JP2004534151A - めっき溶液の再生方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、金属層の析出方法、および高酸化状態の金属イオンを含有する溶液の再生方法に関する。金属析出により金属めっき溶液から消費されたスズイオンを再生するために、金属スズ上にめっき溶液を送ってスズ（ＩＩ）イオンを形成させることは、当該分野において既知であった。しかしながら、そのような再生浴に含有されるスズの量は、ゆっくりと連続的に増加する。この問題点に対する解決策は、少なくとも１つの補助陰極と少なくとも１つの補助陽極とを備えた電解再生セルの利用である。再生用のスズは、溶液から、電解再生セル中の少なくとも１つの補助陰極上に電解析出される。形成されたスズ（ＩＶ）イオンからスズ（ＩＩ）イオンへと還元するために、再生用のスズ上に溶液を送る。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、全ての製作されたプリント回路基板および他の配電回路担体上への金属層、特にスズ含有層の析出方法、および高酸化状態の金属イオン、特にＳｎ（ＩＶ）イオンを含有する溶液の再生方法に関する。めっき法は主に、ハンダ付け可能な層およびエッチ−レジスト層の製造における利用、ならびに特にプリント回路基板の内部層上で、前記内部層を一緒に結合するために、銅製の導電性パターン上へのスズ層のセメンテーションによる析出における利用に向けられている。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板の製作のために、種々の目的に合うように、スズ層およびスズ合金層、特にスズ−鉛コーティングを銅表面上に析出させる。
【０００３】
一方では、スズ−鉛合金コーティングは、電子部品部分がハンダ付けされる場所で、プリント回路基板上のハンダパッドとして役立つ。この場合、部品部分の素子に連結している鉛等が銅表面に電気的に連結される領域において、かかる層は局所的に析出される。銅表面上にハンダ領域が形成された後、部品が結合されるハンダパッド上に部品を取り付ける。次に、オーブン中でハンダを再融解し、電気的相互連結を形成させる。
【０００４】
例えば、プリント回路基板上に金属パターンを形成するために、エッチ−レジスト層としてもスズ層を使用してもよい。この目的のために、光パターン化可能なレジストにより、導電性パターンの陰性像を銅表面上に最初に形成させる。次いで、スズ層またはスズ−鉛合金層をレジスト層のカナル中に析出させる。レジストを除去後、スズ層またはスズ−鉛層の下に残るものがプリント回路基板の表面上の回路トレースおよび全ての他の金属パターンのみであるように、エッチングにより露出銅を除去することができる。
【０００５】
さらに、スズ層は、多層回路基板の内部層の銅表面と誘電体の領域との間の中間層としても利用される（通常、樹脂のガラス繊維強化層）。銅領域と誘電体との密接した結合を提供するために、プレス前に銅表面を粗くして、銅と樹脂との間の十分な結合強度を達成する必要がある。これを達成するために、従来、表面は、いわゆる酸化ブラック処理により表面的に酸化されていた。しかしながら、それによって形成された酸化層は、酸に対して十分な抵抗を持たないため、ＰＣＢ材料のドリル工程で切断された内部層がＰＣＢ材料の樹脂から離層して積層剥離が生じる。酸化ブラック層の代わりにスズ層を使用した場合、この問題は回避される。製造のために、回路トレースの銅表面上へのセメンテーションにより、スズ層は直接析出される。後処理において、必要であれば、内部層が熱および圧力の作用によって一緒にプレスされる前に、さらなる結合化合物（例えば、ウレイドシランおよびジシラン架橋剤の混合物（特許文献１））をスズ層に適用する。
【０００６】
他方では、前記第２の適用において、電気的に単離された金属領域がスズめっきされる必要がないため、スズ層またはスズ−鉛合金層をそれぞれ電解析出させることができ、第１および最後の前記ケースにおいて、通常、金属めっきされる銅領域が電気的に相互に単離されるので、電解法によりスズを析出させることができず、電気接点を確立することは殆ど不可能である。この理由から、いわゆるセメンテーション浴はスズめっき用に便利に使われる。
【０００７】
