JP2003313672A

JP2003313672A - 電子部品のめっき方法、及び電子部品

Info

Publication number: JP2003313672A
Application number: JP2002123548A
Authority: JP
Inventors: Tomohiko Mori; 智彦森; Makoto Ogawa; 誠小川
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-04-25
Filing date: 2002-04-25
Publication date: 2003-11-06

Abstract

(57)【要約】【課題】めっき対象部位のみに所望のめっき皮膜を効
率よく形成することができるようにした。【解決手段】表面にＣｕ電極が形成された被めっき物
に対し、脱脂工程１１〜水洗工程１４を行った後、触媒
付与工程１５でパラジウム触媒を付与する。そしてこの
後、水洗処理を行うことなく直ちに触媒洗浄工程１６に
進む。そして、触媒洗浄工程１６では、例えばアンモニ
ウムイオン及び塩化物イオンを含有した触媒洗浄剤で触
媒洗浄処理を行ない、Ｃｕ電極以外のセラミック素体上
に直接固着しているパラジウム触媒を選択的に洗浄除去
する。そしてこの後、水洗工程１７→無電解Ｎｉめっき
工程１８→水洗工程１９→希酸処理工程２０→水洗工程
２１→置換Ａｕめっき工程２２→水洗工程２３を経て所
望の電子部品を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子部品のめっき方
法及び電子部品に関し、より詳しくは導電部が形成され
た部品素体を被めっき物とし、該被めっき物にパラジウ
ム触媒を付与した後、無電解めっきを施す電子部品のめ
っき方法、及び該めっき方法を使用して製造されたセラ
ミック多層基板等の電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、セラミック基板やプリント基
板等の表面に配線パターンが形成された電子部品では、
はんだ付け性やボンディング性等を向上させる観点から
配線パターンの下地電極であるＣｕ電極上にＡｕ皮膜を
めっき形成しているが、電極材料であるＣｕがＡｕ皮膜
中に拡散するのを回避するためにＣｕ電極とＡｕ皮膜と
の間にＮｉ皮膜を介装するのが一般的である。

【０００３】また、この種の電子部品では、小形化、高
密度化の要請から配線パターンの形状も複雑化してきて
おり、このため前記Ｎｉ皮膜は電流分布の影響を受ける
ことのない無電解めっきで形成される。すなわち、前記
Ｎｉ皮膜は、通常、リン酸化合物等の還元剤を使用した
自己触媒型の無電解めっきにより形成される。

【０００４】ところで、無電解めっき反応を進行させる
ためには電極材料であるＣｕが還元剤の酸化反応に対し
触媒活性である必要があるが、Ｃｕは、一般に、リン化
合物等の還元剤の酸化反応に対し触媒活性度が低いとさ
れている。

【０００５】このため、従来より、図６に示すように、
被めっき物に対し脱脂工程１０１で脱脂処理を行なった
後、水洗工程１０２で水洗処理を施し、次いでエッチン
グ工程１０３でエッチング処理を施した後水洗工程１０
４で水洗処理を行ない、続く触媒付与工程１０５では、
種々の還元剤の酸化反応に対し良好な触媒活性を示すパ
ラジウム触媒を被めっき物に付与している。そしてその
後、水洗工程１０６で水洗処理を行って不純物を除去し
た後、触媒洗浄工程１０７で希塩酸や希硫酸等の希酸水
溶液で表面処理してＣｕ電極以外の部位に付着したパラ
ジウムを除去し、その後水洗工程１０８で水洗処理を行
なった後、無電解めっき工程１０９で無電解Ｎｉめっき
を行い、これによりＣｕ電極上にのみＮｉを主成分とす
るＮｉ−Ｐ皮膜等のめっき皮膜が形成されるようにして
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のめっき方法では、触媒付与工程１０５後に行われる
水洗工程１０６で被めっき物に水洗処理を施しているた
めパラジウム触媒の触媒活性度が低下し、このためめっ
き対象部位である電極表面（配線パターン）上にめっき
金属の析出しない箇所が生じることがあるという問題点
があった。

【０００７】また、上述したように被めっき物を水洗工
程１０６で水洗しているため、セラミック素体等の非め
っき対象部位に直接付着しているパラジウム触媒がコロ
イド化して該パラジウム触媒の非めっき対象部位への密
着性が上昇し、このため触媒洗浄工程１０７でパラジウ
ム触媒を洗浄・除去しようとしても十分に洗浄・除去す
ることができず、その結果、被めっき物を無電解めっき
液に浸漬させてめっき処理を行なった場合、非めっき対
象部位にもめっき金属が析出してしまうという問題点が
あった。

