KR20140035701A

KR20140035701A - 금 박막 형성 방법 및 인쇄회로기판

Info

Publication number: KR20140035701A
Application number: KR1020120102287A
Authority: KR
Inventors: 조성민; 정찬화; 안창용; 류창섭; 남효승
Original assignee: 삼성전기주식회사; 성균관대학교산학협력단
Priority date: 2012-09-14
Filing date: 2012-09-14
Publication date: 2014-03-24
Also published as: US20140076618A1; JP2014058738A

Abstract

본 발명은, 대상물의 표면에 니켈(Ni)을 무전해 도금하여 니켈 도금층을 형성하는 단계; 상기 니켈 도금층 위에 팔라듐-구리(Pd-Cu) 혼합물을 무전해 도금하여 팔라듐-구리 혼합 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 팔라듐-구리 혼합 도금층을 금(Au) 갈바닉 전해액에 침지하여 치환 반응에 의해 상기 팔라듐-구리 혼합물 중 구리(Cu) 성분을 금으로 치환하여 제1 금 박막층을 형성하는 단계; 를 포함하는 금 박막 형성 방법을 제공한다.

Description

금 박막 형성 방법 및 인쇄회로기판{METHOD FO FORMING Au THIN-FILM AND PRINTED CIRCUIT BOARD}

본　발명은 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판을 표면 처리하여 금 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.

컴퓨터, 반도체, 디스플레이 또는 통신 기기 등 다양한 전자 제품에는 특정한 회로 패턴이 인쇄된 기판이 사용된다.

일반적인 인쇄회로기판은 동박적층판(CCL: copper clad laminates) 위에 구리(Cu)로 된 회로 패턴을 형성한 후 상기 회로 패턴 상에 니켈 도금층과 금 도금층을 순서대로 적층하여 최종 표면 처리될 수 있다.

상기 니켈 도금층은 도금하지층으로 사용되며, 구리와 구리 회로 패턴과 금 도금층 간의 상호 확산을 방지하는 역할을 할 수 있다.

상기 금 도금층은 기판과 전자 부품의 접점 부위의 전기 저항을 감소시키고 결합성을 향상하기 위한 것이다.

이러한 금 도금층은 통상적으로 무전해 니켈/금 도금(ENIG: electroless nickel/immersion gold)을 통해 형성될 수 있으며, 이 공정에서 형성되는 금 박막은 약 1 ㎛의 두께로 많은 양의 금이 사용될 수 있다.

이에 금의 사용 량을 줄이기 팔라듐 도금이 더 수행되는 무전해 니켈/팔라듐/금 도금(ENEPIG: electroless nickel/electroless palladium/immersion gold)이 개발되어 양산에도 적용되고 있다.

그러나, 상기 ENEPIG 방법은 팔라듐 박막과 금 박막의 밀착 특성이 낮기 때문에 와이어 본딩을 위해서는 금 박막의 두께가 최소 0.1 ㎛ 정도 이상은 되어야 하는 한계를 갖는 것이다.

당 기술 분야에서는, 기판 표면 처리시 형성되는 금 박막의 두께를 1 ㎛ 이하가 되도록 하여 금 사용량을 감소하여 이에 따른 제조 비용을 절감할 수 있는 금 박막 형성 방법 및 이를 이용한 인쇄회로기판이 요구되고 있다.

