ｆ Ｒ４品質）を０．０１モ
ルの１．４．７，１０．１３．１６−ヘキサオキサシク
ロオクタデカン／ Ｎ ａ２Ｐ ｄＣＩｔ錯体化合物、
２．５ｇのチタン酸テトラブチル及び１０００＋＋ｆｆ
ｉのＣＣ’ ！ ” ＣＣ１２から成る溶液中で５分間
処理する。
これらは、はとんど単分子のＰｄ／クラウンエーテル層
を備えた半製品を与える。
を備えた半製品を与える。
このようにしてｙＡ製しｒこ基板に、市販のＣｏ浴中で
７０℃において厚さ約１．０μ轢のＣｕ析出物を付与し
、自由なくし形の約５００μ−の連続トラックを有する
マスクを使ＪＩＪ して市販の紫外硬化性スクリーン印
刷ラッカーによって被覆したのち、電着したニッケルに
よって４０μ鴎まで強化した。
７０℃において厚さ約１．０μ轢のＣｕ析出物を付与し
、自由なくし形の約５００μ−の連続トラックを有する
マスクを使ＪＩＪ して市販の紫外硬化性スクリーン印
刷ラッカーによって被覆したのち、電着したニッケルに
よって４０μ鴎まで強化した。
大１目随−擾一
７ラミド繊維補強エポキシ樹脂板（１５０Ｘ１５０Ｘ２
ｍｍ）に、１１のＣＣ１−ＣＨ３及び０．０１モルの１
．４．７．１０，１３ｔｌ ６−へキサオキサシクロデ
カン／テトラクロロパッジツム酸リチウムから成る？８
液中で室温において５分間にわたって、［）ｄ／クラウ
ンエーテル層を付与する。これは化学的手段によって金
属化することができる半製品を、りえるが、それはセミ
−アディティブ法又はフルーアディティブ法の何れによ
っても良好なＦＲ−４性賀パターンを有するプリント配
線基板の製造のためにきわめて適している。
ｍｍ）に、１１のＣＣ１−ＣＨ３及び０．０１モルの１
．４．７．１０，１３ｔｌ ６−へキサオキサシクロデ
カン／テトラクロロパッジツム酸リチウムから成る？８
液中で室温において５分間にわたって、［）ｄ／クラウ
ンエーテル層を付与する。これは化学的手段によって金
属化することができる半製品を、りえるが、それはセミ
−アディティブ法又はフルーアディティブ法の何れによ
っても良好なＦＲ−４性賀パターンを有するプリント配
線基板の製造のためにきわめて適している。
大−ｊｉｌＱダーｉ
〃ラス繊紺補強した市販の不飽和ポリエステル樹脂板を
１２のＣＨ，Ｃ１，中の２．３ｇの１．４，７゜１０．
１３．１６−へキサオキサシクロオクタデカン−へキサ
クロロ白金酸及Ｖ２ｇのアルミニウムアセチルアセナー
トから成る溶液中で６０分間かけて活性化する。
１２のＣＨ，Ｃ１，中の２．３ｇの１．４，７゜１０．
１３．１６−へキサオキサシクロオクタデカン−へキサ
クロロ白金酸及Ｖ２ｇのアルミニウムアセチルアセナー
トから成る溶液中で６０分間かけて活性化する。
これは、実施例１に従って容易に金属化することができ
［１つ電気プリント配線基板の製造に対して適しでいる
、白金化した半製品を与える。
［１つ電気プリント配線基板の製造に対して適しでいる
、白金化した半製品を与える。
１．４，７．＋ ０．１３．、Ｉ Ｇ−ヘキサオキサシ
クロオクタデカン−へキサクロロ白金酸の＋ＰＩ９１は
次のＬうにして行なわれる： ５．２８４ｇの１．４，７，１０．１３．３６−へキサ
オキサクロオクタデカンを含有する１２＋＊ｌの１−プ
ロパツールを６．５ｇの１−１！ＰｔＣ１，（０，０１
モルのｐｔ含量を有する）に加え、その混合物を３５℃
において４時間攪件し、溶液を温かい間に濾過し、５０
−１まで真空濃縮し、冷處庫中で終夜放置し、このよう
にして合成された沈澱を濾過し、冷却した精製ｎ−プロ
バールで洗浄したの、真空中で乾燥する。
クロオクタデカン−へキサクロロ白金酸の＋ＰＩ９１は
次のＬうにして行なわれる： ５．２８４ｇの１．４，７，１０．１３．３６−へキサ
オキサクロオクタデカンを含有する１２＋＊ｌの１−プ
ロパツールを６．５ｇの１−１！ＰｔＣ１，（０，０１
モルのｐｔ含量を有する）に加え、その混合物を３５℃
において４時間攪件し、溶液を温かい間に濾過し、５０
−１まで真空濃縮し、冷處庫中で終夜放置し、このよう
にして合成された沈澱を濾過し、冷却した精製ｎ−プロ
バールで洗浄したの、真空中で乾燥する。
これは１５８℃の分解点を有する結晶性鮮黄色のＰｔ／
クラウンエーテル化合物を与える。
クラウンエーテル化合物を与える。
特許出願人 バイエル・アクチェンデゼルシャ７ト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ベース担体、及びそれに付着させた無電流金属化に
対する活性化作用を有する金属錯体化合物から実質的に
成り、この錯体化合物中で、配位子及び錯化させるべき
イオン又は分子は“ホスト／ゲスト相互作用”を示すこ
とを特徴とするプリント配線基板の製造のための半製品
。 ２、有機金属化合物中の錯体を形成することができるホ
スト分子はクラウンエーテル、クリプタンド又はボーダ
ンドであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半製品。 ３、錯体配位子又はホスト分子は、錯化させるべき媒体
の存在において、錯体の形成又はホスト／ゲスト相互作
用のために必要な構造を取る環式化合物であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半製品。 ４、ホスト分子は式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ここでｎ＝０〜４ Ｒ＝アルキル、アリール、ハロゲン及び その他 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） ここでｎ＝０〜４ ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ここでｎ＝０〜４ Ｒ＝アルキル又はアリール、たとえばメ チル、エチル、フエニル、ビフエニ ル、フエニルアゾフエニル及びその 他 の環式クラウンエーテルである特許請求の範囲第１項記
載の半製品。 ５、有機金属化合物中の選択的錯体配位子又はホスト分
子は、Ｏ原子によって中断されている純度化水素骨格を
有していることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半製品。 ６、ホスト／ゲスト分子中で、錯体させるべき、媒質は
式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中で Ｍｅは水素、アリカリ金属、アルカリ土類金属又は重金
属原子あるいはＮＨ＿４を表わし、Ｈａｌはハロゲンを
表わし、Ｅは原子価ｍと配位数ｚを有する、周期表の
I 及びVII亜族からの貴金属原子を表わし、ここでｚ−
ｍ＝ｎである、 の化合物であることを特許とする特許請求の範囲第１項
記載の半製品。 ７、錯化させるべきゲスト分子はＮａ＿２（ＰｄＣｌ＿
２Ｂｒ＿２）、Ｎａ＿２ＰｄＣｌ＿４、ＣａＰｄＣｌ＿
４、Ｎａ＿４（ＰｔＣｌ＿６）、ＡｇＮＯ＿３、ＣｕＣ
ｌ及びＣｕＣｌ＿２の系列からの化合物であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半製品。 ８、ベース担体は、場合によっては繊維補強した、フエ
ノール、メラミン、エポキシ又はポリエステル樹脂から
成ることを特許とする特許請求の範囲第１項記載の半製
品。 ９、無電流金属化のために、ベース担体を金属錯体化合
物に基づく、活性剤系によって処理することによるプリ
ント配線基板の製造のための半製品の製造方法にして、
金属錯体化合物中で配位子及び塩化させるべきイオン又
は分子は“ホスト／ゲスト相互作用”を示すことを特許
とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843436971 DE3436971A1 (de) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | Halbzeuge zur herstellung von leiterplatten |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS6191996A true JPS6191996A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=6247440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (4)
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- 1985-10-07 US US06/785,175 patent/US4636441A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2010538159A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | ゼタコア インコーポレイテッド | 金属めっきを促進するための表面処理方法および作製された装置 |
Also Published As
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| EP0177862A2 (de) | 1986-04-16 |
| US4636441A (en) | 1987-01-13 |
| DE3436971A1 (de) | 1986-06-12 |
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