【０００８】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであって、めっき対象部位のみに所望のめっき皮膜
を効率よく形成することのできる電子部品のめっき方
法、及び該めっき方法を使用して製造された電子部品を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る電子部品のめっき方法は、導電部が形成
された部品素体を被めっき物とし、該被めっき物にパラ
ジウム触媒を付与した後、無電解めっきを施す電子部品
のめっき方法において、前記被めっき物に前記パラジウ
ム触媒を付与した後、直ちに所定の洗浄剤を使用して前
記被めっき物に洗浄処理を施し、この後前記無電解めっ
きを施すことを特徴とし、具体的には前記パラジウム触
媒を付与した後、水洗処理を施すことなく前記洗浄処理
を施すことを特徴としている。

【００１０】上記めっき方法によれば、被めっき物にパ
ラジウム触媒を付与した後、水洗処理を施すことなく直
ちに所定の洗浄剤を使用した洗浄処理を行なっているの
で、パラジウム触媒の触媒活性度の低下を阻止すること
ができ、また、非めっき対象部位である部品素体に直接
付着しているパラジウム触媒のコロイド化を招来するこ
ともなく被めっき物を前記洗浄剤と接触させて触媒洗浄
を行うことができ、これにより前記部品素体に付着して
いるパラジウム触媒のみを効率良く洗浄・除去すること
ができる。

【００１１】また、本発明者らの鋭意研究により、洗浄
剤中にアンモニウムイオンを含有させることにより、め
っき対象部位である導電部上に付着しているパラジウム
触媒が除去されることもなく、部品素体に付着している
パラジウム触媒のみを効果的に洗浄除去することができ
るという知見を得た。

【００１２】そこで、本発明のめっき方法は、前記洗浄
剤が、少なくともアンモニウムイオンを含有しているこ
とを特徴としている。

【００１３】すなわち、パラジウムは、導電部上では下
地金属との置換反応により強固に接合するが、導電部以
外の部品素体上では弱い物理吸着により表面付着してい
る。

【００１４】しかるに、洗浄剤中にアンモニウムイオン
を含有させることにより、部品素体上に物理吸着してい
るパラジウムがアンモニウムイオンと配位化合物を形成
して部品素体上から容易に離脱し、これにより導電部上
のパラジウム触媒を除去することなく導電部以外の部品
素体に付着しているパラジウムを効率良く洗浄・除去す
ることが可能となる。

【００１５】また、本発明者らは、さらに鋭意研究した
結果、塩化物イオンが前記配位化合物の形成を促進する
のに効果的であるという知見を得た。

【００１６】すなわち、本発明のめっき方法は、前記洗
浄剤は、塩化物イオンを含有していることを特徴として
いる。

【００１７】また、希硫酸や希塩酸等の希酸水溶液を使
用して触媒洗浄を行った場合でも、処理時間を制御すれ
ば前記希酸水溶液を洗浄剤に使用しても所望の触媒洗浄
を行うことが可能である。

【００１８】すなわち、本発明のめっき方法は、前記洗
浄剤は希酸水溶液からなり、前記被めっき物を前記希酸
水溶液に所定時間浸漬させて前記洗浄処理を施すことを
特徴とし、さらに前記希酸水溶液は、体積％で１〜２０
％となるように酸性溶液を水で希釈していることを特徴
としている。

【００１９】また、本発明では、上述したように被めっ
き物にパラジウム触媒を付与した後、水洗処理を行なう
ことなく直ちに所定の洗浄剤で洗浄処理を行うことによ
り、部品素体に付着しているパラジウム触媒のみを効率
良く洗浄・除去するようにしているが、斯かる場合、一
連の工程でパラジウム触媒化処理液が持ち出されて洗浄
剤中にパラジウムが持ち込まれたり、或いは被めっき物
に付着しているパラジウム触媒が洗浄剤中に混入してし
まう虞がある。そして、洗浄剤中のパラジウム濃度が増
大すると、触媒付与処理を２回行なった後に水洗処理を
行なうのと略同等の操作を行うこととなり、本発明の目
的を達成し得なくなる。

【００２０】そこで、本発明者らは、洗浄剤中での許容
可能なパラジウム濃度について鋭意研究したところ、洗
浄剤中のパラジウム濃度を２．０×１０^−３ｗｔ％以下
とすることにより、洗浄剤の洗浄作用によって部品素体
に付着しているパラジウム触媒のみを効率良く洗浄・除
去できることが判明した。

【００２１】すなわち、本発明の電子部品のめっき方法
は、前記パラジウム触媒が付与された被めっき物に洗浄
処理を施す際に前記洗浄剤に持ち込まれるパラジウム濃
度は、２．０×１０^−３ｗｔ％以下であることを特徴と
している。

【００２２】前記電子部品によれば、導電部が複雑な形
状の配線パターンを有する場合であっても導電部上にの
み所望のめっき皮膜が形成されたセラミック多層基板等
の電子部品を容易に得ることができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳説する。

【００２４】図１は本めっき方法で製造された電子部品
としてのセラミック多層基板の一実施の形態を示す断面
図であって、該セラミック多層基板は、複数のセラミッ
クシート（第１〜第５のセラミックシート１ａ〜１ｅ）
が積層されてセラミック素体６を形成している。

