JP2010538159A - 金属めっきを促進するための表面処理方法および作製された装置 - Google Patents
金属めっきを促進するための表面処理方法および作製された装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010538159A JP2010538159A JP2010523174A JP2010523174A JP2010538159A JP 2010538159 A JP2010538159 A JP 2010538159A JP 2010523174 A JP2010523174 A JP 2010523174A JP 2010523174 A JP2010523174 A JP 2010523174A JP 2010538159 A JP2010538159 A JP 2010538159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal
- organic molecules
- organic
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/389—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1837—Multistep pretreatment
- C23C18/1844—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
- C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
- C23C18/2073—Multistep pretreatment
- C23C18/2086—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1105—Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/121—Metallo-organic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
- Y10T428/24322—Composite web or sheet
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31721—Of polyimide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
Description
他の局面においては、本発明の実施態様は、銅を、基板上に、銅シード層を形成させることなく直接電気めっきする方法を提供する。また、幾つかの実施態様は、電気めっき方法において金属元素の基板上への好ましい付着または結合を促進する有機分子層の構造体またはフィルムも提供する。
基板の表面を、熱安定性基本成分、金属との結合を促進するように配置した1個以上の結合基(binding group)および有機分子を上記表面に付着するように配置した1個以上の付着基(attachment group)からなる有機分子によって処理すること。
上記表面を1種以上の有機分子(これらの分子は、金属結合を促進するように配置されている)と接触させる工程;
上記有機分子と基板を少なくとも25℃の温度に加熱し、上記有機分子が上記基板表面上に上記有機分子の層を形成する工程;および、
上記基体をめっき溶液または浴中に置き、浴中の金属イオンが還元されて上記有機分子に結合して上記基板表面上に金属層を形成する工程。
本発明の上記および他の局面は、添付図面(同じ参照文字は、同じ部分を示す)と一緒に以下の詳細な説明を検討すれば明白であろう。
非大環状キレート化剤を含む表面活性成分は、金属の存在が複数のプロリガンドが一緒に結合して複数の酸化状態をもたらすことから、金属イオンと結合させて非大環状キレート化合物を形成させる。
ピリジン;ピラジン;イソニコチンアミド;イミダゾール;ビピリジンおよびビピリジンの置換誘導体;ターピリジンおよび置換誘導体;フェナントロリン、とりわけ、1,10‐フェナントロリン(phenと略記する)および4,7‐ジメチルフェナントロリンおよびジピリドール[3,2‐a:2',3'‐c]フェナジン(dppzと略記する)のようなフェナントロリンの置換誘導体;ジピリドフェナジン;1,4,5,8,9,12‐ヘキサアザトリフェニレン(hatと略記する);9,10‐フェナントレンキノンジイミド(phiと略記する);1,4,5,8‐テトラアザフェナントレン(tapと略記する);1,4,8,11‐テトラアザシクロテトラデカン(cyclamと略記する)およびイソシアニドがある。また、縮合誘導体のような置換誘導体も使用し得る。金属イオンを配位的に飽和させてなく、他のプロリガンドの添加を必要とする大環状リガンドは、本目的においては非大環状とみなすことに留意すべきである。当業者であれば認識しているように、多数の“非大環状”リガンドを共有結合させて配位的に飽和の化合物を形成させることは可能であるが、これは環状骨格を欠いている。
酸素, イオウ, リンおよび窒素供与リガンドは、ヘテロ原子を配位原子として機能せしめるような方法で付着させる。
また、上記分子成分も、本発明においては、上記で概略した表面活性成分のポリマーを含み得る;例えば、ポルフィリンポリマー(ポルフィリン複合体のポリマーを含む)、大員環複合体ポリマー、2種の表面活性サブユニットを含む表面活性成分等を使用することができる。上記ポリマーは、ホモポリマーまたはヘテロポリマーであり得、単量体表面活性成分の任意の多くの種々の混合物(混在物)を含み得る;また、“モノマー”も2種以上のサブユニットを含む表面活性成分(例えば、サンドイッチ配位化合物、1種以上のフェロセンで置換されたポルフィリン誘導体等)を含み得る。表面活性成分ポリマーは、WO 2005/086826号に記載されており、該文献は、その全体を参考として本明細書に合体させる。
また、これらの各種分子化合物の混合物も、本発明に従って使用することができる。
従って、本発明の方法によれば、多層導電性構造体を製造することも、例えば、本発明による有機挿入フィルムを使用することによって可能である。
ある実施態様においては、本発明に従って得られた有機フィルムは、この有機フィルムが付着している導電性表面の腐蝕電位よりも高いアノード電位に耐える付着保護コーティングを構成する。
従って、本発明の方法は、例えば、ビニルポリマーのフィルムを、導電性ポリマーフィルム上で相応するビニルモノマーを熱重合させることによって付着させる工程も含む。
従って、本発明は、調整可能な厚さを有する付着させ且つ導電性の有機コーティングを、導電性または半導電性表面上に生成させるのを可能にする。
とりわけ有利には、各種のパラメーターを、如何なる特定の有機分子の付着においても最適化することができる。これらのパラメーターとしては、(1) 上記分子(1種以上)の濃度、(2) ベーキング時間、および(3) ベーキング温度がある。これらの手順は、溶液中の種々の濃度の分子または生のまま分子を典型的に使用する。極めて少量の物質の使用は、比較的少量の有機溶媒を使用し、それによって環境的危険を最小限にし得ることを示唆している。
400℃以上ほどの高いベーキング温度を、ある種のタイプの分子の分解なしで使用し得る。この結果は、PCBまたは半導体装置の製造における多くの処理工程が高温処理を伴う点で重要である。ある実施態様においては、好ましいベーキング温度は、約25℃〜約400℃、好ましくは約100℃〜約200℃、より好ましくは約150℃〜約250℃、最も好ましくは約150℃〜約200℃の範囲である。
分子を、例えば、アルコールまたはチオールにより誘導体化する方法は、当業者にとって周知である(例えば、Gryko et al. (1999) J. Org. Chem., 64: 8635-8647;Smith and March (2001) March's Advanced Organic Chemistry, John Wiley & Sons, 5th Edition等を参照されたい)。
付着基Yがアルコールを含む場合、ある実施態様においては、適切なアルコールとしては、限定するものではないが、第一級アルコール、第二級アルコール、第三級アルコール、ベンジルアルコール、およびアリールアルコール(即ち、フェノール)がある。ある種のとりわけ好ましいアルコールとしては、限定するものではないが、2〜10個の炭素の直鎖アルコール、ベンジルアルコールおよびフェネチルアルコール、または側鎖基を含有するエーテルがある。
付着基Yがチオールを含む場合、ある実施態様においては、適切なチオールとしては、限定するものではないが、第一級チオール、第二級チオール、第三級チオール、ベンジルチオール、およびアリールチオールがある。とりわけ好ましいチオールとしては、限定するものではないが、2〜10個の炭素の直鎖チオール、ベンジルチオールおよびフェネチルチオールがある。
表面を清浄化し不動態化する他の方法は、当業者にとって既知である(例えば、Choudhury (1997) The Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication, Bard & Faulkner (1997) Fundamentals of Electrochemistry, Wiley, New York等を参照されたい)。
他の方法は、例えば、上記試薬を、カップリングさせなければならない領域内に選択的に付着させるように成形した接触プリントヘッドを使用する上記試薬の接触プリンティング、試薬を特定の領域内に選択的に付着させるインクジェット装置の使用(例えば、米国特許第6,221,653号参照)、試薬を特定の領域内に選択的に封じ込めるダム(せき止め)の使用等を含む。
本発明は、以下の実施例から、さらに良好に理解し得るであろう。多くの試験を、下記で説明するようにして実施した。各実施例は、単なる例示目的で示しており、本発明を如何なる形でも限定するものではない。
実施例
本発明の特徴をさらに説明するために、改めて図9に関しては、典型的な試験プロセス経路が示されており、次の4つの主要工程を含む:(1) 分子付着200、(2) 無電解Cu析出300、(3) 電解質Cu析出400、および(4) 必要に応じての加熱処理。特定のデータおよび結果は、単なる例示目的で示しており、本発明の範囲を如何なる形でも限定するものではない。図9は、上記プロセスにおいて、工程320のテープ剥離を工程410の剥離強度試験を実施するように示している;しかしながら、これは、使用する試験手順およびプロトコールを説明するためにのみ示している。本発明の広範な方法工程は、剥離試験工程320および410を含まない。図9に関し、典型的な試験手順においては、分子付着を、基板の清浄化202、1種以上の分子の基板との付着または接触204、工程206での分子の基板への付着を促進させるための加熱またはベーキング、およびその後の基体の洗浄および後処理208によって実施している。
