JP7062819B2 - モリブデン又はタングステン含有薄膜のald用前駆体の合成及び使用方法 - Google Patents
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Description
本出願は、米国特許法第119条に基づき、2015年5月27日に出願された米国仮特許出願第62/167,220号及び2015年6月17日に出願された米国仮特許出願第62/167,220号の優先権を主張し、当該出願の全内容は引用することによりここに組み込まれる。
本願で特許請求される発明は、ヘルシンキ大学(the University of Helsinki)とASM Microchemistry Oyとの間の共同研究協約によって、又は共同研究協約のために、及び/又は共同研究協約に関連してなされた。当協約は、特許請求される発明がなされた日及びその日以前に発効しており、特許請求される発明は、当協約の範囲内で取り組まれた活動の結果としてなされたものである。
モリブデンを含むあらゆる種類の薄膜の原子層堆積(ALD)の従来のプロセスは、精選した少数の既知のMoCl5、Mo(CO)6等のモリブデン前駆体、並びにMo(NtBu)2(NMe2)2及びMo(NtBu)2(NEt2)2等のアルキルアミン前駆体に制限されていた。最近報告されたMoS2薄膜の成膜のための前駆体の組み合わせには、Mo(CO)6とH2S、Mo(CO)6とMeSSMe、及びMoCl5とH2Sが含まれる。しかし、これらの従来のモリブデン前駆体は、取り扱いが困難であることが判明する可能性がある。例えば、Mo(CO)6は、モリブデンを含有する結晶薄膜を成膜するには低すぎるであろう狭い成膜温度範囲を有する猛毒物質である。一方、MoCl5は、成功裏にMoS2膜を成膜するように、追加の滞留時間が必要と思われる。
工程13において、過剰なMo又はW前駆体及び反応副生成物がある場合には、それを表面から除去することと、
工程14において、基材表面を気化したカルコゲン前駆体と接触させることと、
工程15において、過剰なカルコゲン前駆体及びMo又はW前駆体層とカルコゲン前駆体との間の反応で形成された任意の気体の副生成物を、表面から除去することと、を含む。
過剰なMo(thd)3及び反応副生成物がある場合には、それを表面から除去することと、
基材表面を気化したH2Sと接触させることと、
過剰なH2S、及びMo(thd)3層とH2Sとの間の反応で形成された任意の気体の副生成物を表面から除去することと、を含む。
基材表面を気化したMo(thd)3と接触させて基材上に最大でMo(thd)3の単分子層を形成することと、
過剰なMo(thd)3及び反応副生成物がある場合には、それを表面から除去することと、
基材表面を気化したH2Seと接触させることと、
過剰なH2Se、及びMo(thd)3層とH2Seとの間の反応で形成された任意の気体の副生成物を表面から除去することと、を含む。
基材表面を気化したW(thd)3と接触させて基材上に最大でW(thd)3の単分子層を形成することと、
過剰なW(thd)3及び反応副生成物がある場合には、それを表面から除去することと、
基材表面を気化したH2Sと接触させることと、
過剰なH2S及びW(thd)3層とH2Sとの間の反応で形成された気体の副生成物を表面から除去することと、を含む。
基材表面を気化したW(thd)3と接触させて基材上に最大でW(thd)3の単分子層を形成することと、
過剰なW(thd)3及び反応副生成物がある場合には、それを表面から除去することと、
基材表面を気化したH2Seと接触させることと、
過剰なH2Se、及びW(thd)3層とH2Seとの間の反応で形成された任意の気体の副生成物を表面から除去することと、を含む。
以下の前駆体のいずれかを、本明細書に開示される様々なALDプロセスで使用することができる。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は金属有機化合物である。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は、少なくとも1つの多座配位子を含み得る。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は、少なくとも1つの二座配位子を含み得る。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は、3つの二座配位子を有し、他の配位子を有さない。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は、O、N又はS原子を介して、より好ましくは少なくとも1つのO原子を介して、Mo又はWに結合する少なくとも1つの多座配位子を有する。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は、O及びNの両原子を介して、Mo又はWに結合する少なくとも1つの多座配位子を有する。より好ましくは、β-ジケトネート化合物が使用される。いくつかの実施形態では、ケトイミネート化合物が使用される。いくつかの実施形態では、M(acac)3、M(thd)3、M(tfac)3、M(bac)3、M(hfac)3、又はM(fod)3化合物が使用され、式中、MはMo又はWであり、acacはアセチルアセトナト又は2,4-ペンタンジオナトであり、thdは2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナトであり、tfacはトリフルオロアセチルアセトナト又は1,1,1-トリフルオロ-2,4-ペンタンジオナトであり、bacはベンゾイルアセトナト、C6H5COCHCOCH3、又は1-フェニル-1,3-ブタンジオナトであり、hfacはヘキサフルオロアセチルアセトナト又は1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオナトであり、fodは2,2-ジメチル-6,6,7,7,8,8,8-ヘプタフルオロオクタン-3,5-ジオナトである。