JPH0250974A - 選択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法 - Google Patents

選択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法

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JPH0250974A
JPH0250974A JP19965088A JP19965088A JPH0250974A JP H0250974 A JPH0250974 A JP H0250974A JP 19965088 A JP19965088 A JP 19965088A JP 19965088 A JP19965088 A JP 19965088A JP H0250974 A JPH0250974 A JP H0250974A
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JP
Japan
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insulating material
roughened
electroless plating
selectively
plating
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JP19965088A
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English (en)
Inventor
Akishi Nakaso
昭士 中祖
Tomoko Watanabe
智子 渡辺
Akinari Kida
木田　明成
Kazuyasu Minagawa
一泰 皆川
Shuichi Hatakeyama
修一 畠山
Kuniji Suzuki
邦司 鈴木
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、無電解めっきによる選択的な金属化表面を有
する絶縁材料の製造方法。
（従来の技術） 従来、プラスチックのような有機物質やセラミックのよ
うな無機物質の表面を金属化する方法として、無電解め
っきが行われており、そのときに無電解めっきの反応を
開始させる触媒として、ＰｄＣβ２とＳｎＣβ２の混合
系触媒が多用されている。この混合系の触媒は、固体表
面に対する吸着作用の選択性が乏しく、必要とする部分
にのみ導体を形成するには、触媒を選択的に付与する方
法を取らなければならない。たとえば、絶縁基板内に含
有させ必要な部分のみを粗化して触媒を露出させ無電解
めっきを行う方法、絶縁基板に触媒を付与し必要な部分
のみを露出させるようにマスクして無電解めっきを行っ
た後マスクを剥離して不要な触媒を洗い流す方法、又は
先に不要な部分にマスクして触媒を付与した後マスクを
剥離して触媒とともに取り去った後無電解めっきを行う
方法等である。
近年、特開昭６３−４０７５号公報に開示された。ポリ
アクリル酸、ポリアクリル酸ナトリウム又はポリエチレ
ンイミン等の重合体層に金属化合物を接触さゼ錯体を形
成する無電解めっきの触媒を使用する方法が知られてい
る。
（発明が解決しようとする課題） 従来の絶縁基板に無電解めっき用触媒を含ませる方法で
は触媒金属が不要部分にも添加されているためにその使
用量が多く価格が高いこと、及び、触媒金属による絶縁
劣下があること、また、絶縁基板表面に触媒を付与し必
要な部分のみを露出させるようにマスクして無電解めっ
きを行った後マスクを剥離して不要な触媒を洗い流す方
法や先に不要な部分にマスクして触媒を付与した後マス
クを剥離して触媒とともに取り去った後無電解めっきを
行う方法では、触媒の除去が不充分であると、導体間で
の絶縁特性を劣化させるという問題があった。
また、近年、特に電磁波障害が大きな社会問題として取
り上げられ、成形体の表面に無電解めっきを行うことは
、不要電波放射を防く上で必要とされていることである
が、形状が複雑な成形体に均一な触媒の付与を行うこと
は困難であることが多い。
ポリアクリル酸、ポリアクリル酸ナトリウム又はポリエ
チレンイミン等の重合体層に金属化合物を接触させ錯体
を形成する方法は、ＩＣの基板やハイブリッド基板等の
小さな基板にめっきを行う上では有効と思われるが、大
きな面積の配線板や複雑な形状の成形体においては、そ
の重合体の層を１μｍ以下の厚さに制御することにかな
りの困難が予想される。
（課題を解決する手段） 本発明は、鋭意研究の結果、電子供与性を有する原子の
Ｎ、Ｐ、０のいずれか１つ以上を有する低分子化合物は