【００２５】また、セラミック素体６の表面には外部導
体４（４ａ〜４ｃ）が形成されると共に、該セラミック
素体６の内部には所定パターンの内部導体３（３ａ〜３
ｈ）が埋設されており、ビアホール５（５ａ〜５ｋ）を
介して各内部導体間３、又は内部導体３と外部導体４と
が電気的に接続されている。そして、本実施の形態で
は、第４のセラミックシート１ｄを介して内部導体３ｇ
と内部導体３ｅとが対向状に配されてコンデンサ部を形
成し、外部導体４ｃ及び内部導体３ｈ、３ｆ、３ｄ、３
ｂがビアホール５ｋ、５ｇ、５ｅ、５ｃを介して電気的
に接続されインダクタ部を形成している。

【００２６】また、外部導体４は、図２に示すように、
Ｃｕ電極７の表面にＮｉ−Ｐ皮膜８が形成され、さらに
Ｎｉ−Ｐ皮膜８の表面にＡｕ皮膜９が形成されている。

【００２７】そして、該セラミック多層基板は、ドクタ
ーブレード法等で所定寸法のセラミックシート１ａ〜１
ｅを作製した後、Ｃｕペーストを使用して所定パターン
の内部導体３ａ〜３ｈをスクリーン印刷し、次いで、こ
れらセラミックシート１ａ〜１ｅを積層・圧着した後、
焼成処理を施し、その後セラミック素体６の表面にＣｕ
ペーストを塗布・焼付けて所定パターンのＣｕ電極７を
形成する。そしてしかる後、Ｃｕ電極７の形成されたセ
ラミック素体６を被めっき物として無電解めっきを施
し、Ｃｕ電極７上にＮｉ−Ｐ皮膜８及びＡｕ皮膜９を形
成し、これにより前記セラミック多層基板が製造され
る。

【００２８】図３は、本めっき方法の処理手順を示すめ
っき工程図である。

【００２９】まず、脱脂工程１１では、被めっき物から
有機物質や無機物質による汚染を除去するため、酸性脱
脂液やアルカリ性脱脂液等を使用して被めっき物に脱脂
処理を施し、続く水洗工程１２で水洗処理を行なう。

【００３０】次に、エッチング工程１３では、被めっき
物を所定のエッチング液に浸漬してＣｕ電極７の表面に
形成されている酸化物をエッチング除去し、まためっき
皮膜との密着性を向上させるために表面形状を適度に平
滑化或いは粗化等して表面形状の微調整を行い、次いで
水洗工程１４で水洗処理を行なう。

【００３１】ここで、エッチング液としては、過酸化水
素系溶液や過硫酸アンモニウム系溶液を使用することが
できる。

【００３２】次に、触媒付与工程１５では、塩酸と塩化
パラジウムとの混合溶液（パラジウム濃度：約５．０×
１０^−３ｗｔ％）をパラジウム触媒化処理液（以下、
「処理液」という）として使用し、被めっき物を前記処
理液に所定時間（例えば、０．５分〜１０分）浸漬し、
被めっき物の表面にパラジウム触媒を付与する。

【００３３】次に、このように被めっき物の表面にパラ
ジウム触媒を付与した後、水洗処理を行なうことなく、
直ちに触媒洗浄工程１６に進む。

【００３４】すなわち、本実施の形態では、触媒付与工
程１５後の水洗処理を省略することにより、水洗処理に
伴うパラジウム触媒の触媒活性度の低下を阻止し、また
セラミック素体６に直接付着しているパラジウム触媒の
コロイド化を回避している。

【００３５】そして、触媒洗浄工程１６では、アンモニ
ウムイオン及び塩化物イオンを含有したパラジウム触媒
洗浄剤（以下、「洗浄剤」という）を使用し、被めっき
物を洗浄剤に所定時間（例えば、１分間）浸漬し、触媒
洗浄処理を行なう。

【００３６】すなわち、Ｃｕ電極７上のパラジウム触媒
は、該Ｃｕ電極７の表層面がパラジウムと置換反応して
なされた強固な接合によりＣｕ電極７上に付着している
のに対し、セラミック素体６上のパラジウム触媒は、フ
ァン・デア・ワールス力程度の弱い物理吸着によりセラ
ミック素体６上に付着している。

【００３７】つまり、セラミック素体６上のパラジウム
触媒は、Ｃｕ電極上のパラジウム触媒とは異なり、吸着
力の弱い物理吸着によるものであるため、アンモニウム
イオンを含有した洗浄剤中に被めっき物を浸漬すると、
アンモニウムイオンとの間で配位化合物（[Ｐｄ（ＮＨ
_３）_４]^２+など）を形成してパラジウム触媒はセラミッ
ク素体６上から容易に離脱し、これによりＣｕ電極上の
パラジウム触媒を除去することなく、セラミック素体上
のパラジウム触媒のみを効率よく洗浄・除去することが
できる。

