DE19606636A1 - Für stromloses Plattieren geeignete Resist-Zusammensetzung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Resist-Zusammenset­ zung, die vorzugsweise für partielles, stromloses Plattie­ ren verwendet wird, und insbesondere eine Resist-Zusammen­ setzung, die für die Herstellung einer gedruckten Leiter­ platte gemäß dem "Additivverfahren" geeignet ist, bei dem eine Leiterschaltung durch stromloses Plattieren eines iso­ lierenden Substrats als Ausgangsmaterial gebildet wird.

Die Verfahren zur Herstellung gedruckter Leiterplatten könnten allgemein in zwei unterteilt werden. Eines ist das "Subtraktivverfahren", bei dem unnötige Teile einer Kupfer-
beschichtung selektiv durch chemische Behandlung entfernt werden, um dabei ein gewünschtes Leitermuster und isolie­ rende Teile zu schaffen. Das andere ist ein Additivverfah­ ren, bei dem ein elektrisch leitfähiges Material auf einem isolierenden Substrat selektiv durch stromloses Plattieren oder dergleichen abgeschieden wird, um ein Leitermuster zu bilden.

In den vergangenen Jahren wurde eine hohe Packungsdichte bei elektronischen Vorrichtungen entwickelt und die Forde­ rung nach einer verfeinerten Musterbildung der gedruckten Leiterplatten hat sich weiter verschärft. Das "Subtraktiv­ verfahren", das in weitem Umfang bei der Bildung verfeiner­ ter Muster angewandt wurde, kann diese Aufgabe jedoch nicht vollständig erfüllen und das Additivverfahren hat mehr und mehr an Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Hierbei hat man sich insbesondere auf ein vollständiges Additivverfahren konzentriert, ein Verfahren, bei dem das Erfordernis nach Bildung eines verfeinerten Musters und der Reduzierung der Kosten zusammenfallen. Als Grundverfahren, die derzeit praktisch verwendet werden, sind das "CC-4-Verfahren" und das "AP-II-Verfahren" zu nennen.

Da früher in einem isolierenden Substrat stromlos plat­ tierte Katalysatorkerne waren, ist bei dem CC-4-Verfahren kein Verfahren zum Zusetzen von Katalysatoren erforderlich, und dieses ist daher vom Standpunkt der Verfahrensanordnung aus betrachtet einfach. Dieses Verfahren ist jedoch teuer, weil mehr Katalysator als notwendig enthalten sein muß. An­ dererseits ist bei den AP-II-Verfahren, da bei diesem ein Substrat verwendet wird, das keinen Katalysator enthält, die Freiheit bei der Auswahl des Materials erhöht, während sein Oberflächenwiderstand verringert ist, weil beim Vor­ gang des Zusetzens von Katalysator der Katalysator nicht wie beim CC-4-Verfahren dispergiert wird, und unter dem Plattierresist bleibt.

Um solche Nachteile, die dem CC-4-Verfahren und dem AP-II- Verfahren eigen sind, zu lösen, sind bis jetzt ein Verfah­ ren, bei dem nach dem Ausbilden des Plattierresists auf das Substrat Katalysator aufgebracht wird, um extra Katalysator auf der Oberfläche des Resists zu entfernen (siehe bei­ spielsweise JPA Hei 4-118992), und ein Verfahren vorge­ schlagen worden, bei dem wasserabstoßendes Kunstharz für den Resist verwendet wird, oder das Resist einer wasserab­ stoßenden Behandlung unterzogen wird, so daß der Katalysa­ tor nicht zur Oberfläche des Resists hin absorbiert wird (siehe beispielsweise JPA Hei 1-87781) . Wegen der nicht ausreichenden adsorbierenden Selektivität des Katalysators ist jedoch keines der Verfahren ausreichend.

