JP2005194561A - めっき方法、及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】置換Ａｕめっきを行った後に還元Ａｕめっきを行っても、Ａｕが容器にめっき付着したり被めっき物に異常析出をするのを抑制することができ、また還元Ａｕめっき液が浴分解するのを抑制する。
【解決手段】置換Ａｕめっき工程２１で被めっき物に置換Ａｕめっきを施して第１のＡｕ皮膜を形成した後、洗浄工程２２で少なくとも水温４０℃以上、還元Ａｕめっき液が非シアン系の場合は、水温５０℃以上、好ましくは６０℃以上の水を使用して洗浄処理を行う。次いで、還元Ａｕめっき工程２３で被めっき物に還元Ａｕめっきを施し、第２のＡｕ皮膜を形成する。
【選択図】 図３

Description

本発明はめっき方法、及び電子部品の製造方法に関し、より詳しくはＮｉ皮膜等で形成された下地金属上にＡｕ皮膜を形成するめっき方法、及びこのめっき方法を使用したセラミック多層基板等の電子部品の製造方法に関する。

従来より、セラミック多層基板やプリント基板等の表面に配線パターンが形成された電子部品では、はんだに含有されるスズが下地電極であるＣｕ電極上に拡散して信頼性低下を招いたりＣｕ自体の酸化を防ぐために、Ｎｉめっきを施してＣｕ電極上にＮｉ皮膜を形成し、さらにＡｕめっきを施して前記Ｎｉ皮膜上にＡｕ皮膜を形成し、これにより良好なはんだ濡れ性を得ている。

また、この種の電子部品では、小形化、高密度化の要請から配線パターンの形状も複雑化してきており、このため上記Ｎｉ皮膜及びＡｕ皮膜は電流分布の影響を受けることのない無電解めっきで形成されるのが一般的である。

ところで、前記無電解めっき法には、還元剤を含有しためっき液に被めっき物を浸漬し、還元剤の酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用する還元型めっき（「自己触媒型めっき」ともいう）と、溶液中の金属イオンと下地金属間で生じる置換反応を利用した置換型めっきとがある。

そして、前記Ａｕ皮膜を形成する場合は、通常、置換型めっきを行ってＮｉ皮膜の表面に薄膜の第１のＡｕ皮膜を形成した後、還元型めっきを行って第２のＡｕ皮膜を形成し、これにより厚膜のＡｕ皮膜を得ている。

そして、従来の無電解Ａｕめっき液には人体に有害なシアン化合物が含有されていたため、作業性が悪く、このため環境保全上の理由から、近年では、シアン化合物を含有しない非シアン系の無電解Ａｕめっき液が使用されることも多くなってきている。

また、めっき工程には、脱脂工程、エッチング工程、触媒付与工程、無電解Ｎｉめっき工程、置換Ａｕめっき工程、還元Ａｕめっき工程等の各種工程が存在するが、各工程に使用される処理液が次工程に持ち込まれるのを回避するために、各工程間には洗浄工程が介在しており、各洗浄工程では常温（２０〜２５℃）の純水を使用して洗浄処理を行っている（例えば、非特許文献１参照）。

したがって、置換Ａｕめっき工程が終了した後も洗浄工程で純水洗浄が行われ、その後還元Ａｕめっき工程で還元Ａｕめっきが行われる。

古藤田哲哉著「貴金属めっき」槙書店１９９２年７月３０日 ｐ．９８

しかしながら、非特許文献１に記載されているような従来のめっき方法では、置換Ａｕめっき工程後も常温で純水洗浄しているため、被めっき物や該被めっき物を収容した容器に付着したＡｕ塩を十分に除去することが困難であった。このため、還元Ａｕめっき工程では置換Ａｕめっき工程から持ち込まれたＡｕ塩が還元されてＡｕが析出し、しかもＡｕの析出が自己触媒的に増大して異常析出し、セラミック素体等の本来めっきされるべき部位以外の部位にもＡｕが析出するという問題点があった。