この種のめっき浴は特許文献２に記載されている。Ｓｎ（ＩＩ）化合物に加えて、この浴はチオウレア化合物およびウレア化合物も含有する。特許文献１によると、チオウレア、ウレアおよびそれらの誘導体を代わりに使用してもよい。さらに、特許文献２による溶液は、錯形成剤、還元剤および酸も含有してよい。従って、使用されるＳｎ（ＩＩ）化合物は、例えばＳｎＳＯ_４である。特許文献１によると、浴は無機（鉱物）酸のＳｎ（ＩＩ）化合物、例えば、イオウ、リンおよびハロゲンを含有する酸の化合物、または例えばギ酸Ｓｎ（ＩＩ）および酢酸Ｓｎ（ＩＩ）のような有機酸のＳｎ（ＩＩ）化合物を含有する。特許文献１によると、イオウを含有する酸のＳｎ（ＩＩ）塩、すなわち、スルホン酸の塩およびスルファミン酸の塩が好ましい。さらに、浴はスズ酸ナトリウムまたはスズ酸カリウムのようなスズ酸アルカリ金属も含有してよい。さらに、チオウレアおよびウレア化合物は、最も単純な場合において、それぞれチオウレアおよびウレアの未置換の誘導体である。特許文献１によると、チオウレアと錯形成しているＣｕ（Ｉ）イオンは、スズが析出される時に銅表面上に形成される。同時に、Ｓｎ（ＩＩ）イオンの還元により金属スズが析出される。この反応において、銅表面上にスズコーティングが形成されると同時に銅が溶解する。
【０００８】
特許文献１は、Ｃｕ（Ｉ）チオウレア錯体が溶液中で濃縮することを報告する。空気からの酸素が溶液中に輸送されるため、Ｓｎ（ＩＩ）イオンの酸化により、Ｓｎ（ＩＶ）イオンも溶液中で濃縮する。しかしながら、プリント回路基板を処理溶液中に単に浸漬させた場合、基板により浴溶液が永久的に排出され、到達した水により希釈されるので、Ｃｕ（Ｉ）チオウレア錯体の濃度およびＳｎ（ＩＶ）イオンの濃度は、静止濃度値を超えない。しかしながら、スプレーノズルにより浴流体が銅表面上にスプレーされた場合、浴の体積に関する物質の回転率は非常に高い。これらの条件下において、Ｃｕ（Ｉ）チオウレア錯体の濃度は、その溶解度の限界に到達し、錯体が析出物として沈殿するような範囲まで増加する。析出によりノズルが詰まり、めっき浴においてプラントの可動機械部分における問題を引き起こす。また、プリント回路基板上へ後者をスプレーすることにより、浴溶液中に高い範囲まで空気が輸送されるため、空気からの酸素によるＳｎ（ＩＩ）イオンの酸化により、Ｓｎ（ＩＶ）化合物がさらに形成される。
【０００９】
この問題を緩和するために、前記刊行物において、以下の提供が記載されている。Ｃｕ（Ｉ）チオウレア錯体の濃度を減少させるために、めっき浴溶液部分を処理容器からもう１つのタンクへと取り、それを冷却させると、大部分の錯体が沈殿するため、分離することができる。次いで、殆ど錯体が無くなった溶液を処理容器に戻す。めっき溶液中のＳｎ（ＩＶ）イオンの濃度をさらに低下させるために、金属スズを含有するめっき溶液用の貯蔵器が提供される。前記貯蔵器に含有される溶液を銅表面上にスプレーし、以下に明らかにされる反応方程式（１）に従ってＳｎ（ＩＩ）イオンが還元され、同時に以下に明らかにされる反応方程式（２）に従って金属銅は酸化されてＣｕ（Ｉ）イオンを形成する。それによって、チオウレアまたはそれらの誘導体との錯体がそれぞれ形成される。同時に、以下に明らかにされる反応方程式（３）に従って、溶液中に輸送された酸素により、Ｓｎ（ＩＩ）イオン部分は酸化されてＳｎ（ＩＶ）イオンが形成される。続いて、スプレーされた溶液を貯蔵器に戻す。ここで、以下に明らかにされる反応方程式（４）に従って、Ｓｎ（ＩＶ）イオンは金属スズと反応して二倍量のＳｎ（ＩＩ）イオンが形成される。
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載のスズめっきセメンテーション浴の再生方法は、溶液中に含有されるスズの濃度を連続的に増加させることを証明した。従って、溶液中のＳｎ（ＩＩ）イオンの濃度は、永久的な分析制御を受けなければならない。これはしばしば、製造条件下において容易に可能ではなく、しばしば、濃度の大きな変動を容易に引き起こす。その結果として、スズの析出は制御不可能となる可能性がある。これは容認され得ない。この問題を克服するための１つのアプローチは、Ｓｎ（ＩＩ）イオン濃度の自動モニタリングを含み、そして予め決定された範囲の基準値を超えるか、またはそれに到達しない場合にそれぞれ、貯蔵器におけるめっき溶液と金属スズとの間の接触を可能にするか、または不要にさせる工程を含む。しかしながら、これは非常に複雑であり、かつ非常に複雑なデバイスを必要とする。