본 발명의 일 측면은, 대상물의 표면에 니켈(Ni)을 무전해 도금하여 니켈 도금층을 형성하는 단계; 상기 니켈 도금층 위에 팔라듐-구리(Pd-Cu) 혼합물을 무전해 도금하여 팔라듐-구리 혼합 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 팔라듐-구리 혼합 도금층을 금(Au) 갈바닉 전해액에 침지하여 치환 반응에 의해 상기 팔라듐-구리 혼합물 중 구리(Cu) 성분을 금으로 치환하여 제1 금 박막층을 형성하는 단계; 를 포함하는 금 박막 형성 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 팔라듐-구리 혼합 도금층을 형성하는 단계 이전에, 상기 니켈 도금층 위에 팔라듐(Pd)을 무전해 도금하여 팔라듐 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 팔라듐-구리 혼합 도금층을 금 갈바닉 전해액에 침지하여 치환 반응에 의해 제1 금 박막층을 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 금 박막층 위에 금(Au)을 무전해 도금하여 제2 금 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 팔라듐-구리 혼합물은 팔라듐염, 구리염, 착화제 및 환원제를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 팔라듐염은 염화팔라듐, 황산팔라듐 및 디클로로테트라아민팔라듐으로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 구리염은 황산구리(CuSO₄) 및 염화구리(CuCl₂)로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 환원제는 포름알데하이드, 하이드라진 및 디메틸아민보레인으로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 측면은, 기판; 상기 기판의 표면에 형성된 구리 회로 패턴; 상기 회로 패턴 위에 형성된 니켈 도금층; 상기 니켈층 위에 형성된 팔라듐-구리 혼합 도금층; 및 상기 팔라듐-구리 혼합 도금층 위에 형성된 제1 금 박막층; 을 포함하는 인쇄회로기판을 제공한다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 니켈 도금층과 상기 팔라듐-구리 혼합 도금층 사이에 팔라듐 도금층이 개재될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 금 박막층 위에 제2 금 박막층이 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 인쇄회로기판의 와이어 본딩을 위한 표면 처리를 습식 공정인 무전해 도금 및 갈바닉 치환 반응을 이용하여 실시함으로써, 기존의 인쇄회로기판에 비해 금 박막층의 두께를 현저하게 얇은 두께로 형성할 수 있어 금 사용량을 줄임으로써 인쇄회로기판의 표면 처리 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 인쇄회로기판의 표면 처리 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 인쇄회로기판의 표면 처리 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 인쇄회로기판의 표면 처리 공정을 나타낸 공정도이다.
도 4는 본 발명에 적용되는 갈바닉 치환 반응을 나타낸 모식도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 인쇄회로기판 표면의 갈바닉 치환 반응 이전의 FIB SEM 사진이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 인쇄회로기판 표면의 갈바닉 치환 반응 이후의 FIB SEM 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 인쇄회로기판 표면의 X선 광전자 분광법의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 인쇄회로기판 표면의 FIB SEM 사진이다.
도 7b는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 인쇄회로기판 표면의 FIB SEM 사진이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.

그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.

도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.

본 실시 형태에 따른 인쇄회로기판은, 기판 위에 탑재된 전자 부품 간의 전기적인 신호를 구리로 이루어진 회로 패턴을 이용하여 접속시킨다.

이때, 인쇄회로기판의 상면은 금 도선과 반도체를 접속하고, 인쇄회로기판의 하면에는 리드 역할을 하는 솔더볼(solder ball)을 부착하는 형태일 수 있다.

이러한 인쇄회로기판은 필요에 따라 단층 구조이거나 또는 2층 이상의 복층 구조로 형성할 수 있다.

이하, 이러한 인쇄회로기판의 표면 처리 구조에 대해 상세히 설명한다.

도 1을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 인쇄회로기판의 표면은, 회로 패턴(100)과, 회로 패턴(100) 위에 형성된 니켈(Ni) 도금층(200)과, 니켈 도금층(200) 위에 형성된 팔라듐-구리(Pd-Cu) 혼합 도금층(400)과, 팔라듐-구리 혼합 도금층(400) 위에 형성된 제1 금(Au) 박막층(500)을 포함한다.

회로 패턴(100)은 전기 전도도가 우수한 구리(Cu)로 이루어질 수 있다.

회로 패턴(100)은 기판의 양면에 형성될 수 있으며, 기판을 수직으로 관통하여 비아 전극(미도시)을 형성하여, 상기 비아 전극이 양면에 형성된 회로 패턴(100)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.

이때, 니켈 도금층(200)과 팔라듐-구리 혼합 도금층(400) 사이에 팔라듐(Pd) 도금층(300)이 개재될 수 있다.

