JP2020015976A - レドックス原子層堆積 - Google Patents
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Abstract
Description
a)基板表面を、基板上への吸着を可能にする官能基を有する有機化合物を含む第1の水溶液と接触させるステップ、その後、
b)有機化合物がその上に吸着された基板表面と、有機化合物を酸化するのに好適な無機イオンまたはイオン錯体を含み、かつ無機材料である不溶性還元生成物を有する第2の液体水溶液とを接触させるステップ
を含む、方法に関する。
酸化マンガン層の堆積を、1.3nmの表面二乗平均平方根粗さを有するNiでコーティングされたTiN/Si基板(Ni/TiN/Si基板)で調査した。堆積の前に、あらゆる物理吸着された有機汚染物質を除去するために、基板をアセトンおよびイソプロピルアルコール中でそれぞれ10分間超音波洗浄した。
サイクルあたりの成長は、炭酸プロピレン中の1MのLiClO4に堆積したMnOx層のサイクリックボルタンメトリーを使用して測定した。この測定のために、MnO2をMnOxの構造と想定して成長速度を測定した。Li+挿入を使用したMnO2のサイクルあたりの成長の測定を実行した結果を図3および4に示す。図3では、異なるALDサイクル数でニッケル基板上に堆積したMnO2層(LiClO4/炭酸プロピレン電解質内)のサイクリックボルタモグラムを示す。MnO2還元ピークの面積は、サイクル数の増加とともに増加した。図4では、MnO2還元電荷のALDサイクル数への依存関係を研究した。
サイクルあたりのMnOxの成長率=[(Q’*Mw)/(d*F*n)][Åサイクル−1](1)
式中、Q’は、依存関係:還元電荷(CVから導出)対堆積サイクル数の線形勾配であり;
式中、Fは、ファラデー定数(96485C/mol)であり、nは、還元反応に関連する電子の数であり(MnO2が堆積層として想定される場合、n=1;Mn3O4が堆積層として想定される場合、nは、2に等しくなる);
Mwは、酸化マンガン種のモル質量であり(MnO2の場合は86,94g/mol、およびMn3O4の場合は228,81g/mol);
dは、酸化マンガン種の体積質量である(MnO2の場合は5,03g/cm3、Mn3O4の場合は4,86g/cm3、MnOxの場合は4.74g/cm3、異なるMnOx多形の平均体積質量とする)
サイクルあたりの成長速度は、0.5MのNa2SO4電解液中に堆積したMnOx層のサイクリックボルタンメトリーを使用して決定した。サイクルあたりの成長速度を決定するために、MnOx層は、MnO2の化学量論を有すると想定した。図5は、20mV/sのスキャンレートで0.5MのNa2SO4で記録された、異なる量の堆積サイクル後のMnOxでコーティングされたNiウェハのボルタモグラムを示す。−0.13V対Ag/AgClの還元ピークは、堆積数とともに増加することが分かり、したがって、ニッケル表面に存在する酸化マンガン層の還元に関連する可能性がある。層の化学量論としてMnO2が想定される場合、この反応は、次の方程式で記述することができる:
ボルタモグラムから導出されたこの還元に関連する電荷は、MnOx堆積サイクル数の増加とともに直線的に増加することが見出された(図6)。この電荷は、勾配Q’が69μC(cm2サイクル)−1で増加することが見出された。
層の成長ダイナミクスは、ラザフォード後方散乱分光法(RBS)で較正されたX線蛍光分光法(XRF)を使用して調査した。図7は、アセトンおよびイソプロピルアルコール中の超音波処理で洗浄した基板(黒四角、実線)ならびに20%のHClですすぐことによって洗浄した基板(白四角、破線)についての堆積サイクル数の関数として、Ni/TiN/Si基板表面上のXRF/RBSで測定されたMn量のグラフである。
プロパルギルアルコール溶液中へのNi/TiN/Si基板の浸漬時間(すなわち、実施例1のステップa)の持続時間)のサイクルあたりの成長(GPC)に及ぼす影響をXRF/RBSで測定した。図8は、0.1Mプロパルギルアルコール溶液中への試料の浸漬時間の関数として、XRF/RBS(黒丸)で測定したサイクルあたりのMnO2成長(GPC)を示すグラフである。MnO2の熱ALDのGPCの範囲も比較のために示している(破線の領域)。GPCは、60秒の浸漬で飽和状態になり、露光時間が長くても大幅に変化しない。そのような飽和挙動は、ALDプロセスに特徴的な自己制限型の成長を示す。そのような種類の成長は、典型的には、成長前駆体の強力な表面制限された吸着によるものであり、プロパルギルアルコールがニッケル表面に自己制限的な単分子層様式で吸着することを示している。飽和領域では、サイクルあたりのXRF/RBS成長は、4.0at.Mn/(nm2サイクル)であった。そのようなGPCは、高密度のMnO2の1.2±0.2Å/サイクルの同等の成長速度に言い換えることができる(MnO2多形の異なる分子密度を考慮に入れて)。そのような成長速度は、近いが、MnO2単分子層の厚さ(約2〜7Å)未満である。サブ単分子層成長速度は、原子層堆積とみなされるプロセスの要件のうちの1つである。観察された成長速度は、MnO2の熱ALDの飽和GPCよりも大幅に高い(0.15〜0.3Å/サイクル)。飽和領域では、完全なALDサイクルは、本明細書で説明する堆積サイクル(130秒)と比較して時間がかからず(49秒)、成長速度が速いため、プロパルギルアルコールおよびMnO4 −を使用した堆積は、報告されているサーマルALD(0.18〜0.37Å/分)と比較して、より速い成長(0.55Å/分に相当)が可能である。