【００３８】しかも、洗浄剤中に塩化物イオンが混入し
ていると、上述した配位化合物（錯体）の形成を促進す
ることが、本発明者らの実験結果により判明した。

【００３９】そこで、前記触媒洗浄工程１６では、アン
モニウムイオン及び塩化物イオンを含有した洗浄剤を使
用して触媒洗浄処理を行なっている。

【００４０】尚、本実施の形態では、アンモニウムイオ
ン及び塩化物イオンの洗浄剤中の濃度が２〜６８００mo
l／ｍ^３、水素イオン指数ｐＨが５〜１４となるように
洗浄剤を調製している。

【００４１】すなわち、アンモニウムイオン及び塩化物
イオンの濃度が２mol／ｍ^３未満及び水素イオン指数ｐ
Ｈが５未満の場合は、アンモニウムイオン及び塩化物イ
オンの濃度が低く、また水素イオン指数ｐＨが低いた
め、所望の配位化合物を形成することができなくなる虞
がある。また、アンモニウムイオン及び塩化物イオンの
濃度が６８００mol／ｍ^３を超えた場合は、セラミック
素体上のパラジウムについては完全に洗浄除去すること
が可能であるが、洗浄能力が強すぎるため、めっき対象
部位であるＣｕ電極上のパラジウム触媒も洗浄除去さ
れ、その結果、無電解めっきを施した場合にＣｕ電極上
にめっき金属の未析出箇所が生じ、所望のめっき皮膜を
形成することができなくなる虞がある。

【００４２】したがって、本実施の形態では、洗浄剤中
のアンモニウムイオン及び塩化物イオンの濃度が２mol
／ｍ^３〜６８００mol／ｍ^３、水素イオン指数ｐＨが５
〜１４となるように洗浄剤を調製している。

【００４３】尚、上記洗浄剤の溶媒としてはイオン交換
水を使用することができ、またアンモニウムイオンや塩
化物イオンの供給源としては、例えばアンモニア水や塩
酸を使用することができるが、本実施の形態では、触媒
付与工程１５が終了した後、水洗工程を省略して直ちに
触媒洗浄工程１６を実行しているため、触媒付与工程１
５で使用される処理液中のパラジウムが洗浄剤中に持ち
込まれ、したがって該洗浄剤にはパラジウムが混入す
る。

【００４４】このため本実施の形態では、洗浄剤中に持
ち込まれるパラジウム濃度の上限を２．０×１０^−３ｗ
ｔ％とし、洗浄剤中のパラジウム濃度が２．０×１０
^−３ｗｔ％を超えた場合は、洗浄剤を新規洗浄剤に交換
するようにしている。

【００４５】すなわち、触媒付与工程１５が終了した
後、直ちに触媒洗浄工程１６に移行した場合、上述した
ように処理液中のパラジウムが洗浄剤中に不可避的に持
ち込まれるが、一連のめっき工程中で前記操作が繰り返
し行われると、洗浄剤中のパラジウム濃度は、最終的に
は、処理液中のパラジウム濃度と略同等になるまで増大
し、その結果、触媒洗浄工程１６は触媒付与工程１５と
略同等の作用を呈することとなる。つまり、斯かる場
合、触媒付与工程１５を２回行なった後、水洗工程１７
を行うのと略同等の作用を呈し、このためＣｕ電極７以
外のセラミック素体６上に多量のパラジウム触媒が付着
した状態で後述する無電解Ｎｉめっきが行われることと
なり、Ｃｕ電極７以外のセラミック素体６上にもめっき
金属の析出が顕著に生じることとなる。

【００４６】そして、このような観点から洗浄剤中のパ
ラジウムの許容濃度について鋭意研究したところ、パラ
ジウム濃度が２．０×１０^−３ｗｔ％以下であれば、上
述した不具合の発生を回避してＣｕ電極７以外のセラミ
ック素体６に付着しているパラジウム触媒のみを効率良
く洗浄・除去できることが判明した。

【００４７】そこで、本実施の形態では、上述したよう
に洗浄剤中に持ち込まれるパラジウム濃度の上限を２．
０×１０^−３ｗｔ％以下とし、洗浄剤中のパラジウム濃
度が２．０×１０^−３ｗｔ％を超えた場合は、洗浄剤を
新規洗浄剤に交換するようにしている。

【００４８】次に、このようにして触媒洗浄工程１６で
触媒洗浄した後、水洗工程１７に進んで水洗処理を行な
い、その後無電解Ｎｉめっき工程１８に進む。

【００４９】無電解Ｎｉめっき工程１８では、リン化合
物としてのホスフィン酸塩を還元剤として含有したＮｉ
めっき液を使用し、自己触媒型の無電解Ｎｉめっきを行
ってＣｕ電極７上に膜厚２μｍ〜５μｍのＮｉ−Ｐ皮膜
８を形成する。