제1 금 박막층(500)은 인쇄회로기판에서 와이어를 전기적으로 연결하기 위한 본딩부의 역할을 수행할 수 있으며, 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)을 갈바닉 치환 반응하여 팔라듐-구리 혼합물 중 일부의 구리 성분을 금으로 치환하여 형성될 수 있다.

이때, 도 2를 참조하면, 제1 금 박막층(500) 위에는 필요시 소정 두께의 제2 금 박막층(600)이 더 형성될 수 있다.

이하, 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 인쇄회로기판의 표면 처리 공정에 구체적으로 설명한다.

먼저 구리로 된 회로 패턴이 형성된 인쇄회로기판 표면의 구리 산화막을 제거하고 세정한다(S10).

상기 구리 산화막 제거 및 세정 공정은, 황산을 포함한 산성 용액에 인쇄회로기판을 상온에서 침지하여 구리 산화막을 제거한 후 초순수를 이용하여 세정할 수 있다.

다음으로, 니켈 도금층(200)을 형성하기 위해 산화막이 제거된 회로 패턴(100)의 촉매 활성화 공정을 수행한다(S20).

상기 촉매 활성화 공정은, 주석과 팔라듐 콜로이드 용액을 이용하여 산화막이 제거된 회로 패턴(100)에 흡착시킨다.

이때, 팔라듐 대신에 귀금속류인 백금, 금 또는 은을 함유한 콜로이드 용액을 사용할 수 있다.

예컨대, 회로 패턴(100)을 초순수(DI water)에 염산(HCl) 및 염화주석(SnCl₂)을 포함한 용액에 상온에서 침지한 후, 초순수에 염산 및 염화팔라듐(PdCl₂)을 포함한 용액에 상온에서 침지하여 팔라듐을 침적할 수 있다.

다음으로, 기판의 표면에 니켈을 무전해 도금하여 회로 패턴(100) 위에 소정 두께의 니켈 도금층(200)을 형성한다(S30).

상기 니켈 무전해 도금은, 예컨대 염화니켈(NiCl₂), 차아인산나트륨(NaH₂PO₂), 시트르산 나트륨(Na₃C₆H₅O₇) 및 아세트산 나트륨(NaC₂H₃O₂)으로 무전해 도금액을 조성하여 앞서 촉매 활성화된 회로 패턴(100) 위에 니켈 박막을 형성할 수 있다.

이때, 사용되는 니켈염은 염화니켈 대신에 황산니켈을 사용하는 등, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

또한, 필요시 니켈 도금층(200) 위에 팔라듐을 무전해 도금하여 소정 두께의 팔라듐 도금층(300)을 형성하는 단계를 더 수행할 수 있다(S40).

상기 팔라듐 무전해 도금은, 예컨대 염화팔라듐(PdCl₂), 암모니아수(NH₄OH), 에틸렌다이아민트라아세트산(EDTA), 염산(HCl) 및 하이드라진(N₂H₄)를 사용하여 무전해 도금액을 조성하여 니켈 도금층(200) 위에 팔라듐 박막을 형성할 수 있다.

이때, 사용되는 팔라듐염은 염화팔라듐 대신 황산팔라듐(PdSO₄)이나 또는 디클로로데트라아민팔라듐(Pd(NH₃)₄Cl₂)을 사용하는 등, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 니켈 도금층(200) 또는 니켈 도금층(200) 위에 형성된 팔라듐 도금층(300) 위에 팔라듐-구리 혼합물을 무전해 도금하여 소정 두께의 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)을 형성한다(S50).

팔라듐-구리 혼합 도금층(400)은 다음 과정인 갈바닉 치환 과정으로 금 박막층을 형성하기 위한 희생 금속으로 사용하기 위한 것이다.

이때, 상기 팔라듐-구리 혼합물은 팔라듐염, 구리염, 착화제 및 환원제를 포함할 수 있다.