本実施例は、有機分子の層をPCB基板上に形成させる1つの典型的な方法を例示する、この場合、図4に示すエチニル末端分子を、図5に示すようなC‐C結合の形成により、エポキシ表面に付着させる。市販の平滑エポキシ基板を、先ず、水中での5分間の音波処理およびその後のイソプロピルアルコールにより清浄化した。基板を、0.1〜1mMのポルフィリン分子を適切な溶媒(例えば、イソプロパノール、ヘキサン、トルエン等)中に含有する溶液で、スプレーコーティング、ディップコーティング、ドロップコーティング(drop-coating)またはスピンコーティングのいずれかよってコーティングした。その後、サンプルを70〜200℃で5〜20分間ベーキングし、次いで、標準の表面清浄化工程を行って残留未付着分子を除去した。付着分子の量は、分子の濃度、付着温度および時間を変えることによって調整し得、図10および11に示すようなUV吸収分光法によってモニターし得る。図10に示すように、UV吸収強度は、付着濃度の増大とともに増大する分子被覆率に比例している。さらに、分子被覆率は、図11に示すように、付着温度の上昇とともに増大している。
分子付着および表面清浄化工程の後、エポキシ基板を、以下の方法で無電解Cu析出に供した:(a) Shipley/Circuposit Conditioner 3320中に65℃で10分間浸漬し、次いで、65℃で2分間のDI水洗浄を行い、(b) Shipley/Cataposit Catalyst 404中に23℃で1分間(予備浸漬)、次いでShipley/Cataposit Catalyst 44中に40℃で5分間(活性化)浸漬し、その後、23℃2分間のDI水洗浄を行い、(c) Shipley/Accelerator 19E中に30℃で5分間浸漬し(促進)、その後、23℃2分間のDI水洗浄を行い、(d) Shipley/Cuposit 328L Copper Mix中に30℃で40分間浸漬し(無電解Cu)、その後、23℃で2分間のDI水洗浄および23℃の空気による1分間のブロー乾燥を行った。その後、サンプルを170℃の空気中で30分間アニーリングした。無電解フィルムを図12〜14に示すテープ剥離によって評価し、図15に示す顕微鏡により特性決定した。図12Aおよび12Bは、テープ剥離試験方法を略図的に示している。テープ500を試験クーポン、この場合は、本発明の方法によってその上に形成された無電解銅504を有するエポキシ基板502の1部上に置き、押圧する。その後、テープ500の1部を手で剥離する。テープ剥離試験は、銅層の剥離強度の定性的特性決定をもたらし、一般に、無電解銅層を試験するために実施する。図13は、本発明の方法によってその上に形成された無電解銅を有するエポキシA基板の複数の試験クーポン0131〜0140の、本発明に従って製造していない対照試験クーポン0007と一緒の写真を示す。図14は、本発明の方法によってその上に形成された無電解銅を有するエポキシB基板の複数の試験クーポン0039〜0040の、本発明に従って製造していない対照試験クーポン0026と一緒の写真を示す。各試験クーポンは、両図面において、剥離の前後で示されている。図13および14に示されているように、本発明のポルフィリン分子はめっき用の良好な基板をもたらしており、平滑なエポキシ基板に対する銅接着を増強している。さらに、より良好な銅被覆率は、一般に、本発明に従って製造した基板によって達成されている。さらに、図15Aおよび15Bは、ポルフィリン分子が、欠陥密度も低下させ、従って、銅とエポキシ基板間の接着を促進していることを例証している。図15Bにおいて示しているように、50×および500×倍率の双方において、本発明に従って製造したエポキシB基板上の銅層は、良好な銅接着と低欠陥密度を示しており、通常に製造した銅層(図15A)に対して有意に優れている。
電着を無電解Cu被覆基板に適用して、銅の厚さを剥離強度評価のために25〜50μmまで増大させた。基板を、先ず、1M 硫酸中で清浄化し、次いで、Shipley/Copper Gleam ST-901 Acid Copper中で2A/cm2、23℃にて90分間電気めっきし、その後、23℃2分間のDI水洗浄および23℃の空気による1分間のブロー乾燥を行った。その後、サンプルを170℃の空気中で120分間アニーリングした。次に、剥離強度を電解質銅層上で試験する。図16Aおよび16Bは、剥離強度試験方法を略図的に示している。先ず、10mm幅の剥離ストリップ600を、試験クーポン、この場合は、本発明の方法によってその上に形成された無電解および電解質銅604を有するエポキシ基板602の二面上に切込みを入れることによって作成する。次に、剥離ストリップ600を、剥離試験器のフォースゲージに固定する。その後、剥離強度を、90度の剥離角度および50mm/分の剥離速度で測定する。図17Aは、ポルフィリン結合平滑基板上の電解質銅の剥離強度が、分子結合なしの平滑基板と比較して、60の係数で高まっていることを例証しており、この剥離強度は、図17Bに示しているような粗面化対照基板で観察される剥離強度と匹敵するかまたは良好である。表面画像化は、平滑基板上での接着力の増強が、図17Cの表のデータに示しているように、表面粗さおよび形態の有意な変化なしで達成されていたことを実証している。剥離強度の同様な増強は、100nm未満の粗さを有するさらなる基板上で、表面を有意に粗面化することなく実証されている。
その後、上記で形成した装置をさらに加工して微細線のパターン化が本発明によって可能であることを実証した。具体的には、基板を、無電解銅がおよそ0.5ミクロンの高さに付着する時点まで、実施例2で説明したようにして処理した。この時点で、セミアディティブ(semi-additive)パターン化法(例えば、Liu, F et al, A Novel Technology for Stacking Microvias on Printed Wiring Board, Proceedings 53rd IEEE Electronics Components and Technology Conference, May 2003, pp 1134-39参照)を用いる標準リトグラフィー法を使用して、等寸法(例えば、30/30、18/18、14/14、12/12および8/8ミクロン)を有する線と間隔のコームパターンを生じさせた。良好な結果がこれらの構造体の全てにおいて得られており、本発明の分子接着法による処理が、下記の表1に示しているように、銅線を微細線間隔でパターン化する能力を有意に改善することを示唆していた。
多くの試験を実施して、本発明に従って形成させた装置の信頼性を種々の応力条件下において試験した。結果は、下記で詳細に説明するように、図18〜21に提示している。
102、104 エポキシ基板
106、108 有機分子
110 銅シード層
112 無電解めっき銅
114 電気めっき銅
200 分子付着工程
202 基板清浄化
204 分子付着または接触
206 加熱またはベーキング
208 洗浄および後処理
300 銅の無電解析出工程
302 状態調節
304 洗浄
306 予備浸漬
308 活性化
310 洗浄
312 促進
314 洗浄
316 無電解銅めっき
318 洗浄および乾燥
319 予備アニーリング
320 テープ剥離試験
400 銅の電着
402 酸清浄化
404 電解質銅めっき
406 洗浄および乾燥
408 後アニーリング
410 剥離強度試験
500 テープ
502 エポキシ基板
504 無電解銅
0007 対照試験クーポン
0131〜0140 本発明に従う試験クーポン
0026 対照試験クーポン
0039〜0044 本発明に従う試験クーポン
600 剥離ストリップ
602 エポキシ基板
604 電解質銅
Claims (46)
- 下記の工程を含むことを特徴とする、基板の表面のめっき方法:
前記表面を、金属結合を促進するように配置している1種以上の有機分子と接触させ、これらの有機分子が有機分子の層を前記基板の表面に形成する工程;および、
前記基板をめっき浴に入れ、このめっき浴中の金属イオンが還元されて前記1種以上の有機分子と結合して、前記基板表面上に金属層を形成する工程。 - 前記基板をめっき浴に入れる前に、金属シード層を前記有機分子層の上に形成させて、この金属シード層が前記1種以上の有機分子に付着する工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
- 前記1種以上の有機分子を前記表面の所望領域に選択的に形成させ、前記金属層を前記所望領域上に形成させる、請求項1記載の方法。
- 前記1種以上の有機分子が、表面活性成分である、請求項1記載の方法。
- 前記表面活性成分が、大環状プロリガンド、大環状複合体、サンドイッチ配位複合体およびそのポリマーからなる群から選ばれる、請求項4記載の方法。
- 前記表面活性成分が、ポルフィリンである、請求項4記載の方法。
- 前記1種以上の有機分子が、アリール官能基および/またはアルキル付着基からなる少なくとも1個の付着基を担時する、請求項1記載の方法。
- 前記アリール官能基が、下記の任意の1種以上から選ばれる官能基からなる、請求項7記載の方法:
アセテート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシレート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se‐アセチルセレノ、Se‐アセチルセレノメチル、S‐アセチルチオ、S‐アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5‐テトラメチル‐1,3,2‐ジオキサボロラン‐2‐イル、2‐(トリメチルシリル)エチニル、ビニルおよびこれらの組合せ。 - 前記アルキル付着基が、下記の任意の1種以上から選ばれる官能基を含む、請求項7記載の方法:
アセテート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシレート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se‐アセチルセレノ、Se‐アセチルセレノメチル、S‐アセチルチオ、S‐アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5‐テトラメチル‐1,3,2‐ジオキサボロラン‐2‐イル、2‐(トリメチルシリル)エチニル、ビニルおよびこれらの組合せ。 - 前記少なくとも1個の付着基が、下記の任意の1種以上からなる、請求項7記載の方法:
アミン、アルコール、エーテル、他の求核物質、フェニルエチン、フェニルアリル基、ホスホネートおよびこれらの組合せ。 - 前記1個以上の有機分子が、アルコール、カルボキシレート、エーテル、エステル、他の求核物質、フェニルエチン、フェニルアリル基、ホスホネート、アミン、ピリジン、ピラジン、イソニコチンアミド、イミダゾール、ビピリジンおよびビピリジンの置換誘導体、ターピリジンおよび置換誘導体、ニトリル、イソニトリル、チオシアネート、フェナントロリン、フェナントロリンの置換誘導体、酸素、イオウ、リンおよび窒素供与リガンドおよびこれらの組合せからなる1種以上の結合基をさらに含む、請求項2記載の方法。
- 前記1種以上の有機分子が、興味ある分子を結合するように配置した1個以上の結合基および前記有機分子を前記表面に付着するように配置した1個以上の付着基を担持する熱安定性基本成分からなる、請求項1記載の方法。
- 前記基板が、下記の任意の1種以上からなる、請求項1記載の方法:
PCB基板、ポリマー、セラミック、カーボン、エポキシ、ガラス強化エポキシ、フェノール、ポリイミド樹脂、ガラス強化ポリイミド、シアネート、エステル、テフロン(登録商標)、第III〜IV族元素およびこれらの混合物。 - 前記基板が、下記の任意の1種以上からなる、請求項1記載の方法:
