DE19606636A1 - Für stromloses Plattieren geeignete Resist-Zusammensetzung - Google Patents
Für stromloses Plattieren geeignete Resist-ZusammensetzungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Resist-Zusammenset
zung, die vorzugsweise für partielles, stromloses Plattie
ren verwendet wird, und insbesondere eine Resist-Zusammen
setzung, die für die Herstellung einer gedruckten Leiter
platte gemäß dem "Additivverfahren" geeignet ist, bei dem
eine Leiterschaltung durch stromloses Plattieren eines iso
lierenden Substrats als Ausgangsmaterial gebildet wird.
Die Verfahren zur Herstellung gedruckter Leiterplatten
könnten allgemein in zwei unterteilt werden. Eines ist das
"Subtraktivverfahren", bei dem unnötige Teile einer Kupfer-
beschichtung selektiv durch chemische Behandlung entfernt werden, um dabei ein gewünschtes Leitermuster und isolie rende Teile zu schaffen. Das andere ist ein Additivverfah ren, bei dem ein elektrisch leitfähiges Material auf einem isolierenden Substrat selektiv durch stromloses Plattieren oder dergleichen abgeschieden wird, um ein Leitermuster zu bilden.
beschichtung selektiv durch chemische Behandlung entfernt werden, um dabei ein gewünschtes Leitermuster und isolie rende Teile zu schaffen. Das andere ist ein Additivverfah ren, bei dem ein elektrisch leitfähiges Material auf einem isolierenden Substrat selektiv durch stromloses Plattieren oder dergleichen abgeschieden wird, um ein Leitermuster zu bilden.
In den vergangenen Jahren wurde eine hohe Packungsdichte
bei elektronischen Vorrichtungen entwickelt und die Forde
rung nach einer verfeinerten Musterbildung der gedruckten
Leiterplatten hat sich weiter verschärft. Das "Subtraktiv
verfahren", das in weitem Umfang bei der Bildung verfeiner
ter Muster angewandt wurde, kann diese Aufgabe jedoch nicht
vollständig erfüllen und das Additivverfahren hat mehr und
mehr an Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Hierbei hat man
sich insbesondere auf ein vollständiges Additivverfahren
konzentriert, ein Verfahren, bei dem das Erfordernis nach
Bildung eines verfeinerten Musters und der Reduzierung der
Kosten zusammenfallen. Als Grundverfahren, die derzeit
praktisch verwendet werden, sind das "CC-4-Verfahren" und
das "AP-II-Verfahren" zu nennen.
Da früher in einem isolierenden Substrat stromlos plat
tierte Katalysatorkerne waren, ist bei dem CC-4-Verfahren
kein Verfahren zum Zusetzen von Katalysatoren erforderlich,
und dieses ist daher vom Standpunkt der Verfahrensanordnung
aus betrachtet einfach. Dieses Verfahren ist jedoch teuer,
weil mehr Katalysator als notwendig enthalten sein muß. An
dererseits ist bei den AP-II-Verfahren, da bei diesem ein
Substrat verwendet wird, das keinen Katalysator enthält,
die Freiheit bei der Auswahl des Materials erhöht, während
sein Oberflächenwiderstand verringert ist, weil beim Vor
gang des Zusetzens von Katalysator der Katalysator nicht
wie beim CC-4-Verfahren dispergiert wird, und unter dem
Plattierresist bleibt.
Um solche Nachteile, die dem CC-4-Verfahren und dem AP-II-
Verfahren eigen sind, zu lösen, sind bis jetzt ein Verfah
ren, bei dem nach dem Ausbilden des Plattierresists auf das
Substrat Katalysator aufgebracht wird, um extra Katalysator
auf der Oberfläche des Resists zu entfernen (siehe bei
spielsweise JPA Hei 4-118992), und ein Verfahren vorge
schlagen worden, bei dem wasserabstoßendes Kunstharz für
den Resist verwendet wird, oder das Resist einer wasserab
stoßenden Behandlung unterzogen wird, so daß der Katalysa
tor nicht zur Oberfläche des Resists hin absorbiert wird
(siehe beispielsweise JPA Hei 1-87781) . Wegen der nicht
ausreichenden adsorbierenden Selektivität des Katalysators
ist jedoch keines der Verfahren ausreichend.