、触媒金属化合物を受容すること、又、非常に微細な粗
化表面にトラップされやすく平滑な表面には付着し難い
ということから、無電解めっきを行いたい表面のみに粗
化表面を選択的に形成する工程と触媒金属を吸着する工
程とを分離して絶縁材料に無電解めっきできるという知
見を得たことによってなされたものであり、大きく次の
３つに分けられる。
すなわち、第１のグループは、粗化した表面と平滑な表
面とを選択的に形成した後、前記低分子化合物に接触さ
せ粗化された部分にトラップしておき、触媒金属化合物
に接触さゼ受容し、その触媒金属化合物を還元して金属
触媒として吸着し、無電解めっきを行うものである。第
２のグループは、全面を粗化した後、前記低分子化合物
に接触させ粗化面の露出した部分にトラップしておき、
乾燥し、選択的にめっきレジストを形成して、必要な部
分にのみ触媒金属化合物を接触させ受容し、その触媒金
属化合物を還元して金属触媒として吸着し、無電解めっ
きを行うものである。第３のグループは、第１のグルー
プ又は第２のグループで用いた粗化表面の凹凸形状を転
写する方法において、転写する粗化表面に前記低分子化
合物をトラップさせておき、絶縁材料表面に形状ととも
に転写し、触媒金属化合物に接触させ受容し、その触媒
金属化合物を還元して金属触媒として吸着し、無電解め
っきを行うものである。
さらに詳細に述べると、第１のグループは、以下の工程
を以下の順に行うことを特徴とする選択的に無電解めっ
きによる選択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方
法である。
ａ、電子供与性を有する原子のＮ−Ｐ、０のいずれか１
つ以上を有する低分子化合物を含む水溶液、有機溶媒の
溶液、又は水と有機溶媒との混合溶液のうちから選択さ
れた１つの溶液を、平滑な表面と粗な表面とを所望の模
様に選択的に与えられた絶縁材料の表面に接触させる工
程。
この場合、平滑な表面と粗な表面とを所望の模様に選択
的に与えられた絶縁材料として、粗化された表面がドリ
ル加工又はパンチ加工された穴内壁であり、平滑な表面
がドライフィルム、印刷インク、無機質塗膜、又は有機
質フィルムのいずれかで被覆された絶縁材料を用いるこ
とができ、所望の部分にブラスト処理した有機質絶縁材
料を用いても良い。また、有機質絶縁材料の表面を酸化
剤を含む薬液との接触によって粗化した後めっきを必要
としない部分にドライフィルム又は印刷インクによって
被覆した絶縁材料を用いること、さらに、無機質絶縁材
料の表面を酸又はアルカリの薬剤を用いて粗化した後め
っきを必要としない部分に永久に残るドライフィルム又
は印刷インクによって被覆した絶縁材料を用いること、
酸化剤を含む薬液によって粗化されないドライフィルム
又は印刷インクをめっきを必要としない部分に形成し酸
化剤を含む薬液によって所望の部分のみ粗化した有機質
絶縁材料を用いること、又は、金属表面に形成した粗化
表面を転写した絶縁材料を用いることもでき、この金属
の表面をブラスト処理、エツチング処理、めっき処理、
陽極酸化処理、又は化成処理し平均粗さ（Ｒｚ）を１〜
３０μｍとすれば前記低分子化合物のトラップをするに
好ましい。
この工程の後に、乾燥することは、前記低分子化合物を
トラップした状態を保持しやすく好ましい。
Ｂ．該絶縁材料を、無電解めっき用触媒の金属元素を含
有するイオンを含む水？Ｂ液に接触さセ、該無電解めっ
き用触媒の金属元素を含有するイオンを吸着させる工程
。
ｃ．該絶縁材料を水洗する工程。
Ｄ．該絶縁材料に吸着した該無電解めっき用触媒の金属
元素を還元した後、無電解めっきを行う工程。
第２のグループは、以下の工程を以下の順に行うことを
特徴とする選択的に無電解めっきによる選択的な金属化
表面を有する絶縁材料の製造方法である。
ａ、電子供与性を有する原子のＮ、Ｐ、０のいずれか１
つ以上を有する低分子化合物を含む水溶液、有機溶媒の
溶液、又は水と有機溶媒との混合溶液のうちから選択さ
れた１つの溶液を、粗化した表面を有する絶縁材料の表
面に接触させる工程。
この場合、第１のグループと同様に、粗化した表面を有
する絶縁材料として、有機質絶縁材料の表面を酸化剤を
含む薬液に接触させ粗化した絶縁材料を用いること、無
機質絶縁材料の表面を酸又はアルカリの薬剤を用いて粗
化した絶縁材料を用いること、金属表面に形成した粗化
表面を転写した絶縁材料を用いることができ、この金属
の表面をブラスト処理、エツチング処理、めっき処理、
陽極酸化処理、又は化成処理し平均粗さ（Ｒｚ）を１〜
３０μｍとしたごとが好ましいこも同様である。
また、この工程の後に乾燥を行うことは、第１のグルー
プと同様に好ましい。
Ｂ．めっきを必要としない部分にめっきレジストを形成
