DE3415817A1 - Verfahren zum abdecken der vorderseite eines mit bauelementstrukturen versehenen substrates - Google Patents

Verfahren zum abdecken der vorderseite eines mit bauelementstrukturen versehenen substrates

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DE3415817A1
DE3415817A1 DE19843415817 DE3415817A DE3415817A1 DE 3415817 A1 DE3415817 A1 DE 3415817A1 DE 19843415817 DE19843415817 DE 19843415817 DE 3415817 A DE3415817 A DE 3415817A DE 3415817 A1 DE3415817 A1 DE 3415817A1
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photoresist
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Reiner Dipl.-Ing. Sigusch (FH), 8000 München
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
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Description

  • Verfahren zum Abdecken der Vorderseite eines mit Bauele-
  • mentstrukturen versehenen Substrates.
  • Die Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Abdecken eines mit Halbleiterbauelementstrukturen versehenen Substrates mit Fotolack beim Entfernen der auf der Rückseite des Substrates während der Prozeßfolge entstandenen Schichten oder während des Substratdünnens durch Abätzen oder auf chemischem Wege.
  • Beim Herstellprozeß von Halbleiterbauelementen auf Siliziumkristallscheiben oder anderen Substraten werden dünne Schichten zum Beispiel aus Oxid, Nitrid oder Polysilizium auch auf der Scheibenrückseite erzeugt bzw. abgeschieden.
  • Aus prozeßtechnischen Gründen ist es notwendig, daß die Rückseite der Substrate zum Beispiel vor elektrischen inline-Messungen oder vor Rückseitengetterverfahren von den entsprechenden Schichten befreit bzw. das Substrat selbst gedünnt werden muß.
  • Bei Aufdampf- und Abscheideprozessen kann eine Beschichtung der Substratrückseite durch Abdecken der Rückseite verhindert werden. Der gleiche Effekt wird erzielt, wenn die Substrate Rücken gegen Rücken gestellt werden. Diese Verfahren sind oft sehr aufwendig und verhindern teilweise nicht ein komplettes Abdecken der Rückseite.
  • In den meisten Fällen werden die störenden Schichten nachträglich wieder entfernt. Dazu wird die Substratvorderseite ganzflächig mit einem Fotolack abgedeckt und die entsprechenden Schichten und gegebenenfalls das Substrat selbst naß-chemisch geätzt, trocken auf physikalischem Wege (zum Beispiel in einem plasma) geätzt oder mechanisch abgetragen bzw. gedünnt. Da der verwendete Fotolack relativ teuer ist, fallen in großen Fertigungslinien hohe Materialkosten an.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Abdeckverfahren anzugeben, welches teuere Fotolacke vermeidet und in möglichst wenigen Prozeßschritten erlaubt, die Rückseiten von Substratscheiben von während des Prozeßverlaufs abgeschiedenen Schichten zu befreien oder das Substrat von der Rückseite her zu dünnen, ohne daß die Vorderseite des Substrates nachteilig beeinträchtigt wird.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß nur die in Lösung gebrachte Harzkomponente des Fotolackes zur Abdeckung verwendet wird, die direkt auf die Vorderseite des Substrates aufgebracht wird.
  • In der Prozeßfolge zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen auf Siliziumkristallscheiben sind Fotolithographieschritte enthalten. Dabei dient eine Fotolackschicht zur Maskierung und/oder Strukturierung der Halbleiteroberfläche. Auf eine mit einer Siliziumdioxidschicht ganzflächig überzogenen Siliziumkristallscheibe wird zum Beispiel eine Fotolackschicht eines positiv arbeitenden Fotolackes aufgebracht und mittels einer Maske belichtet und entwickelt. Die so erzeugte Fotolackmaske kann dann entweder bei nachfolgenden Ätzprozessen zur Strukturierung der darunter befindlichen Siliziumdioxidschicht dienen oder selbst direkt als Maske gegen die in die Siliziumkristallscheibe zu implantierenden Dotierstoffe eingesetzt werden.
  • Es liegt nun im Rahmen der Erfindung, daß beim Vorhandensein von solchen Fotolackstrukturen auf der Vorderseite des Substrates diese nicht entfernt werden, sondern in der aufgebrachten Harzlösung gelöst werden und das überschüssige Harz/Fotolackgemisch, insbesondere durch Abzentrifugieren entfernt wird.
  • Dadurch, daß beim Verfahren nach der Lehre der Erfindung die im Fotolack enthaltende lichtempfindliche Komponente nicht verwendet wird und nur die in einem geeigneten Lösungsmittel lösliche Harzkomponente, reduzieren sich die Materialkosten um den Faktor 4. Außerdem vereinfacht sich auch das Verfahren dadurch, daß bei Vorhandensein einer Fotolackmaske auf der Vorderseite des Substrats diese nicht mehr entfernt werden muß, sondern die Harzlösung direkt ohne Haftvermittler auf die Fotolackmaske aufgebracht werden kann.
  • 3 Patentansprüche

Claims (3)

  1. Patentansprüche 1. Verfahren zum Abdecken der Vorderseite eines mit Halbleiterbauelementstrukturen versehenen Substrates mit Fotolack beim Entfernen der auf der Rückseite des Substrates während der Prozeßfolge entstandenen Schichten oder während des Substratdünnens durch Abätzen oder auf mechanischem Wege, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t , daß nur die in Lösung gebrachte Harzkomponente des Fotolackes zur Abdeckung verwendet wird, die direkt auf die Vorderseite des Substrates aufgebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß beim Vorhandensein von Fotolackstrukturen auf der Vorderseite des Substrates diese nicht entfernt werden, sondern in der aufgebrachten Harzlösung gelöst werden und das überschüssige Harz/-Fotolackgemisch entfernt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß das Gemisch durch Abzentrifugieren entfernt wird.
DE19843415817 1984-04-27 1984-04-27 Verfahren zum abdecken der vorderseite eines mit bauelementstrukturen versehenen substrates Withdrawn DE3415817A1 (de)

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