Eine vorrangiges Ziel der vorliegenden Erfindung ist es,
eine Resist-Zusammensetzung zu schaffen, die für die Her
stellung gedruckter Leiterplatten geeignet ist und die die
Herstellung eines verfeinerten Leitungsmusters erlaubt,
ohne daß eine Abscheidung von Beschichtung auf unnötigen
Teilen oder Verringerung des Oberflächenresists verursacht
wird, was durch Absorption eines Katalysators auf der Ober
fläche des plattierten Resists bedingt ist, und durch bil
liges stromloses Plattieren erfolgen kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Re
sist-Zusammensetzung, die für partielles, stromloses Plat
tieren verwendet wird, gekennzeichnet durch ein Resist-
Kunstharz, und wenigstens eine Art von Verbindungen, die
ein Element enthalten, das aus der Gruppe Stickstoff, Phos
phor und Schwefel, die ein nicht-kovalentes Elektronenpaar
haben, ausgewählt ist, die in einer Menge von ungefähr 1
bis ungefähr 15 Gewichtsteilen, bezogen auf 100 Gewichts
teile des Resist-Kunstharzes, dem Resist-Kunstharz zuge
setzt ist.
Als Ergebnis einer sorgfältigen Betrachtung zur Lösung der
vorstehenden Probleme wurde herausgefunden, daß die neue
Resist-Zusammensetzung, die in einer vorbestimmten Menge
wenigstens eine Art von Verbindungen, die Stickstoff, Phos
phor oder Schwefel enthält, die für den Reduzierkatalysator
der stromlosen Plattierung als giftig wirken betrachtet
werden, jeweils ein nicht-kovalentes Elektronenpaar haben,
und zwar mit ungefähr 1 bis ungefähr 15 Gewichtsteilen re
lativ zu 100 Gewichtsteilen des Resist-Kunstharzes, auf der
Oberfläche der Resist-Zusammensetzung keine Plattierab
scheidungen erzeugt, wenn nach dem Aufbringen eines Plat
tierkatalysators ein stromloses Plattieren durchgeführt
wird.
In der Resist-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung
ist die Verbindung, welche Stickstoff, Phosphor oder Schwe
fel enthält, die jeweils ein nicht-kovalentes Elektronen
paar haben, mit ungefähr 1 bis ungefähr 15 Gewichtsteilen,
bezogen auf 10 Gewichtsteile Resist-Kunstharz haben, vor
zugsweise eine, die im wesentlichen keine oder eine geringe
Löslichkeit in Wasser hat.
Vorzugsweise hat die vorstehend genannte Verbindung, die
Stickstoff, Phosphor oder Schwefel mit einem nicht-kovalen
ten Elektronenpaar enthält, einen Schmelzpunkt von 100°C
oder höher.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird
eine Resist-Zusammensetzung geschaffen, die für partielles,
stromloses Plattieren verwendet wird, die aus einem Resist-
Kunstharz besteht, das ungefähr 3 bis ungefähr 30 Gew.-%
von wenigstens einem Element, ausgewählt aus der Gruppe
Stickstoff, Phosphor oder Schwefel, enthält, das chemisch
an das Skelett des Resist-Kunstharzes gebunden ist, um ein
nicht-kovalentes Elektronenpaar zu haben.
In der vorliegenden Erfindung werden Verbindungen, die als
für einen Reduzierkatalysator giftig wirkend betrachtet
werden, bei dem stromlosen Plattieren verwendet, die Stick
stoff, Phosphor und Schwefel enthalten, die jeweils ein
nicht-kovalentes Elektronenpaar haben. Im allgemeinen wer
den Nichtmetall-Verbindungen, die zur Gruppe Vb und VI des
periodischen Systems gehören, als Katalysatorgift betrach
tet. Von diesen Verbindungen sind die vorstehend genannten
Verbindungen ausgehend vom Standpunkt der praktischen Ver
wendung und der Vielseitigkeit inklusive Sicherheit ausge
wählt worden. Anzumerken ist, daß all diese Verbindungen
nicht als ein Katalysatorgift wirken, aber tatsächlich ge
genüber Katalysator giftig sind jene, die ein nicht-kova
lentes Elektronenpaar haben, während viele von solchen, die
ein kovalentes Elektronenoktett haben, nicht giftig sind.