상기 팔라듐염은 염화팔라듐, 황산팔라듐 및 디클로로테트라아민팔라듐으로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함할 수 있다.

상기 구리염은 황산구리(CuSO₄) 및 염화구리(CuCl₂)로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함할 수 있다.

상기 환원제는 포름알데하이드, 하이드라진 및 디메틸아민보레인으로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함할 수 있다.

상기 팔라듐-구리 혼합물 무전해 도금 용액은 초순수에 염화팔라듐(PdCl₂), 황산구리(CuSO₄), 에틸렌다이아민트라아세트산(EDTA) 및 포름알데하이드(HCHO)를 사용하여 무전해 도금액을 조성한다.

이때, 무전해 도금액의 pH를 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)를 이용하여 적절히 조정하여 팔라듐 도금층(300) 위에 팔라듐-구리 혼합 박막을 형성한다.

다음으로, 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)을 금 갈바닉 전해액에 침지하여 치환 반응에 의해 팔라듐-구리 혼합물 중 상부의 구리(420) 성분을 금(510)으로 치환하여 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)의 상부를 제1 금 박막층(500)으로 형성한다(S60).

상기 갈바닉 치환 반응은 금속 이온 간의 전위차를 이용해 치환하는 공정으로 팔라듐-구리 박막의 구리를 금으로 치환하는 것으로서, 예컨대 상기 갈바닉 전해액은 염화금(HAuCl₄) 및 과염소산(HClO₄)으로 조성하고 상온에서 치환 반응을 진행하여 금 박막을 형성한다

도 4는 갈바닉 치환 반응이 일어나 구리 성분이 금으로 치환되는 것을 나타낸 것으로, 팔라듐 입자(410)와 구리 입자(420)가 분산되어 있는 팔라듐-구리 혼합물로 이루어진 팔라듐-구리 혼합물 도금층(400)을 두 금속 간의 전위차를 이용하여 갈바닉 치환 반응시키면 팔라듐-구리 혼합 도금층의 일부, 특히 상부에 분포되어 있는 구리(420) 성분 중 일부가 금(510)으로 치환되어 팔라듐-구리 혼합 도금층(400) 위에 제1 금 박막층(500)이 형성되며, 이때 제1 금속 박막층(500)의 밀착 특성이 향상될 수 있다.

도 5a는 갈바닉 치환 반응 이전의 인쇄회로기판 표면의 FIB SEM 사진이고, 도 5b는 갈바닉 치환 반응 이후의 인쇄회로 기판 표면의 FIB SEM 사진이다.

도 5a와 도 5b에서 화살표로 표시된 동일한 부분의 성분을 에너지 분산 분광 분석(EDS: energy dispersive X-ray spectroscopy)로 분석한 결과, 갈바닉 치환 반응 이전의 경우 해당 부분의 성분은 구리 44.87 중량% 및 60.47 at%, 금 13.10 중량% 및 5.69 at%, 팔라듐 42.03 중량% 및 33.83 at%로 나타났으며, 갈바닉 치환 반응 이후의 경우 해당 부분의 성분은 구리 9.65 중량% 및 23.99 at%, 금 85.15 중량% 및 68.29 at%, 팔라듐 5.20 중량% 및 7.72 at%로 나타났다. 즉, 갈바닉 치환 반응 이후 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)의 상부가 제1 금 박막층(500)으로 형성됨을 확인할 수 있다.

도 6은 본 실시 형태에 따른 인쇄회로기판 표면의 X선 광전자 분광법의 결과를 나타낸 것으로, 유사한 바인딩 에너지에서 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)과 제1 금 박막층(500)의 강도가 유사하다가, 갈바닉 치환 반응 후에 바인딩 에너지가 930 eV 이상으로 증가하게 되면 구리의 강도(intensity)가 줄어든 것을 확인할 수 있다.

위와 같이 도 5a 내지 도 6에 나타난 결과에 따라서, 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)의 상부가 제1 금 박막층(500)으로 변환됨을 확인할 수 있다.