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は金属ハロゲン化物を含まない。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は、2つ以上のMo又はW原子を有する。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は2つ以上のMo又はW原子を有し、2つ以上のMo又はW原子は互いに結合する。いくつかの実施形態では、有機金属Mo又はW前駆体は、任意の他の元素又は化合物に結合していない酸素に直接結合した少なくとも1つの配位した有機配位子及びMo又はWを有する。いくつかの実施形態では、Mo又はW前駆体は、O、N又はS原子を介して、好ましくは少なくとも1つのO原子を介して、Mo又はWに結合した少なくとも1つの配位子を有し得る。
基材表面を気化したMo又はWβ-ジケトネート前駆体と接触させて、基材上に最大でMo又はWβ-ジケトネート前駆体の1単分子層を形成することと、
過剰なMo又はWβ-ジケトネート前駆体及び反応副生成物がある場合には、それを表面から除去することと、
基材表面をH2若しくは水素プラズマ、ラジカル、又は原子等の第2の反応物質と接触させることと、
過剰な第2の反応物質、及びMo又はWβ-ジケトネート前駆体層と第2の反応物質との間の反応で形成された任意の気体の副生成物を表面から除去することと、を含む。
基材表面を気化したMo又はWβ-ジケトネート前駆体と接触させて、基材上に最大でMo又はWβ-ジケトネート前駆体の1単分子層を形成することと、
過剰なMo又はWβ-ジケトネート前駆体及び反応副生成物がある場合には、それを表面から除去することと、
基材表面を、水、オゾン、又は酸素プラズマ、ラジカル、若しくは原子等の酸素前駆体と接触させることと、
過剰な酸素前駆体、及びMo又はWのβ-ジケトネート前駆体層と酸素前駆体との間の反応で形成された任意の気体の副生成物を表面から除去することと、を含む。
基材表面を気化したMo又はWβ-ジケトネート前駆体と接触させて、基材上に最大でMo又はWβ-ジケトネート前駆体の1単分子層を形成することと、
過剰なMo又はWβ-ジケトネート前駆体及び反応副生成物がある場合には、それを表面から除去することと、
基材表面を、窒素を含む前駆体と接触させることと、
過剰な酸素前駆体、及びMo又はWのβ-ジケトネート前駆体層と窒素を含む前駆体との間の反応で形成された任意の気体の副生成物を表面から除去することと、を含む。
基材表面を気化したMo又はWβ-ジケトネート前駆体と接触させて、基材上に最大でMo又はWβ-ジケトネート前駆体の1単分子層を形成することと、
過剰なMo又はWβ-ジケトネート前駆体及び反応副生成物がある場合には、それを表面から除去することと、
基材表面を、ケイ素を含む前駆体と接触させることと、
過剰なケイ素を含む前駆体、及びMo又はWのβ-ジケトネート前駆体層とケイ素を含む前駆体との間の反応で形成された任意の気体の副生成物を表面から除去することと、を含む。
本明細書に記載のALDプロセスにおいて使用されるMo又はW前駆体のいくつかを製造する方法も提供される。いくつかの実施形態では、M(L)3の式を有する前駆体が合成され、式中、MはMo又はWであり、Lは好ましくはβ-ジケトナト配位子、最も好ましくはacac、hfac、又はthdである。いくつかの実施形態では、合成されるMo又はW前駆体は、MがMo又はWであるM(thd)3の式を有する。いくつかの実施形態では、合成される前駆体はMo(thd)3であり、他の実施形態ではW(thd)3である。
アルカリ金属化合物、例えば、BuLi、MeLi、NaH、又はKHをβ-ジケトンと反応させることにより工程23において第3の生成物を形成することと、
続いて、ステップ24で第3の生成物を第2の生成物に加えることと、それにより、式M(L)3、(式中、MはMo又はW、Lはβ-ジケトナト配位子)を有するMo又はWβ-ジケトネート前駆体を工程25で形成することと、を含む。
工程21において、無水MoCl5をSnで還元することにより第1の生成物を形成することと、
続いて、テトラヒドロフラン(THF)を含む溶媒を第1の生成物へ加えることにより、工程22で第2の生成物MoCl3(THF)3を形成することと、それにより第2の生成物MoCl3(THF)3を形成することと、
ブチルリチウムをHthdと反応させることにより、工程23において、第3の生成物Lithdを形成することと、
続いて、ステップ24で第3の生成物Lithdを第2の生成物MoCl3(THF)3に加えることと、それにより工程25で前駆体Mo(thd)3を形成すること、とを含む。
Mo(thd)3を以下のプロセスにより合成した。すべての取り扱いと操作は、標準シュレンクテクニック(Schlenk techniques)と不活性ガス(N2又はAr)グローブボックスを使用して、空気と水分を厳密に排除して行った。
多くのカルコゲン前駆体が、本明細書に開示されるALDプロセスにおいて使用され得ることは、当業者に理解されるであろう。いくつかの実施形態では、カルコゲン前駆体は、以下のリストから選択される。H2S、H2Se、H2Te、(CH3)2S、(NH4)2S、ジメチルスルホキシド((CH3)2SO)、(CH3)2Se、(CH3)2Te、元素又は原子のS、Se、Te、カルコゲン-水素結合を含む他の前駆体、例えば、H2S2、H2Se2、H2Te2、又は式R-Y-H(式中、Rは置換又は非置換の炭化水素、好ましくはC1-C8のアルキル又は置換されたアルキル、例えば、アルキルシリル基、より好ましくは直鎖状又は分岐状C1~C5アルキル基等であり、YはS、Se又はTeであることができる)を有するカルコゲノール。いくつかの実施形態では、カルコゲン前駆体は、式R-S-H、(式中、Rは置換又は非置換の炭化水素、好ましくはC1~C8のアルキル基、より好ましくは直鎖状又は分岐状のC1~C5のアルキル基であることができる)を有するチオールである。いくつかの実施形態では、カルコゲン前駆体は、式(R3Si)2Y、(式中、R3Siはアルキルシリル基であり、YはSe又はTeであることができる)を有する。いくつかの実施形態では、カルコゲン前駆体は、S又はSeを含む。いくつかの好ましい実施形態では、カルコゲン前駆体は、Sを含む。いくつかの実施形態では、カルコゲン前駆体は、硫黄元素などのカルコゲン元素を含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、カルコゲン前駆体はTeを含まない。いくつかの実施形態では、カルコゲン前駆体はSeを含む。いくつかの実施形態では、カルコゲン前駆体は、S、Se又はTeを含む前駆体から選択される。いくつかの実施形態では、カルコゲン前駆体は、H2Sn、(式中、nは4~10である)を含む。