Die effektive Verbindung, die in der Resist-Zusammensetzung
gemäß der vorliegenden Erfindung enthalten ist, hat vor
zugsweise keine oder eine geringe Löslichkeit in Wasser, um
zu vermeiden, daß die effektive Verbindung in Wasser oder
wäßriger Lösung, die bei dem stromlosen Plattierverfahren
oder einem Vorbehandlungsverfahren verwendet werden, gelöst
werden.
Wenn solche Verbindungen wasserlöslich sind, sickern sie
nicht nur in die Vorbehandlungs- oder Plattierlösung und
kontaminieren diese, sondern es wird oft auch ein Anhalten
der Reduzierreaktion, eine Verringerung der Reaktionsge
schwindigkeit oder eine Verringerung der Eigenschaft des
Plattierfilms während dem Plattieren verursacht.
Zusätzlich sind die effektiven Verbindungen vorzugsweise
bis zu einem gewissen Maß wärmebeständig. Eine effektive
Verbindung, die eine geeignete Wärmebeständigkeit hat,
würde kein Ausblühen an der Resist-Schicht während dem Er
wärmen bei dem Plattiervorgang oder anderen Vorgängen ver
ursachen, wobei die Wirkung des Katalysatorgiftes nicht nur
vermindert wird, sondern auch die Lösung oder die Oberflä
che des Substrats unerwünschterweise kontaminiert wird. In
diesem Sinn haben die effektiven Verbindungen einen
Schmelzpunkt von ungefähr 100°C oder höher, und insbeson
dere über 140°C.
Die effektiven Verbindungen, die bei der vorliegenden Er
findung geeignet sind und die die vorstehend beschriebenen
Bedingungen erfüllen, können solche Verbindungen sein, die
Schwefelverbindungen enthalten, insbesondere Verbindungen,
die divalenten Schwefel enthalten, weil die Schwefelverbin
dungen viele unpaarige Elektronen enthalten. Beispiele für
diese Schwefelverbindungen können aufweisen N,N⁻-Diphe
nylthioharnstoff, 2-Mercaptobenzothiazol, Dibenzothiazyl-
Disulfid, Tetramethyl-Thiuram-Monosulfid oder dergleichen.
In der Resist-Zusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfin
dung kann die effektive Verbindung in einer Menge von unge
fähr 1 bis ungefähr 15 Teilen, vorzugsweise 2 bis 8 Ge
wichtsteilen pro 100 Gewichtsteile Resist-Kunstharz zuge
setzt sein. Wenn die zugesetzte Menge geringer als ein Ge
wichtsteil ist, dann wird bei der stromlosen Plattierung
auf der Oberfläche einer Resist-Schicht abgeschieden. Wenn
der Zusatz der effektiven Verbindung ungefähr 15 Gewichts
teile überschreitet, wird eine Wirkung auf dessen Ausblühen
an der Oberfläche der Resist-Schicht ausgeübt und ebenfalls
eine Erhöhung der Kosten verursacht.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, ein Re
sist-Kunstharz zu verwenden, das ungefähr 3 bis ungefähr 30
Gew.-% von wenigstens einem Element, gewählt aus der Gruppe
Stickstoff, Phosphor oder Schwefel, chemisch an das Skelett
des Resist-Kunstharzes gebunden, enthält, um ein nicht-ko
valentes Elektronenpaar zu haben.
Die vorstehend beschriebenen Elemente können in das Skelett
des Resist-Kunstharzes zur chemischen Bindung mit demselben
mit nicht-kovalenten Elektronenpaaren mittels irgendeines
bekannten Verfahrens eingebaut werden. Beispielsweise ist
ein Verfahren geeignet, bei dem ein Polysulfid-Kunstharz
oder dergleichen mit einer Mercaptogruppe an seinen beiden
Enden in einer vorbestimmten Menge als Härter dem Resist-
Kunstharz zugesetzt wird. Und ein Verfahren ist ebenfalls
geeignet, bei dem die Verbindungen, welche bivalenten
Schwefel enthalten, wie beispielsweise Vinylmercaptan,
Ethylvinylsulfid, α-Vinylthiophen, mit einer vorbestimmten
Menge Epoxidacrylat copolymerisiert werden.