【００５０】尚、ホスフィン酸塩としては、ホスフィン
酸ナトリウム、ホスフィン酸カリウム、ホスフィン酸カ
ルシウム等の可溶性塩を使用することができる。

【００５１】また、Ｎｉめっき液には、上述した還元剤
の他、Ｎｉ^２＋の供給源として各種ニッケル塩、錯化
剤，ｐＨ緩衝剤、安定剤等が適宜添加される。

【００５２】ここで、ニッケル塩としては、水酸化ニッ
ケル、炭酸ニッケル、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ス
ルファミン酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム等を
使用することができる。

【００５３】また、錯化剤は、Ｎｉ^２＋をめっき液中で
存在させてニッケル塩として沈殿するのを防止するため
に添加されるが、斯かる錯化剤としては、クエン酸、乳
酸、酒石酸等のオキシカルボン酸、マロン酸、マイレン
酸、コハク酸、グルタミン酸等のジカルボン酸、酢酸、
グリシン等のモノカルボン酸を使用することができる。

【００５４】また、ｐＨ調整剤は、Ｎｉめっき液中での
水素イオン指数ｐＨが大幅に低下してめっき速度が低下
するのを防止するために添加されるが、斯かるｐＨ緩衝
剤としては、例えばアンモニウム塩を使用することがで
きる。

【００５５】また、安定剤としては、例えば、鉛、ビス
マス、タリウム等の硝酸塩や所定のイオウ化合物の中か
ら選択された１種又は２種以上を使用することができ
る。

【００５６】そして、このようにして無電解Ｎｉめっき
工程１８が終了すると、水洗工程１９を経て希酸処理工
程２０に進み、被めっき物を３vol％〜１０vol％の希硫
酸又は希塩酸に浸漬し、希酸処理を行なう。すなわち、
上述したＮｉ−Ｐ皮膜８の形成後に行われる水洗処理に
よりＮｉ−Ｐ皮膜８が酸化されて表面に酸化物が形成さ
れてしまう虞があり、このため後述する置換Ａｕめっき
でのＡｕ皮膜９との密着性を確保すべく希酸処理を行な
い、前記酸化物を除去する。

【００５７】そして、希酸処理工程２０が終了した後、
水洗工程２１を経て置換Ａｕめっき工程２２に進む。

【００５８】置換Ａｕめっき工程２２では、Ａｕ^＋或い
はＡｕ^３＋を含有しためっき液（Ａｕめっき液）に被め
っき物を浸漬して置換型の無電解Ａｕめっき（置換Ａｕ
めっき）を施し、Ｎｉ−Ｐ皮膜８上にＡｕ皮膜９を形成
する。

【００５９】すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜８が形成された被
めっき物をＡｕめっき液に浸漬すると、電気化学的に卑
な金属であるＮｉが溶出して電子（ｅ⁻）を放出し、該
放出された電子（ｅ⁻）によって貴なＡｕ^＋或いはＡｕ
^３＋が還元され、ＡｕがＮｉ−Ｐ皮膜８上に析出し、こ
れにより膜厚０．０５μｍ〜０．２μｍのＡｕ皮膜９が
Ｎｉ−Ｐ皮膜８上に形成される。

【００６０】尚、Ａｕめっき液のＡｕ^＋或いはＡｕ^３＋
の供給源としては、塩化金ナトリウムや亜硫酸金ナトリ
ウム、或いはシアン化金カリウムなどの金塩を使用する
ことができ、またＡｕめっき液には、前記金塩の他、シ
アン化ナトリウムや亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸などの
錯化剤、その他の添加剤が含有され、水素イオン指数ｐ
Ｈが３〜１３に調製されている。

【００６１】そしてこの後、水洗工程２３で水洗処理を
行ない、これにより電子部品としてのセラミック多層基
板が製造される。

【００６２】このように本実施の形態では、触媒付与工
程１５後の水洗工程を廃して直ちに触媒洗浄工程１６に
進んで触媒洗浄処理を行っているので、水洗処理に伴う
パラジウム触媒の触媒活性度の低下を阻止することがで
き、また、セラミック素体６に直接付着しているパラジ
ウム触媒のコロイド化を招来することもなく被めっき物
を前記洗浄剤と接触させて触媒洗浄を行うことができ、
これによりセラミック素体６に付着しているパラジウム
触媒のみを容易に除去することができる。したがって、
Ｃｕ電極７が複雑な形状パターンを有する場合であって
も、斯かる形状パターンからはみ出ることなくＣｕ電極
７の表面全域に所望のめっき皮膜を形成することがで
き、したがって外部導体４同士が短絡したり、マイグレ
ーション等が生じることのない高品質で信頼性の高い電
子部品としてのセラミック多層基板を容易に得ることが
できる。

【００６３】尚、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではない。上記実施の形態では触媒洗浄工程１６で
は洗浄剤としてアンモニウムイオン及び塩化物イオンを
含有したイオン交換水を使用しているが、被めっき物を
希塩酸や希硫酸等の希酸水溶液を使用することも可能で
ある。但し、この場合、パラジウム触媒を希酸水溶液で
溶解させることによってセラミック素体６に直接付着し
ているパラジウム触媒を洗浄・除去しているため、アン
モニウムイオン及び塩化物イオンを含有した洗浄剤に比
べて処理時間を長くする必要があり（例えば、１０分以
上）、この点では処理時間の制御が必要となる。