MoCl5及びH2Sを前駆体として使用し、前駆体の滞留時間なしにフロー型反応器(ASM America F-120反応器)内で、150℃~500℃の反応温度で種々の成膜実験を行った。Al2O3、ZnS、ソーダライムガラス、Si、及びIr等のさまざまな基材を使用した。成膜実験が行われた後、MoもSも、膜の成長を示すであろう量では基材上で検出されなかった。EDXを試料上で行い、微量のMoのみが示された。Sは試料上で全く検出されなかった。このプロセスは、Browningら「Atomic layer deposition of MoS2 thin films」で報告されており、その全体は参照により本明細書に組み込まれる。本発明者らは、Browningの論文に記載されているプロセス条件に関して、合理的に同様の条件で同様の実験を行ったが、テストは成功せず、おそらくその中で開示されたプロセスの非ロバスト性を示した。
Mo前駆体としてのMo(thd)3及びカルコゲン前駆体としてのH2Sを利用して、本明細書に開示されるALDプロセスに従ってMoS2薄膜を成膜した。MoS2を、シリコン、二硫化チタン、アルミナ、及びソーダライムガラス基材上に成膜した。基材を、約175℃~約500℃の範囲の成膜温度で、Mo(thd)3及びH2Sの交互パルスと接触させた。
本明細書に記載のALDプロセスは、Mo又はWを含む2D材料、例えばMoS2、WS2、MoSe2、又はWSe22D材料などのMo又はWジカルコゲナイドを成膜するのに使用され得る。単層材料とも呼ばれる2D材料は、単一の連結された単分子層からなる材料である。2D材料は、単一の連結された単分子層を形成するが、複数の単層は、本明細書に開示される成膜プロセスにより成膜され得る。例えば、2D MoS2の場合、2D材料は、Mo原子の1つの層がS原子の2つの層の間に挟まれるように配置された、共有結合したMoS2分子の単一層を含む。MoS2の基本的な原子構造は、当業者によく知られているであろう。
Claims (19)
- Mo又はWβ-ジケトネート前駆体を作製する方法であって、前記方法は、
式MX3(R)n、(式中、nは0~4の数であり、MはMo又はWであり、Xはハロゲン化物であり、Rは溶媒である)を有する第1の反応物質を提供する工程と、
アルカリ金属化合物をβ-ジケトン化合物と反応させることにより第1の生成物を形成する工程と、
続いて前記第1の生成物を前記第1の反応物質に加え、それにより、式ML3、(式中、MはMo又はWであり、Lはβ-ジケトナト配位子である)を有するMo又はWβ-ジケトネート前駆体を形成する工程と、を含む、方法。 - 前記β-ジケトン化合物はHthd、Hacac、Htfac、Hfod又はHhfacである、請求項1に記載の方法。
- 前記β-ジケトン化合物はHthdである、請求項1に記載の方法。
- 前記Mo又はWβ-ジケトネート前駆体はM(thd)3である(式中、MはMo又はWである)、請求項1に記載の方法。
- 前記Mo又はWβ-ジケトネート前駆体はMo(thd)3である、請求項1に記載の方法。
- 前記アルカリ金属化合物はBuLi、MeLi、NaH、又はKHを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の反応物質を提供する工程は、
Mo又はWハロゲン化物を還元剤で還元することにより第1の中間生成物を形成する工程と、
続いて溶媒を前記第1の中間生成物に加えることにより第2の中間生成物を形成し、それにより前記第1の反応物質を形成する工程と、を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記Mo又はWハロゲン化物は式MX5、(式中、MはMo又はWであり、Xはハロゲン化物である)を有する、請求項7に記載の方法。
- XはClである、請求項8に記載の方法。
- 前記Mo又はWハロゲン化物はMoCl 5 であり、前記β-ジケトン化合物はHthdであり、かつ前記形成されたMo又はWβ-ジケトネート前駆体はM(thd) 3 である、請求項9に記載の方法。
- 前記Mo又はWハロゲン化物は式MX4又はMX6、(式中、MはWであり、Xはハロゲン化物である)を有する、請求項7に記載の方法。
- 前記還元剤は金属を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記還元剤はSnを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記還元剤は6員環系を含む有機種を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記溶媒はTHFである、請求項7に記載の方法。
- Mo又はWβ-ジケトネート化合物を形成する方法であって、前記Mo又はWβ-ジケトネート化合物中のMo又はWは、+IIIの酸化状態を有し、前記方法は、
式MX3(R)n、(式中、nは0~4の数であり、MはMo又はWであり、Xはハロゲン化物であり、Rは溶媒である)を有する第1の反応物質を提供する工程と、
アルカリ金属化合物をβ-ジケトン化合物と反応させることにより、第1の生成物を形成する工程と、