Das Resist-Kunstharz, das bei der vorliegenden Erfindung
verwendet wird, kann eine herkömmliche Resist-Farbe oder
ein Flüssigresist beim Additivverfahren sein und kann
gleichförmig mit den effektiven Verbindungen vermischt wer
den. Ein derartiges Resist-Kunstharz kann wärmehärtbar,
photohärtbar, photoempfindlich oder nicht photoempfindlich
sein. Beispiele für ein derartiges Resist-Kunstharz können
aufweisen ein Bisphenol-A-Typ-Epoxidkunstharz, ein Novolak-
Epoxidharz, Epoxyacrylat, Urethanacrylat und dergleichen.
Anzumerken ist aber, daß, wenn eine photoempfindliche Ver
bindung verwendet wird, die Menge so begrenzt sein muß, daß
die Photoempfindlichkeit nicht behindert wird. Um weiterhin
die Adsorption von Katalysator zu verhindern, kann ein was
serabweisendes Kunstharz, falls erforderlich, zugesetzt
sein. Das Verfahren zum gleichmäßigen Vermischen dieser
Verbindungen mit dem Resist ist nicht spezifisch begrenzt.
Bei einem vorzuziehenden Verfahren werden das Resist und
die gewählten effektiven Verbindungen in einem organischen
Lösungsmittel unter Umrühren gelöst und dann wird eine Ent
gasung und eine Viskositätseinstellung, falls erforderlich,
durchgeführt.
Wie vorstehend beschrieben, kann das Ziel der Erfindung er
reicht werden, indem einem Resist-Kunstharz die vorstehend
beschriebene effektive Verbindung mit der vorbestimmten
Menge zugesetzt wird. Alternativ ist es möglich, daß die
vorstehend beschriebenen Elemente in das Skelett des Re
sist-Kunstharzes zur chemischen Bindung mit demselben ein
gebaut werden, um nicht-kovalente Elektronenpaare zu haben.
In diesem Fall müssen die Löslichkeit in Wasser und der
Wärmeresist der Verbindungen gegenüber Wasser nicht in Be
tracht gezogen werden, aber es wurde herausgefunden, daß
eine etwas größere Menge oder ungefähr 3 bis ungefähr 30
Gew.-%, vorzugsweise ungefähr 10 bis 20 Gew.-%, basierend
auf dem Gesamtgewicht des Resist-Kunstharzes, unter den
vorstehenden Aspekten enthalten sein sollten. Obwohl der
Grund hierfür noch nicht klar ist, ist das Kunstharz, wel
ches die Elemente mit mehr als ungefähr 30 Gew.-% enthält,
unerwünscht weichgemacht.
Die Resist-Zusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung
kann, falls notwendig, ein Füllmittel, einen Farbstoff oder
dergleichen enthalten, der in der gewöhnlichen Resist-Farbe
enthalten ist. Die Resist-Zusammensetzung kann als gewöhn
liche Resist-Farbe oder dergleichen oder in Form eines
Trockenfilms verwendet werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Abscheidung der
Plattierung auf der Oberfläche der Resist-Schicht wirksam
während dem stromlosen Plattieren unterdrückt werden, indem
in der Resist-Zusammensetzung eine spezifische Verbindung
enthalten ist, die als gegenüber dem Reduzierkatalysator
giftig wirkend betrachtet wird. Daher kann die vorstehend
beschriebene Resist-Zusammensetzung zuverlässig auf die ge
druckten Leiterplatten plattiert werden.
Beispiele der Resist-Zusammensetzung, die für das stromlose
Plattieren gemäß der vorliegenden Erfindung geeignet ist,
werden im folgenden beschrieben. Die vorliegende Erfindung
ist jedoch nicht notwendigerweise auf die spezifischen Bei
spiele begrenzt.
Es wurden 100 Gewichtsteile Resist-Farbe ("S-22" der Firma
Taiyo Ink Manufacturing Co. Ltd.) und 4 Gewichtsteile N,N⁻-
Diphenylthioharnstoff in einer kleinen Menge Cellosolv-Lö
sungsmittel gelöst und eine überschüssige Menge des Lö
sungsmittels wurde bei Unterdruck entfernt. Die Lösung
wurde mittels eines Siebdruckverfahrens auf die beiden, mit
Klebstoff versehenen Flächen eines Glas-Epoxidsubstrats
"EL-8762AD" (der Firma Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) aufge
druckt und dann wurde die Farbe bei einer Temperatur von
ungefähr 140°C für ungefähr 30 Minuten wärmegehärtet.