する工程。
Ｃ３該絶縁材料を、無電解めっき用触媒の金属元素を含
有するイオンを含む水溶液に接触させ、該絶縁材料の粗
化された表面が露出した部分に該無電解めっき用触媒の
金属元素を含有するイオンを吸着させる工程。
Ｄ．該絶縁材料を水洗する工程。
ｅ、該絶縁材料に吸着した該無電解めっき用触媒の金属
元素を還元した後、無電解めっきを行う工程。
第３のグループは、以下の工程を以下の順に行うことを
特徴とする選択的に無電解めっきによる選択的な金属化
表面を有する絶縁材料の製造方法である。
ａ、金属の表面を、ブラスト処理、エツチング処理、め
っき処理、陽極酸化処理、又は化成処理することにより
粗化し、該粗化した表面に電子供与性を有する原子のＮ
、Ｐ、０のいずれか１つ以上とを有する低分子化合物を
含む水溶液、有機溶媒の溶液、又は水と有機溶媒との混
合溶液を接触させる工程。
この場合、金属の表面を、ブラスト処理、エツチング処
理、めっき処理、陽極酸化処理、又は化成処理すること
により粗化することに替えて、表面粗さが２〜１５μｍ
の銅箔の表面にさらに酸化銅を形成することもできる。
さらに、この工程の後に乾燥することは、第１のグルー
プと同様に好ましい。
Ｂ．その金属表面に有機質材料を塗布するか又は樹脂を
加圧加熱して絶縁材料の有機質成形体を形成した後、前
記金属を剥離又は工・ノチングによって除去する工程。
ｃ．前記絶縁材料のめっきを必要としない部分にめっき
レジストを形成する工程。
Ｄ．該絶！！材料を、無電解めっき用触媒の金属元素を
含有するイオンを含む水溶液に接触させ、該絶縁材料の
粗化された表面が露出した部分に該無電解めっき用触媒
の金属元素を含有するイオンを吸着させる工程。
ｅ、該絶縁材料を水洗する工程。
ｆ、該絶縁材料に吸着した該無電解めっき用触媒の金属
元素を還元した後、無電解めっきを行う工程。
これらの発明に共通な部分として、前に述べた電子供与
性を有する原子のＮ、Ｐ、０のいずれか１つ以」二を有
する低分子化合物としては、Ｎｌ２　Ｃｚ　Ｈ６Ｓ　ｉ
　　（ＯＣＨＪ）ｚ、Ｎｌ２　Ｃ３Ｈ６Ｓ　ｉ　　（Ｏ
Ｃｚ　Ｈｓ　）　３、Ｎｌ２　Ｃ２ＨＳ　ＮＨＣ３Ｈ６
Ｓ　ｉ　（ＯＣＨ１３）　３、ＣｂＨ５ＣＨ２ＮＨ２’
・Ｃ２ＨａＮＨＣｓＨｂＳ　　ｉ　　（ＯＣＨ＊　　）
　　３　Ｃ（１等のアミノ基を含有するシランカップリ
ング剤であってしかもアミノ基の隣にＣＯ基を有さない
もの、又は、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホ
スフェート）チタネート、テトライソプロピル（ジオク
チルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（
ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，
２”−ジアリルオキシメチル１−ブチル）ビス（ジ−ト
リデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチル
パイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビ
ス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタ不ト
、イソプロピルＩ・リオクタノイルチタネート、イソプ
ロピルトリ　（ジオクチルホスフェート）チタネートな
どのリンを含有するチタン系カップリング剤、イソプロ
ピルトリ　（Ｎ−アミドエチル・アミノエチル）チタネ
ートなどのアミノ基を含有するチタン系カップリング剤
、４−アミノキノリン、８−アミノキノリン、４−アミ
ノ−５−アミノメチルピリジンジハイドロクロライト、
８−アザクアニン、２−アミノピリミジン、２−アミノ
ピリジン、５−アミノ−Ｉ　Ｈ−テトラシル、ヒドロキ
シ−２，４，５−トリアミノピリジミンサルフェート、
２，４ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジンなどのアミ
ノ化合物、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イ
ソロイノン、セリン、トレオリン、リジン、アルギニン
、アスパラギン酸、グルタミン酸、アスパラギン、グル
タミン、システィン、シスチン、メチオニン、フェニル
アラニン、チロシン、プロリン、ヒドロキシプロリン、
トリプトファン、ヒスチジン、β−アラニン、ε−アミ
ノカプロン酸、ザルコシン、ＤＬ−ピログルタミン酸な
どのアミノ酸、Ｒ−（−）−２−アミノ１−ブクノール
、３−アミノ−２，２−ジメチル−１−プロパツール、