Ni表面の代わりにTiO2表面を用いることにより、実施例1を繰り返した。
Ni表面の代わりにPt表面を用いることにより、実施例1を繰り返した。
Ni表面の代わりにSi表面を用いることにより、実施例1を繰り返した。
Ni表面の代わりにSiO2表面を用いることにより、実施例1を繰り返した。
ラザフォード後方散乱分光法(RBS)は、MnOx(MnO2またはMn3O4)の特定の構造を想定して使用した。MnOxの成長速度は、増加する堆積数を実行し、RBSによって各試料に存在する増分マンガン信号を分析することによって調査した。
さらなる実験では、10サイクル後に堆積した酸化マンガンの量を、Si(実施例5)およびSiO2(実施例6)基板上のRBSで分析し、TiO2およびPtで決定した量と比較した(図13)。図13は、RBSで決定したPt、Si、SiO2、およびTiO2上に10回の堆積サイクル後に堆積したMnOx層(黒:MnO2;破線:Mn3O4)の厚さの棒グラフである。
Ni表面の代わりにAl2O3表面を用いることにより、実施例1を繰り返した。
XRF/RBSを使用して、異なる基板での成長速度を決定した。結果を図11に示す。図11は、異なる基板上で実行された堆積サイクル数の関数として、XRF/RBSで測定されたMn量を示す(黒四角:Ni基板;黒丸:Ti基板;黒三角形:Pt基板;白逆三角形:TiO2基板、白菱形:Al2O3基板;白左向きの三角形:SiO2基板)。Ni以外にも、Ti(2.5at.Mn/(nm2サイクル))、Pt(2.4at.Mn/(nm2サイクル))、およびTiO2(1.4at.Mn/(nm2サイクル)でも正の成長が見られた。これに対して、Al2O3およびSiO2では実質的に成長は、観察されなかった。理論に拘束されるものではないが、サイクルあたりの成長の観察された差は、異なる基板表面上のプロパルギルアルコールの吸着の強さに関係していると考えられる。以前の研究では、プロパルギルアルコールが、基板原子またはイオンのd軌道電子と不飽和sp炭素三重結合に含有される軌道との相互作用により吸着することが示された。バルクTiO2中のTi4+は、d軌道電子を有さないが、TiO2の表面に共通する酸素空孔により、表面のd軌道が部分的に満たされ、プロパルギルアルコールの吸着およびMnO2の成長が可能になる。SiO2およびAl2O3中のd軌道電子の欠如は、これらの基板上のプロパルギルアルコールの弱い吸着のみをもたらす。その結果、洗浄ステップ中にこれらの表面からアルコール分子が除去され、MnO2の成長は、観察されない。Ni、Pt、Ti、およびTiO2表面上の成長速度間の数値的な差は、基板の粗さの違いと、基板の原子およびイオンの電子配置の違いとに起因する可能性がある。第1の堆積サイクル後のTiおよびPtで検出されたMnO2の量の有意な増加(適合成長曲線の有意な正の切片に言い換え)は、成長前駆体の分解におけるこれら2つの金属の追加の触媒活性から生じ得る。基板依存の成長速度は、従来の金属酸化物の熱ALDでも知られていることは注目に値する。
実験では、0.1Mイソプロピルアルコールのアルカリ溶液を使用して、Ni基板上へのMnOxの堆積を試みた。結果は、0.1Mプロパルギルアルコールを使用した場合(実施例1)、および堆積中にアルコールを使用せず、基板を0.1M KMnO4溶液中に10分間単純に保持しただけの場合と比較した。MnOx層の存在を検出するために、サイクリックボルタンメトリーを実行した。結果を図14に示す。図14は、0.1Mプロパルギルアルコール(PA)(実施形態)またはアルカリ性0.1Mイソプロピルアルコール(IPA)(実施形態)を有機吸着剤として使用したMnOx層の10サイクル堆積後のニッケル基板のサイクリックボルタモグラムを示す。また、比較のためにアルコールなしの堆積(比較例)が示されている。20mV/sでの0.5MのNa2SO4におけるボルタモグラムを記録した。
実験では、実施例1で説明した手順に従って、プロパルギルアルコールの代わりに水を使用して、Niでコーティングされた基板上へのMnOxの堆積を試みた。結果を、0.1Mプロパルギルアルコールを使用した場合に得られた結果と比較した(実施例1)。MnOxの成長をXRF/RBSで分析した。本発明の実施形態による、有機前駆体としてプロパルギルアルコールを使用して実行された堆積サイクル数の関数として、Ni/TiN/Si基板上のXRF/RBSで測定されたMn量(黒正方形)、およびプロパルギルアルコールの代わりに水が使用された比較試料についてのMn量(白丸)を示す、結果を図12に示す。
2MnO4 −+3Ni+H2O→2MnO2+3NiO+2OH−
2MnO4 −+2H2O→4MnO2+3O2+4OH−