平面基板、曲面基板、非平面基板、エッチング基板、パターン化または構造化基板、または他の基板上の堆積ドメイン。 - 前記接触工程が、下記の任意の1以上を含む、請求項1記載の方法:
ディッピング、ドリップコーティング、ドロップコーティング、スピンコーティング、スプレー、インクジェットプリンティング、接触プリンティング、蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、分子線エピタキシー、およびこれらの組合せ。 - 前記1種以上の有機分子および前記基板を少なくとも25℃の温度に加熱する工程をさらに含み、この加熱工程を、下記の任意の1以上において実施する、請求項1記載の方法:
オーブン、ホットプレート、CVD装置、加熱炉、高速加熱炉、MBE装置、およびこれらの組合せ。 - 前記接触工程の前に、溶媒洗浄液を前記表面に適用する工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
- 前記加熱工程の後に、前記基板表面を清浄化する工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
- 前記清浄化工程が、下記の任意の1以上を含む、請求項18記載の方法:
洗浄、濯ぎ、デスカミング(descuming)またはデスミア処理。 - 前記1種以上の有機分子および前記基板を、少なくとも50℃の温度に加熱する、請求項1記載の方法。
- 前記1種以上の有機分子および前記基板を、少なくとも100℃の温度に加熱する、請求項1記載の方法。
- 前記1種以上の有機分子および前記基板を、少なくとも150℃の温度に加熱する、請求項1記載の方法。
- 前記1種以上の有機分子および前記基板を、約400℃までの温度に加熱する、請求項1記載の方法。
- 前記1種以上の有機分子を、溶媒、分散液、エマルジョン、ペーストまたはゲル中に担持させる、請求項1記載の方法。
- 下記の工程を含むことを特徴とする、基板表面のめっき方法:
前記表面を、金属結合を促進するように配置している1種以上の有機分子と接触させる工程;
前記1種以上の有機分子と前記基板を少なくとも25℃の温度に加熱し、これらの有機分子が有機分子の層を前記基板表面上に形成する工程;
前記基板表面を後処理する工程;および、
前記表面をめっき浴または溶液に暴露し、このめっき浴中の金属イオンが還元されて前記1種以上の有機分子と結合して、前記基板表面上に金属層を形成する工程。 - 下記を含むプリント回路板:
少なくとも1枚の基板;
前記少なくとも1枚の基板に結合させた有機分子の層;および、
前記有機分子層上の金属層。 - 前記有機分子層が、金属と結合するように配置した1個以上の結合基および前記有機分子を前記基板に結合させるように配置した1個以上の付着基を担持する熱安定性基本成分を含む分子からなる、請求項26記載のプリント回路板。
- 前記有機分子層が、下記の群から選ばれる耐熱性金属結合性分子からなる、請求項26記載のプリント回路板:
ポルフィリン、ポルフィリン系大員環、拡張ポルフィリン、収縮ポルフィリン、線状ポルフィリンポリマー、ポルフィリン系サンドイッチ型配位複合体またはポルフィリンアレー。 - 少なくとも1種の基板が、下記の任意の1種以上からなる、請求項26記載のプリント回路基板:
ポリマー、セラミック、カーボン、エポキシ、ガラス強化エポキシ、フェノール、ポリイミド樹脂、ガラス強化ポリイミド、シアネート、エステル、テフロン(登録商標)、第III〜IV族元素およびこれらの混合物。 - 多層プリント回路板を形成する少なくとも2枚の基板をさらに含む、請求項26記載のプリント回路板。
- 前記基板が、それを通して形成された1個以上のビアを含み、これらのビアが、その上に形成された有機分子の層およびこの有機分子層上の金属層を有する、請求項26記載のプリント回路板。
- 前記有機分子層が、1種以上の成分で官能化されている副層を形成する、請求項26記載のプリント回路板。
- 前記副層が、下記の任意の1種以上の電着または電気結合によって官能化されている、請求項32記載のプリント回路板:
ビニルモノマー、張力環、ジアゾニウム塩、カルボン酸塩、アルキン、グリニャール誘導体およびこれらの組合せ。 - 基板の表面を、熱安定性基本成分、金属との結合を促進するように配置した1個以上の結合基および有機分子を上記基板に結合するように配置した1個以上の付着基からなる有機分子によって処理することを特徴とする基板への金属結合の促進方法。
- 下記を含む、基板への金属の結合を実施するためのキット:
付着基Yおよび結合基Xによって誘導体化され且つ結合基Xが金属の結合を促進する耐熱性有機分子を収容する容器;および、
前記有機分子を、前記基板に、前記分子および表面を少なくとも25℃の温度に加熱することによってカップリングさせることを教示する教材。 - 前記接触工程の前に、前記基板の表面を前処理する工程をさらに含む、請求項25記載の方法。
- 前記接触または加熱工程の後に、前記有機分子を化学的に変性する工程をさらに含む、請求項25記載の方法。
- 前記後処理工程が、下記の任意の1以上を含む、請求項25記載の方法:
プラズマ処理、化学洗浄、化学酸化またはエッチング。 - 前記前処理および/または後処理工程が、下記の任意の1以上を含む、請求項36記載の方法:
プラズマ処理、化学洗浄、化学酸化またはエッチング。 - 前記金属層が、0.5kg/cmよりも高い剥離強度および250nmよりも細かい表面粗さを示す、請求項26記載のプリント回路板。
- 前記金属層が、その上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、このパターン化金属線が25ミクロン以下の幅を有する、請求項26記載のプリント回路板。
- 前記金属層が、その上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、このパターン化金属線が15ミクロン以下の幅を有する、請求項26記載のプリント回路基板。
- 前記金属層が、その上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、このパターン化金属線が10ミクロン以下の幅を有する、請求項26記載のプリント回路基板。
- 前記金属層が、その上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、このパターン化金属線が5ミクロン以下の幅を有する、請求項26記載のプリント回路基板。
- 1以上の金属層の少なくとも1層が、0.5kg/cmよりも高い剥離強度および250nmよりも細かい表面粗さを示すことを特徴とする1層以上の金属層を有するプリント回路板。
- 1以上の金属層の少なくとも1層が、その上に形成されたパターン化金属線をさらに含み、このパターン化金属線が25ミクロン以下の幅を有することを特徴とする1層以上の金属層を有するプリント回路板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/848,860 | 2007-08-31 | ||
US11/848,860 US20090056994A1 (en) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | Methods of Treating a Surface to Promote Metal Plating and Devices Formed |
PCT/US2008/074887 WO2009029863A1 (en) | 2007-08-31 | 2008-08-29 | Methods of treating a surface to promote metal plating and devices formed |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010538159A true JP2010538159A (ja) | 2010-12-09 |
JP2010538159A5 JP2010538159A5 (ja) | 2011-10-13 |
JP6040487B2 JP6040487B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=40387848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010523174A Expired - Fee Related JP6040487B2 (ja) | 2007-08-31 | 2008-08-29 | 金属めっきを促進するための表面処理方法および作製された装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20090056994A1 (ja) |
EP (1) | EP2188817A4 (ja) |
JP (1) | JP6040487B2 (ja) |
CN (1) | CN101919008B (ja) |
TW (1) | TWI445840B (ja) |
WO (1) | WO2009029863A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015082598A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 富士電機株式会社 | 半導体基板、及び、半導体基板の製造方法 |
KR20150102721A (ko) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도금의 전처리 방법, 기억 매체 및 도금 처리 시스템 |
JP2020015976A (ja) * | 2018-05-29 | 2020-01-30 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | レドックス原子層堆積 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7704884B2 (en) * | 2008-04-11 | 2010-04-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
US20090289032A1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | General Electric Company | Method and kit for surface preparation |
TWI405869B (zh) * | 2009-12-17 | 2013-08-21 | Perusetech Company | Substrate with metal layer and method for manufacturing the same |
US9345149B2 (en) | 2010-07-06 | 2016-05-17 | Esionic Corp. | Methods of treating copper surfaces for enhancing adhesion to organic substrates for use in printed circuit boards |