２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、６−アミ
ノ−１−１ヘキサノール、５−アミノ−１−ペンタノー
ル、３−アミノ−１２−プロパンジオール、３−アミノ
−１−プロパツールなどのアミノアルコール、ジエチル
ホスホノ酢酸エチル、イソプロピルアシドポスフェート
、エチルアシドホスフェート、リン酸トリス（２−ブト
キシエチル）、リン酸ジメチル、〇−ホスホリルエタノ
ールアミンなどのリン化合物等である。
また、本発明に用いる有機質基板、無機質基板、有機質
成形体、無機質成形体又はこれらに孔をあけたものは、
有機質基板として通常配線板に用いられるエポキシ樹脂
、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリ
ルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、
これらの樹脂をガラス布、紙若しくは不織布に含浸させ
たもの、ポリエチレンフィルム、ポリイミドフィルム、
ポリエステルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフ
ィルム等の絶縁基板、有機質成形体としてポリエチレン
、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、弗
素樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、アセタール樹
脂、ポリカーボネート、セルロース、塩化ポリエーテル
等の射出成形した成形体、無機質基板としてアルミナ、
ベリリヤ、フノルステライト、スピネル、ムライト等の
セラミックス基板、無機質成形体としてアルミナ、ステ
アタイト、ジルコン、ムライト等のセラミックス及び珪
酸塩ガラス等である。
これらの表面に前記低分子化合物を保持させる方法とし
て、これらの基板や成形体の作成に先立って材料に添加
する方法、離形性を有する板やフィルム又は金型の表面
に塗布しておき基板や成形体に転写する方法、これらの
表面を前記低分子化合物が絶縁材料表面に有効量トラッ
プされる程度に粗化し、前記低分子化合物を含む溶液に
浸漬又は噴霧によって保持させる方法等がある。
この基板や成形体の作成に先立って材料に添加する方法
においては、直接に前記低分子化合物を材料に混入して
もよいが、絶縁特性を低下させないためにシリカ、アル
ミナ、ジルコニウムシリケイト、マイカ、カオリナイト
等のタルク、酸化チタン、珪酸塩ガラス等の無機質の微
小粒子に前記低分子化合物を含む溶液に接触させたもの
を混入することが望ましい。また、無電解めっきの必要
な部分に前記低分子化合物を露出させるため、機械的に
めっきの必要な部分を研磨したりドリルによって穴を開
けたり、酸化剤処理によって有機質材を溶解したり溶融
アルカリによって無機質材を溶解する方法を用いること
ができる。
前記低分子化合物が絶縁材料表面に有効量トラップされ
るためには微細な凹凸が必要であり、エツチング等の化
学的方法又は研磨やプラズマ処理等の機械的方法が使用
できる。また、基板や成形体を形成するときに酸化処理
した銅箔の処理面を基板や成形体側に接触させて貼り合
わせ形成後にエツチング除去して銅箔の酸化処理面の凹
凸形状を転写する方法や、必要な配線を無電解めっきに
よって形成するアディティブ法による配線板に通常使用
される有機質基板の表面を酸化剤で処理して凹凸を形成
する方法、セラミックス基板を溶融アルカリに浸漬して
凹凸を形成する方法、金型の表面に予め凹凸を形成して
おき成形した後にその凹凸が転写される方法等も用いる
ことができる。
このように粗化した表面に前記低分子化合物を含む溶液
に浸漬又は噴霧した場合は、水洗せずに乾燥することが
好ましい。さらに好ましくは、７０℃以上で３０分以上
乾燥することが好ましい。
このようにして得られた前記低分子化合物を保持した表
面に、触媒金属の化合物と接触させる。
このめっき触媒用金属元素は、パラジウム、根、銅、白
金又は金のうちから選択されたものが使用でき、金属化
合物としては、水溶性白金化合物、水溶性銀化合物、水
溶性銅化合物、水溶性金化合物又はこれらを組み合わせ
たものが好ましく、塩化パラジウム、硫酸パラジウムな
どのパラジウム化合物や、銅、銀、金又は白金などの水
溶性化合物である硫酸銅、硝酸銀、テトラクロ口金（Ｉ
ＩＩ）酸、テトラクロ口金（１）酸塩、等を使用するこ
とができ、これらを組み合わせたものを用いることもで
きる。また、これらの塩の水に対する溶解度を大きくす
るために塩酸等を加えることができる。又、アクチヘー
タＫＡＴ−４５０（上村工業株式会社、商品名）やメル
プレートアクチヘータ８６０　（メルテソクス株式会社