【００１１】
【特許文献１】
ＥＰ ０ ５４５ ２１６ Ａ２号明細書
【特許文献２】
米国特許第４，７１５，８９４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従って、本発明の目的は、言及された問題を克服することであり、かつスズの析出に影響を及ぼすＳｎ（ＩＩ）イオン含有量の変動なしにセメンテーションにより銅表面のスズめっきを可能にする手段を見出すことである。複雑なデバイスを使用せずに、これを可能にさせることが狙いである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この目的に対する解決策は、請求項１に記載のめっき法および請求項１４に記載の再生法である。本発明の好ましい実施形態を従属請求項に示す。
【００１４】
本発明によるめっき法は、金属層、特にスズ含有層、そして好ましくは純粋なスズ層を製造するために役立つ。またスズ合金からなる層を析出させるために、この方法を利用することもできる。これは以下の方法工程：
ａ．低酸化状態の金属イオン、特にＳｎ（ＩＩ）イオンを含有する金属めっき浴、特にスズめっき浴を提供する工程と、
ｂ．金属めっき浴から加工物上へと金属層を析出させる工程と、
ｃ．少なくとも１つの補助陰極と少なくとも１つの補助陽極とから構成される電解再生セルを提供する工程と、
ｄ．電解再生セルにおいて、金属めっき浴から少なくとも１つの補助陰極上に、再生用の金属、特に金属スズを電解析出させる工程と、
ｅ．金属めっき浴中に含有される高酸化状態の金属イオン、特にＳｎ（ＩＶ）イオンを低酸化状態の金属イオン、特にＳｎ（ＩＩ）イオンへと還元するために、再生用の金属に金属めっき浴を接触させる工程と、
を含む。
【００１５】
本発明による再生方法は、高酸化状態の金属イオン、特にＳｎ（ＩＶ）イオンを含有する溶液を再生して、高酸化状態の金属イオンを低酸化状態の金属イオン、特にＳｎ（ＩＩ）イオンへと還元するために役立つ。これは以下の方法工程：
ａ．少なくとも１つの補助陰極と少なくとも１つの補助陽極とから構成される電解再生セルを提供する工程と、
ｂ．電解再生セルにおいて、溶液から少なくとも１つの補助陰極上に、再生用の金属、特に金属スズを電解析出させる工程と、
ｃ．高酸化状態の金属イオン、特にＳｎ（ＩＶ）イオンを低酸化状態の金属イオン、特にＳｎ（ＩＩ）イオンへと還元するために、再生用の金属に溶液を接触させる工程と、
を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、スズ含有層、スズめっき浴またはスズめっき溶液、金属スズ、Ｓｎ（ＩＩ）イオン、Ｓｎ（ＩＶ）イオンおよびスズ電極またはスズを含有する電極がそれぞれ指される場合、これは一般的および代わりに、それぞれ、金属層、金属めっき浴、金属、低酸化状態の金属イオン、高酸化状態の金属イオン、金属電極または金属を含有する電極に適用される。
【００１７】
特に、還元剤を利用するスズまたはスズ合金の無電解析出のために、スズまたはスズ合金の電解析出のために、およびスズまたはスズ合金のセメンテーションによる析出のために、本発明の方法を利用することができる。
【００１８】
セメンテーションによる析出方法とは、析出される金属が基材金属から、酸化常態ゼロへの還元のために必要とされる電子を受け取る方法を意味する。前記基材金属は、同時に酸化され、それによって好ましく溶解される。
【００１９】
特に、本発明の方法は、スズ含有層により、プリント回路基板または他の回路担体上の銅表面をコーティングするために役立つ。
【００２０】
特許文献１に記載の方法においては、Ｓｎ（ＩＶ）イオンからＳｎ（ＩＩ）イオンへと転換するために、貯蔵器中に含有されるめっき溶液に金属スズを添加する。対照的に、本発明の方法の場合、再生用に利用される金属スズは、そのスズめっき浴からそれを電気めっきすることにより生じる。従って、本発明の方法は、めっき浴中に含有されるＳｎ（ＩＩ）イオン濃度の変動の回避を可能にする。これは以下の通りに説明することができる。
【００２１】
スズが無電解、セメンテーションまたは電解スズ浴から析出される時、以下の反応が生じる。
Ｓｎ^２＋＋２ｅ⁻ → ２Ｓｎ （１）