WO2012057884A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods |
CN102752962B (zh) * | 2011-04-21 | 2014-11-05 | 明阅科技有限公司 | 具金属层的底材及其制造方法 |
US20140093769A1 (en) * | 2011-05-19 | 2014-04-03 | Northeastern University | Carbon Nanotube-Based Electrode and Rechargeable Battery |
US8499445B1 (en) * | 2011-07-18 | 2013-08-06 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Method of forming an electrically conductive printed line |
CN102352501B (zh) * | 2011-10-09 | 2013-09-04 | 上海大学 | 一种钢铁表面形成缓蚀膜的方法 |
JP5837829B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2015-12-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
EP2645830B1 (en) | 2012-03-29 | 2014-10-08 | Atotech Deutschland GmbH | Method for manufacture of fine line circuitry |
JP2015115335A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2015115334A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
US9673134B2 (en) * | 2013-12-11 | 2017-06-06 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component and method of manufacture |
FR3014887B1 (fr) * | 2013-12-13 | 2017-05-26 | Arkema France | Procede permettant la creation de structures nanometriques par l'auto-assemblage de copolymeres a blocs |
RU2607627C1 (ru) * | 2015-07-27 | 2017-01-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Способ подготовки поверхности полиимида под химическую металлизацию |
EP3187322A1 (en) | 2015-12-31 | 2017-07-05 | Arjo Wiggins Fine Papers Limited | Use of printed electronics on paper to embed a circuit into plastic moulded objects |
DE102016102155A1 (de) * | 2016-02-08 | 2017-08-10 | Infineon Technologies Ag | Ein Verfahren zum galvanischen Plattieren unterstützt durch eine Stromverteilungsschicht |
US9799593B1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-24 | Intel Corporation | Semiconductor package substrate having an interfacial layer |
US10151035B2 (en) * | 2016-05-26 | 2018-12-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Electroless metallization of through-holes and vias of substrates with tin-free ionic silver containing catalysts |
WO2018222680A1 (en) * | 2017-05-30 | 2018-12-06 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition and etching of metal pillars using aacvd and an electrical bias |
JP6477831B1 (ja) * | 2017-10-31 | 2019-03-06 | 栗田工業株式会社 | ポリフェニレンサルファイド樹脂の親水化処理方法 |
US11319334B2 (en) * | 2017-12-28 | 2022-05-03 | Intel Corporation | Site-selective metal plating onto a package dielectric |
TWI683229B (zh) * | 2018-07-06 | 2020-01-21 | 智茂電腦科技有限公司 | 電路板加工機之離線編輯的電腦程式產品 |
JP7401436B2 (ja) * | 2018-08-01 | 2023-12-19 | 東洋鋼鈑株式会社 | 電子部品搬送用冶具用の基材 |
KR102019222B1 (ko) * | 2018-12-14 | 2019-09-06 | 한국과학기술원 | 다공성 포르피린 고분자에 흡착된 귀금속 회수를 위한 무전해 도금용 도금액 및 무전해 도금방법 |
CN111372369B (zh) * | 2018-12-25 | 2023-07-07 | 奥特斯科技(重庆)有限公司 | 具有部件屏蔽的部件承载件及其制造方法 |
CN111343793A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-06-26 | 电子科技大学 | 一种印制电路复合介质基板表面金属化方法 |
CN113518516A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-10-19 | 新余市木林森线路板有限公司 | 一种柔性线路板的制作工艺 |
CN114438482B (zh) * | 2022-01-19 | 2023-08-15 | 广东工业大学 | 一种快速提升化学浸金厚度的处理液及其应用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6115984A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-24 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 無電解メタライズのための基質表面の活性化方法 |
JPS6191996A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-10 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | プリント配線基板の製造のための半製品 |
JP2003313672A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品のめっき方法、及び電子部品 |
WO2005098087A2 (fr) * | 2004-03-24 | 2005-10-20 | Alchimer | Procede de revetement selectif d'une surface composite, fabrication d'interconnexions en microelectronique utilisant ce procede, et circuits integres |
JP2006518103A (ja) * | 2003-02-17 | 2006-08-03 | アルシメール・エス・アー | 表面被覆方法、及び該方法を使用するマイクロエレクトロニクス相互接続の作製、並びに集積回路 |
JP2006213677A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Iwate Univ | 水溶性アルコキシシラン含有トリアジンジチオール金属塩及びその製造方法、並びにそれを用いた固体表面への反応性付与方法及び表面反応性固体 |
JP2007149711A (ja) * | 2005-10-29 | 2007-06-14 | Iwate Univ | 有機薄膜トランジスタ装置及びその製造方法並びに金属薄膜の形成方法 |
Family Cites Families (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3011920A (en) * | 1959-06-08 | 1961-12-05 | Shipley Co | Method of electroless deposition on a substrate and catalyst solution therefor |
US3532518A (en) * | 1967-06-28 | 1970-10-06 | Macdermid Inc | Colloidal metal activating solutions for use in chemically plating nonconductors,and process of preparing such solutions |
US3770598A (en) * | 1972-01-21 | 1973-11-06 | Oxy Metal Finishing Corp | Electrodeposition of copper from acid baths |
US3876513A (en) * | 1972-06-26 | 1975-04-08 | Oxy Metal Finishing Corp | Electrodeposition of bright cobalt plate |
US4073740A (en) * | 1975-06-18 | 1978-02-14 | Kollmorgen Technologies Corporation | Composition for the activation of resinous bodies for adherent metallization |
JPS5288772A (en) * | 1976-01-20 | 1977-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing printed circuit board |