、商品名）として市販されている置換パラジウムめっき
液、又は、ＥＬＧＢ５１１（上村工業株式会社、商品名
）として市販されている置換金めっき液を同様に用いる
こともできる。
前記低分子化合物を保持した表面に、これらの金属化合
物と接触させる方法としては、これらの金属化合物を含
む水溶液に浸漬する方法、又はこれらの金属化合物を含
む水溶液を噴霧する方法等がある。必要な部分にのみ選
択的にめっきを行う場合には、これらの金属化合物と接
触させる処理に先立って、固体表面のめっきを行わない
部分に選択的にマスクを形成する。
このようにして得られた金属化合物を吸着した固体表面
に無電解めっきするには、還元剤溶液と接触させたり加
熱して還元した後、無電解めっきを行う。このときに用
いる還元剤としては、次亜リン酸塩類、水素化硼素アル
カリ、ジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、
ヒドラジン等があり、これらの溶液に浸漬することによ
って還元する。ただし、無電解めっき液中に前記還元剤
が含まれている場合には、前記金属化合物を吸着した固
体表面に無電解めっき液を接触すればまずその無電解め
っき液中の還元剤で還元されてからめっき反応が起こる
ので、無電解めっきを行う前に前記還元剤に浸漬するこ
とは必ずしも必要ではない。ホルマリンを還元剤とする
無電解めっきでは、前記還元剤による還元を行った方が
好ましい。
無電解めっきを行う前に固体表面を水洗しても良い。
（作用） 本発明の方法によって、前記電子供与性を有する原子の
Ｎ、Ｐ、０のいずれか１つ以上を有する低分子化合物が
微細に粗化された固体表面にトラップされ、金属化合物
を受容し、その金属化合物を還元することによって固体
表面にめっきの核を形成し、選択的に導体を形成できる
。従って、固体表面の粗化を行う部分を選択的にするか
、前記電子供与性を有する原子のＮ、Ｐ、０のいずれか
１つ以上を有する低分子化合物をトラップした表面を選
択的にマスクすることにより、金属化合物を吸着する前
に無電解めっきを形成する箇所を選択することができ、
従来のように金属触媒がマスクの下に存在することがな
い。
実施例１ 日本電解株式会社製の銅張積層板用銅箔で厚さ３５μｍ
のもを用意し、脱脂液ニュートラクリーン（シソプレイ
社、商品名）に５分間浸漬し、水洗し、１０％硫酸水溶
液に２分間浸漬し、水洗した。この銅箔を以下の組成の
酸化剤で以下の条件で処理し、酸化銅皮膜を形成した。
（Ｍｉ成） ＮａＯＨ：１５ｇ／７！ Ｎａ５Ｐ、０４　−１２Ｈ２０：　３０　ｇ／ｎＮ　ａ
　ｃ．２０２：　８０　ｇ　／　１純水：上記組成物と
合わせて１１となる量（処理条件） 液温度：８５°Ｃ 浸漬時間２１２０秒間 次に、低分子化合物として、シランカップリング剤であ
るＮ　Ｈ２Ｃ，ｌＨｂ　Ｓ　Ｉ　　（ＯＣ２Ｈ５）３の
ｌｏｇ／ｊ！水溶液に３分間浸漬した後、１０５℃で２
０分間加熱乾燥した。
このようにして得られた銅箔を、ガラス布エポキシ樹脂
含浸のプリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社、商
品名）に重ね、加熱加圧して積層一体化した。このとき
の積層条件は、圧力３５ｋｇ／　ｃ＋Ｊ　、温度１７０
°ｃ．圧締時間６０分間である。
この積層板から、過硫酸アンモニウム水溶液を用いて、
銅箔と酸化銅皮膜を除去した後、水洗し、１００°Ｃで
３０分間乾燥し、感光性ドライフィルム５Ｒ−３０００
（日立化成工業株式会社、商品名）をラミネートしたも
のにパターン露光用ネガフィルムを重ね、紫外線を露光
照射して現像しめっきレジストパターンを形成してめっ
きを行う部分が露出した粗化表面を有する絶縁板を得た
。
この絶縁板を、メルブレートアクチヘータ（メルテソク
ス株式会社、商品名）に、液温度４０°Ｃ浸清時間１０
分間で浸漬処理し、３０秒間流水で水洗した後、液温度
２５°Ｃの水素化硼素すトリウム２ｇ／ｌの水溶液に５
分間浸漬し、３０秒間流水水洗した。
この絶縁板を、以下の組成の無電解めっき液を用い、以
下の条件で無電解めっきした。
〔組成〕
ＣｕＳＯ４５Ｈ２Ｑ：　１０ｇ／ＩＩ！ＥＤＴＡ　・４
Ｎａ　：　４０　ｇ／ｊ！３７％ＣＨｚ　Ｏ：　３　ｍ
　７！／　ｅめっき液添加剤：少量 〔条件〕 ｐＨ：Ｉ２．３ 液温度　７０°Ｃ めっき銅厚さ、３５μｍ この結果良好な無電解銅めっきが析出した。
実施例２ 日本電解株式会社製の銅張積層板用銅箔で厚さ３５μｍ
のちを用意し、脱脂液ニュートラクリーン（シソプレイ
社、商品名）に５分間浸漬し、水洗し、１０％硫酸水溶
液に２分間浸漬し、水洗した。この銅箔を以下の組成の
酸化剤で以下の条件で処理し、酸化銅皮膜を形成した。