【００６４】尚、希酸水溶液の濃度は、１〜２０vol
％、好ましくは３〜１０vol％が望ましい。

【００６５】すなわち、希酸水溶液の濃度が１vol％未
満になると濃度が低すぎるため、十分な洗浄効果を期待
することができず、一方、希酸水溶液の濃度が２０vol
％を超えると濃度が高いため洗浄能力が強くなりすぎ、
Ｃｕ電極７上のパラジウム触媒の溶解をも促進する虞が
ある。

【００６６】また、上記実施の形態では、Ｃｕ電極７上
にＮｉ−Ｐ皮膜８を形成しているが、ジメチルアミンボ
ランやテトラヒドロホウ酸ナトリウム等のホウ素化合物
を還元剤とする無電解Ｎｉめっきを施し、Ｃｕ電極７上
にＮｉ−Ｂ皮膜を形成するのも好ましい。

【００６７】また、本実施の形態では、無電解めっきに
より析出するめっき金属としてＮｉの場合について詳述
したが、本発明はパラジウムを触媒核とする全ての無電
解めっきに適用可能であり、例えばＣｏ、Ｃｕ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ａ
ｕ等の金属を単独で析出させる場合や、Ｎ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｔｌ等を含有した
合金を析出させる場合にも適用することのできるのはい
うまでもない。

【００６８】さらに、上記実施の形態では、Ａｕ皮膜９
を置換Ａｕめっきのみで形成しているが、該置換Ａｕめ
っき後に自己触媒型の無電解めっきを施して膜厚０．２
μｍ〜１μｍの厚膜のＡｕ皮膜を形成するのも自由であ
る。

【００６９】

【実施例】〔第１の実施例〕（実施例１）本発明者らは、図４及び図５に示すよう
に、縦５ｍｍ、横４ｍｍの多数の子基板２５が縦横に配
設されてなる縦１００ｍｍ、横１００ｍｍのセラミック
基板２４（親基板）を用意し、電極間最小距離が１００
μｍとなるように膜厚１０μｍからなる所定パターン
（図５参照）のＣｕ電極２６を形成し、該セラミック基
板２４を被めっき物として無電解Ｎｉめっきを施した。

【００７０】すなわち、まず、脱脂液として奥野製薬社
製ＩＣＰクリーン９１を使用して被めっき物に脱脂処理
を行ない、水洗した後、奥野製薬社製ＯＰＣ−４００ソ
フトエッチを使用して該被めっき物にエッチング処理を
行なって表面形状を微調整すると共に、スマットを除去
し、この後水洗した。

【００７１】次に、パラジウム濃度が約５．０×１０
^−３ｗｔ％となるように塩酸−塩化パラジウムの混合溶
液を調製して処理液を作製し、次いで、前記セラミック
基板２４を処理液に０．５〜１０分間浸漬してセラミッ
ク基板２４にパラジウム触媒を付与した。

【００７２】そしてこの後、イオン交換水を溶媒とする
と共に、１０００mol／ｍ^３のアンモニウムイオン及び
塩化物イオンを含有し、且つアンモニア水により水素イ
オン指数ｐＨを９．０に調製された洗浄剤を作製した。
そして、前記パラジウム触媒が付与されたセラミック基
板２４に対し、水洗処理を行なうことなく前記パラジウ
ム触媒洗浄剤に室温で１分間浸漬し、その後水洗した。

【００７３】次に、還元剤としてのホスフィン酸ナトリ
ウムを含有した奥野製薬社製「ＩＣＰニコロンＧＭ」を
Ｎｉめっき液として使用し、無電解Ｎｉめっきを施して
実施例１の試験片を作製した。

【００７４】（実施例２）３vol％の塩酸を含有し、水
素イオン指数ｐＨが０．３となるように調製された希塩
酸を洗浄剤として使用し、実施例１と同様、触媒付与
後、水洗処理を行なうことなく直ちに触媒洗浄処理を行
ない、その後水洗処理を経て無電解Ｎｉめっきを施し、
実施例２の試験片を作製した。

【００７５】（実施例３）３vol％の硫酸を含有し、水
素イオン指数ｐＨが０．３となるように調製された希硫
酸を洗浄剤として使用し、実施例１と同様、触媒付与
後、水洗処理を行なうことなく直ちに触媒洗浄処理を行
ない、その後水洗処理を経て無電解Ｎｉめっきを施し、
実施例３の試験片を作製した。

【００７６】（比較例１）実施例１と同様の処理液及び
洗浄剤を使用し、表面にＣｕ電極２６が形成されたセラ
ミック基板２４に対して触媒付与処理を行った後、水洗
処理を行ない、その後触媒洗浄処理を行ない、次いで水
洗処理を経て無電解Ｎｉめっきを施し、比較例１の試験
片を作製した。