実験では、有機前駆体として0.1Mイソプロピルアルコールのアルカリ溶液を使用して、Niでコーティングされた基板上へのMnOxの堆積を試みた。結果を、0.1Mプロパルギルアルコールを使用した場合に得られた結果と比較した(実施例1)。MnOx層の存在を検出するために、0.5MのNa2SO4中でサイクリックボルタンメトリーを実行した。結果を図15に示す。図15は、0.1Mプロパルギルアルコール(PA、実線)またはアルカリ性0.1Mイソプロピルアルコール(IPA、破線)を有機吸着剤として使用したMnOx層の10サイクル堆積後のニッケルでコーティングされた基板のサイクリックボルタモグラムを示す。20mV/sでの0.5MのNa2SO4におけるボルタモグラムを記録した。約−0.1V対Ag/AgClのカソードピークの存在によって示されるように、有機吸着剤として使用される0.1Mプロパルギルアルコールおよびアルカリ性0.1Mイソプロパノール溶液の両方で堆積が成功した。アルカリ性イソプロパノールなどの脱プロトン化アルコールが、金属の表面上に吸着することができ、後続のMnOxの堆積が可能になると考えられる。
実験では、MnOxの堆積は、実施例1で説明した手順を使用して、相互接続されたNiナノワイヤの試料で実行した。相互接続されたNiナノワイヤは、密に詰まったニッケルナノワイヤの3Dネットワークを形成する(64±17nmの孔径、40±9nmのナノワイヤの直径)。ナノワイヤネットワークは、TiN/Ti/Siウェハ上で支持した。ナノワイヤネットワークの厚さは、ウェハ表面に垂直な方向で測定して3.5μmである。このネットワークは、55の厚さ対孔径比およびフットプリント面積1cm2あたり92cm2の総表面積を有する。そのような高アスペクト比のナノポーラスネットワークの共形コーティングには、大きな課題がある。
Claims (15)
- 1つ以上のサイクルを含む、基板表面上に無機材料の層を堆積させる方法であって、各サイクルが、
a)前記基板表面を、前記基板上への吸着を可能にする官能基を有する有機化合物を含む第1の水性溶液と接触させるステップ、その後、
b)前記有機化合物がその上に吸着された前記基板表面を、前記有機化合物を酸化するのに好適な無機イオンまたはイオン錯体を含み、かつ前記無機材料である不溶性還元生成物を有する第2の液体水溶液と接触させるステップ
を含む、方法。 - 前記イオンまたはイオン錯体が、前記有機化合物の還元電位よりも正の還元電位を有する、請求項1に記載の方法。
- 各サイクルが0.1〜1.5単分子層を堆積する、請求項1または2に記載の方法。
- 前記基板を水溶液と接触させるステップa)およびb)が、前記水溶液中に前記基板を浸漬することによって実行される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 室温で実行される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 大気圧で実行される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記無機材料が金属または金属酸化物である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記金属酸化物が遷移金属酸化物である、請求項7に記載の方法。
- 前記遷移金属酸化物が酸化マンガンである、請求項8に記載の方法。
- ステップa)もステップb)も電気化学的に実行されない、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 共形である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 各サイクルが、ステップa)の後かつステップb)の前の水性すすぎステップa’)、およびステップb)の後かつ任意の後続のサイクルの前の水性すすぎステップb’)をさらに含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機化合物が、不飽和炭素、アルコール、カルボン酸、エステル、アルデヒド、アミン、およびチオールからなるリストから選択される1つ以上の官能基を含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の水性溶液が有機アルコールのアルカリ性溶液であり、前記基板が前記アルカリ性溶液中で分解しないように選択される、請求項13に記載の方法。
- 前記無機イオンまたはイオン錯体が、Ag+、AuCl4 −、Cr2O7 2−、CrO4 2−、[IrCl6]2−、[IrCl6]3−、MnO4 −、Pd2+、[PdCl4]2−、[PtCl4]2−、[PtCl6]2−、ReO4 −、Rh+、Rh3+、[RhCl6]3−、Ru2+、SeO3 2−、Tc3+、TcO4 −、Tl3+、およびBi+から選択される、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0250974A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 選択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法 |