続いて前記第1の生成物を前記第1の反応物質と反応させ、それにより、式ML3、(式中、Mは+IIIの酸化状態を有するMo又はWであり、Lはβ-ジケトナト配位子である)を有するMo又はWβ-ジケトネート化合物を形成する工程と、を含む、方法。 - 前記RはTHFである、請求項16に記載の方法。
- 前記Lはacac、hfac、又はthdである、請求項16に記載の方法。
- 前記XはClである、請求項16に記載の方法。
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US11374112B2 (en) * | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
KR102184699B1 (ko) * | 2017-12-13 | 2020-12-01 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 전이금속-디칼코게나이드 박막, 및 그 제조 방법 |
US20210079519A1 (en) * | 2018-02-03 | 2021-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for forming a patterned layer of material |
TWI751406B (zh) * | 2018-03-06 | 2022-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成金屬硫系化物柱體之方法 |
US11393681B2 (en) | 2018-03-07 | 2022-07-19 | Uchicago Argonne, Llc | Methods to deposit and etch controlled thin layers of transition metal dichalcogenides |
US11447862B2 (en) * | 2018-03-07 | 2022-09-20 | Uchicago Argonne, Llc | Methods to deposit controlled thin layers of transition metal dichalcogenides |
US11549175B2 (en) | 2018-05-03 | 2023-01-10 | Lam Research Corporation | Method of depositing tungsten and other metals in 3D NAND structures |
CN109182996B (zh) * | 2018-11-05 | 2020-11-24 | 中国兵器工业第五九研究所 | 钨合金涂层制备设备及方法 |
KR102156981B1 (ko) * | 2018-11-28 | 2020-09-16 | 충북대학교 산학협력단 | 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법 |
CN113366144B (zh) | 2019-01-28 | 2023-07-07 | 朗姆研究公司 | 金属膜的沉积 |
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US11492701B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor manifolds |
US11142824B2 (en) | 2019-04-23 | 2021-10-12 | Uchicago Argonne, Llc | Method of producing thin layer of large area transition metal dichalcogenides MoS2 and others |
US11424454B2 (en) * | 2019-06-16 | 2022-08-23 | Applied Materials, Inc. | Protection interfaces for Li-ion battery anodes |
KR20210009160A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-26 | 삼성전자주식회사 | 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 형성방법 |
KR20210048408A (ko) | 2019-10-22 | 2021-05-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 증착 반응기 매니폴드 |
CN110863189A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-03-06 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种脉冲式注入反应物生长单层碲化物掺杂结构的方法 |
TW202136571A (zh) | 2020-02-10 | 2021-10-01 | 荷蘭商Asm Ip 控股公司 | 高深寬比孔內的氧化鉿之沉積 |
KR20210119809A (ko) | 2020-03-25 | 2021-10-06 | 삼성전자주식회사 | 몰리브덴 화합물과 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
KR20210154739A (ko) | 2020-06-11 | 2021-12-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이금속 디칼코지나이드 박막의 원자층 증착 및 식각 |
TW202204662A (zh) * | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11626284B2 (en) * | 2020-10-02 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a 2-dimensional channel material, using ion implantation |