（組成） ＮａＯＨ：１５ｇ／ｎ Ｎ２３　　ＰＯａ　　・　Ｉ　　２Ｈ２０：　　３０　
ｇ／ＲＮ　ａ　ｃ．０ｚ　　：　　８０　ｇ　／　（１
純水　上記組成物と合わせて１βとなる量（処理条件） ン夜温度：８５°Ｃ 浸漬時間＝１２０秒間 このようにして得られた銅箔を、ガラス布エポキシ樹脂
含浸のプリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社、商
品名）に重ね、加熱加圧して積層一体化した。このとき
の積層条件は、圧力３５ｋｇ／　ｃ％、温度１７０°ｃ
．圧締時間６０分間である。
この積層板から、過硫酸アンモニウム水溶液を用いて、
銅箔と酸化銅皮膜を除去し絶縁板とした後、水洗したも
のを、低分子化合物として以下に示すカップリング剤に
浸漬した。
Ｎ　Ｉ２　Ｃ２Ｉ２　Ｎ　ＨＣ３Ｈｂ　Ｓ　ｉ　　（Ｏ
ＣＨｚ）３１０ｇ／β 液温度は各々４０°ｃ．浸漬時間は各々１０分間であっ
た。
この絶縁基板を８０℃で３０分間乾燥し、感光性ドライ
フィルム５Ｒ−３０００（日立化成工業株式会社、商品
名）をラミネートしたものにパターン露光用ネガフィル
ムを重ね、紫外線を露光照射して現像しめっきレジスト
パターンを形成してめっきを行う部分が露出した粗化表
面を有する絶縁板を得た。
この絶縁板を、メルプレートアクチヘータ（メルテノク
ス株式会社、商品名）に、？＆、温度４０゛Ｃ浸清時間
１０分間で浸漬処理し、３０秒間流水で水洗した後、液
温度２５°Ｃの水素化硼素す）　ＩＪウム２　ｇ　／　
ｆ！の水溶液に５分間浸漬し、３０秒間流水水洗した。
この絶縁板を、以下の組成の無電解めっき液を用い、以
下の条件で無電解めっきした。
〔組成〕
Ｃｕ　ＳＯ４５Ｉ２０　：　１０　ｇ／　ｅＥＤＴＡ４
Ｎａ：４０ｇ／ｊ！ ３７％ＣＨ２Ｏ：　３ｍＡ／ｆｆ めっき液添加剤：少量 〔条件〕 １）Ｈ：１２．３ 液温度ニア０°Ｃ めっき銅厚さ：３５μｍ この結果良好な無電解銅めっきが析出した。
実施例３ 無電解めっき液をブルーシューマー（日本カニゼン株式
会社、商品名）に液温度８５°Ｃで３０分間浸漬処理し
て、無電解ニッケルめっきした以夕（は実施例２と同様
とした。
実施例４ 低分子化合物としてのカップリング剤を、１　５　ｇ＃
！ とした以外は、実施例２と同様とした。
実施例５ 無電解めっき液をブルーシューマー（日本カニゼン株式
会社、商品名）に液温度８５℃で３０分間浸漬処理して
、無電解ニッケルめっきした以外は実施例４と同様とし
た。
実施例６ 低分子化合物としてのカップリング剤を、Ｃａ　Ｈｓ　
ＣＨ２Ｎ　Ｈ２’　　・Ｃ２Ｈ４ＮＨＣ３ＨｂＳ　ｉ　
　（ＯＣＨ３）　Ｉ　Ｃβ １０ｇ／β とした以外は、実施例２と同様とした。
実施例７ 無電解めっき液をブルーシューマー（日本カニゼン株式
会社、商品名）に液温度８５°Ｃで３０分間浸漬処理し
て、無電解ニッケルめっきした以外は実施例６と同様と
した。
実施例８ 実施例２において、メルプレートアクチベータ８６０の
代わりにＡｇＮ０．の０，０１モル／β水溶液を用いた
以外は、実施例２と同様とした。
実施例９ 実施例２において、メルプレートアクチヘータ８６０の
代わりにＣｕＳＯ４’　５Ｈ２０のの０．０５モル／７
！水溶液を用いた以外は、実施例２と同様とした。
実施例１０ 日立化成工業株式会社製のアルミナ基板を、低分子化合
物であるＮＨ２Ｃ＊　Ｈｂ　Ｓ　ｉ　　（ＯＣ２Ｈ３）
ＩＮＯ１０ｇ／ρ水溶液に液温度４０°Ｃで１０分間浸
漬した後、８０°Ｃで３０分間加熱乾燥した。
この絶縁板を、メルプレートアクチヘータ（メルテノク
ス株式会社、商品名）に、液温度４０°Ｃ浸清時間１０
分間で浸漬処理し、３０秒間流水で水洗した後、液温度
２５°Ｃの水素化硼素ナトリウム２　ｇ　／　（ｌの水
溶液に５分間浸漬し、３０秒間流水水洗した。
この絶縁板を、以下の組成の無電解めっき液を用い、以
下の条件で無電解めっきした。
（組成〕 Ｃｕ　Ｓ　Ｏ４５Ｈ２０：　１０　ｇ　／　ＩＥＤＴＡ
　・４Ｎａ　：　４０　ｇ／Ｉ！３７％ＣＨ２０：　３
　ｍ　１　／　６めっき液添加剤：少量 〔条件〕 ｐＨ：　　１２．３ 液温度ニア０℃ めっき銅厚さ２１０μｍ この結果良好な無電解銅めっきが析出した。
実施例１１ 無電解めっき液をブルーシューマー（日本カニゼン株式
会社、商品名）に液温度８５℃で３０分間浸漬処理して
、無電解ニッケルめっきした以外は実施例１０と同様と
した。
実施例１２ 低分子化合物として、アミノチタン系カップリング剤で
あるイソプロピルトリ　（Ｎ−アミドエチル・アミノエ
チル）チクネートを用いたほかは、実施例１と同様とし
た。
実施例１３ 低分子化合物としてリンチタン系カップリング剤である
イソプロピルトリオクタノイルチクネートのイソプロピ
ルアルコール溶液を用いたほかは、実施例２と同様とし