US4089686A (en) * | 1976-04-19 | 1978-05-16 | Western Electric Company, Inc. | Method of depositing a metal on a surface |
US4374709A (en) * | 1980-05-01 | 1983-02-22 | Occidental Chemical Corporation | Process for plating polymeric substrates |
US4446176A (en) * | 1980-08-18 | 1984-05-01 | David Hudson, Inc. | Fluoroelastomer film compositions containing phenoxy resins and method for the preparation thereof |
US4376685A (en) * | 1981-06-24 | 1983-03-15 | M&T Chemicals Inc. | Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives |
US4478883A (en) * | 1982-07-14 | 1984-10-23 | International Business Machines Corporation | Conditioning of a substrate for electroless direct bond plating in holes and on surfaces of a substrate |
US4608275A (en) * | 1983-07-01 | 1986-08-26 | Macdermid, Incorporated | Oxidizing accelerator |
US4554182A (en) * | 1983-10-11 | 1985-11-19 | International Business Machines Corporation | Method for conditioning a surface of a dielectric substrate for electroless plating |
US4448804A (en) * | 1983-10-11 | 1984-05-15 | International Business Machines Corporation | Method for selective electroless plating of copper onto a non-conductive substrate surface |
US4515829A (en) * | 1983-10-14 | 1985-05-07 | Shipley Company Inc. | Through-hole plating |
US4634468A (en) * | 1984-05-07 | 1987-01-06 | Shipley Company Inc. | Catalytic metal of reduced particle size |
US4555315A (en) * | 1984-05-29 | 1985-11-26 | Omi International Corporation | High speed copper electroplating process and bath therefor |
US4592852A (en) * | 1984-06-07 | 1986-06-03 | Enthone, Incorporated | Composition and process for treating plastics with alkaline permanganate solutions |
US4673459A (en) * | 1985-06-18 | 1987-06-16 | Kamyr, Inc. | Radial configuration of evaporator heating elements and method |
US4904506A (en) * | 1986-01-03 | 1990-02-27 | International Business Machines Corporation | Copper deposition from electroless plating bath |
US4976990A (en) * | 1986-09-30 | 1990-12-11 | Macdermid, Incorporated | Process for metallizing non-conductive substrates |
US5389496A (en) * | 1987-03-06 | 1995-02-14 | Rohm And Haas Company | Processes and compositions for electroless metallization |
US4803097A (en) * | 1987-04-20 | 1989-02-07 | Allied-Signal Inc. | Metal plating of plastic materials |
US4810333A (en) * | 1987-12-14 | 1989-03-07 | Shipley Company Inc. | Electroplating process |
US4948707A (en) * | 1988-02-16 | 1990-08-14 | International Business Machines Corporation | Conditioning a non-conductive substrate for subsequent selective deposition of a metal thereon |
US5068013A (en) * | 1988-08-23 | 1991-11-26 | Shipley Company Inc. | Electroplating composition and process |
US5051154A (en) * | 1988-08-23 | 1991-09-24 | Shipley Company Inc. | Additive for acid-copper electroplating baths to increase throwing power |
US4919768A (en) * | 1989-09-22 | 1990-04-24 | Shipley Company Inc. | Electroplating process |
US5342501A (en) * | 1989-11-21 | 1994-08-30 | Eric F. Harnden | Method for electroplating metal onto a non-conductive substrate treated with basic accelerating solutions for metal plating |
US5015339A (en) * | 1990-03-26 | 1991-05-14 | Olin Hunt Sub Iii Corp. | Process for preparing nonconductive substrates |
US5318803A (en) * | 1990-11-13 | 1994-06-07 | International Business Machines Corporation | Conditioning of a substrate for electroless plating thereon |
FR2670685B1 (fr) * | 1990-12-20 | 1995-03-10 | Rhone Poulenc Chimie | Procede de preparation de catalyseurs enrobes a base de molybdates de bismuth et de fer dopes par du phosphore et du potassium. |
US5174886A (en) * | 1991-02-22 | 1992-12-29 | Mcgean-Rohco, Inc. | High-throw acid copper plating using inert electrolyte |
JPH0525298A (ja) * | 1991-06-19 | 1993-02-02 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方法 |
US5207888A (en) * | 1991-06-24 | 1993-05-04 | Shipley Company Inc. | Electroplating process and composition |
US5227013A (en) * | 1991-07-25 | 1993-07-13 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Forming via holes in a multilevel substrate in a single step |
US5212093A (en) * | 1991-07-31 | 1993-05-18 | Shell Oil Company | Method to determine drift and residual oil saturation |
US5268088A (en) * | 1991-12-12 | 1993-12-07 | Eric F. Harnden | Simplified method for direct electroplating of acrylic or epoxy containing dielectric substrates |
US5455072A (en) * | 1992-11-18 | 1995-10-03 | Bension; Rouvain M. | Initiation and bonding of diamond and other thin films |
US5419954A (en) * | 1993-02-04 | 1995-05-30 | The Alpha Corporation | Composition including a catalytic metal-polymer complex and a method of manufacturing a laminate preform or a laminate which is catalytically effective for subsequent electroless metallization thereof |
US5425873A (en) * | 1994-04-11 | 1995-06-20 | Shipley Company Llc | Electroplating process |
US5745984A (en) * | 1995-07-10 | 1998-05-05 | Martin Marietta Corporation | Method for making an electronic module |