また、還元Ａｕめっき液は不純物の影響を受け易く、このため洗浄が十分に行われずに置換めっき中のＡｕ塩以外の他の成分、例えば、Ｎｉ隠蔽剤、界面活性剤等が還元Ａｕめっき液に混入すると、浴分解が生じ易くなるという問題点があった。そしてこれは、特に還元Ａｕめっき液が非シアン系Ａｕめっき液の場合に顕著であった。

本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、置換Ａｕめっきを行った後に還元Ａｕめっきを行っても、Ａｕが容器にめっき付着したり被めっき物に異常析出をするのを抑制することができ、また還元Ａｕめっき液が浴分解するのを抑制することができるめっき方法、及びこのめっき方法を使用した電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は上記目的を達成するために鋭意研究したところ、置換Ａｕめっきを行った後の洗浄処理を少なくとも水温４０℃以上の水で行うことにより、その後還元Ａｕめっきを行っても、被めっき物を収容した容器にめっき付着するのを抑制することができ、しかもＡｕめっき液がシアン系の場合は被めっき物へのＡｕの異常析出や還元Ａｕめっき液の浴分解も抑制することができるという知見を得た。

本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るめっき方法は、下地金属が形成された被めっき物を第１のＡｕめっき液に浸漬し、前記下地金属との間で置換反応を生じさせて前記下地金属上に第１のＡｕ皮膜を形成する置換めっき工程と、前記第１のＡｕ皮膜が形成された被めっき物を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄された被めっき物を還元剤が含有された第２のＡｕめっき液に浸漬し、前記第１のＡｕ皮膜上に第２のＡｕ皮膜を形成する還元めっき工程とを含むめっき方法において、前記洗浄工程は、前記被めっき物を水温４０℃以上の水で洗浄することを特徴としている。

また、本発明者がさらに鋭意研究を重ねたところ、Ａｕめっき液が非シアン系の場合は、水温５０℃以上の水で洗浄することにより、還元Ａｕめっき後の被めっき物へのＡｕの異常析出も抑制できることが判明した。

すなわち、本発明のめっき方法は、前記第１及び第２のＡｕめっき液はシアン系化合物を含有しない非シアン系Ａｕめっき液を使用し、前記洗浄工程は、前記被めっき物を水温５０℃以上の水で洗浄することを特徴としている。

さらに、本発明者の研究結果により、Ａｕめっき液が非シアン系の場合は、水温６０℃以上の水で洗浄することにより、還元Ａｕめっき液の浴分解も抑制できることが分った。

すなわち、本発明のめっき方法は、前記洗浄工程は、前記被めっき物を水温６０℃以上の水で洗浄することを特徴としている。

また、本発明のめっき方法は、前記下地金属はニッケルを主成分とすることを特徴としている。

さらに、本発明に係る電子部品の製造方法は、表面に導電部が形成された部品素体を被めっき物とし、上述しためっき方法を使用して前記被めっき物にめっき処理を施し、電子部品を製造することを特徴としている。

上記めっき方法によれば、置換Ａｕめっき工程後の洗浄工程を水温４０℃以上の水で洗浄しているので、容器へのめっき付着を抑制することができ、Ａｕめっき液がシアン系の場合は被めっき物へのＡｕの異常析出や還元Ａｕめっき液の浴分解をも抑制することができ、所望のＡｕ皮膜を下地金属上に安定的に形成することができる。

また、Ａｕめっき液が非シアン系の場合は、置換Ａｕめっき工程後の洗浄工程を水温５０℃以上の水で洗浄することにより、被めっき物へのＡｕの異常析出を抑制することができ、さらに前記洗浄工程を水温６０℃以上の水で洗浄することにより、還元Ａｕめっき液の浴分解を抑制することができる。

また、下地金属がＮｉを主成分とすることにより、Ｎｉ系皮膜の表面に所望膜厚のＡｕ皮膜を容易に形成することができ、セラミック多層基板やプリント基板等の電子部品に好適なめっき方法を実現することが可能となる。

また、上記電子部品の製造方法によれば、表面に導電部が形成された部品素体を被めっき物とし、上述しためっき方法を使用して前記被めっき物にめっき処理を施し、電子部品を製造しているので、Ａｕ皮膜が部品素体に異常析出することもなく、信頼性に優れた電子部品を高効率で容易に製造することができる。