Nach dem Spülen mit einer Säurelösung und Neutralisieren
wurde auf das Substrat ein Katalysator für stromloses Plat
tieren aufgebracht und durch "Circuit Preps 3000 and 4000"
Reihenaktivator (der Firma Japan Energy Co., Ltd.) akti
viert und beschleunigt und dann wurde für 30 Minuten unter
Verwendung von "KC-500" (der Firma Japan Energy Co., Ltd.)
eine stromlose Kupferbeschichtung durchgeführt.
Auf der Oberfläche des Resists auf dem Substrat wurde keine
Abscheidung des stromlos abgeschiedenen Kupfers beobachtet
und es wurde ein partielles Plattiermuster mit hoher Genau
igkeit gebildet.
Eine gleichmäßige Mischung aus 100 Gewichtsteilen eines
photoempfindlichen Epoxyacrylat-Klebstoffes (der ein Cello
solv-Lösungsmittel enthält, von der Firma Tokyo Ohka Kogyo
Co., Ltd.) und 4 Gewichtsteilen Tetramethylthiuram-Monosul
fid wurden auf eine Oberfläche eines "EL-8762AD"-Substrats
(der Firma Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), bestehend aus ei
nem Glasmantel mit einem Epoxidharz und einer Klebschicht
auf beiden Oberflächen derselben, durch Wirbelbeschichten
aufgebracht und bei einer Temperatur von 90°C für 5 Minuten
vorgesintert. Dieses Substrat wurde durch eine Glasmaske
zum Aushärten mit einem Licht von 150 mj/cm² belichtet und
dann mittels einer herkömmlichen organischen Alkali-Ent
wicklerlösung entwickelt und dann mit einem Licht von
2 j/cm² bei einer Temperatur von 90°C belichtet. Danach
wurde das Substrat 30 Minuten lang bei einer Temperatur von
ungefähr 140°C wärmebehandelt. Das Substrat wurde dann mit
einer Säurelösung gewaschen und einem Neutralisationsvor
gang, dem Aufbringen eines Katalysators und der Aktivie
rung, gefolgt von einer stromlosen Kupferbeschichtung, wie
beim Beispiel 1, unterzogen.
Auf der Oberfläche der Resist-Schicht auf dem Substrat
wurde keine Abscheidung der stromlosen Kupferbeschichtung
beobachtet und es wurde ein partielles Plattiermuster mit
einer hohen Genauigkeit gebildet.
Der gleiche Vorgang wie beim Beispiel 1 wurde wiederholt,
mit der Ausnahme, daß anstatt von N,N⁻-Diphenylthioharn
stoff des Beispiels 1, Diphenylsulfon verwendet wurde und
es wurde eine stromlose Kupferbeschichtung durchgeführt.
Auf der Oberfläche der Resist-Schicht auf dem Substrat
wurde eine unerwünschte Abscheidung der stromlosen Kupfer
beschichtung beobachtet und es wurde keine ausgezeichnete
partielle Plattierung erzielt.
Anstatt von N,N⁻-Diphenylthioharnstoff des Beispiels 1
wurde N,N⁻-Diethylthioharnstoff verwendet, um eine Resist-
Schicht zu bilden, die wärmegehärtet wurde. Zu diesem Zeit
punkt wurde ein Ausblühen der vorherigen Verbindung auf der
Oberfläche der Resist-Schicht beobachtet und diese Verbin
dung wurde in die Behandlungslösung des folgenden Behand
lungsvorganges gelöst.
Es wurde auf der Resist-Oberfläche eine unerwünschte Ab
scheidung der stromlosen Kupferbeschichtung beobachtet.
Mit der Ausnahme, daß anstatt der beim Beispiel 2 verwende
ten 4 Gewichtsteile Tetramethylthiuram-Monosulfid 0,5 Ge
wichtsteile verwendet wurden, wurde der gleiche Vorgang
wiederholt und dann wurde eine stromlose Kupferbeschichtung
durchgeführt. Auf der Oberfläche der Resist-Schicht auf dem
Substrat wurde eine unerwünschte Abscheidung der stromlosen
Kupferbeschichtung beobachtet.