【００２２】
電解析出において、電子は電流の外部源から生じ、陰極を介してＳｎ（ＩＩ）イオンへと送達される。無電解スズめっきの場合、金属析出のために必要とされる電子は還元剤により提供される。セメンテーションによる析出においては、電子は、溶解している卑金属、この場合は銅から生じ、その上にスズが析出される。
２Ｃｕ → ２Ｃｕ^＋＋２ｅ⁻ （２）
【００２３】
干渉副反応において、空気からの酸素により、Ｓｎ（ＩＩ）イオンはこれらの浴において酸化され、Ｓｎ（ＩＶ）イオンを形成する。
Ｓｎ^２＋＋１／２Ｏ_２＋Ｈ_２Ｏ → Ｓｎ^４＋＋２ＯＨ⁻ （３）
【００２４】
形成されたＳｎ（ＩＶ）イオンは、スズ石（ＳｎＯ_２）を沈殿する傾向がある。それに関連する問題は、中でも、めっき溶液を銅表面へと送達するためのスプレーノズルが詰まること、加工プラントにおける可動部分の機能が損なわれること、またはその部分が固体物質の沈殿により損傷を受けさえもすることである。またさらにＳｎ（ＩＶ）イオンは、反応方程式（１）に従って新たに析出されたスズ層が、以下で明らかにされる反応方程式（４）に従ってＳｎ（ＩＶ）イオンによって攻撃されて、再度、少なくとも部分的に溶解されるという不利な性質を有する。
【００２５】
めっき溶液と金属スズとの接触において、溶液に含有されるＳｎ（ＩＶ）イオンは、この反応に関する以下に明らかにされる方程式に従ってＳｎ（ＩＩ）イオンへと還元され、金属スズはこのプロセスにおいて溶解される（コンプロポーショネーション）。
Ｓｎ^４＋＋Ｓｎ → ２Ｓｎ^２＋ （４）
【００２６】
これは、形成されたそれぞれのＳｎ（ＩＶ）イオンに対して、２つのＳｎ（ＩＩ）イオンが形成されることを意味する。その結果として、特許文献１による再生方法が適用された場合、めっき溶液に含有されるスズの濃度は徐々に増加する。
【００２７】
対照的に、本発明の方法の実施においては、Ｓｎ（ＩＶ）イオンを再生するために使用される金属スズは、そのスズめっき溶液からの電解析出により生じる。その結果として、浴のスズ平衡は、方程式（４）に従う再生によって妨害されない。再生用に使用される金属スズも方程式（１）に従ってＳｎ（ＩＩ）から形成され、従って、最初に電解析出によりＳｎ（ＩＩ）イオンの濃度が低下し、この反応（１）および副反応（３）の両方により消費されたＳｎ（ＩＩ）イオンは、再生反応（４）により再度、生じる。従って、Ｓｎ（ＩＩ）イオン含有量は一定に保たれる。
【００２８】
従って、本発明の方法は、Ｓｎ（ＩＶ）の形成により生じる有害な結果の回避を可能にし、そして同時に、複雑なデバイスおよび分析による出費を必要とせずにＳｎ（ＩＶ）イオンからＳｎ（ＩＩ）イオンの再生を可能にする。
【００２９】
めっき溶液は実質的に、少なくとも１つのＳｎ（ＩＩ）化合物、少なくとも１つのチオウレア、ウレアおよびそれらの誘導体からなる群からの化合物、ならびに少なくとも１つの酸を含む。スズ合金が析出される場合、溶液は追加的に、少なくとも１つの追加的に析出される金属の塩、例えば、１以上のニッケル、鉛、水銀および／または金の塩を含む。さらに、めっき溶液は、錯形成剤、還元剤ならびに他の成分部分、例えば、析出を制御するため、および分解に対してめっき溶液を確実に安定化させるための安定化剤、ならびに界面活性剤も含んでよい。通常、溶液は水溶性であり、すなわち溶液に含有される溶媒は少なくとも５０体積％の水からなる。例えば、アルコールおよびエーテルエステルのような有機溶媒も含まれてよい。
【００３０】
Ｓｎ（ＩＩ）化合物は、好ましくは、無機（鉱物）酸のＳｎ（ＩＩ）塩、例えば、イオウ、リンおよび／またはハロゲンを含有する酸の塩であるが、それらの腐食の影響および析出されたスズ中にハロゲン化スズを組み入れるそれらの傾向のため、ハロゲン化水素は避けるべきである。さらにＳｎ（ＩＩ）化合物は、有機酸のＳｎ（ＩＩ）化合物、例えば、ギ酸Ｓｎ（ＩＩ）、酢酸Ｓｎ（ＩＩ）およびそれらの類似体、ならびに芳香族酸の塩、特に安息香酸Ｓｎ（ＩＩ）であってもよい。好ましい塩は、イオウを含有する酸のＳｎ（ＩＩ）塩、すなわち、スルホン酸の塩およびスルファミン酸（ＳｎＳＯ_４およびＳｎ（ＯＳＯ_２ＮＨ_２）_２）である。溶液はさらに、スズ酸ナトリウムまたはスズ酸カリウムのようなスズ酸アルカリ金属を含有してもよい。
【００３１】
