JP2009179845A - 無電解めっき方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の無電解めっき方法は、ガラスセラミックからなる絶縁基材と金属焼結体配線パターンとから構成されるガラスセラミック配線基板において、金属焼結体配線パターンの表面に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する無電解ニッケルめっき工程と、無電解ニッケルめっき皮膜上に置換型無電解金めっき皮膜を形成する置換型無電解金めっき工程と、置換型無電解金めっき皮膜上に還元型無電解金めっき皮膜を形成する還元型無電解金めっき工程とを含む無電解めっき方法であって、上記無電解ニッケルめっき工程と置換型無電解金めっき工程との間、または上記置換型無電解金めっき工程と還元型無電解金めっき工程との間にガラスエッチング処理工程を含むことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
上記無電解ニッケルめっき工程は、金属焼結体配線パターンの表面に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する工程である。この工程に用いる無電解ニッケルめっき液は、無電解ニッケルめっきのための従来公知のめっき液が使用できる。例えば、金属塩として2wt%の硫酸ニッケル、還元剤として2wt%の次亜リン酸ナトリウム、錯化剤として10wt%のクエン酸、リンゴ酸、コハク酸等を含み、硫酸または水酸化ナトリウムを用いてpHを4.5に調整しためっき液等が使用できる。本発明において特に断らない限りwt%は、調整した溶液全体に対する値をいう。
上記置換型無電解金めっき工程は、上記無電解ニッケルめっき工程において形成された無電解ニッケルめっき皮膜上に置換型無電解金めっき皮膜を形成する工程である。置換型無電解金めっき皮膜の形成に用いる置換型無電解金めっき液は、従来から用いられている、シアン系、亜硫酸金系の金めっき液が使用できる。シアン系の置換型無電解金めっき液の組成の一例を示せば、金属塩としてシアン化金カリウム、錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸、クエン酸等、およびpH調整剤等を含むめっき液であり、亜硫酸金系のめっき液としては、金属塩として亜硫酸金ナトリウム等、錯化剤として亜硫酸ナトリウム、エチレンジアミン等を含むめっき液を使用できる。ガラスセラミック配線基板の置換型無電解金めっき液への浸漬時間と液温については、所望の膜厚の置換金めっき皮膜を得ることができるように、適宜設定することができ、例えばシアン系の置換型無電解金めっき液を使用した場合、液温90℃、めっき時間10分とすることで、0.05μmの置換型金めっき皮膜を得ることができる。
上記還元型無電解金めっき工程は、上記置換型無電解金めっき皮膜上に還元型無電解金めっき皮膜を形成する工程である。還元型無電解金めっき皮膜の形成に用いられる還元型無電解金めっき液は、従来から用いられている、シアン系、亜硫酸金系の金めっき液が使用できる。シアン系の還元型無電解金めっき液としては、例えば金の供給源としてシアン化金カリウム、錯化剤としてシアン化カリウム等、還元剤として水酸化ナトリウム、ジメチルアミンボラン等を含み、pHを13に調整しためっき液や、還元型亜硫酸金めっき液としては、金の供給源として亜硫酸金ナトリウム、錯化剤として亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、還元剤としてアスコルビン酸等を含み、pH7に調製しためっき液等が使用できる。LTCC基板の還元型無電解金めっき液の浸漬時間と液温については、所望の膜厚の無電解金めっき皮膜を得ることができるよう、適宜設定することができ、例えばシアン系の還元型無電解金めっき液を使用した場合、液温80℃、めっき時間30分とすることで、0.7μmの厚付け無電解金めっき皮膜を得ることができる。なお、通常、還元型無電解金めっき皮膜は、置換型無電解金めっき皮膜よりも厚く形成することができ、たとえば0.1μm〜1.0μmとすることができる。
本発明は、上記無電解ニッケルめっき工程と置換型無電解金めっき工程との間、または上記置換型無電解金めっき工程と還元型無電解金めっき工程との間にガラスセラミックスに含まれるガラス成分をエッチングするガラスエッチング処理工程を含むことを特徴とする。
本発明の無電解めっき方法は、これらの工程以外に、たとえば無電解ニッケルめっき工程の前に、上記配線基板に公知の脱脂・活性化処理工程として、配線パターン表面の酸化膜等を除去する工程や、無電解ニッケルめっき工程において公知の触媒形成工程などを適宜含むことができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。実施の形態1の工程のフローチャートを図1に示す。
実施の形態2の工程のフローチャートを図2に示す。