た。
実施例１４ 低分子化合物として、アミノ酸であるアルギニンを用い
たほかは、実施例２と同様とした。
実施例１５ 低分子化合物として、アミノアルコールである３−アミ
ノ−１，２−プロパツールを用いたほかは、実施例２と
同様とした。
実施例１６ 低分子化合物として、リン化合物であるエチルアシドホ
スフェートを用いたほかは、実施例２と同様とした。
実施例１７ 塩化ビニル製の箱型容器の内側のみを、液体ボニング用
研磨材であるアランダム（ツートン社、商品名）の粒度
＃２５（１０を用いホーニング処理し、粗面化した。
次に、シランカップリング剤 の１０　ｇ／ｌ水溶液に１０分間浸漬し、８０゛Ｃで３
０分間乾燥した。
この箱型容器をメルプレートアクチヘータ（メルテノク
ス株式会社、商品名）に、液温度４０℃浸漬時間１０分
間で浸漬処理し、３０秒間流水で水洗した後、液温度２
５°Ｃの水素化硼素ナトリウム２　ｇ＃の水溶液に５分
間浸漬し、３０秒間流水水洗した。
この絶縁板を、以下の組成の無電解めっき液を用い、以
下の条件で無電解めっきした。
〔組成〕
Ｃｕ　Ｓ　Ｏａ　５　Ｈ２０：　１０　ｇ　／　ＩＥＤ
ＴＡ・４Ｎａ　：　４０ｇ／１ ３７％ＣＨ２Ｏ：３ｍ１／１ めっき液添加剤：少量 〔条件〕 ｐＨ：Ｌ２．３ 液温度ニア０℃ めっき時間＝１時間 この結果良好な無電解銅めっきが析出した。
（発明の効果） 以上に説明したように、本発明の方法によって面積の大
きい配線板や複雑な形状を有する成形体への選択的な無
電解めっきによる導体を形成することができ、さらに、
金属触媒を製品中に残すことがないので、絶縁劣下を防
ぐこともできる。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. １．以下の工程を以下の順に行うことを特徴とする選択
    的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法。 ａ．電子供与性を有する原子のＮ、Ｐ、Ｏのいずれか１
    つ以上を有する低分子化合物を含む水溶液、有機溶媒の
    溶液、又は水と有機溶媒との混合溶液のうちから選択さ
    れた１つの溶液を、平滑な表面と粗な表面とを所望の模
    様に選択的に与えられた絶縁材料の表面に接触させる工
    程。 Ｂ．該絶縁材料を、無電解めっき用触媒の金属元素を含
    有するイオンを含む水溶液に接触させ、該無電解めっき
    用触媒の金属元素を含有するイオンを吸着させる工程。 Ｃ．該絶縁材料を水洗する工程。 Ｄ．該絶縁材料に吸着した該無電解めっき用触媒の金属
    元素を還元した後、無電解めっきを行う工程。
  2. ２．平滑な表面と粗な表面とを所望の模様に選択的に与
    えられた絶縁材料の粗化された表面がドリル加工又はパ
    ンチ加工された穴内壁であり、平滑な表面がドライフィ
    ルム、印刷インク、無機質塗膜、又は有機質フィルムの
    いずれかで被覆された絶縁材料である請求項１記載の選
    択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法。
  3. ３．平滑な表面と粗な表面とを所望の模様に選択的に与
    えられた絶縁材料として、所望の部分にブラスト処理し
    た有機質絶縁材料を用いる請求項１記載の選択的な金属
    化表面を有する絶縁材料の製造方法。
  4. ４．平滑な表面と粗な表面とを所望の模様に選択的に与
    えられた絶縁材料として、有機質絶縁材料の表面を酸化
    剤を含む薬液との接触によって粗化した後めっきを必要
    としない部分にドライフィルム又は印刷インクによって
    被覆した絶縁材料を用いる請求項１記載の選択的な金属
    化表面を有する絶縁材料の製造方法。
  5. ５．平滑な表面と粗な表面とを所望の模様に選択的に与
    えられた絶縁材料として、無機質絶縁材料の表面を酸又
    はアルカリの薬剤を用いて粗化した後めっきを必要とし
    ない部分にドライフィルム又は印刷インクによって被覆
    した絶縁材料を用いる請求項１記載の選択的な金属化表
    面を有する絶縁材料の製造方法。
  6. ６．平滑な表面と粗な表面とを所望の模様に選択的に与
    えられた絶縁材料として、酸化剤を含む薬液によって粗
    化されないドライフィルム又は印刷インクをめっきを必
    要としない部分に形成し酸化剤を含む薬液によって所望
    の部分のみ粗化した有機質絶縁材料を用いる請求項１記
    載の選択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法。
  7. ７．平滑な表面と粗な表面とを所望の模様に選択的に与