Es wurden 85 Gewichtsteile eines Diglycidylether-Epoxid
harzes ("Epicoat 828" der Firma Yuka Shell Epoxy Co.,
Ltd.), 15 Gewichtsteile eines Polysulfid-Kunstharzes als
Härter und 10 Gewichtsteile Tris(Dimethylaminomethylphenol)
gleichförmig vermischt und dann auf beide mit Klebstoff
versehene Flächen eines Substrats, das einen Glasmantel,
imprägniert mit einem Epoxidharz, aufwies und das von der
Firma Sumitomo Bakelite Co., Ltd. kommerziell zur Verfügung
steht, durch Siebdrucken aufgebracht. Das Substrat wurde
dann 4 Tage bei Raumtemperatur einem Aushärtvorgang unter
zogen. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit Säurelö
sung, Neutralisation, Aufbringen eines Katalysators, Akti
vierung und Beschleunigung, gefolgt von einer stromlosen
Kupferbeschichtung, wie beim Beispiel 1, unterzogen.
Es wurde auf der Oberfläche des Resists auf dem Substrat
die stromlose Kupferabscheidung beobachtet und es wurde ein
partielles Plattiermuster mit hoher Präzision gebildet.
Nach dem gleichförmigen Vermischen von α-Vinylthiophen ent
sprechend 3 Mol-% des Acrylbestandteils in Epoxyacrylat
wurde das Gemisch auf die beiden mit Klebstoff versehenen
Flächen eines Glasmantel-Epoxidsubstrats EL-8762AD (der
Firma Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) mittels Siebdruck aufge
druckt. Das Substrat wurde dann einem Aushärtvorgang durch
Licht und Wärme unterzogen. Das Substrat wurde dann mit ei
ner Säurelösung gereinigt, neutralisiert, es wurde ein Ka
talysator zugesetzt, erfolgte eine Aktivierung und Be
schleunigung, gefolgt von einer stromlosen Kupferbeschich
tung.
Auf der Oberfläche des Resists auf dem Substrat wurde teil
weise eine unerwünschte Abscheidung der stromlosen Kupfer
beschichtung beobachtet und es wurde keine ausgezeichnete
partielle Plattierung ausgebildet.
Wie vorstehend beschrieben, enthält die Resist-Zusammenset
zung gemäß der vorliegenden Erfindung eine begrenzte Menge
einer Verbindung, die auf den Reduzierkatalysator für die
stromlose Plattierung als giftig wirkend betrachtet wird,
und die Abscheidung von Plattierung auf der Oberfläche der
Resist-Schicht während dem stromlosen Plattiervorgang un
terdrücken kann. Daher ist es durch die Verwendung der Re
sist-Zusammensetzung möglich, auf der gedruckten Leiter
platte eine partielle Plattierung mit hoher Zuverlässigkeit
aufzubringen, um die Anzahl der Vorgänge zu verringern, die
ein Entfernen des Katalysators, der von den unnötigen Tei
len adsorbiert worden ist, aufweist. Als ein Ergebnis er
leiden die Anzahl von Resist-Zusammensetzungen keine Ab
scheidung der Plattierung auf den unnötigen Teilen oder
eine Verringerung des Oberflächenwiderstandes, basierend
auf der Adsorption des Katalysators an der Oberfläche des
Plattier-Resists, während es möglich wird, ein feines Lei
tungsmuster billig und ohne jegliche Abscheidung der Plat
tierung auf den unnötigen Teilen oder Verringerung des
Oberflächenwiderstandes mittels stromlosem Plattieren aus
zubilden.
Claims (4)
1. Resist-Zusammensetzung zur Verwendung bei partiel
ler, stromloser Plattierung, gekennzeichnet durch: ein Re
sist-Kunstharz und wenigstens eine Art von Verbindung, die
ein Element aus der Gruppe Stickstoff, Phosphor und Schwe
fel enthält, das wenigstens ein nicht-kovalentes Elektro
nenpaar hat, als Zusatz zu dem Resist-Kunstharz in einer
Menge von ungefähr 1 bis ungefähr 15 Gewichtsteilen bezogen
auf 100 Gewichtsteile des Resist-Kunstharzes.
2. Resist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Verbindungen jeweils schlecht in Was
ser zu lösen sind.
3. Resist-Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Schmelzpunkt jeder der Verbindungen
jeweils oberhalb von ungefähr 100°C liegt.