幅30mm、長さ30mm、厚さ1mmのガラスセラミックからなる絶縁基材と銀を主成分とする金属焼結体で構成されたLTCC基板を上記実施の形態1において説明した方法で脱脂・活性化処理工程、およびパラジウム付与の触媒形成工程を行なった。脱脂・活性化処理工程においては、NNPクリーナ(奥野製薬工業(株)製)を使用し、その後、純水に上記基板を浸漬し1分間放置した後、取り出し、パラジウム触媒液NNPアクセラ(奥野製薬工業(株)製)に1分間浸漬した。その後、純水に1分間浸漬し放置する洗浄工程を施し、前処理工程とした。
(実施例7〜12:実施の態様2)
上記実施例1〜6と同じLTCC基板を用いて、実施例1と同様に脱脂・活性化処理、パラジウム付与などの前処理工程を施した。その後、上記実施の態様2に従い、無電解ニッケルめっき工程、置換型無電解金めっき工程を実施した。置換型無電解金めっき工程後、上記純水に夜洗浄工程を1分間行ない、上記実施の形態2に従ってガラスエッチング処理を実施した。ガラスエッチング処理はエッチング液、液温、処理時間、超音波処理の有無、超音波処理時間を表1に示す条件で行なった。次に上記実施の形態2において説明した還元型無電解金めっき方法に従って無電解金めっき皮膜を形成した。各工程において用いた試薬は、実施例1と同様とした。
上記実施例1〜12と同じLTCC基板を用いて、無電解めっきを行なった。実施例との相違はガラスエッチング処理工程を省略したことであり、他は実施例と全く同じ条件である。
Claims (5)
- ガラスセラミックからなる絶縁基材と金属焼結体配線パターンとから構成されるガラスセラミック配線基板において、前記金属焼結体配線パターンの表面に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する無電解ニッケルめっき工程と、
前記無電解ニッケルめっき皮膜上に置換型無電解金めっき皮膜を形成する置換型無電解金めっき工程と、
前記置換型無電解金めっき皮膜上に還元型無電解金めっき皮膜を形成する還元型無電解金めっき工程と
を含む無電解めっき方法であって、
前記無電解ニッケルめっき工程と前記置換型無電解金めっき工程との間、または前記置換型無電解金めっき工程と前記還元型無電解金めっき工程との間にガラスセラミックスに含まれるガラス成分をエッチングするガラスエッチング処理工程を含む無電解めっき方法。 - 前記ガラスエッチング処理工程は、無機酸、フッ化物、アルカリ金属水酸化物のいずれかを含むガラスエッチング処理液を用いて行なう工程である請求項1に記載の無電解めっき方法。
- 前記無機酸は、塩酸または硫酸である請求項2に記載の無電解めっき方法。
- 前記フッ化物は、フッ化水素酸またはフッ化アンモニウムである請求項2に記載の無電解めっき方法。
- 前記アルカリ金属水酸化物は、水酸化ナトリウムである請求項2に記載の無電解めっき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008019240A JP5135617B2 (ja) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 無電解めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2008019240A JP5135617B2 (ja) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 無電解めっき方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009179845A true JP2009179845A (ja) | 2009-08-13 |
JP5135617B2 JP5135617B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=41034046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008019240A Expired - Fee Related JP5135617B2 (ja) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 無電解めっき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5135617B2 (ja) |
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2008
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A621 | Written request for application examination |
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