次に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳説する。

図１は本めっき方法で製造された電子部品としてのセラミック多層基板の一実施の形態を示す断面図であって、該セラミック多層基板は、複数のセラミックシート（第１〜第５のセラミックシート１ａ〜１ｅ）が積層されてセラミック素体６を形成している。

また、セラミック素体６の表面には外部導体４（４ａ〜４ｃ）が形成されると共に、該セラミック素体６の内部には所定パターンの内部導体３（３ａ〜３ｈ）が埋設されており、ビアホール５（５ａ〜５ｋ）を介して各内部導体３間、又は内部導体３と外部導体４とが電気的に接続されている。そして、本実施の形態では、第４のセラミックシート１ｄを介して内部導体３ｇと内部導体３ｅとが対向状に配されてコンデンサ部を形成し、外部導体４ｃ及び内部導体３ｈ、３ｆ、３ｄ、３ｂがビアホール５ｋ、５ｇ、５ｅ、５ｃを介して電気的に接続されインダクタ部を形成している。

また、外部導体４は、図２に示すように、下地電極としてのＣｕ電極７の表面にＮｉ−Ｐ皮膜８が形成され、さらにＮｉ−Ｐ皮膜８の表面に第１のＡｕ皮膜９が形成され、かつ第１のＡｕ皮膜９の表面に第２のＡｕ皮膜１０が形成されている。

そして、該セラミック多層基板は、ドクターブレード法等で所定寸法のセラミックシート１ａ〜１ｅを作製した後、Ｃｕを主成分とした導電性ペーストを使用して所定パターンの内部導体３ａ〜３ｈをスクリーン印刷し、次いで、これらセラミックシート１ａ〜１ｅを積層・圧着した後、焼成処理を施し、その後セラミック素体６の表面にＣｕを主成分とした導電性ペーストを塗布・焼付けて所定パターンのＣｕ電極７を形成する。そしてしかる後、Ｃｕ電極７が形成されたセラミック素体６を被めっき物として無電解めっきを施し、Ｃｕ電極７上にＮｉ−Ｐ皮膜８及び第１及び第２のＡｕ皮膜９、１０を順次形成し、これにより前記セラミック多層基板が製造される。

図３は、本めっき方法の処理手順を示すめっき工程図である。

まず、脱脂工程１１では、被めっき物から有機物質や無機物質による汚染を除去するため、酸性脱脂液やアルカリ性脱脂液等を使用して被めっき物に脱脂処理を施し、続く洗浄工程１２では常温（２０〜２５℃）の水で洗浄処理を行なう。

次に、エッチング工程１３では、被めっき物を所定のエッチング液に浸漬してＣｕ電極７の表面に形成されている酸化物をエッチング除去し、まためっき皮膜との密着性を向上させるために表面形状を適度に平滑化或いは粗化等して表面形状の微調整を行い、次いで洗浄工程１４では常温の水で洗浄処理を行なう。

ここで、エッチング液としては、過酸化水素系溶液や過硫酸アンモニウム系溶液を使用することができる。

次に、触媒付与工程１５では、塩酸と塩化パラジウムとの混合溶液（パラジウム濃度：約５．０×１０^−３ｗｔ％）をパラジウム触媒化処理液として使用し、被めっき物を前記パラジウム触媒化処理液に所定時間（例えば、０．５分〜１０分）浸漬し、被めっき物の表面にパラジウム触媒を付与する。すなわち、無電解めっき反応を進行させるためには電極材料であるＣｕが還元剤の酸化反応に対し触媒活性である必要があるが、Ｃｕは、一般に、リン化合物等の還元剤の酸化反応に対し触媒活性度が低く、このため、Ｃｕ電極７にパラジウム触媒を付与し、活性化する。

次に、洗浄工程１６では常温の水で洗浄処理を行ない、その後無電解Ｎｉめっき工程１７に進む。

無電解Ｎｉめっき工程１７では、還元剤としてホスフィン酸塩等のリン化合物を含有したＮｉめっき液を使用し、還元型Ｎｉめっきを行ってＣｕ電極７上に膜厚２μｍ〜５μｍのＮｉ−Ｐ皮膜８を形成する。