US5648125A (en) * | 1995-11-16 | 1997-07-15 | Cane; Frank N. | Electroless plating process for the manufacture of printed circuit boards |
US5721014A (en) * | 1995-12-19 | 1998-02-24 | Surface Tek Specialty Products, Inc. | Composition and method for reducing copper oxide to metallic copper |
AU733317B2 (en) * | 1996-09-23 | 2001-05-10 | Novoste Corporation | Intraluminal radiation treatment system |
TW409261B (en) * | 1998-01-13 | 2000-10-21 | Toppan Printing Co Ltd | A electrode plate with transmission-type or reflection-type multilayer electroconductive film, and the process for producing the electrode plate |
US6284317B1 (en) * | 1998-04-17 | 2001-09-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Derivatization of silicon surfaces |
JP4013352B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2007-11-28 | 松下電工株式会社 | 樹脂基材表面への金属膜形成方法 |
JP4029517B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2008-01-09 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法及び半導体装置 |
US6221653B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-04-24 | Agilent Technologies, Inc. | Method of performing array-based hybridization assays using thermal inkjet deposition of sample fluids |
US6381169B1 (en) | 1999-07-01 | 2002-04-30 | The Regents Of The University Of California | High density non-volatile memory device |
JP2003504839A (ja) | 1999-07-01 | 2003-02-04 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 高密度の不揮発性記憶デバイス |
US6324091B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-11-27 | The Regents Of The University Of California | Tightly coupled porphyrin macrocycles for molecular memory storage |
US6208553B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-03-27 | The Regents Of The University Of California | High density non-volatile memory device incorporating thiol-derivatized porphyrins |
US6294392B1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-09-25 | The Regents Of The University Of California | Spatially-encoded analyte detection |
JP2001091745A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Nitto Denko Corp | 複合位相差板、光学補償偏光板及び液晶表示装置 |
US6272038B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-08-07 | North Carolina State University | High-density non-volatile memory devices incorporating thiol-derivatized porphyrin trimers |
US6212093B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-04-03 | North Carolina State University | High-density non-volatile memory devices incorporating sandwich coordination compounds |
EP1249021A4 (en) * | 2000-01-14 | 2007-03-28 | Univ North Carolina State | SUBSTRATES WITH NETWORKED SNOWWORK COORDINATION COMPOUND POLYMERS AND METHOD FOR THEIR APPLICATION |
US20040161545A1 (en) * | 2000-11-28 | 2004-08-19 | Shipley Company, L.L.C. | Adhesion method |
US7112366B2 (en) * | 2001-01-05 | 2006-09-26 | The Ohio State University | Chemical monolayer and micro-electronic junctions and devices containing same |
US7141299B2 (en) * | 2001-01-05 | 2006-11-28 | The Ohio State University Research Foundation | Electronic junction devices featuring redox electrodes |
US6451685B1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-09-17 | Micron Technology, Inc. | Method for multilevel copper interconnects for ultra large scale integration |
JPWO2002067641A1 (ja) | 2001-02-21 | 2004-06-24 | 鐘淵化学工業株式会社 | 配線基板およびその製造方法、並びに該配線基板に用いられるポリイミドフィルムおよび該製造方法に用いられるエッチング液 |
WO2002077633A1 (en) | 2001-03-23 | 2002-10-03 | The Regents Of The University Of California | Open circuit potential amperometry and voltammetry |
US6642376B2 (en) * | 2001-04-30 | 2003-11-04 | North Carolina State University | Rational synthesis of heteroleptic lanthanide sandwich coordination complexes |
JP4997670B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2012-08-08 | 日本電気株式会社 | 共重合高分子膜の作製方法、前記形成方法で作製される共重合高分子膜、共重合高分子膜を利用する半導体装置 |
CN101024315A (zh) | 2001-07-06 | 2007-08-29 | 钟渊化学工业株式会社 | 层压体及其制造方法 |
KR20040030925A (ko) * | 2001-08-03 | 2004-04-09 | 엘리사 홀딩 엘엘씨 | 금속 표면 처리용 무전해 방법 및 이로부터 형성된 물품 |
DE10140246A1 (de) * | 2001-08-09 | 2003-03-06 | Forsch Pigmente Und Lacke E V | Verfahren zur Behandlung von Oberflächen von Substraten |
FR2829046B1 (fr) | 2001-08-28 | 2005-01-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de greffage et de croissance d'un film organique conducteur sur une surface |
US6765069B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-07-20 | Biosurface Engineering Technologies, Inc. | Plasma cross-linked hydrophilic coating |
US7348206B2 (en) * | 2001-10-26 | 2008-03-25 | The Regents Of The University Of California | Formation of self-assembled monolayers of redox SAMs on silicon for molecular memory applications |
US7074519B2 (en) * | 2001-10-26 | 2006-07-11 | The Regents Of The University Of California | Molehole embedded 3-D crossbar architecture used in electrochemical molecular memory device |
US6674121B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-01-06 | The Regents Of The University Of California | Method and system for molecular charge storage field effect transistor |
