DE2637105A1 - Verfahren zum gleichmaessigen verteilen eines lackes - Google Patents

Verfahren zum gleichmaessigen verteilen eines lackes

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Description

  • Verfahren zum gleichmäßigen Verteilen
  • eines Lackes Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum gleichmäßigen Verteilen eines Lackes, insbesondere Fotolackes, auf einer Halbleiterscheibe.
  • In der modernen Halbleitertechnik, der sogenannten Planartechnik, müssen bekanntlich Öffnungen strukturiert in eine auf einer Halbleiterscheibe befindliche Isolierschicht geätzt werden. Dies geschieht mit Hilfe der Fotolacktechnik, bei der ein Foto lack als Ätzmaske auf die Isolierschicht der Halbleiterscheibe aufgebracht, strukturiert, belichtet und anschließend durch Herauslösen mit Öffnungen versehen wird. Zur Herstellung einer geeigneten Lackmaske ist eine gleichmäßig verteilte dünne Lackschicht auf der Isolierschicht der Halbleiterscheibe erforderlich. Zur Herstellung dieser Lackschicht wird der Lack beispielsweise mittels einer Düse auf die zu belackende Isolierschicht der Halbleiterscheibe aufgebracht. Nach wenigen Sekunden zerläuft der Lack über die.gesamte Halbleiterscheibe und bedeckt die Isolierschicht mit einer relativ dicken Lackschicht. Aus der relativ dicken Lackschicht erhält man die erforderliche dünne Lackschicht dadurch, daß die Halbleiterscheibe mit dem aufgebrachten Lack möglichst schnell in eine Rotationsbewegung versetzt wird. Die Rotationsgeschwindigkeit muß dabei so groß sein, daß Teile des Lackes abgeschleudert werden und auf diese Weise die dünne Lackschicht entsteht.
  • Das geschilderte Belackungsverfahren hat den Nachteil, daß von der ursprünglich aufgebrachten Lackmenge nur etwa 1 ti in Gestalt der dünnen Lackschicht auf der Halbleiterscheibe verbleiben. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Belackungsverfahren anzugeben, bei dessen Anwendung man mit wesentlich weniger.Lack auskommt. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß zunächst im Zentrum der Halbleiterscheibe der Lack aufgebracht wird, daß dann die Halbleiterscheibe in Rotation versetzt und auf eine solche Rotationsgeschwindigkeit gebracht wird, die ausreicht, den Lack auf der Halbleiterscheibe gleichmäßig zu verteilen, und daß danach die Rotationsgeschwindigkeit der Halbleiterscheibe derart erhöht wird, daß ein Teil des Lackes von der Halbleiterscheibe abgeschleudert und dadurch eine gleichmäßig dünne Lackschicht auf der Halbleiterscheide erzielt wird.
  • Der Lack wird im allgemeinen, wie eingangs beschrieben, nicht unmittelbar auf die Halbleiterscheibe, sondern auf eine auf dem Halbleiterkörper befindliche Isolierschicht aufgebracht. Obwohl von einer Belackung einer Halbleiterscheibe die Rede ist, kann der Halbleiterkörper oder anstelle eines Halbleiterkörpers auch ein anderer zu belackender Körper natürlich jede Konfiguration aufweisen, da die Erfindung natürlich nicht auf scheibenförmige Körper beschränkt ist.
  • Durch die Erfindung werden gegenüber anderen Belackungsverfahren Lackeinsparungen in Höhe von über 50 % erzielt. Zur gleichmäßigen Verteilung des zunächst nur im Zentrum der Halbleiterscheibe befindlichen Lackes wird die Halbleiterscheibe für wenige Sekunden in eine langsame Drehbewegung von etwa 100 bis 1500 Umdrehungen pro Minute versetzt.
  • Bei der nachfolgenden schnelleren Drehbewegung, die aus der zunächst dickeren Lackschicht eine dünne Lackschicht macht, wird die Halbleiterscheibe in etwa 2000 bis 8000 Umdrehungen pro Minute versetzt.

Claims (2)

  1. Patentansprüche Verfahren zum gleichmäßigen Verteilen eines Lackes, insbesondere Fotolackes, auf einer Halbleiterscheibe, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst im Zentrum der Elalbleiterscheibe der Lack aufgebracht wird, daß dann die Halbleiterscheibe in Rotation versetzt und auf eine solche Rotationsgeschwindigkeit gebracht wird, die ausreicht, den Lack auf der Halbleiterscheibe gleichmäßig zu verteilen, und daß danach die Rotationsgeschwindigkeit der Halbleiterscheibe derart erhöht wird, daß ein Teil des Lackes von der Halbleiterscheibe abgeschleudert und dadurch eine gleichmäßig dünne Lackschicht auf der Halbleiterscheibe erzielt wird.
  2. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe zur gleichmäßigen Verteilung des zunächst nur im- Zentrum der Halbleiterscheibe befindlichen Lackes für wenige Sekunden in eine langsame Rotationsbewegung von 100 bis 150Q Umdrehungen pro Minute versetzt wird.
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