尚、ホスフィン酸塩としては、ホスフィン酸ナトリウム、ホスフィン酸カリウム、ホスフィン酸カルシウム等の可溶性塩を使用することができる。

また、Ｎｉめっき液には、上述した還元剤の他、Ｎｉ^２＋の供給源として各種Ｎｉ塩、錯化剤，ｐＨ緩衝剤、安定剤等が適宜添加される。

ここで、Ｎｉ塩としては、水酸化ニッケル、炭酸ニッケル、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム等を使用することができる。

また、錯化剤は、Ｎｉ^２＋をめっき液中で存在させてＮｉ塩として沈殿するのを防止するために添加されるが、斯かる錯化剤としては、クエン酸、乳酸、酒石酸等のオキシカルボン酸、マロン酸、マイレン酸、コハク酸、グルタミン酸等のジカルボン酸、酢酸、グリシン等のモノカルボン酸を使用することができる。

また、ｐＨ緩衝剤は、Ｎｉめっき液中での水素イオン指数ｐＨが大幅に低下してめっき速度が低下するのを防止するために添加されるが、斯かるｐＨ緩衝剤としては、例えばアンモニウム塩を使用することができる。

また、安定剤としては、例えば、鉛、ビスマス、タリウム等の硝酸塩や所定のイオウ化合物の中から選択された１種又は２種以上を使用することができる。

そして、このようにして無電解Ｎｉめっき工程１７が終了すると、洗浄工程１８に進み、常温の水で洗浄処理を行う。そして続く、希酸処理工程１９では被めっき物を３vol％〜１０vol％の希硫酸又は希塩酸に浸漬し、希酸処理を行なう。すなわち、上述したＮｉ−Ｐ皮膜８の形成後に行われる洗浄処理によりＮｉ−Ｐ皮膜８が酸化されて表面に酸化物が形成されてしまうおそれがあり、このため後述する置換Ａｕめっきでの第１のＡｕ皮膜９との密着性を確保すべく希酸処理を行ない、前記酸化物を除去する。尚、Ｎｉめっき後の水洗時間が短い場合（３分以下）は、希酸処理は行わなくてもよい。

そして、希酸処理工程１９が終了した後、洗浄工程２０では常温の水で洗浄処理を行い、その後置換Ａｕめっき工程２１に進む。

置換Ａｕめっき工程２１では、被めっき物を所定の容器に入れ、Ａｕ^＋或いはＡｕ^３＋を含有した置換Ａｕめっき液に前記容器を浸漬してめっき処理を行い、Ｎｉ−Ｐ皮膜８上に第１のＡｕ皮膜９を形成する。

すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜８が形成された被めっき物を置換Ａｕめっき液に浸漬すると、電気化学的に卑な金属であるＮｉが溶出して電子（ｅ⁻）を放出し、該放出された電子（ｅ⁻）によって貴なＡｕ^＋或いはＡｕ^３＋が還元され、ＡｕがＮｉ−Ｐ皮膜８上に析出し、これにより膜厚０．０３μｍ〜０．５μｍの第１のＡｕ皮膜９がＮｉ−Ｐ皮膜８上に形成される。

尚、置換Ａｕめっき液のＡｕ^＋或いはＡｕ^３＋の供給源としては、塩化金ナトリウムや亜硫酸金ナトリウム、或いはシアン化金カリウムなどの金塩を使用することができ、また置換Ａｕめっき液には、前記金塩の他、シアン化ナトリウムや亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸などの錯化剤、その他の添加剤が含有され、水素イオン指数ｐＨが３〜１３に調製されている。

次に、洗浄工程２２に進み、少なくとも水温４０℃以上の水で洗浄処理を行い、またＡｕめっき液、特に後述する還元Ａｕめっき液がシアン系化合物を含有しない非シアン系Ａｕめっき液の場合は、水温５０℃以上、好ましくは水温６０℃以上の水で洗浄処理を行う。

このように少なくとも水温４０℃以上の水を使用して洗浄することにより、シアン系、非シアン系を問わず、置換Ａｕめっき処理でセラミック素体６や容器に付着したＡｕ塩を十分に除去することができる。そして、還元Ａｕめっき液がシアン系の場合は、不純物が微量であればＡｕめっきに悪影響を及ぼさないため、洗浄処理の被めっき物へのＡｕの異常析出や還元Ａｕめっき液が浴分解するのを抑制することが可能となる。