CN100395059C (zh) * | 2001-12-18 | 2008-06-18 | 旭化成株式会社 | 金属氧化物分散体、由其得到的金属薄膜和生产该金属薄膜的方法 |
US6728129B2 (en) * | 2002-02-19 | 2004-04-27 | The Regents Of The University Of California | Multistate triple-decker dyads in three distinct architectures for information storage applications |
US6828581B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Selective electroless attachment of contacts to electrochemically-active molecules |
JP2004006672A (ja) * | 2002-04-19 | 2004-01-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
US6850096B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-02-01 | Yoshio Nishida | Interpolating sense amplifier circuits and methods of operating the same |
FR2843828A1 (fr) * | 2002-08-26 | 2004-02-27 | Commissariat Energie Atomique | Support de garniture et procede de garniture selective de plages conductrices d'un tel support |
US6958270B2 (en) * | 2002-12-17 | 2005-10-25 | North Carolina State University | Methods of fabricating crossbar array microelectronic electrochemical cells |
US6944047B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-09-13 | North Carolina State University | Variable-persistence molecular memory devices and methods of operation thereof |
FR2851181B1 (fr) * | 2003-02-17 | 2006-05-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede de revetement d'une surface |
DE10315877B4 (de) * | 2003-04-08 | 2005-11-17 | Roche Diagnostics Gmbh | Krankheitsverlaufkontrolle |
EP1618223A2 (en) * | 2003-04-28 | 2006-01-25 | Nanosys, Inc. | Super-hydrophobic surfaces, methods of their construction and uses therefor |
US7312100B2 (en) | 2003-05-27 | 2007-12-25 | The North Carolina State University | In situ patterning of electrolyte for molecular information storage devices |
US7332599B2 (en) * | 2003-06-06 | 2008-02-19 | North Carolina State University | Methods and intermediates for the synthesis of dipyrrin-substituted porphyrinic macrocycles |
US7026716B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-04-11 | Rensselaer Polytechnic Institute | Self-assembled sub-nanolayers as interfacial adhesion enhancers and diffusion barriers |
US7223628B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-05-29 | The Regents Of The University Of California | High temperature attachment of organic molecules to substrates |
US6943054B2 (en) * | 2003-07-25 | 2005-09-13 | The Regents Of The University Of California | Attachment of organic molecules to group III, IV or V substrates |
US7056648B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-06-06 | International Business Machines Corporation | Method for isotropic etching of copper |
US7695756B2 (en) | 2004-04-29 | 2010-04-13 | Zettacore, Inc. | Systems, tools and methods for production of molecular memory |
US7324385B2 (en) * | 2004-01-28 | 2008-01-29 | Zettacore, Inc. | Molecular memory |
US20050162895A1 (en) | 2004-01-28 | 2005-07-28 | Kuhr Werner G. | Molecular memory arrays and devices |
US7307870B2 (en) | 2004-01-28 | 2007-12-11 | Zettacore, Inc. | Molecular memory devices and methods |
US7452572B1 (en) | 2004-03-11 | 2008-11-18 | The North Carolina State University | Procedure for preparing redox-active polymers on surfaces |
US7393567B2 (en) * | 2004-03-23 | 2008-07-01 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, arranged fine particle pattern forming method, conductive pattern forming method, and conductive pattern material |
US7205651B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-04-17 | St Assembly Test Services Ltd. | Thermally enhanced stacked die package and fabrication method |
KR100638620B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-10-26 | 삼성전기주식회사 | 임베디드 수동소자용 인쇄회로기판재료 |
WO2006058034A2 (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-01 | Intermolecular, Inc. | Molecular self-assembly in substrate processing |
US7566971B2 (en) | 2005-05-27 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8173630B2 (en) | 2005-06-03 | 2012-05-08 | The Regents Of The University Of California | Multipodal tethers for high-density attachment of redox-active moieties to substrates |
KR100716304B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-05-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 인쇄판 및 그의 제조 방법 |
JP2007073834A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 絶縁樹脂層上の配線形成方法 |
JP2007142044A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及びそれを用いた面光源 |
US20080286585A1 (en) * | 2005-11-22 | 2008-11-20 | Hon Pong Lem | Method to Produce Adhesiveless Metallized Polyimide Film |
US20080131709A1 (en) | 2006-09-28 | 2008-06-05 | Aculon Inc. | Composite structure with organophosphonate adherent layer and method of preparing |
US8167684B2 (en) | 2006-10-24 | 2012-05-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry, its preparation method, and use for the same |
WO2008098137A2 (en) | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Zettacore, Inc. | Liquid composite compositions using non-volatile liquids and nanoparticles and uses thereof |
-
2007