Eine vorrangiges Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Resist-Zusammensetzung zu schaffen, die für die Her­ stellung gedruckter Leiterplatten geeignet ist und die die Herstellung eines verfeinerten Leitungsmusters erlaubt, ohne daß eine Abscheidung von Beschichtung auf unnötigen Teilen oder Verringerung des Oberflächenresists verursacht wird, was durch Absorption eines Katalysators auf der Ober­ fläche des plattierten Resists bedingt ist, und durch bil­ liges stromloses Plattieren erfolgen kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Re­ sist-Zusammensetzung, die für partielles, stromloses Plat­ tieren verwendet wird, gekennzeichnet durch ein Resist- Kunstharz, und wenigstens eine Art von Verbindungen, die ein Element enthalten, das aus der Gruppe Stickstoff, Phos­ phor und Schwefel, die ein nicht-kovalentes Elektronenpaar haben, ausgewählt ist, die in einer Menge von ungefähr 1 bis ungefähr 15 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichts­ teile des Resist-Kunstharzes, dem Resist-Kunstharz zuge­ setzt ist.

Als Ergebnis einer sorgfältigen Betrachtung zur Lösung der vorstehenden Probleme wurde herausgefunden, daß die neue Resist-Zusammensetzung, die in einer vorbestimmten Menge wenigstens eine Art von Verbindungen, die Stickstoff, Phos­ phor oder Schwefel enthält, die für den Reduzierkatalysator der stromlosen Plattierung als giftig wirken betrachtet werden, jeweils ein nicht-kovalentes Elektronenpaar haben, und zwar mit ungefähr 1 bis ungefähr 15 Gewichtsteilen re­ lativ zu 100 Gewichtsteilen des Resist-Kunstharzes, auf der Oberfläche der Resist-Zusammensetzung keine Plattierab­ scheidungen erzeugt, wenn nach dem Aufbringen eines Plat­ tierkatalysators ein stromloses Plattieren durchgeführt wird.

In der Resist-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung ist die Verbindung, welche Stickstoff, Phosphor oder Schwe­ fel enthält, die jeweils ein nicht-kovalentes Elektronen­ paar haben, mit ungefähr 1 bis ungefähr 15 Gewichtsteilen, bezogen auf 10 Gewichtsteile Resist-Kunstharz haben, vor­ zugsweise eine, die im wesentlichen keine oder eine geringe Löslichkeit in Wasser hat.

Vorzugsweise hat die vorstehend genannte Verbindung, die Stickstoff, Phosphor oder Schwefel mit einem nicht-kovalen­ ten Elektronenpaar enthält, einen Schmelzpunkt von 100°C oder höher.

Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Resist-Zusammensetzung geschaffen, die für partielles, stromloses Plattieren verwendet wird, die aus einem Resist- Kunstharz besteht, das ungefähr 3 bis ungefähr 30 Gew.-% von wenigstens einem Element, ausgewählt aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor oder Schwefel, enthält, das chemisch an das Skelett des Resist-Kunstharzes gebunden ist, um ein nicht-kovalentes Elektronenpaar zu haben.

In der vorliegenden Erfindung werden Verbindungen, die als für einen Reduzierkatalysator giftig wirkend betrachtet werden, bei dem stromlosen Plattieren verwendet, die Stick­ stoff, Phosphor und Schwefel enthalten, die jeweils ein nicht-kovalentes Elektronenpaar haben. Im allgemeinen wer­ den Nichtmetall-Verbindungen, die zur Gruppe Vb und VI des periodischen Systems gehören, als Katalysatorgift betrach­ tet. Von diesen Verbindungen sind die vorstehend genannten Verbindungen ausgehend vom Standpunkt der praktischen Ver­ wendung und der Vielseitigkeit inklusive Sicherheit ausge­ wählt worden. Anzumerken ist, daß all diese Verbindungen nicht als ein Katalysatorgift wirken, aber tatsächlich ge­ genüber Katalysator giftig sind jene, die ein nicht-kova­ lentes Elektronenpaar haben, während viele von solchen, die ein kovalentes Elektronenoktett haben, nicht giftig sind.

Die effektive Verbindung, die in der Resist-Zusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung enthalten ist, hat vor­ zugsweise keine oder eine geringe Löslichkeit in Wasser, um zu vermeiden, daß die effektive Verbindung in Wasser oder wäßriger Lösung, die bei dem stromlosen Plattierverfahren oder einem Vorbehandlungsverfahren verwendet werden, gelöst werden.