KR102589396B1 (ko) | 2020-12-01 | 2023-10-13 | 고려대학교 산학협력단 | 전이금속 이황화물 박막의 제조방법, 이를 이용하는 유기발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기발광다이오드 소자 |
TW202231903A (zh) * | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
US11869806B2 (en) * | 2021-05-07 | 2024-01-09 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming molybdenum contacts |
CN115448954B (zh) * | 2022-10-11 | 2024-05-03 | 中山大学 | 一种ald前驱体钼配合物及其制备方法 |
KR20240063021A (ko) * | 2022-10-31 | 2024-05-09 | 주식회사 유피케미칼 | 몰리브데늄 전구체 화합물, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 몰리브데늄-함유 박막의 증착 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004507551A (ja) | 2000-08-28 | 2004-03-11 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | ソース材料組成物および化学的蒸着法による基板上への金属膜形成方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3429903A (en) * | 1968-03-12 | 1969-02-25 | American Metal Climax Inc | Method of preparing molybdenum (iii) acetylacetonate |
US3784631A (en) | 1972-03-09 | 1974-01-08 | Goodyear Tire & Rubber | Dimerization or codimerization of alpha-olefins |
US5028724A (en) * | 1990-03-30 | 1991-07-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Synthesis of volatile fluorinated and non-fluorinated metal-beta-ketonate and metal-beta-ketoiminato complexes |
US6110529A (en) | 1990-07-06 | 2000-08-29 | Advanced Tech Materials | Method of forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
US5840897A (en) | 1990-07-06 | 1998-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for chemical vapor deposition |
US7323581B1 (en) * | 1990-07-06 | 2008-01-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
US5980983A (en) * | 1997-04-17 | 1999-11-09 | The President And Fellows Of Harvard University | Liquid precursors for formation of metal oxides |
US20040224504A1 (en) * | 2000-06-23 | 2004-11-11 | Gadgil Prasad N. | Apparatus and method for plasma enhanced monolayer processing |
US6660660B2 (en) * | 2000-10-10 | 2003-12-09 | Asm International, Nv. | Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit |
KR100421219B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2004-03-02 | 삼성전자주식회사 | β-디케톤 리간드를 갖는 유기 금속 착물을 이용한 원자층증착방법 |
US7034169B1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-04-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile metal β-ketoiminate complexes |
US7416994B2 (en) | 2005-06-28 | 2008-08-26 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition systems and methods including metal beta-diketiminate compounds |
EP2029790A1 (en) * | 2006-06-02 | 2009-03-04 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing |
US7638645B2 (en) | 2006-06-28 | 2009-12-29 | President And Fellows Of Harvard University | Metal (IV) tetra-amidinate compounds and their use in vapor deposition |
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US20080254218A1 (en) | 2007-04-16 | 2008-10-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal Precursor Solutions For Chemical Vapor Deposition |
CN101343732A (zh) * | 2007-04-16 | 2009-01-14 | 气体产品与化学公司 | 用于化学气相沉积的金属前体溶液 |
US8142847B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-03-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Precursor compositions and methods |
JP5658463B2 (ja) | 2009-02-27 | 2015-01-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2010114386A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Universitetet I Oslo | Thin films containing molybdenum oxide |
WO2011095849A1 (en) | 2010-02-03 | 2011-08-11 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition |
JP5839830B2 (ja) | 2010-04-28 | 2016-01-06 | 昭和電工株式会社 | 有機金属錯体化合物、有機金属錯体化合物の製造方法および有機金属錯体化合物を含む光硬化性組成物 |
EP2609102B1 (en) * | 2010-08-27 | 2014-12-31 | Sigma-Aldrich Co. LLC | Molybdenum (iv) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition |
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JP2012209413A (ja) | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Tdk Corp | 太陽電池用金属プリカーサー形成材、太陽電池用金属プリカーサーの製造方法およびib−iiia−via族系化合物太陽電池の製造方法 |
JP5730670B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2015-06-10 | 株式会社Adeka | 酸化モリブデンを含有する薄膜の製造方法、及び酸化モリブデンを含有する薄膜の形成用原料 |
KR101464173B1 (ko) | 2013-07-23 | 2014-11-21 | 영남대학교 산학협력단 | 전이금속 칼코겐화합물 박막 형성 방법 |
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WO2015056944A1 (ko) | 2013-10-14 | 2015-04-23 | 한국화학연구원 | 몰리브데넘 화합물 또는 텅스텐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 |
FR3016889B1 (fr) * | 2014-01-24 | 2016-01-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de reaslisation par ald d'une couche mince de formule myx |
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KR101535573B1 (ko) * | 2014-11-04 | 2015-07-13 | 연세대학교 산학협력단 | 전이금속 칼코겐 화합물 합성 방법 |
CN104561937B (zh) | 2015-01-05 | 2017-08-15 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 原子层沉积制备具有固体润滑作用的ws2薄膜方法 |
JP6929790B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2021-09-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | モリブデン又はタングステン含有薄膜のald用前駆体の合成及び使用方法 |
US10358407B2 (en) * | 2016-10-12 | 2019-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films |
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STOFFELBACH, F., 他,European International Journal of Inorganic Chemistry,2001年,p.2699 - p.2703 |
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