また、還元Ａｕめっき液がシアン系化合物を含有しない非シアン系Ａｕめっき液の場合は、微量の不純物の混入により被めっき物へのＡｕの異常析出や還元Ａｕめっき液の浴分解が生じる。しかしこの場合であっても、洗浄温度をさらに上昇させて水温５０℃以上の水を使用することにより、異常析出を抑制することができ、置換Ａｕめっき中のＡｕ塩が残存するのを回避することができる。そして、水温６０℃以上の水で洗浄処理を行うことにより、Ａｕ塩等の置換Ａｕめっき液成分が還元Ａｕめっき液に混入するのを確実に防止することができ、これによりＡｕめっき液が非シアン系であっても被めっき物へのＡｕの異常析出や還元めっき液の浴分解を抑制することができる。

このように洗浄工程２２で、少なくとも水温４０℃以上、またＡｕめっき液、特に還元Ａｕめっき液が非シアン系の場合は、水温５０℃以上、好ましくは水温６０℃以上の水で洗浄処理を行い、その後還元Ａｕめっき工程２３に進む。

この還元めっき工程２３では、還元剤を含有した還元Ａｕめっき液に被めっき物を浸漬し、還元Ａｕめっきを行う。すなわち、被めっき物を還元めっき液に浸漬すると、還元剤の酸化反応により第１のＡｕ皮膜９を下地膜としてＡｕが自己触媒的に還元析出し、第２のＡｕ皮膜１０が第１のＡｕ皮膜９上に形成される。

尚、還元Ａｕめっき液に含有される還元剤としては、非シアン系Ａｕめっき液の場合はアスコルビン酸、チオ尿素等を好適に使用することができ、シアン系Ａｕめっき液の場合は、テトラヒドロホウ酸カリウムやジメチルアミンボラン等を好適に使用することができる。また、還元剤以外の他の主含有成分は置換Ａｕめっき液と同様の化学物質を使用することができる。

そしてこの後、洗浄工程２４で常温の水で洗浄処理を行った後、乾燥工程２５を経てセラミック多層基板が製造される。

このように本実施の形態では、置換Ａｎめっき工程２１後の洗浄工程２２を少なくとも水温４０℃以上の水で洗浄処理を行っているので、置換Ａｕめっき処理でセラミック素体６や容器に付着したＡｕ塩が容易に除去することができ、Ａｕめっき液がシアン系の場合は被めっき物であるセラミック素体６にＡｕが異常析出することもなく、また、還元Ａｕめっき液が浴分解するのを抑制することができる。

また、Ａｕめっき液が非シアン系の場合は、水温５０℃以上の水を使用して洗浄することにより、Ａｕ塩が被めっき物に付着するのを回避することができ、これにより還元Ａｕめっき工程２３でセラミック素体６にＡｕが異常析出を抑制することができる。さらにこの場合、水温６０℃以上の水で洗浄処理を行うことにより、Ａｕ塩等の置換Ａｕめっき液成分の還元Ａｕめっき液への混入を確実に防止することができ、したがって還元Ａｕめっき液の浴分解を抑制することができる。

尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない、上記実施の形態では電子部品の代表例としてセラミック多層基板について説明したが、積層セラミックコンデンサや単板セラミックコンデンサ等、外部導体を有する各種セラミック電子部品についても同様に適用可能であるのはいうまでもなく、またプリント基板への応用も可能である。

また、上記実施の形態では、外部導体４の下地電極としてＣｕ電極７を使用したが、Ｃｕ以外の電極、例えばＡｇ電極を使用した場合も同様の効果を得ることができるのはいうまでもない。

また、本発明は、実用的には、第１のＡｕ皮膜９の下地膜としては、上述したＮｉを主成分としたＮｉ系皮膜が好適であるが、下地膜はＮｉ系皮膜に限定されることはなく、他の金属種にも応用することができる。

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

非シアン系の置換Ａｕめっき液及び還元Ａｕめっき液を使用し、被めっき物をラックに入れてＡｕめっきを施し、ラックのめっき付着の有無、異常析出の有無、及び還元Ａｕめっきの浴分解の有無を観察した。