Wenn solche Verbindungen wasserlöslich sind, sickern sie nicht nur in die Vorbehandlungs- oder Plattierlösung und kontaminieren diese, sondern es wird oft auch ein Anhalten der Reduzierreaktion, eine Verringerung der Reaktionsge­ schwindigkeit oder eine Verringerung der Eigenschaft des Plattierfilms während dem Plattieren verursacht.

Zusätzlich sind die effektiven Verbindungen vorzugsweise bis zu einem gewissen Maß wärmebeständig. Eine effektive Verbindung, die eine geeignete Wärmebeständigkeit hat, würde kein Ausblühen an der Resist-Schicht während dem Er­ wärmen bei dem Plattiervorgang oder anderen Vorgängen ver­ ursachen, wobei die Wirkung des Katalysatorgiftes nicht nur vermindert wird, sondern auch die Lösung oder die Oberflä­ che des Substrats unerwünschterweise kontaminiert wird. In diesem Sinn haben die effektiven Verbindungen einen Schmelzpunkt von ungefähr 100°C oder höher, und insbeson­ dere über 140°C.

Die effektiven Verbindungen, die bei der vorliegenden Er­ findung geeignet sind und die die vorstehend beschriebenen Bedingungen erfüllen, können solche Verbindungen sein, die Schwefelverbindungen enthalten, insbesondere Verbindungen, die divalenten Schwefel enthalten, weil die Schwefelverbin­ dungen viele unpaarige Elektronen enthalten. Beispiele für diese Schwefelverbindungen können aufweisen N,N⁻-Diphe­ nylthioharnstoff, 2-Mercaptobenzothiazol, Dibenzothiazyl- Disulfid, Tetramethyl-Thiuram-Monosulfid oder dergleichen.

In der Resist-Zusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfin­ dung kann die effektive Verbindung in einer Menge von unge­ fähr 1 bis ungefähr 15 Teilen, vorzugsweise 2 bis 8 Ge­ wichtsteilen pro 100 Gewichtsteile Resist-Kunstharz zuge­ setzt sein. Wenn die zugesetzte Menge geringer als ein Ge­ wichtsteil ist, dann wird bei der stromlosen Plattierung auf der Oberfläche einer Resist-Schicht abgeschieden. Wenn der Zusatz der effektiven Verbindung ungefähr 15 Gewichts­ teile überschreitet, wird eine Wirkung auf dessen Ausblühen an der Oberfläche der Resist-Schicht ausgeübt und ebenfalls eine Erhöhung der Kosten verursacht.

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, ein Re­ sist-Kunstharz zu verwenden, das ungefähr 3 bis ungefähr 30 Gew.-% von wenigstens einem Element, gewählt aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor oder Schwefel, chemisch an das Skelett des Resist-Kunstharzes gebunden, enthält, um ein nicht-ko­ valentes Elektronenpaar zu haben.

Die vorstehend beschriebenen Elemente können in das Skelett des Resist-Kunstharzes zur chemischen Bindung mit demselben mit nicht-kovalenten Elektronenpaaren mittels irgendeines bekannten Verfahrens eingebaut werden. Beispielsweise ist ein Verfahren geeignet, bei dem ein Polysulfid-Kunstharz oder dergleichen mit einer Mercaptogruppe an seinen beiden Enden in einer vorbestimmten Menge als Härter dem Resist- Kunstharz zugesetzt wird. Und ein Verfahren ist ebenfalls geeignet, bei dem die Verbindungen, welche bivalenten Schwefel enthalten, wie beispielsweise Vinylmercaptan, Ethylvinylsulfid, α-Vinylthiophen, mit einer vorbestimmten Menge Epoxidacrylat copolymerisiert werden.

Das Resist-Kunstharz, das bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann eine herkömmliche Resist-Farbe oder ein Flüssigresist beim Additivverfahren sein und kann gleichförmig mit den effektiven Verbindungen vermischt wer­ den. Ein derartiges Resist-Kunstharz kann wärmehärtbar, photohärtbar, photoempfindlich oder nicht photoempfindlich sein. Beispiele für ein derartiges Resist-Kunstharz können aufweisen ein Bisphenol-A-Typ-Epoxidkunstharz, ein Novolak- Epoxidharz, Epoxyacrylat, Urethanacrylat und dergleichen. Anzumerken ist aber, daß, wenn eine photoempfindliche Ver­ bindung verwendet wird, die Menge so begrenzt sein muß, daß die Photoempfindlichkeit nicht behindert wird. Um weiterhin die Adsorption von Katalysator zu verhindern, kann ein was­ serabweisendes Kunstharz, falls erforderlich, zugesetzt sein. Das Verfahren zum gleichmäßigen Vermischen dieser Verbindungen mit dem Resist ist nicht spezifisch begrenzt. Bei einem vorzuziehenden Verfahren werden das Resist und die gewählten effektiven Verbindungen in einem organischen Lösungsmittel unter Umrühren gelöst und dann wird eine Ent­ gasung und eine Viskositätseinstellung, falls erforderlich, durchgeführt.