スズ合金が析出される場合、スズめっき溶液は追加的に、少なくとも１つの他の合金金属の化合物、例えば、ニッケル、鉛、水銀および／または金の塩を含有し、これらの塩のアニオンは、スズ塩に利用されるものと同一であり得る。
【００３２】
Ｓｎ（ＩＩ）化合物および他の合金金属の化合物に関連して、特許文献２が参照される。この特許に開示された化合物は、本明細書に、開示されたものとして参照により組み入れられる。
【００３３】
スズめっき溶液に含有される酸は、好ましくは鉱物酸であるが、有機酸であってもよく、酸のアニオンは一般的にスズ塩のものと同一であり、必要であれば他の合金金属の塩のものと同一である。
【００３４】
使用されるチオウレアおよびウレアの化合物は、特に、未置換の誘導体（チオウレア、ウレア）であり、溶液は一般的に、チオウレアおよび／またはそれらの誘導体のみを含む。特許文献２は、チオウレアおよびウレアの適切な誘導体を示している。この特許に開示された誘導体は、本明細書に、開示されたものとして参照により組み入れられる。
【００３５】
めっき溶液は錯形成剤も含有してよく、カーク−オスマー（Kirk-Othmer）、化学技術百科辞典（Encyclopedia of Chemical Technology）、第３版、第５巻、第３３９〜３８８頁に示されるものが特に適切である。この文献に開示された錯形成剤は、本明細書に、開示されたものとして組み入れられる。特に、アミノカルボン酸およびヒドロキシカルボン酸を使用してよい。特許文献２は、ある種の適切な化合物の例を開示している。この特許に開示された錯形成剤は、本明細書に、開示されたものとして参照により組み入れられる。
【００３６】
溶液は還元剤も含有してよく、アルデヒド、例えば、ホルムアルデヒドおよびアセトアルデヒドが特に利用される。さらなる還元剤は、特許文献２に示される。この特許に開示された還元剤は、本明細書に、開示されたものとして参照により組み入れられる。
【００３７】
同様に、アニオン性、カチオン性および両性界面活性剤を使用してもよい。界面活性剤が、めっき溶液の表面張力を十分に低下させるために適切となることのみが重要である。
【００３８】
再生用に使用される金属スズは、不活性補助陰極上に析出されてよい。不活性陰極とは、電極が陽極的に極性化を受けた時に、スズめっき溶液における溶解に抵抗を有する材料からなる別の電極を意味する。特に、補助陰極は白金めっきチタン製であり得る。
【００３９】
板、管、拡張金属として、または例えば、リブを備えた板のような形成体として、補助陰極を構成することができる。より小さな断片において、例えば、数ミリメートルから数センチメートルまでの直径を有するスフィアの形状で、補助陰極を形成してもよい。後者の場合、これらの断片は別の容器に適応されてもよく、例えば、めっき溶液は前記容器を通って流れる。この目的のため、断片を、例えば、塔に適応された穿孔底板に配置してもよく、めっき溶液は前記底板を通って入り、前記塔を通って流れる。より小さな断片の形状で補助陰極を構成することにより、Ｓｎ（ＩＶ）イオンからＳｎ（ＩＩ）イオンへの転換率を著しく増加させることが可能となる。
【００４０】
不活性補助陰極が使用される場合、反応方程式（４）に従う再生反応で再度、溶解され得るスズの最大量は、以前に浴から析出された量である。その結果として、複雑な分析による浴のモニタリングをせずに浴は連続的に再生され得、そして特許文献１に記載の方法とは対照的に、浴におけるスズ濃度は増加しない。
【００４１】
例えば、白金めっきチタン上へスズを析出させるために、補助陰極に対して設定された陰極電流密度が十分に高い場合（例えば、８Ａ／ｄｍ^２）、フラットスケールクリスタルの形状のスズコーティングが得られる。このクリスタル形は非常に大きい表面を有し、スズの重量に関して非常に大きい表面を提供するため、方程式（４）に従う再生反応に非常に適切である。その結果として、めっき溶液の予め決められた体積において、大きな表面の析出されたスズを提供することができる。補助陰極が銅製または例えば銀との銅合金製である場合、補助陰極上で高い電流密度が生じた時に、より小さなスケールの析出も観察される。不活性材料、例えば白金めっきチタン以上の銅の利点は、銅がそれほど高価ではないということである。しかしながら、化学スズめっき溶液におけるこの材料の耐久性は制限される。
【００４２】