다음으로, 필요시 제1 금 박막층(500) 위에 금을 무전해 도금하여 소정 두께의 제2 금 박막층(600)을 더 형성할 수 있다(S70).

예컨대, 도 7a는 갈바닉 치환 반응으로 제1 금 박막층(500)을 형성한 것이고, 도 7b는 금 무전해 도금을 더 실시하여 제1 금 박막층(500) 위에 소정 두께의 제2 금 박막층(600)을 더 형성한 것이다. 제2 금 박막층(600)은 금 박막의 두께를 더 확보하고 금 박막의 거칠기를 감소시키기 위한 것이다.

이때, 무전해 도금액은 시안화금칼륨(KAu(CN)₂), 시안화칼륨(KCN), 수산화칼륨(KOH),디메틸아민보레인(DMAB)을 사용하여 조성하여 제1 금 박막층 위에 금 박막을 추가로 형성한다.

인쇄회로기판 황산 9.8 g/L 포함된 산성 용액에 상온에서 1분 동안 처리하여 구리 산화막을 제거하고 증류수로 세정한 다음 질소 가스로 건조시켰다.

건조된 인쇄회로기판을 염화주석(SnCl₂) 1 g/L과 염산(HCl) 1 ml/L를 포함한 용액과 염화팔라듐(PdCl₂)과 염산 1 ml/L를 포함한 용액에 상온에서 각각 5분씩 반응시켜 촉매활성화 하였다.

다음으로, 니켈 무전해 도금액을 염화니켈(NiCl₂) 30 g/L, 차아인산나트륨(NaH₂PO₂) 10 g/L, 시트르산 나트륨(Na₃C₆H₅O₇) 12.6 g/L, 아세트산 나트륨(NaC₂H₃O₂) 5 g/L을 사용하여 조성한 후 83 ℃에서 무전해 도금을 진행하여 인쇄회로기판의 회로 패턴(100) 위에 약 5 ㎛의 니켈 도금층(200)을 형성하였다.

다음으로, 팔라듐 무전해 도금액을 염화팔라듐(PdCl₂) 4 g/L, 암모니아수(NH₄OH) 300 ml/L, 에틸렌다이아민트라아세트산(EDTA) 30 g/L, 염산(HCl) 5 ml/L, 하이드라진(N₂H₄) 0.16 g/L을 사용하여 73 ℃에서 무전해 도금을 진행하여 니켈 도금층(200) 위에 약 54 nm의 팔라듐 도금층(300)을 형성하였다.

다음으로, 팔라듐-구리 혼합물 도금을 실시하기 위해 염화팔라듐(PdCl₂) 1.77 g/L, 황산구리(CuSO₄) 1.25 g/L, 에틸렌다이아민트라아세트산(EDTA), 포름알데하이드(HCHO) 3g/L를 사용하여 전해액을 조성하였다.

이때, pH는 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)를 사용하여 pH 2로 적정하고 도금조의 온도는 73 ℃로 유지하여 팔라듐 도금층(300) 위에 약 36 nm의 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)을 형성하여 전체적으로 팔라듐 도금층(300)과 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)의 두께를 약 90 nm로 형성하였다.

다음으로, 갈바닉 치환 반응을 위해 염화금(HAuCl₄) 0.8 g/L 및 과염소산(HClO₄) 10 g/L로 조성한 전해액에 팔라듐-구리 혼합 도금층(400)을 약 3분간 침지하여 구리 성분 중에서 일부를 금으로 치환시켜 팔라듐 구리 혼합 도금층(400)의 상부를 약 18 nm의 제1 금 박막층(500)으로 형성하였다.

다음으로, 시안화금칼륨(KAu(CN)₂) 5.8 g/L, 시안화칼륨(KCN) 1.3 g/L, 수산화칼륨(KOH) 45 g/L 및 디메틸아민보레인(DMAB) 23.5 g/L으로 조성한 금 무전해 도금액을 사용하여 도금조 온도를 80 ℃로 유지하며 금 무전해 도금을 진행하여 제1 금 박막층(500) 위에 추가적으로 약 18 nm의 제2 금 박막층(600)을 형성하였다.

위와 같이 표면 처리한 인쇄회로기판을 이용하여 와이어 본딩 실험을 실시하였다.

이때, 갈바닉 치환 반응과 금 무전해 도금으로 총 36nm 정도의 금 박막이 형성된 인쇄회로기판 위에 와이어 본딩 실험을 하였을 때, 최대 6_gd의 와이어 본딩 인장 값을 얻을 수 있어서, 와이어 본딩을 수행함에 있어서 문제점이 없음을 확인할 수 있었다.

이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

1 ; 인쇄회로기판 100 ; 회로 패턴
200 ; 니켈 도금층 300 ; 팔라듐 도금층
400 ; 팔라듐-구리 혼합 도금층
410 ; 팔라듐 420 ; 구리
500 ; 제1 금 박막층 510 ; 금
600 ; 제2 금 박막층

Claims

대상물의 표면에 니켈(Ni)을 무전해 도금하여 니켈 도금층을 형성하는 단계;
상기 니켈 도금층 위에 팔라듐-구리(Pd-Cu) 혼합물을 무전해 도금하여 팔라듐-구리 혼합 도금층을 형성하는 단계; 및
상기 팔라듐-구리 혼합 도금층을 금(Au) 갈바닉 전해액에 침지하여 치환 반응에 의해 상기 팔라듐-구리 혼합물 중 구리(Cu) 성분을 금으로 치환하여 제1 금 박막층을 형성하는 단계; 를 포함하는 금 박막 형성 방법.
제1항에 있어서,
상기 팔라듐-구리 혼합 도금층을 형성하는 단계 이전에, 상기 니켈 도금층 위에 팔라듐(Pd)을 무전해 도금하여 팔라듐 도금층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 박막 형성 방법.
제1항에 있어서,
상기 팔라듐-구리 혼합 도금층을 금 갈바닉 전해액에 침지하여 치환 반응에 의해 제1 금 박막층을 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 금 박막층 위에 금(Au)을 무전해 도금하여 제2 금 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 박막 형성 방법.
제1항에 있어서,
상기 팔라듐-구리 혼합물은 팔라듐염, 구리염, 착화제 및 환원제를 포함하는 것을 특징으로 하는 금 박막 형성 방법.
제4항에 있어서,
상기 팔라듐염은 염화팔라듐, 황산팔라듐 및 디클로로테트라아민팔라듐으로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 금 박막 형성 방법.
제4항에 있어서,
상기 구리염은 황산구리(CuSO₄) 및 염화구리(CuCl₂)로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 금 박막 형성 방법.
제4항에 있어서,
상기 환원제는 포름알데하이드, 하이드라진 및 디메틸아민보레인으로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 금 박막 형성 방법.
기판;
상기 기판의 표면에 형성된 구리 회로 패턴;
상기 회로 패턴 위에 형성된 니켈 도금층;
상기 니켈층 위에 형성된 팔라듐-구리 혼합 도금층; 및
상기 팔라듐-구리 혼합 도금층 위에 형성된 제1 금 박막층; 을 포함하는 인쇄회로기판.
제8항에 있어서,
상기 니켈 도금층과 상기 팔라듐-구리 혼합 도금층 사이에 팔라듐 도금층이 개재된 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
제8항에 있어서,
상기 제1 금 박막층 위에 제2 금 박막층이 형성된 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
제8항에 있어서,
상기 팔라듐-구리 혼합물은 팔라듐염, 구리염, 착화제 및 환원제를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
제11항에 있어서,
상기 팔라듐염은 염화팔라듐, 황산팔라듐 및 디클로로테트라아민팔라듐으로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
제11항에 있어서,
상기 구리염은 황산구리(CuSO₄) 및 염화구리(CuCl₂)로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
제11항에 있어서,
상기 환원제는 포름알데하이드, 하이드라진 및 디메틸아민보레인으로 구성되는 군에서 선택된 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.