Wie vorstehend beschrieben, kann das Ziel der Erfindung er­ reicht werden, indem einem Resist-Kunstharz die vorstehend beschriebene effektive Verbindung mit der vorbestimmten Menge zugesetzt wird. Alternativ ist es möglich, daß die vorstehend beschriebenen Elemente in das Skelett des Re­ sist-Kunstharzes zur chemischen Bindung mit demselben ein­ gebaut werden, um nicht-kovalente Elektronenpaare zu haben. In diesem Fall müssen die Löslichkeit in Wasser und der Wärmeresist der Verbindungen gegenüber Wasser nicht in Be­ tracht gezogen werden, aber es wurde herausgefunden, daß eine etwas größere Menge oder ungefähr 3 bis ungefähr 30 Gew.-%, vorzugsweise ungefähr 10 bis 20 Gew.-%, basierend auf dem Gesamtgewicht des Resist-Kunstharzes, unter den vorstehenden Aspekten enthalten sein sollten. Obwohl der Grund hierfür noch nicht klar ist, ist das Kunstharz, wel­ ches die Elemente mit mehr als ungefähr 30 Gew.-% enthält, unerwünscht weichgemacht.

Die Resist-Zusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung kann, falls notwendig, ein Füllmittel, einen Farbstoff oder dergleichen enthalten, der in der gewöhnlichen Resist-Farbe enthalten ist. Die Resist-Zusammensetzung kann als gewöhn­ liche Resist-Farbe oder dergleichen oder in Form eines Trockenfilms verwendet werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Abscheidung der Plattierung auf der Oberfläche der Resist-Schicht wirksam während dem stromlosen Plattieren unterdrückt werden, indem in der Resist-Zusammensetzung eine spezifische Verbindung enthalten ist, die als gegenüber dem Reduzierkatalysator giftig wirkend betrachtet wird. Daher kann die vorstehend beschriebene Resist-Zusammensetzung zuverlässig auf die ge­ druckten Leiterplatten plattiert werden.

Beispiele

Beispiele der Resist-Zusammensetzung, die für das stromlose Plattieren gemäß der vorliegenden Erfindung geeignet ist, werden im folgenden beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht notwendigerweise auf die spezifischen Bei­ spiele begrenzt.

Beispiel 1

Es wurden 100 Gewichtsteile Resist-Farbe ("S-22" der Firma Taiyo Ink Manufacturing Co. Ltd.) und 4 Gewichtsteile N,N⁻- Diphenylthioharnstoff in einer kleinen Menge Cellosolv-Lö­ sungsmittel gelöst und eine überschüssige Menge des Lö­ sungsmittels wurde bei Unterdruck entfernt. Die Lösung wurde mittels eines Siebdruckverfahrens auf die beiden, mit Klebstoff versehenen Flächen eines Glas-Epoxidsubstrats "EL-8762AD" (der Firma Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) aufge­ druckt und dann wurde die Farbe bei einer Temperatur von ungefähr 140°C für ungefähr 30 Minuten wärmegehärtet.

Nach dem Spülen mit einer Säurelösung und Neutralisieren wurde auf das Substrat ein Katalysator für stromloses Plat­ tieren aufgebracht und durch "Circuit Preps 3000 and 4000" Reihenaktivator (der Firma Japan Energy Co., Ltd.) akti­ viert und beschleunigt und dann wurde für 30 Minuten unter Verwendung von "KC-500" (der Firma Japan Energy Co., Ltd.) eine stromlose Kupferbeschichtung durchgeführt.