JP2010538159A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | ゼタコア インコーポレイテッド | 金属めっきを促進するための表面処理方法および作製された装置 |
JP2012502467A (ja) * | 2008-09-08 | 2012-01-26 | ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー | 電極材料としてのナノ粒子修飾ナノ構造材料およびその製造方法 |
JP2015116807A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | エスケー イノベーション カンパニー リミテッドSk Innovation Co., Ltd. | ナノ構造体 |
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---|---|---|---|---|
NZ214538A (en) * | 1984-12-28 | 1989-04-26 | Mobil Oil Corp | Layered product having layers separated by polymeric pillars |
DE19538872C2 (de) * | 1995-10-19 | 1997-12-18 | Karlsruhe Forschzent | Verfahren zur Behandlung einer organischen Verbindung mit einem im überkritischen Zustand vorliegenden Lösungsmittel |
US7514119B2 (en) * | 2005-04-29 | 2009-04-07 | Linde, Inc. | Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition |
JP4321653B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-08-26 | オムロン株式会社 | 金属膜の製造方法 |
CN101312218A (zh) * | 2008-04-18 | 2008-11-26 | 天津大学 | 连续离子层吸附反应法制备铜铟硒化合物薄膜的方法 |
US10253414B2 (en) * | 2014-09-30 | 2019-04-09 | Tokyo Electron Limited | Liquid phase atomic layer deposition |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0250974A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 選択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法 |
JP2010538159A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | ゼタコア インコーポレイテッド | 金属めっきを促進するための表面処理方法および作製された装置 |
JP2012502467A (ja) * | 2008-09-08 | 2012-01-26 | ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー | 電極材料としてのナノ粒子修飾ナノ構造材料およびその製造方法 |
JP2015116807A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | エスケー イノベーション カンパニー リミテッドSk Innovation Co., Ltd. | ナノ構造体 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
YUNXIA JIN,DUNYING DENG,YUANRONG CHENG,FEI XIAO: "A Facile Fabrication Method of Silver Lines on PET with Good Adhesion at Room Temperature", 2012 14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONIC MATERIALS AND PACKAGING (EMAP), JPN6023005475, 2012, pages 1 - 4, XP032383392, ISSN: 0004988228, DOI: 10.1109/EMAP.2012.6507866 * |
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