【００７７】（比較例２）実施例２と同様の処理液及び
洗浄剤を使用し、表面にＣｕ電極２６が形成されたセラ
ミック基板２４に対して触媒付与処理を行った後、水洗
処理を行ない、その後触媒洗浄処理を行ない、次いで水
洗処理を経て無電解Ｎｉめっきを施し、比較例２の試験
片を作製した。

【００７８】（比較例３）実施例３と同様の処理液及び
洗浄剤を使用し、表面にＣｕ電極２６が形成されたセラ
ミック基板２４に対して触媒付与処理を行った後、水洗
処理を行ない、その後触媒洗浄処理を行ない、次いで水
洗処理を経て無電解Ｎｉめっきを施し、比較例３の試験
片を作製した。

【００７９】そして、各実施例及び比較例について、Ｎ
ｉ−Ｐ皮膜がＣｕ電極２６上に析出していないパターン
内未析出数の個数、及びＣｕ電極２６以外のセラミック
基板２４上にＮｉ−Ｐ皮膜が析出したパターン外析出数
の個数を測定した。

【００８０】表１はその測定結果を示している。

【００８１】

【表１】この表１から明らかなように比較例１〜３は、触媒付与
処理後に水洗処理を行なっているため、パターン外に付
着しているパラジウム触媒がコロイド化し、このためセ
ラミック基板２４との密着性が上昇して前記パラジウム
触媒がセラミック基板２４から容易には除去されず、短
時間の処理時間では多量のパターン外析出が確認され
た。また、処理時間を長くするとパラジウムの溶解が進
行するため、パターン外析出数の個数は減少するが、一
方、Ｃｕ電極２６上のパラジウム触媒も洗浄処理によっ
て除去され易くなり、その結果無電解Ｎｉめっきを施し
た場合にパターン内未析出箇所の発生が認められ、特に
比較例２では処理時間が５分間程度でもパターン内未析
出箇所の生じることが確認された。

【００８２】このように比較例１〜３では、パターン内
未析出数及びパターン外析出数の双方を「０」にするこ
とが困難であることが確認された。

【００８３】これに対して実施例１は、触媒付与後、水
洗処理を行なうことなく、直ちに触媒洗浄処理を行なっ
ているので、触媒活性度の低下やパラジウム触媒のコロ
イド化を招くこともなく、したがってＣｕ電極２６上に
強固に付着しているパラジウム触媒が該Ｃｕ電極２６か
ら除去されることもなく、セラミック基板２４上に物理
吸着しているパラジウムのみがセラミック基板２４上か
ら容易に洗浄・除去され、これによりパターン内未析出
数及びパターン外析出数を共に「０」とすることのでき
ることが確認された。

【００８４】また、実施例２及び実施例３は、洗浄剤と
して希塩酸又は希硫酸を使用しているため、短時間の触
媒洗浄処理ではパターン外析出が生じたが、触媒洗浄処
理を１０分間程度行なうことによりパターン内未析出数
及びパターン外析出数を共に「０」とすることができ、
したがって処理時間を制御することにより良好な結果が
得られることが確認された。

【００８５】〔第２の実施例〕本発明者らは、パラジウ
ム濃度が５．０×１０^−３ｗｔ％となるように調製され
た処理液を作製した後、上記第１の実施例と同様の被め
っき物を前記処理液に３分間浸漬して被めっき物にパラ
ジウム触媒を付与し、その後、水洗処理を行なうことな
く、直ちに洗浄剤を使用して触媒洗浄処理を行なった。

【００８６】ここで、触媒洗浄処理は、アンモニウムイ
オン濃度が５０００mol／ｍ^３、水素イオン指数ｐＨが
９．０〜１１．０に調製され、且つパラジウム濃度が
２．０×１０^−３ｗｔ％となるように調製された塩化パ
ラジウムと塩酸との混合溶液が添加された洗浄剤を使用
して行った。

【００８７】そしてその後、上記第１の実施例と同様、
水洗処理を行なった後、還元剤としてのホスフィン酸ナ
トリウムを含有した奥野製薬社製「ＩＣＰニコロンＧ
Ｍ」をＮｉめっき液として使用し、無電解Ｎｉめっきを
施してパターン内未析出数及びパターン外析出数の個数
を測定した（実施例１１〜１２）。

【００８８】表２はその測定結果を示している。

【００８９】

【表２】この表２から明らかなようにパターン内未析出数及びパ
ターン外析出数は共に「０」とすることができ、したが
ってパラジウム濃度が２．０×１０^−３ｗｔ％まで増加
しても、所望のめっき処理を行なうことのできることが
確認された。