4. Resist-Zusammensetzung zur Verwendung bei partiel
ler, stromloser Plattierung, gekennzeichnet durch ein Re
sist-Kunstharz, das ungefähr 3 bis ungefähr 30 Gew.-% von
wenigstens einem Element, ausgewählt aus der Gruppe Stick
stoff, Phosphor oder Schwefel, chemisch an das Skelett des
Resist-Kunstharzes gebunden, enthält, um ein nicht-kovalen
tes Elektronenpaar zu haben.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7032765A JPH08228068A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 無電解めっき用レジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19606636A1 true DE19606636A1 (de) | 1996-08-29 |
Family
ID=12367946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19606636A Withdrawn DE19606636A1 (de) | 1995-02-22 | 1996-02-22 | Für stromloses Plattieren geeignete Resist-Zusammensetzung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08228068A (de) |
KR (1) | KR960033179A (de) |
DE (1) | DE19606636A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2265747A1 (de) * | 2008-03-18 | 2010-12-29 | MacDermid, Incorporated | Verfahren zur verhinderung von metallabscheidung auf einem teil eines kunststoff-formteils |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2360293A1 (de) | 2010-02-11 | 2011-08-24 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Verfahren und Vorrichtung zur Ablagerung atomarer Schichten auf einem Substrat |
EP2362411A1 (de) | 2010-02-26 | 2011-08-31 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Vorrichtung und Verfahren zum reaktiven Ionenätzen |
CN106256175B (zh) * | 2014-04-25 | 2021-01-08 | 太阳油墨制造株式会社 | 永久绝缘膜用树脂组合物、永久绝缘膜、多层印刷电路板及其制造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1253568A (en) * | 1968-05-06 | 1971-11-17 | Rca Corp Formerly Radio Corp O | Selective catalytic deposition by controlled poisoning of the catalyst |
DE2506150C3 (de) * | 1974-02-15 | 1980-11-06 | Hitachi, Ltd., Tokio | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen |
JPS6487781A (en) * | 1987-09-30 | 1989-03-31 | Canon Kk | Partial plating method |
EP0097334B1 (de) * | 1982-06-18 | 1989-05-03 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH | Verfahren zum dauerhaften Aufbringen von metallischen Schichten auf eine Kunststoffolie und deren Verwendung in autoregenerativen Kondensatoren |
JPH04118992A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4875426A (de) * | 1972-01-14 | 1973-10-11 | ||
JPS525299B2 (de) * | 1972-11-02 | 1977-02-12 | ||
JPS574116B2 (de) * | 1975-02-07 | 1982-01-25 | ||
JPS52138671A (en) * | 1976-05-17 | 1977-11-18 | Hitachi Ltd | Method of producing printed circuit substrate |
JPS57162391A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Toshiba Chem Prod | Copper-lined insulating board |
JPH03173493A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Nippon Soda Co Ltd | めっきレジスト剥離防止剤 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP7032765A patent/JPH08228068A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-22 KR KR1019960004218A patent/KR960033179A/ko active IP Right Grant
- 1996-02-22 DE DE19606636A patent/DE19606636A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1253568A (en) * | 1968-05-06 | 1971-11-17 | Rca Corp Formerly Radio Corp O | Selective catalytic deposition by controlled poisoning of the catalyst |
DE2506150C3 (de) * | 1974-02-15 | 1980-11-06 | Hitachi, Ltd., Tokio | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen |
EP0097334B1 (de) * | 1982-06-18 | 1989-05-03 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH | Verfahren zum dauerhaften Aufbringen von metallischen Schichten auf eine Kunststoffolie und deren Verwendung in autoregenerativen Kondensatoren |
JPS6487781A (en) * | 1987-09-30 | 1989-03-31 | Canon Kk | Partial plating method |
JPH04118992A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2265747A1 (de) * | 2008-03-18 | 2010-12-29 | MacDermid, Incorporated | Verfahren zur verhinderung von metallabscheidung auf einem teil eines kunststoff-formteils |
EP2265747A4 (de) * | 2008-03-18 | 2014-11-05 | Macdermid Inc | Verfahren zur verhinderung von metallabscheidung auf einem teil eines kunststoff-formteils |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960033179A (ko) | 1996-09-17 |
JPH08228068A (ja) | 1996-09-03 |
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