補助陰極は、めっき溶液と電気接触する。めっき溶液と直接的に電気接触しているか、またはもう１つの溶液を介してめっき溶液と電気接触している補助陽極も提供される。補助陰極と補助陽極との間で電圧を適用することにより、これら２つの電極間で電流を生じることができ、補助陰極上にスズを析出させる場合、補助陰極は陰極的に極性化し、補助陽極は陽極的に極性化する。補助陰極上に析出されたスズを直接的に利用してスズめっき溶液を再生する場合、実際の再生プロセスの間、補助陰極からスズを溶解させるために補助陰極を陰極的に極性化させない。従って、この方法によると、補助陰極は断続的に陰極的に極性化されるのみであり、それぞれの時間にスズが補助陰極上に析出される。補助陰極上に十分なスズが析出されたらすぐに、析出プロセスを停止するために、補助陰極と補助陽極との間の電気接続を中断する。次いで、この反応の方程式（４）に従う溶解反応がこれらの条件下で生じ、めっき溶液は補助陰極と接触されなければならない。しかしながら、補助陰極に少量のスズが残るか、またはスズがなくなるとすぐに、スズは前記電極上に再度、析出され得る。
【００４３】
再生反応のために、補助陰極上に形成された金属スズは、めっき溶液を金属スズで被覆された補助陰極と接触させて直接使用されてもよく、または前記電極から機械的に除去されて、その除去後にスズめっき溶液と接触してもよい。
【００４４】
補助陰極上に析出されたスズを機械的に除去するために、補助陰極を好ましくプラントから取り外し、そしてその上に成長した金属のスケールを剥離する。次いで、除去されたスズを、プリント回路基板を処理するための容器またはスズめっき溶液を含む貯蔵器に入れてよい。処理容器または貯蔵器において、スズは溶解してＳｎ（ＩＩ）イオンを形成し、プロセスにおいてＳｎ（ＩＶ）イオンが消費される。容器または貯蔵器に入れられたスズの全量または少なくともほぼ全量が溶解したらすぐに、補助陰極上に析出したさらなるスズを添加してもよい。
【００４５】
補助陰極からのスズまたは補助陰極から除去され、処理容器または貯蔵器に入れられた金属スズがめっき溶液に溶解する速度は様々なパラメーターに依存し、スズの溶解速度は、中でも、めっき浴の組成および温度、電解析出されたスズのモルフォロジー、補助陰極の幾何表面、および溶解しているスズへの即時近接における流れ条件に依存する。従って、速度を最適化することができる。これらの条件下において、Ｓｎ（ＩＶ）イオンが実際に定量的にＳｎ（ＩＩ）イオンへと還元されるため、最大溶解速度が永久的に目標とされる。これにより、めっき溶液に含有されるＳｎ（ＩＶ）イオンの濃度を最小化することが可能となる。溶解速度が高いほど、スズめっき溶液中の酸濃度が高く、浴の温度が高く、スズ重量に関して補助陰極上に析出されるスズの表面が大きく、補助陰極の幾何表面が大きく、そして溶解しているスズへの即時近接におけるめっき溶液の転換が高い。
【００４６】
本発明の方法を最適化するために、電解再生セルにおける補助陽極を包囲する空間（陽極空間）を、膜により、補助陰極を包囲する空間（陰極空間）から隔離することができる。膜は、好ましくは、カチオン（Ｓｎ（ＩＩ）イオンおよびＳｎ（ＩＶ）イオン）が通過できないように構成される。従って、膜は特に、アニオン交換膜またはモノセレクティブイオン交換膜であってよい。本発明による方法の特に好ましい実施形態において、酸は陽極空間に存在する。陰極空間のめっき溶液に含有される酸と、陽極空間に含有される酸は、同一であってよい。しかしながら、スズめっき溶液に含有される酸が陽極空間に含有される溶液における酸と異なる場合も、非常に良好な再生結果が得られる。例えば、メタンスルホン酸を含有するスズめっき溶液および陰極空間に含有される硫酸溶液により、良好な結果が得られる。陽極空間と、スズ含有層がプリント回路基板上に析出される領域との間に流体移動がある。
【００４７】
本発明による方法のこれらのさらなる改良によって、スズめっき浴が補助陽極と直接接触することが防がれる。従って、補助陽極におけるＳｎ（ＩＶ）イオンの形成が防がれ、再生効率の低下が防がれる。補助陽極は、例えば、アニオン交換膜により補助陰極を包囲する陰極空間から隔離されている陽極空間中に浸漬されてよい。膜がＳｎ（ＩＩ）イオンの通過を防ぐため、特に、例えばＳｎＳＯ_４およびＨ_２ＳＯ_４を含有する陰極空間のめっき溶液は、補助陽極に近付くことができない。陰極空間にも含有される酸の溶液も、陽極空間中に好ましく充填される。この例において、酸はＨ_２ＳＯ_４であろう。２つの空間の間で電流が流れる場合、硫酸アニオンの移動により、および相当する電極反応により、すなわち、この反応の方程式（１）に従う、補助陰極におけるスズめっき反応により、ならびに、反応方程式（５）に従って、酸素が自ら形成される補助陽極における酸化反応により、電気的中性が保証される。