Auf der Oberfläche des Resists auf dem Substrat wurde keine Abscheidung des stromlos abgeschiedenen Kupfers beobachtet und es wurde ein partielles Plattiermuster mit hoher Genau­ igkeit gebildet.

Beispiel 2

Eine gleichmäßige Mischung aus 100 Gewichtsteilen eines photoempfindlichen Epoxyacrylat-Klebstoffes (der ein Cello­ solv-Lösungsmittel enthält, von der Firma Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) und 4 Gewichtsteilen Tetramethylthiuram-Monosul­ fid wurden auf eine Oberfläche eines "EL-8762AD"-Substrats (der Firma Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), bestehend aus ei­ nem Glasmantel mit einem Epoxidharz und einer Klebschicht auf beiden Oberflächen derselben, durch Wirbelbeschichten aufgebracht und bei einer Temperatur von 90°C für 5 Minuten vorgesintert. Dieses Substrat wurde durch eine Glasmaske zum Aushärten mit einem Licht von 150 mj/cm² belichtet und dann mittels einer herkömmlichen organischen Alkali-Ent­ wicklerlösung entwickelt und dann mit einem Licht von 2 j/cm² bei einer Temperatur von 90°C belichtet. Danach wurde das Substrat 30 Minuten lang bei einer Temperatur von ungefähr 140°C wärmebehandelt. Das Substrat wurde dann mit einer Säurelösung gewaschen und einem Neutralisationsvor­ gang, dem Aufbringen eines Katalysators und der Aktivie­ rung, gefolgt von einer stromlosen Kupferbeschichtung, wie beim Beispiel 1, unterzogen.

Auf der Oberfläche der Resist-Schicht auf dem Substrat wurde keine Abscheidung der stromlosen Kupferbeschichtung beobachtet und es wurde ein partielles Plattiermuster mit einer hohen Genauigkeit gebildet.

Vergleichsbeispiel 1

Der gleiche Vorgang wie beim Beispiel 1 wurde wiederholt, mit der Ausnahme, daß anstatt von N,N⁻-Diphenylthioharn­ stoff des Beispiels 1, Diphenylsulfon verwendet wurde und es wurde eine stromlose Kupferbeschichtung durchgeführt.

Auf der Oberfläche der Resist-Schicht auf dem Substrat wurde eine unerwünschte Abscheidung der stromlosen Kupfer­ beschichtung beobachtet und es wurde keine ausgezeichnete partielle Plattierung erzielt.

Vergleichsbeispiel 2

Anstatt von N,N⁻-Diphenylthioharnstoff des Beispiels 1 wurde N,N⁻-Diethylthioharnstoff verwendet, um eine Resist- Schicht zu bilden, die wärmegehärtet wurde. Zu diesem Zeit­ punkt wurde ein Ausblühen der vorherigen Verbindung auf der Oberfläche der Resist-Schicht beobachtet und diese Verbin­ dung wurde in die Behandlungslösung des folgenden Behand­ lungsvorganges gelöst.

Es wurde auf der Resist-Oberfläche eine unerwünschte Ab­ scheidung der stromlosen Kupferbeschichtung beobachtet.

Vergleichsbeispiel 3

Mit der Ausnahme, daß anstatt der beim Beispiel 2 verwende­ ten 4 Gewichtsteile Tetramethylthiuram-Monosulfid 0,5 Ge­ wichtsteile verwendet wurden, wurde der gleiche Vorgang wiederholt und dann wurde eine stromlose Kupferbeschichtung durchgeführt. Auf der Oberfläche der Resist-Schicht auf dem Substrat wurde eine unerwünschte Abscheidung der stromlosen Kupferbeschichtung beobachtet.

Beispiel 3

Es wurden 85 Gewichtsteile eines Diglycidylether-Epoxid­ harzes ("Epicoat 828" der Firma Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), 15 Gewichtsteile eines Polysulfid-Kunstharzes als Härter und 10 Gewichtsteile Tris(Dimethylaminomethylphenol) gleichförmig vermischt und dann auf beide mit Klebstoff versehene Flächen eines Substrats, das einen Glasmantel, imprägniert mit einem Epoxidharz, aufwies und das von der Firma Sumitomo Bakelite Co., Ltd. kommerziell zur Verfügung steht, durch Siebdrucken aufgebracht. Das Substrat wurde dann 4 Tage bei Raumtemperatur einem Aushärtvorgang unter­ zogen. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit Säurelö­ sung, Neutralisation, Aufbringen eines Katalysators, Akti­ vierung und Beschleunigung, gefolgt von einer stromlosen Kupferbeschichtung, wie beim Beispiel 1, unterzogen.

Es wurde auf der Oberfläche des Resists auf dem Substrat die stromlose Kupferabscheidung beobachtet und es wurde ein partielles Plattiermuster mit hoher Präzision gebildet.

Vergleichsbeispiel 4

Nach dem gleichförmigen Vermischen von α-Vinylthiophen ent­ sprechend 3 Mol-% des Acrylbestandteils in Epoxyacrylat wurde das Gemisch auf die beiden mit Klebstoff versehenen Flächen eines Glasmantel-Epoxidsubstrats EL-8762AD (der Firma Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) mittels Siebdruck aufge­ druckt. Das Substrat wurde dann einem Aushärtvorgang durch Licht und Wärme unterzogen. Das Substrat wurde dann mit ei­ ner Säurelösung gereinigt, neutralisiert, es wurde ein Ka­ talysator zugesetzt, erfolgte eine Aktivierung und Be­ schleunigung, gefolgt von einer stromlosen Kupferbeschich­ tung.

Auf der Oberfläche des Resists auf dem Substrat wurde teil­ weise eine unerwünschte Abscheidung der stromlosen Kupfer­ beschichtung beobachtet und es wurde keine ausgezeichnete partielle Plattierung ausgebildet.

Wie vorstehend beschrieben, enthält die Resist-Zusammenset­ zung gemäß der vorliegenden Erfindung eine begrenzte Menge einer Verbindung, die auf den Reduzierkatalysator für die stromlose Plattierung als giftig wirkend betrachtet wird, und die Abscheidung von Plattierung auf der Oberfläche der Resist-Schicht während dem stromlosen Plattiervorgang un­ terdrücken kann. Daher ist es durch die Verwendung der Re­ sist-Zusammensetzung möglich, auf der gedruckten Leiter­ platte eine partielle Plattierung mit hoher Zuverlässigkeit aufzubringen, um die Anzahl der Vorgänge zu verringern, die ein Entfernen des Katalysators, der von den unnötigen Tei­ len adsorbiert worden ist, aufweist. Als ein Ergebnis er­ leiden die Anzahl von Resist-Zusammensetzungen keine Ab­ scheidung der Plattierung auf den unnötigen Teilen oder eine Verringerung des Oberflächenwiderstandes, basierend auf der Adsorption des Katalysators an der Oberfläche des Plattier-Resists, während es möglich wird, ein feines Lei­ tungsmuster billig und ohne jegliche Abscheidung der Plat­ tierung auf den unnötigen Teilen oder Verringerung des Oberflächenwiderstandes mittels stromlosem Plattieren aus­ zubilden.

Claims (4)

1. Resist-Zusammensetzung zur Verwendung bei partiel­ ler, stromloser Plattierung, gekennzeichnet durch: ein Re­ sist-Kunstharz und wenigstens eine Art von Verbindung, die ein Element aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor und Schwe­ fel enthält, das wenigstens ein nicht-kovalentes Elektro­ nenpaar hat, als Zusatz zu dem Resist-Kunstharz in einer Menge von ungefähr 1 bis ungefähr 15 Gewichtsteilen bezogen auf 100 Gewichtsteile des Resist-Kunstharzes.

2. Resist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Verbindungen jeweils schlecht in Was­ ser zu lösen sind.

3. Resist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Schmelzpunkt jeder der Verbindungen jeweils oberhalb von ungefähr 100°C liegt.

4. Resist-Zusammensetzung zur Verwendung bei partiel­ ler, stromloser Plattierung, gekennzeichnet durch ein Re­ sist-Kunstharz, das ungefähr 3 bis ungefähr 30 Gew.-% von wenigstens einem Element, ausgewählt aus der Gruppe Stick­ stoff, Phosphor oder Schwefel, chemisch an das Skelett des Resist-Kunstharzes gebunden, enthält, um ein nicht-kovalen­ tes Elektronenpaar zu haben.