    えられた絶縁材料として、金属表面に形成した粗化表面
    を転写した絶縁材料を用いた請求項１、２、３、４、５
    、６又は７記載の選択的な金属化表面を有する絶縁材料
    の製造方法。
  8. ８．金属の表面をブラスト処理、エッチング処理、めっ
    き処理、陽極酸化処理、又は化成処理し平均粗さ（Ｒｚ
    ）を１〜３０μｍとしたことを特徴とする請求項７記載
    の選択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法。
  9. ９．以下の工程を以下の順に行うことを特徴とする選択
    的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法。 ａ．電子供与性を有する原子のＮ、Ｐ、Ｏのいずれか１
    つ以上を有する低分子化合物を含む水溶液、有機溶媒の
    溶液、又は水と有機溶媒との混合溶液のうちから選択さ
    れた１つの溶液を、粗化した表面を有する絶縁材料の表
    面に接触させる工程。 ｂ．めっきを必要としない部分にめっきレジストを形成
    する工程。 ｃ．該絶縁材料を、無電解めっき用触媒の金属元素を含
    有するイオンを含む水溶液に接触させ、該絶縁材料の粗
    化された表面が露出した部分に該無電解めっき用触媒の
    金属元素を含有するイオンを吸着させる工程。 ｄ．該絶縁材料を水洗する工程。 ｅ．該絶縁材料に吸着した該無電解めっき用触媒の金属
    元素を還元した後、無電解めっきを行う工程。
  10. １０．粗化した表面を有する絶縁材料として、有機質絶
    縁材料の表面を酸化剤を含む薬液に接触させ粗化した絶
    縁材料を用いた請求項９記載の選択的な金属化表面を有
    する絶縁材料の製造方法。
  11. １１．粗化した表面を有する絶縁材料として、無機質絶
    縁材料の表面を酸又はアルカリの薬剤を用いて粗化した
    絶縁材料を用いる請求項９記載の選択的な金属化表面を
    有する絶縁材料の製造方法。
  12. １２．粗化した表面を有する絶縁材料として、金属表面
    に形成した粗化表面を転写した絶縁材料を用いた請求項
    ９、１０、又は１１記載の選択的な金属化表面を有する
    絶縁材料の製造方法。
  13. １３．金属の表面をブラスト処理、エッチング処理、め
    っき処理、陽極酸化処理、又は化成処理し平均粗さ（Ｒ
    ｚ）を１〜３０μｍとしたことを特徴とする請求項１２
    記載の選択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法
    。
  14. １４．以下の工程を以下の順に行うことを特徴とする選
    択的な金属化表面を有する絶縁材料の製造方法。 ａ．金属の表面を、ブラスト処理、エッチング処理、め
    っき処理、陽極酸化処理、又は化成処理することにより
    粗化し、該粗化した表面に、電子供与性を有する原子の
    Ｎ、Ｐ、Ｏのいずれか１つ以上を有する低分子化合物を
    含む水溶液、有機溶媒の溶液、又は水と有機溶媒との混
    合溶液のうちから選択された１つの溶液を接触させる工
    程。 ｂ．その金属表面に有機質材料を塗布するか又は樹脂を
    加圧加熱して絶縁材料の有機質成形体を形成した後、前
    記金属を剥離又はエッチングによって除去する工程。 ｃ．前記絶縁材料のめっきを必要としない部分にめっき
    レジストを形成する工程。 ｄ．該絶縁材料を、無電解めっき用触媒の金属元素を含
    有するイオンを含む水溶液に接触させ、該絶縁材料の粗
    化された表面が露出した部分に該無電解めっき用触媒の
    金属元素を含有するイオンを吸着させる工程。 ｅ．該絶縁材料を水洗する工程。 ｆ．該絶縁材料に吸着した該無電解めっき用触媒の金属
    元素を還元した後、無電解めっきを行う工程。
  15. １５．金属の表面を、ブラスト処理、エッチング処理、
    めっき処理、陽極酸化処理、又は化成処理することによ
    り粗化することに替えて、表面粗さが２〜１５μｍの銅
    箔の表面にさらに酸化銅を形成することを特徴とする請
    求項１４記載の選択的な金属化表面を有する絶縁材料の
    製造方法。
  16. １６．めっき触媒用金属元素が、パラジウム、銀、銅、
    白金又は金のうちから選択されたものである請求項１〜
    １５のうちのいずれかに記載の選択的な金属化表面を有
    する絶縁材料の製造方法。
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