２Ｈ_２Ｏ → ２Ｈ^＋＋２ｅ⁻＋Ｏ_２ （５）
【００４８】
Ｓｎ（ＩＩ）イオンが補助陽極に接触することから防がれるため、以下の方程式に従うＳｎ（ＩＩ）イオンの酸化は起こり得ない。
Ｓｎ^２＋ → Ｓｎ^４＋＋２ｅ⁻ （６）
【００４９】
あるいは、補助陽極は、スズめっき溶液と直接的に接触し得る。この場合、反応方程式（６）に従うＳｎ（ＩＩ）イオンの酸化を防ぐためにも、濃度過電圧がこの反応のために十分高くなければならない。これは、補助陰極に相対する補助陽極の適切な幾何配列によって実現化され得、例えば、陰極空間から隔離された容器に陽極空間が適応され、直径が比較的小さいパイプを通して両空間が連結している場合に、補助陰極への即時近接における溶液中Ｓｎ（ＩＩ）イオンの枯渇が達成され、濃度過電圧を導き得る。
【００５０】
Ｓｎ（ＩＩ）イオンが視覚的に、もはや補助陽極の即時近接において利用できないように、補助陽極において電流が著しく増加した場合にも、上記意味における濃度過電圧は達成され得る。これらの条件下において、Ｓｎ（ＩＩ）イオンが酸化されてＳｎ（ＩＶ）イオンを形成することはないが、水は酸化されて酸素を形成する。補助陽極における電流密度は、例えば、補助陰極の表面に相対する補助陽極の表面の還元により増加され得る。
【００５１】
本発明のもう１つの実施形態において、少なくとも１つの析出されるスズを含有する電極、すなわち、例えば、金属スズの電極がスズめっき浴と接触され得る。スズ電極が少なくとも部分的に溶解するように、このスズ電極はもう１つの電極に相対して陽極的に極性化される。かかる溶解性スズ電極は、例えば、適切な容器、例えば、チタンバスケットに位置する注入ボールからなり得る。
【００５２】
この場合、金属スズが溶解してＳｎ（ＩＩ）イオンが形成されるように、スズ電極は少なくとも間欠的に、他の電極に相対して陽極的に極性化される。
【００５３】
溶解スズ電極の使用時に、めっき溶液に含有されるスズの全量が一定に保たれるように、電解析出反応において消費される溶解によりＳｎ（ＩＩ）イオンを生成することが可能である。陽極的溶解プロセスにおいて、溶液に含有されるＳｎ（ＩＩ）イオンの所望の濃度が達成されたらすぐに、電流の流れを中断することにより、スズ電極における陽極的溶解反応が停止され得る。電流が溶解性スズ電極にもはや供給されなくなった後に、この電極においてＳｎ（ＩＶ）イオンを還元してもよく、それらを電極の金属スズと反応させてＳｎ（ＩＩ）イオンが形成される。
【００５４】
しかしながら、スズ電極を使用する場合、めっき溶液に含有されるスズの濃度、すなわち、Ｓｎ（ＩＩ）イオンの濃度は、正確に分析モニターされなければならず、あるいは、スズ電極の溶解は、めっき溶液中に含有されるスズの濃度が基準値を超えさ得る。この場合、スズ電極の金属スズの溶解は自動的に制限されず、不活性補助陰極が排他的に使用される場合である。
【００５５】
様々な方法で、スズめっき溶液を加工物と接触させることができ、従来の方法によると、容器に充填されためっき溶液の浴中に加工物を浸漬する。この場合、補助陰極および補助陽極との配列は、自由空間で同一容器中に位置するか、またはそれを通してめっき溶液が流れる別の容器に位置する。この目的のために、処理容器とこの他の再生容器との間に、処理容器と再生容器との間でめっき溶液を循環することができる流体導管を提供する。
【００５６】
さらに、コーティングチャンバーを有する、いわゆる水平プラントにおいて加工物を処理することができる。この水平プラントにおいて、前記チャンバーを通して、輸送機の水平方向に加工物を輸送する。この場合、加工物をチャンバーを通して輸送しながら、ノズル、例えば、スプレーノズル、フローノズル、ジェットノズル等によって加工物の銅表面へとめっき溶液を送達させる。この目的のため、ポンプによってノズルへと送達される場所から、溶液を貯蔵器に保持する。めっき溶液を銅表面に接触させた後、流体導管を介して貯蔵器に戻される場所から、回収タンクへと排出させる。この場合、補助陰極および補助陽極との配列は貯蔵器または別の再生容器のいずれかに適応される。