すなわち、まず、被めっき物として、表面にＣｕ電極が形成されたセラミック基板を用意した。

セラミック基板３０は、具体的には図４に示すように縦５０ｍｍ、横５０ｍｍの方形状からなり、マトリックス状にＸ方向、及びＹ方向に各々１０個ずつに領域分割されている。また、各分割基板３０_１、３０_２……３０_１００は、図５に示すように、その表面にＣｕ電極３１が一定パターンで形成されている。すなわち、図５に示すパターン状のＣｕ電極３１が１００個の分割基板３０_１、３０_２……３０_１００のそれぞれに形成されている。

そして、この被めっき物をラックに入れ、各処理液を１Ｌビーカーに１Ｌ入れてめっき処理を行った。

具体的には、まず、奥野製薬社製ＩＣＰクリーン９１を使用し、２５℃で３分間脱脂処理を行い、次いで、常温の水を使用して洗浄処理を行った。そしてこの後、被めっき物を奥野製薬社製ＩＣＰアクセラに温度２５℃下、１分間浸漬して被めっき物にパラジウム触媒を付与し、その後常温の水を使用して洗浄処理を行った。

次に、被めっき物を浴温８０℃の奥野製薬社製ＩＣＰニコロンＵＳＤに２０分間浸漬して還元Ｎｉめっきを施し、Ｃｕ電極３１上に膜厚４．０μｍのＮｉ−Ｐ皮膜を形成した。次いで、常温の水を使用して洗浄処理を行い、その後、濃度が１０重量％の希硫酸を使用して希酸処理を行い、さらに常温の水を使用して洗浄処理を行った。

次に、被めっき物を奥野製薬社製ムデンノーブル（Ａｕ非シアン系置換Ａｕめっき液；浴温６５℃）に１０分間浸漬して置換Ａｕめっきを施し、Ｎｉ−Ｐ皮膜上に膜厚０．０７μｍの第１のＡｕ皮膜を形成した。

次いで、温度３０〜９９℃の範囲で種々水温を変えて被めっき物を３分間洗浄した。

そしてこの後、被めっき物を奥野製薬社製セルフゴールドＯＴＫ（非シアン系還元Ａｕめっき液；浴温６０℃）に６０分間浸漬して還元Ａｕめっきを施し、第１のＡｕ皮膜上に膜厚１．０μｍの第２のＡｕ皮膜を形成し、その後、常温の水を使用して洗浄処理を行い、さらに乾燥させて実施例１〜７及び比較例１の試験片を得た。

表１は、置換Ａｕめっき後の洗浄温度とラックへのめっき付着の有無、被めっき物へのＡｕの異常析出の有無、還元Ａｕめっきの浴分解の有無をそれぞれ示している。

尚、ラックへのめっき付着の有無及び被めっき物へのＡｕの異常析出は目視で判断し、還元Ａｕめっき液の浴分解の有無は、ビーカーの底に沈殿物が堆積しているか否かを目視観察して判断した。

この表１から明らかなように、比較例１では置換Ａｕめっき後の洗浄温度が３０℃と低く、このためラックへのめっき付着、被めっき物へのＡｕの異常析出、及び還元Ａｕめっき液の浴分解が認められた。これは洗浄温度が低いため、置換Ａｕめっきで被めっき物やラックに付着したＡｕ塩を十分に除去できず、その結果還元Ａｕめっきで置換Ａｕめっきから持ち越されたＡｕ塩が還元されてＡｕがセラミック基板３０に異常析出したりラックにめっき付着し、また還元Ａｕめっき液に不純物が混入して浴分解が生じやすくなるものと思われる。

これに対して実施例１では上記洗浄温度を４０℃で行っているので、ラックへのめっき付着が生じるのを回避することができ、実施例２では上記洗浄温度を５０℃で行っているので、被めっき物へのＡｕの異常析出も生じるのを回避することができ、さらに実施例３〜７では上記洗浄温度を６０〜９９℃で行っているので、還元Ａｕめっき液の浴分解も生じないことが確認された。