【００９０】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る電子部
品のめっき方法は、導電部が形成された部品素体を被め
っき物とし、前記被めっき物にパラジウム触媒を付与し
た後、無電解めっきを施す電子部品のめっき方法におい
て、前記被めっき物に前記パラジウム触媒を付与した
後、直ちに所定の洗浄剤を使用して前記被めっき物に洗
浄処理を施し、この後前記無電解めっきを施し、具体的
には前記パラジウム触媒を付与した後、水洗処理を施す
ことなく前記洗浄処理を施しているので、パラジウム触
媒の触媒活性度の低下を阻止することができ、また、非
めっき対象部位である部品素体に付着したパラジウム触
媒のコロイド化を招来することもなく、前記部品素体に
付着しているパラジウム触媒を容易に除去することがで
きる。そしてこれにより、導電部が複雑な形状パターン
を有する場合であってもめっき金属が形状パターンから
はみ出ることなく導電部上にのみ所望のめっき皮膜を形
成することが可能となる。

【００９１】また、前記洗浄剤が少なくともアンモニウ
ムイオンを含有することにより、被めっき物上に物理吸
着しているパラジウムはアンモニウムイオンと容易に配
位化合物を形成して被めっき物上から除去することがで
き、これにより表層面に置換している導電部上のパラジ
ウム触媒が除去されることなく、導電部以外の部品素体
上に物理吸着しているパラジウム触媒のみを選択的に洗
浄・除去することができる。

【００９２】また、前記洗浄剤は、さらに塩化物イオン
を含有することにより、配位化合物の形成を促進するこ
とができ、これにより、導電部以外の部品素体上に物理
吸着しているパラジウム触媒のみを、より効果的に洗浄
・除去することができる。

【００９３】また、前記洗浄剤は１〜２０vol％の希酸
水溶液からなり、前記被めっき物を前記希酸溶液に所定
時間浸漬させて前記洗浄処理を施すことによっても所望
部位のみへのめっき皮膜形成を行うことができる。

【００９４】また、本発明はめっき方法では、前記パラ
ジウム触媒が付与された被めっき物に洗浄処理を施す際
に前記洗浄剤に持ち込まれるパラジウム濃度は、２．０
×１０^−３ｗｔ％以下であるので、導電部以外の部品素
体上に多量のパラジウム触媒が付着した状態で無電解め
っきが施されることもなく、前記部品素体に直接付着し
ているパラジウム触媒のみを効率良く洗浄・除去でき
る。

【００９５】また、本発明に係る電子部品は、上記めっ
き方法を使用して製造されているので、導電部が複雑な
形状パターンを有する場合であっても導電部上にのみ所
望のめっき皮膜を形成することができ、導体同士が短絡
したりマイグレーション等が生じることのない高品質で
信頼性の高い電子部品を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るめっき方法で製造された電子部品
の一実施の形態を示す断面図である。

【図２】上記電子部品の要部拡大断面図である。

【図３】本発明に係る電子部品のめっき方法の処理手順
を示すめっき工程図である。

【図４】本発明の実施例に使用したセラミック基板を模
式的に示した平面図である。

【図５】図４のＡ部拡大図である。

【図６】電子部品のめっき方法の処理手順を示す従来の
めっき工程図である。

【符号の説明】

６セラミック素体（部品素体）７Ｃｕ電極（導電部）１５触媒付与工程１６触媒洗浄工程

フロントページの続きＦターム(参考） 4K022 AA04 AA05 BA03 BA06 BA07 BA08 BA09 BA11 BA12 BA13 BA18 BA24 BA25 CA03 CA06 DA03 DB02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電部が形成された部品素体を被めっき
物とし、該被めっき物にパラジウム触媒を付与した後、
無電解めっきを施す電子部品のめっき方法において、前記被めっき物に前記パラジウム触媒を付与した後、直
ちに所定の洗浄剤を使用して前記被めっき物に洗浄処理
を施し、この後前記無電解めっきを施すことを特徴とす
る電子部品のめっき方法。
【請求項２】前記パラジウム触媒を付与した後、水洗
処理を施すことなく前記洗浄処理を施すことを特徴とす
る請求項１記載の電子部品のめっき方法。
【請求項３】前記洗浄剤は、少なくともアンモニウム
イオンを含有していることを特徴とする請求項１又は請
求項２記載の電子部品のめっき方法。
【請求項４】前記洗浄剤は、塩化物イオンを含有して
いることを特徴とする請求項３記載の電子部品のめっき
方法。
【請求項５】前記洗浄剤は希酸水溶液からなり、前記
被めっき物を前記希酸溶液に所定時間浸漬させて前記洗
浄処理を施すことを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の電子部品のめっき方法。
【請求項６】前記希酸水溶液は、体積％で１〜２０％
となるように酸性溶液を水で希釈していることを特徴と
する請求項５記載の電子部品のめっき方法。
【請求項７】前記パラジウム触媒が付与された被めっ
き物に洗浄処理を施す際に前記洗浄剤に持ち込まれるパ
ラジウム濃度は、重量％で２．０×１０^−３％以下であ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに
記載の電子部品のめっき方法。
【請求項８】請求項１乃至請求項７のいずれかに記載
の電子部品のめっき方法を使用して製造されていること
を特徴とする電子部品。