【００５７】
従って、金属層の析出方法、および高酸化状態の金属イオンを含有する溶液、特にＳｎ（ＩＶ）イオンを含有する溶液の再生方法が記載される。具体的な装置、方法工程、方法パラメーター、材料、溶液等を含む具体的な実施形態が記載されたが、この開示を読むことにより、開示された実施形態への様々な変更は、当業者に明白であろう。従って、かかる実施形態が単なる例証であって、広範囲の本発明を制限するものではないこと、および本発明は記載された具体的な実施形態に制限されず、添付の請求の範囲によってのみ制限されることは理解されるべきである。

Claims (15)

1. ａ．低酸化状態の金属イオンを含有する金属めっき浴を調製する工程と、
   ｂ．金属めっき浴から加工物上へ金属層を析出させる工程と、
   ｃ．金属めっき浴中に含有される高酸化状態の金属イオンを低酸化状態の金属イオンへ還元するために、再生用の金属に金属めっき浴を接触させる工程と、
   を有する、金属層の析出方法であって、
   少なくとも１つの補助陰極と少なくとも１つの補助陽極とから構成される電解再生セルが提供され、かつ再生用の金属が金属めっき浴から少なくとも１つの補助陰極上に電解析出される方法。
2. 低酸化状態の金属イオンがＳｎ（ＩＩ）イオンであり、かつ高酸化状態の金属イオンがＳｎ（ＩＶ）イオンであり、かつ金属が金属スズである、スズ含有層を析出させるための請求項１に記載の方法。
3. 少なくとも１つの補助陰極が銅製または銅合金製である、請求項１または２に記載の方法。
4. 少なくとも１つの補助陰極が不活性材料製である、請求項１または２に記載の方法。
5. 少なくとも１つの補助陰極が白金めっきチタン製である、請求項４に記載の方法。
6. 陰極電流密度を調整することにより、一定割合で少なくとも１つの補助陰極上に金属が析出される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 少なくとも１つの補助陰極上に析出された金属を機械的に除去し、そして除去後、金属めっき浴中に含有される高酸化状態の金属イオンを低酸化状態の金属イオンへと還元するために、上記金属を金属めっき浴に接触させる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 少なくとも１つの補助陽極が膜によって、少なくとも１つの補助陰極を包囲する空間から隔離されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 金属イオンが膜を浸透できないように膜が構成される、請求項８に記載の方法。
10. 前記膜がアニオン交換膜またはモノセレクティブイオン交換膜である、請求項８または９に記載の方法。
11. 少なくとも１つの補助陽極を包囲する空間に酸が提供される、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 析出される金属を含有する少なくとも１つの電極を金属めっき浴に接触させ、そして析出される金属を含有する少なくとも１つの電極が少なくとも部分的に溶解するように、少なくとも１つの電極が、少なくとも１つの他の電極に対して陽極的に極性化される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 加工物が、金属層析出用コーティングチャンバーを通して水平方向に運搬される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 高酸化状態の金属イオンを含有する溶液の再生方法であって、
    高酸化状態の金属イオンを低酸化状態の金属イオンへと還元するために、再生用の金属に溶液を接触させ、
    少なくとも１つの補助陰極と少なくとも１つの補助陽極とから構成される電解再生セルが提供され、かつ再生用の金属が溶液から少なくとも１つの補助陰極上に電解析出される方法。
15. 低酸化状態の金属イオンがＳｎ（ＩＩ）イオンであり、かつ高酸化状態の金属イオンがＳｎ（ＩＶ）イオンであり、かつ金属が金属スズである、スズ含有溶液を再生するための請求項１４に記載の方法。