置換Ａｕめっき液は〔実施例１〕と同様、非シアン系Ａｕめっき液を使用する一方、還元Ａｕめっき液としてシアン系Ａｕめっき液を使用し、〔実施例１〕と同様の被めっき物にめっき処理を施し、ラックのめっき付着の有無、異常析出の有無、及び還元Ａｕめっきの浴分解の有無を観察した。

すなわち、まず、〔実施例１〕と同様の方法・手順で脱脂処理→洗浄処理→触媒付与処理→洗浄処理→還元Ｎｉめっき処理→洗浄処理→希酸処理→洗浄処理→置換Ａｕめっき処理→洗浄処理を行った。

次いで、被めっき物を奥野製薬社製ムデンゴールド２５（シアン系還元Ａｕめっき液；浴温７３℃）に１０分間浸漬して還元Ａｕめっきを施し、第１のＡｕ皮膜上に膜厚１．０μｍの第２のＡｕ皮膜を形成し、その後、常温の水を使用して洗浄処理を行い、さらに乾燥して実施例１１〜１７及び比較例１１の試験片を得た。

表２は、置換Ａｕめっき後の洗浄温度とラックへのめっき付着の有無、被めっき物へのＡｕの異常析出の有無、還元Ａｕめっきの浴分解の有無をそれぞれ示している。

尚、〔実施例１〕と同様、ラックへのめっき付着の有無及び被めっき物へのＡｕの異常析出は目視で判断し、還元Ａｕめっき液の浴分解の有無は、ビーカーの底に沈殿物が堆積しているか否かを目視観察して判断した。

この表２から明らかなように、比較例１１では置換Ａｕめっき後の洗浄温度が３０℃と低く、このため〔実施例１〕の比較例１と同様、ラックへのめっき付着、被めっき物へのＡｕの異常析出、及び還元Ａｕめっき液の浴分解が認められた。

これに対して実施例１１〜１７では上記洗浄温度を４０℃以上で行っているので、ラックへのめっき付着、被めっき物へのＡｕの異常析出、還元Ａｕめっき液の浴分解のいずれも生じないことが確認された。これは、還元Ａｕめっき液がシアン系の場合は、非シアン系Ａｕめっき液に比べて不純物の混入に対し敏感に反応せず、微量の不純物であれば影響を受けないものと思われる。

本発明の無電解ニッケル液を使用して製造されたセラミック電子部品としてのセラミック多層基板の一実施の形態を示す断面図である。 図１の要部拡大図である。 本発明のめっき方法の一実施の形態を示す工程図である。 実施例で使用したセラミック基板の平面図である。 図４のセラミック基板の要部拡大図である。

符号の説明

６ セラミック素体（部品素体）
７ Ｃｕ電極（導電部）
８ Ｎｉ−Ｐ皮膜
９ 第１のＡｕ皮膜
１０ 第２のＡｕ皮膜
２１ 置換Ａｕめっき工程
２２ 洗浄工程
２３ 還元Ａｕめっき工程

Claims (5)

1. 下地金属が形成された被めっき物を第１の金めっき液に浸漬し、前記下地金属との間で置換反応を生じさせて前記下地金属上に第１の金皮膜を形成する置換金めっき工程と、前記第１の金皮膜が形成された被めっき物を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄された被めっき物を還元剤が含有された第２の金めっき液に浸漬し、前記第１の金皮膜上に第２の金皮膜を形成する還元金めっき工程とを含むめっき方法において、
   前記洗浄工程は、前記被めっき物を水温４０℃以上の水で洗浄することを特徴とするめっき方法。
2. 前記第１及び第２の金めっき液は、シアン系化合物を含有しない非シアン系金めっき液を使用し、
   前記洗浄工程は、前記被めっき物を水温５０℃以上の水で洗浄することを特徴とする請求項１記載のめっき方法。
3. 前記洗浄工程は、前記被めっき物を水温６０℃以上の水で洗浄することを特徴とする請求項２記載のめっき方法。
4. 前記下地金属はニッケルを主成分とすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のめっき方法。
5. 表面に導電部が形成された部品素体を被めっき物とし、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のめっき方法を使用して前記被めっき物にめっき処理を施し、電子部品を製造することを特徴とする電子部品の製造方法。

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