- 2007-08-31 US US11/848,860 patent/US20090056994A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-08-29 WO PCT/US2008/074887 patent/WO2009029863A1/en active Application Filing
- 2008-08-29 CN CN200880113723.5A patent/CN101919008B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-29 JP JP2010523174A patent/JP6040487B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-29 EP EP08799014.9A patent/EP2188817A4/en not_active Withdrawn
- 2008-09-01 TW TW97133436A patent/TWI445840B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-12-01 US US12/628,978 patent/US8323769B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-01 US US12/628,985 patent/US20100075427A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6115984A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-24 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 無電解メタライズのための基質表面の活性化方法 |
JPS6191996A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-10 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | プリント配線基板の製造のための半製品 |
JP2003313672A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品のめっき方法、及び電子部品 |
JP2006518103A (ja) * | 2003-02-17 | 2006-08-03 | アルシメール・エス・アー | 表面被覆方法、及び該方法を使用するマイクロエレクトロニクス相互接続の作製、並びに集積回路 |
WO2005098087A2 (fr) * | 2004-03-24 | 2005-10-20 | Alchimer | Procede de revetement selectif d'une surface composite, fabrication d'interconnexions en microelectronique utilisant ce procede, et circuits integres |
JP2006213677A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Iwate Univ | 水溶性アルコキシシラン含有トリアジンジチオール金属塩及びその製造方法、並びにそれを用いた固体表面への反応性付与方法及び表面反応性固体 |
JP2007149711A (ja) * | 2005-10-29 | 2007-06-14 | Iwate Univ | 有機薄膜トランジスタ装置及びその製造方法並びに金属薄膜の形成方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015082598A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 富士電機株式会社 | 半導体基板、及び、半導体基板の製造方法 |
KR20150102721A (ko) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도금의 전처리 방법, 기억 매체 및 도금 처리 시스템 |
JP2015161020A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | めっきの前処理方法、記憶媒体およびめっき処理システム |
US9650717B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-05-16 | Tokyo Electron Limited | Pre-treatment method of plating, storage medium, and plating system |
KR102369080B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2022-03-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도금의 전처리 방법, 기억 매체 및 도금 처리 시스템 |
JP2020015976A (ja) * | 2018-05-29 | 2020-01-30 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | レドックス原子層堆積 |
JP7305412B2 (ja) | 2018-05-29 | 2023-07-10 | アイメック・ヴェーゼットウェー | レドックス原子層堆積 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6040487B2 (ja) | 2016-12-07 |
EP2188817A4 (en) | 2015-08-26 |
WO2009029863A1 (en) | 2009-03-05 |
WO2009029863A8 (en) | 2010-07-01 |
US20090056994A1 (en) | 2009-03-05 |
TW200927989A (en) | 2009-07-01 |
CN101919008B (zh) | 2014-01-29 |
US20100071938A1 (en) | 2010-03-25 |
TWI445840B (zh) | 2014-07-21 |
US8323769B2 (en) | 2012-12-04 |
CN101919008A (zh) | 2010-12-15 |
US20100075427A1 (en) | 2010-03-25 |
EP2188817A1 (en) | 2010-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6040487B2 (ja) | 金属めっきを促進するための表面処理方法および作製された装置 | |
US20090056991A1 (en) | Methods of Treating a Surface to Promote Binding of Molecule(s) of Interest, Coatings and Devices Formed Therefrom | |
US5374454A (en) | Method for conditioning halogenated polymeric materials and structures fabricated therewith | |
JP2768390B2 (ja) | 無電解金属付着のために基体をコンディショニングする方法 | |
US5318803A (en) | Conditioning of a substrate for electroless plating thereon | |
KR102042940B1 (ko) | 인쇄회로기판 | |
US9713266B2 (en) | Method for manufacture of fine line circuitry | |
JPH06322547A (ja) | 有機重合体物質の結合方法 | |
KR20130052608A (ko) | 인쇄회로기판에서 사용하기 위한 유기 기판에의 접착을 향상시키는 구리 표면의 처리 방법 | |
JP2002335067A (ja) | 樹脂物質にテクスチャーを付け、樹脂物質をデスミアリングおよび除去するための溶剤膨潤組成物 | |
JP4628914B2 (ja) | 回路パターン形成方法 | |
JPH01225390A (ja) | 電気伝導性板の製造法 | |
CN104204294A (zh) | 促进介电衬底与金属层之间粘着度的方法 | |
JP2003231991A (ja) | 電解めっき用前処理液、めっき方法及びプリント配線板の製造方法 | |
TW201204208A (en) | Methods of treating copper surfaces for enhancing adhesion to organic substrates for use in printed circuit boards |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110829 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110829 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120710 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130703 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131003 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131010 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140618 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141020 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141117 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141209 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150206 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160513 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160713 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160812 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161020 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6040487 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |