JP7401436B2 - 電子部品搬送用冶具用の基材 - Google Patents
電子部品搬送用冶具用の基材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7401436B2 JP7401436B2 JP2020534711A JP2020534711A JP7401436B2 JP 7401436 B2 JP7401436 B2 JP 7401436B2 JP 2020534711 A JP2020534711 A JP 2020534711A JP 2020534711 A JP2020534711 A JP 2020534711A JP 7401436 B2 JP7401436 B2 JP 7401436B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating film
- oxidized
- jig
- base material
- electronic components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 51
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 135
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 94
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 94
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 64
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 36
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 36
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 24
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 99
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 21
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 17
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 12
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 9
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 3
- WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N (2E)-2-Tetradecenal Chemical compound CCCCCCCCCCC\C=C\C=O WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000655 Killed steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 2
- RQMIWLMVTCKXAQ-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[C] Chemical compound [AlH3].[C] RQMIWLMVTCKXAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229940044654 phenolsulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L stannous sulfate Chemical compound [SnH2+2].[O-]S([O-])(=O)=O RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000375 tin(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 238000004154 testing of material Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
- C23C22/60—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using alkaline aqueous solutions with pH greater than 8
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
- C23C22/68—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous solutions with pH between 6 and 8
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/28—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases more than one element being applied in one step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
- C25D5/42—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated of light metals
- C25D5/44—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
前記電子部品搬送用冶具用の基材は、前記樹脂吸着部を支持するために用いられ、
金属板と、前記金属板上に形成され、Ni、SnおよびPから選択される少なくとも1種の元素を含む酸化処理めっき皮膜と、を備え、
前記酸化処理めっき皮膜の最表面における全Ni元素中における酸化状態にあるNiとしてのNi2O3の状態割合、又は前記酸化処理めっき皮膜の最表面における全Sn元素中における酸化状態にあるSnとしてのSnO2の状態割合が、1%以上である、電子部品搬送用冶具用の基材が提供される。
なお、前記酸化処理めっき皮膜の最表面における全Ni元素中における酸化状態にあるNiとしてのNi2O3の状態割合、又は前記酸化処理めっき皮膜の最表面における全Sn元素中における酸化状態にあるSnとしてのSnO2の状態割合は、5%超であることが好ましい。
好ましくは、前記酸化処理めっき皮膜が、Niを少なくとも含有する酸化処理めっき皮膜であり、前記酸化処理めっき皮膜の最表面のNiにおける、NiOと、Ni2O3の状態比が、「NiO:Ni2O3」の比で、11.0:1.0~1.0:99.0であることが好ましく、より好ましくは7.0:1.8~23.8:76.2、さらに好ましくは7.0:1.8~27.4:72.6である。
好ましくは、前記酸化処理めっき皮膜が、Ni-P合金を少なくとも含有する酸化処理めっき皮膜である。
好ましくは、前記酸化処理めっき皮膜中における、全P元素中における酸化状態にあるPの酸化物の状態割合が21%以上である。
好ましくは、前記酸化処理めっき皮膜の厚みが、1~40μmである。
好ましくは、前記金属板が、アルミニウム板である。
本発明の電子部品搬送用冶具用の基材は、前記金属板上に、亜鉛を含有する下地層をさらに備え、前記酸化処理めっき皮膜が、前記下地層に形成されていることが好ましい。
まず、本実施形態の電子部品搬送用冶具用の基材10について詳細に説明する前に、本実施形態の電子部品搬送用冶具用の基材10を用いて得られる電子部品搬送用冶具の製造方法を、図2を参照して、説明する。
上述したように、本実施形態の電子部品搬送用冶具用の基材10は、図2(A)~図2(D)に示すように、電子部品搬送用冶具40を得るために用いられるものである。具体的には、本実施形態の電子部品搬送用冶具用の基材10は、樹脂吸着部21を支持するための支持基材として用いられる。
なお、各特性の評価方法は、以下のとおりである。
実施例および比較例にて得られた酸化処理めっき板(比較例1においては、酸化処理を行っていないめっき板、比較例3,4においてはアルマイト処理板、以下、各測定、評価についての説明において同様。)の表面に形成した酸化処理めっき皮膜(比較例3,4においては、アルマイト処理面、以下、各測定、評価についての説明において同様。)の表面について、X線光電子分光装置(アルバック・ファイ社製、型番:VersaProbeII)を用いて、Ni2p3/2、Sn3d5/2、P2p、O1sのピークをそれぞれ測定した。
全元素中の酸素元素の存在割合は、アルゴンスパッタにより2nmエッチングした後、測定し、Ni2p3/2、Sn3d5/2、P2p、O1sのピーク面積の総和に占めるO1sピーク面積の割合から算出した(全元素中の酸素元素の存在割合の測定結果は、実施例7,8、比較例2、実施例9,10,16~18について行った。)。
Pの酸化物の割合は、上記P2pのピークを各化学状態に対応する波形に分離し、P2pのピーク面積に占めるPの酸化物のピーク面積の割合から算出した。
NiOの状態割合、および、Ni2O3の状態割合は、Ni2p3/2のピークを各化学状態に対応する波形に分離し、Ni2p3/2のピーク面積に占めるNiOに対応するピーク面積、又は、Ni2O3に対応するピーク面積の割合から算出した。
SnOの状態割合、および、SnO2の状態割合は、Sn3d5/2のピークを各化学状態に対応する波形に分離し、Sn3d5/2のピーク面積に占めるSnOに対応するピーク面積、又は、SnO2に対応するピーク面積の割合から算出した。
実施例および比較例にて得られた酸化処理めっき板を、50mm×50mmのサイズに切断し、50mm×50mmのサイズの試料の向かい合う2辺を、一対の支持部材(支持端子径2mm、支持幅40mm)で支持した状態で、基準面より浮かせた状態で載置し、この状態にて、酸化処理めっき板の酸化処理めっき皮膜形成面の、向かい合う2辺の中央付近を、半径5mm、幅50mmの圧子により、60Nの荷重を2mm/分の条件にて付加することで、3点曲げ試験を行った。そして、3点曲げ試験前後の酸化処理めっき板について、光学干渉縞計(製品名「平面度検査器(FT‐M100P)」、株式会社溝尻光学工業所製)を用いて、干渉縞の変化を観測し、以下の基準で評価した。3点曲げ試験前後において、干渉縞の変化が観測されなければ、曲げ強度に優れると判断でき、一方、干渉縞の変化が観測された場合には、曲げ強度に劣ると判断できる。
〇:3点曲げ試験前後において、干渉縞の変化が観測されない。
×:3点曲げ試験前後において、干渉縞の変化が観測された。
実施例および比較例にて得られた酸化処理めっき板の酸化処理めっき皮膜形成面に対し、鉛直方向に硬質合金針を載置し、荷重50g/kgfを印加した状態で引っ掻き試験を行い、レーザー顕微鏡(オリンパス社製、「LEXT(OLS3500)」)にて、キズ深さの測定を行った。キズ深さが浅いほど、硬度が高いと判断することができる。
〇:キズ深さが1μm以下
×:キズ深さが1μm超
実施例および比較例にて得られた吸着用樹脂層を備える酸化処理めっき板の、吸着用樹脂層にシッカロール(アサヒグループ食品株式会社製)を塗布し、前記吸着用樹脂層をカッターにより幅20mmに切出し、端部より20mmの長さで剥離した。剥離部にガムテープ(日東電工CSシステム株式会社製、「スーパー布テープNo.757スーパー」)を両面に貼付し、テンシロン万能材料試験機RTC-1350A(株式会社オリエンテック製)を用いて180°方向に、50mm/分の速度で上記吸着樹脂層のピール強度(剥離荷重)の測定を行った。ピール強度の値が高いほど、酸化処理めっき板と、吸着用樹脂層との密着性が高いことを示している。なお、吸着用樹脂層との密着性の観点より、ピール強度の値は0.35N/20mm以上であることが望ましく、また、上述したように、電子部品搬送用冶具の製造工程において、不要な吸着用樹脂を剥離する場合もあるため、このような不要な吸着用樹脂を剥離する際における、剥離性の観点より、ピール強度の値は2N/20mm以下であることが望ましい。
厚さ0.68mmのアルミニウム板(Al#5000)を準備した。そして、準備したアルミニウム板を脱脂し、エッチング、脱スマット、1stジンケート、脱ジンケート、2ndジンケートの各前処理をこの順に行い、各工程間で水洗を実施した後、Ni-Pめっき浴(公知のリンゴ酸‐コハク酸系無電解Ni-Pめっき浴)を用いて、無電解めっきにより、基材上に、厚さ10μmのNi-P合金めっき層(Pの含有量:12.0~12.5重量%)を形成した。次いで、Ni-P合金めっき層を形成したアルミニウム板について、30重量%のH2O2水溶液に、浸漬温度25℃、浸漬時間30分の条件で浸漬することで酸化処理を行い、アルミニウム上に、亜鉛を含有する下地層を介して、厚さ10μmの酸化処理めっき皮膜が形成されてなる酸化処理めっき板を得た。そして、得られた酸化処理めっき板について、上記方法に従って、XPS測定の結果より、全元素中の酸素元素の存在割合、Pの酸化物の状態割合、NiOの状態割合、および、Ni2O3の状態割合を算出するとともに、3点曲げ試験およびキズ付け試験を行った。結果を表1に示す。
H2O2水溶液を用いた酸化処理の条件を表1に示す条件にそれぞれ変更した以外は、実施例1と同様にして、酸化処理めっき板、および非シリコーン系樹脂層を備える酸化処理めっき板を製造し、同様に評価を行った。結果を表1に示す。
低炭素アルミキルド鋼の冷間圧延板(厚さ0.25mm)を焼鈍して得られた鋼板を準備した。そして、準備した鋼板を脱脂し、水洗し、酸洗し、水洗した後、下記の錫めっき浴を用い、下記のめっき条件にて、錫めっき層を形成した鋼板を得て、水酸化ナトリウム(NaOH)でpH13に調整した6重量%の次亜塩素酸ナトリウム(NaClO)水溶液に、浸漬温度70℃、浸漬時間20分の条件で浸漬することで酸化処理を行い、鋼板上に、厚さ1.0μmの酸化処理めっき皮膜が形成されてなる酸化処理めっき板を得た。そして、得られた酸化処理めっき板を用いて、実施例1と同様に評価するとともに、得られた酸化処理めっき板を用いて、非シリコーン系樹脂層を備える酸化処理めっき板を製造し、同様に評価を行った。結果を表1に示す。
<錫めっき浴および錫めっき条件>
硫酸第一錫 80g/L
フェノールスルホン酸 60g/L
浴温 40℃
電流密度 10A/dm2
H2O2水溶液を用いた酸化処理を行わなかった以外は、実施例1と同様にして、めっき板、および非シリコーン系樹脂層を備えるめっき板を製造し、同様に評価を行った。結果を表1に示す。
H2O2水溶液を用いた酸化処理に代えて、水酸化ナトリウム水溶液を用いた塩基処理を行った以外は、実施例1と同様にして、塩基処理めっき板、および非シリコーン系樹脂層を備える塩基処理めっき板を製造し、同様に評価を行った。なお、水酸化ナトリウム水溶液を用いた塩基処理は、pH=12の水酸化ナトリウム水溶液を使用し、95℃、30分の条件で行った。結果を表1に示す。
厚さ0.5mmのアルミニウム板(Al#5000)を準備した。そして、準備したアルミニウム板を脱脂し、水洗した後、アルマイト処理を行うことで、アルマイト処理板を得た。そして、得られた、アルマイト処理板を用いて、実施例1と同様に評価を行うとともに、得られたアルマイト処理板を用いて、非シリコーン系樹脂層を備えるアルマイト処理板を製造し、同様に評価を行った。結果を表1に示す。
一方、Ni、SnおよびPから選択される少なくとも1種の元素を含む酸化処理めっき皮膜を備える場合でも、該酸化処理めっき皮膜の最表面における全Ni元素中における酸化状態にあるNiとしてのNi2O3の状態割合、又は最表面における全Sn元素中における酸化状態にあるSnとしてのSnO2の状態割合が1%未満である場合には、吸着用樹脂に対する密着性が不十分であり(比較例1,2)、また、Ni、SnおよびPから選択される少なくとも1種の元素を含む酸化処理めっき皮膜に代えて、アルマイト処理を行った場合には、3点曲げ試験による強度、およびキズ付け試験による硬度が低く、さらには、吸着用樹脂に対する密着性(ピール強度)が高すぎるものとなる結果となった(比較例3)。
厚さ0.68mmのアルミニウム板(Al#5000)を準備した。そして、準備したアルミニウム板を脱脂し、エッチング、脱スマット、1stジンケート、脱ジンケート、2ndジンケートの各前処理をこの順に行い、各工程間で水洗を実施した後、Ni-Pめっき浴(公知のリンゴ酸‐コハク酸系無電解Ni-Pめっき浴)を用いて、無電解めっきにより、基材上に、厚さ10μmのNi-P合金めっき層(P含有量:12.0~12.5重量%)を形成した。次いで、Ni-P合金めっき層を形成したアルミニウム板について、15重量%のH2O2水溶液に、浸漬温度70℃、浸漬時間10分の条件で浸漬することで酸化処理を行い、アルミニウム上に、亜鉛を含有する下地層を介して、厚さ10μmの酸化処理めっき皮膜が形成されてなる酸化処理めっき板を得た。そして、得られた酸化処理めっき板について、上記方法に従って、XPS測定の結果より、全元素中の酸素元素の存在割合、Pの酸化物の状態割合、NiOの状態割合、および、Ni2O3の状態割合を算出するとともに、3点曲げ試験およびキズ付け試験を行った。結果を表2に示す。
H2O2水溶液を用いた酸化処理の条件を表2に示す条件にそれぞれ変更した以外は、実施例9と同様にして、酸化処理めっき板、およびPDMS層を備える酸化処理めっき板を製造し、同様に評価を行った。結果を表2に示す。
低炭素アルミキルド鋼の冷間圧延板(厚さ0.25mm)を焼鈍して得られた鋼板を準備した。そして、準備した鋼板を脱脂し、水洗し、酸洗し、水洗した後、下記の錫めっき浴を用い、下記のめっき条件にて、錫めっき層を形成した鋼板を得て、6重量%の次亜塩素酸ナトリウム水溶液(NaClO)に、浸漬温度70℃、浸漬時間20分の条件で浸漬することで酸化処理を行い、鋼板上に、厚さ1.0μmの酸化処理めっき皮膜が形成されてなる酸化処理めっき板を得た。そして、得られた酸化処理めっき板を用いて、実施例9と同様に評価するとともに、得られた酸化処理めっき板を用いて、PDMS層を備える酸化処理めっき板を製造し、同様に評価を行った。結果を表2に示す。
<錫めっき浴および錫めっき条件>
硫酸第一錫 80g/L
フェノールスルホン酸 60g/L
浴温 40℃
電流密度 10A/dm2
厚さ0.68mmのアルミニウム板(Al#5000)を準備した。そして、準備したアルミニウム板を脱脂し、水洗した後、アルマイト処理を行うことで、アルマイト処理板を得た。そして、得られた、アルマイト処理板を用いて、実施例10と同様に評価を行うとともに、得られたアルマイト処理板を用いて、PDMS層を備えるアルマイト処理板を製造し、同様に評価を行った。結果を表2に示す。
一方、Ni、SnおよびPから選択される少なくとも1種の元素を含む酸化処理めっき皮膜に代えて、アルマイト処理を行った場合には、吸着用樹脂に対する密着性(ピール強度)が良好であったものの、3点曲げ試験による強度、およびキズ付け試験による硬度が低い結果となった(比較例4)。
11…金属板
12…酸化処理めっき皮膜
20…樹脂層
21…樹脂吸着部
30…賦形用金型
31…キャビティ
40…電子部品搬送用冶具
50…ストッカ
60…電子部品
70…回路基板
Claims (9)
- 電子部品を吸着するための樹脂吸着部を備える、電子部品搬送用冶具に用いられる、電子部品搬送用冶具用の基材であって、
前記電子部品搬送用冶具用の基材は、前記樹脂吸着部を支持するために用いられ、
金属板と、前記金属板上に形成され、Ni、SnおよびPから選択される少なくとも1種の元素を含む酸化処理めっき皮膜と、を備え、
前記酸化処理めっき被膜が、Niめっき膜、Ni-P合金めっき膜、およびSnめっき膜のいずれか一種のめっき膜を、酸化処理することで形成される酸化処理めっき被膜であり、
前記Ni-P合金めっき膜中における、Pの含有量が1~13重量%であり、
前記酸化処理めっき皮膜の最表面における全Ni元素中における酸化状態にあるNiとしてのNi2O3の状態割合、又は前記酸化処理めっき皮膜の最表面における全Sn元素中における酸化状態にあるSnとしてのSnO2の状態割合が、1%以上72.6%以下である、電子部品搬送用冶具用の基材。 - 前記酸化処理めっき皮膜の最表面における酸素元素の存在割合が40atom%以上である、請求項1に記載の電子部品搬送用冶具用の基材。
- 前記酸化処理めっき皮膜が、Niめっき膜、およびNi-P合金めっき膜のいずれか一種のめっき膜を、酸化処理することで形成される酸化処理めっき皮膜であり、前記酸化処理めっき皮膜の最表面のNiにおける、NiOと、Ni2O3の状態比が、「NiO:Ni2O3」の比で、11.0:1.0~1.0:99.0である請求項1または2に記載の電子部品搬送用冶具用の基材。
- 前記酸化処理めっき皮膜が、Ni-P合金めっき膜を酸化処理することで形成される酸化処理めっき皮膜である請求項1~3のいずれかに記載の電子部品搬送用冶具用の基材。
- 前記酸化処理めっき皮膜中における、全P元素中における酸化状態にあるPの酸化物の状態割合が21%以上である請求項4に記載の電子部品搬送用冶具用の基材。
- 前記酸化処理めっき皮膜の厚みが、1~40μmである請求項1~5のいずれかに記載の電子部品搬送用冶具用の基材。
- 前記金属板が、アルミニウム板である請求項1~6のいずれかに記載の電子部品搬送用冶具用の基材。
- 前記金属板上に、亜鉛を含有する下地層をさらに備え、
前記酸化処理めっき皮膜が、前記下地層に形成されている請求項1~7のいずれかに記載の電子部品搬送用冶具用の基材。 - 請求項1~8のいずれかに記載の電子部品搬送用冶具用の基材上に、電子部品を吸着するための樹脂吸着部を備える電子部品搬送用冶具。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018145401 | 2018-08-01 | ||
JP2018145401 | 2018-08-01 | ||
PCT/JP2019/030049 WO2020027209A1 (ja) | 2018-08-01 | 2019-07-31 | 電子部品搬送用冶具用の基材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020027209A1 JPWO2020027209A1 (ja) | 2021-08-19 |
JP7401436B2 true JP7401436B2 (ja) | 2023-12-19 |
Family
ID=69231839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020534711A Active JP7401436B2 (ja) | 2018-08-01 | 2019-07-31 | 電子部品搬送用冶具用の基材 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7401436B2 (ja) |
TW (1) | TWI705888B (ja) |
WO (1) | WO2020027209A1 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010287679A (ja) | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Elpida Memory Inc | 搬送用冶具 |
JP2018056247A (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置および電子部品収納用パッケージの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6060742A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドフレ−ム |
JPH10230562A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-09-02 | Tokai Rubber Ind Ltd | ゴム及び/または樹脂剥離性表面を有する金属製品及びその製造方法 |
US20090056994A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Kuhr Werner G | Methods of Treating a Surface to Promote Metal Plating and Devices Formed |
JP6060742B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-01-18 | ライオン株式会社 | 外用液体組成物 |
JP2015053418A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
CN104388920B (zh) * | 2014-11-12 | 2017-02-22 | 华南理工大学 | 一种用于化学镀Ni‑P镀层无铬钝化的方法 |
-
2019
- 2019-07-31 JP JP2020534711A patent/JP7401436B2/ja active Active
- 2019-07-31 WO PCT/JP2019/030049 patent/WO2020027209A1/ja active Application Filing
- 2019-08-01 TW TW108127377A patent/TWI705888B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010287679A (ja) | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Elpida Memory Inc | 搬送用冶具 |
JP2018056247A (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置および電子部品収納用パッケージの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202015908A (zh) | 2020-05-01 |
JPWO2020027209A1 (ja) | 2021-08-19 |
WO2020027209A1 (ja) | 2020-02-06 |
TWI705888B (zh) | 2020-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI606152B (zh) | Ultra-thin copper foil with carrier, and copper-clad laminate, printed circuit board, and coreless substrate made using the ultra-thin copper foil with carrier | |
JP4831783B2 (ja) | 導電層及びこれを用いた積層体と、これらの製造方法 | |
JP5474500B2 (ja) | 印刷回路基板及びその製造方法 | |
JP2012094918A (ja) | 銅表面の対樹脂接着層、配線基板および接着層形成方法 | |
JP2002076226A (ja) | リードフレームとその製造方法 | |
JP2005344174A (ja) | 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔を用いて製造したフレキシブル銅張積層板並びにフィルムキャリアテープ | |
JP5666384B2 (ja) | 支持体付極薄銅箔とその製造方法 | |
JP7012107B2 (ja) | 複合銅箔、プリント配線板、電子機器及び複合銅箔の製造方法 | |
JP5473838B2 (ja) | 支持体金属箔付き複合金属層、これを用いた配線板とその製造方法、この配線板を用いた半導体パッケージの製造方法 | |
KR20080028819A (ko) | 대 수지 접착층 및 이를 이용한 적층체의 제조 방법 | |
JP5640922B2 (ja) | 挿抜性に優れた錫めっき銅合金端子材 | |
WO2014042412A1 (ko) | 동박의 표면처리 방법 및 그 방법으로 표면처리된 동박 | |
JP3661763B2 (ja) | プリント配線板用表面処理銅箔の製造方法 | |
WO2013065730A2 (ja) | 印刷回路用銅箔 | |
JP7401436B2 (ja) | 電子部品搬送用冶具用の基材 | |
TWI277377B (en) | Method for manufacturing an electrodeposited copper foil with a high-temperature resistant carrier and an electrodeposited copper foil with a high-temperature resistant carrier obtained through the method | |
JP2006028635A (ja) | 微細回路基板用表面処理銅箔の製造方法及びその銅箔 | |
JP5755371B2 (ja) | キャリア付き極薄銅箔、銅張積層板並びにコアレス基板 | |
JP5621570B2 (ja) | Snめっき付き導電材及びその製造方法 | |
WO2013065713A1 (ja) | 印刷回路用銅箔 | |
JPH07832B2 (ja) | プリント回路用銅箔およびその製造方法 | |
JP2015124434A (ja) | 錫めっき銅合金端子材 | |
JP5650023B2 (ja) | プリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板 | |
JP3833493B2 (ja) | Tab用テープキャリアに用いる銅箔並びにこの銅箔を用いたtab用キャリアテープ及びtab用テープキャリア | |
US11898264B2 (en) | Treatment methods and solutions for improving adhesion of gold electroplating on metal surfaces |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7401436 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |