JPS5929926B2 - 液晶表示器の製造方法 - Google Patents

液晶表示器の製造方法

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JPS5929926B2
JPS5929926B2 JP11813075A JP11813075A JPS5929926B2 JP S5929926 B2 JPS5929926 B2 JP S5929926B2 JP 11813075 A JP11813075 A JP 11813075A JP 11813075 A JP11813075 A JP 11813075A JP S5929926 B2 JPS5929926 B2 JP S5929926B2
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JP
Japan
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substrate
mask
transparent conductive
conductive film
liquid crystal
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Expired
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JP11813075A
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JPS5242396A (en
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英一 加来
常雄 福井
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は液晶表示器の製造方法に関する。
液晶表示器の製造方法において基板に透明導電膜から成
ろ電極を形成する工程は普通次の様にして行われる。例
えば水5Occ、塩酸10cc、塩化第二スズ(SnC
I4・5H20)100y、三塩化アンチモン(Sb2
CI3)1.5Vの割合の水溶液を、450〜600℃
に加熱してあるソーダガラス基板に吹き付ける。この結
果ガラス基板上にはSnCI4+4H20−−Sn02
+4HCIの反応によつて導電性酸化スズ膜が形成され
る。この様にして形成された透明導電膜は、次にKPR
又はKMER等ホトレジストを適用され所望電極形状に
対応する露光用マスクのもとで露光され現像されて所望
電極形状に酸化スズ膜を被覆する蝕刻用ホトレジストマ
スクを設けられる。この状態で例えばフッ酸を適用する
と露出部分が基板から浮上剥離され所望形状の電極をマ
スク下に残置させるから、この後でホトレジストマスク
をとり除く。このような従来の製造方法は煩雑な工程で
長時間を経過する上外気の影響をうけ易いホトレジスト
の使用によつて製品歩留りが低下する欠点がある。
又もし基板が硬質硝子又は石英硝子であるとフッ酸を用
いても露出部分の剥離が困難となり、ホトレジストによ
り蝕刻用マスク例えばクローム膜を別途に設けなければ
ならなくなる。この発明はホトレジストの使用を排して
上記欠点を除き工程を単純にした改良された製造方法で
あつて、すなわち液晶表示器基板に透明導電膜から成る
電極を設けるにあたりあらかじめ基板の一面に電極設置
予定個所を除き有機溶剤に樹脂を溶かしたマスク形成用
剤を印刷してマスクを設けた後この一面全面に透明導電
膜形成用剤を被着し、次いで焼成することによつて前記
マスク形成用剤の樹脂が分解してマスク上の透明導電膜
形成用剤とともにマスクを基板から除去し、基板の電極
設置予定個所に透明導電膜を形成することを特徴とする
液晶表示器の製造方法である。
従つてこの発明にあつては、基板に対して樹脂系マスク
形成用剤を印刷した時樹脂被覆されずに露出している基
板面が電極パターンを定めることになる。
この状態の基板に対して透明導電膜形成用剤を被着し、
次いで焼成するとマスク形成用剤の樹脂は分解して、こ
の樹脂上に被着された透明導電膜形成用剤とともに樹脂
からなるマスクは飛散して基板から除去されるから、基
板に直接被着している透明導電膜形成用剤の部分のみが
残置して焼成され透明導電膜を所定通り形成することに
なる。印刷に用いる樹脂系マスク形成用剤の樹脂として
は焼成に際して重ねられた透明導電膜形成用剤を伴つて
飛散するものであればよく例えば粘稠液状のアクリル樹
脂等が用いられる。
透明導電膜形成用剤としては例えば有機第一錫のアルコ
キシドまたはアシル化合物を溶剤に溶かしたものが用い
られる。例えば第一錫オクトキシド15tに対しブタノ
ール85tの割合でとかした溶液中に浸漬し150℃に
乾燥してから改めて400℃に加熱焼成する如くにする
。焼成後基板に直接被着した部分に導電性酸化錫膜が得
られることになる。周酸化錫膜に代えて酸化インジウム
膜を形成してもよい。以下実施例について述べる。
第1図に示すようにソーダ硝子、硬質硝子又は石英の何
れかから成る硝子基板1をトリクレンで脱脂及水洗し、
エタノールで超音波洗滌し、アセトンで超音波洗滌し更
にアセトンでリンス洗いを行つて清浄にし、乾燥した後
有機溶剤例えばベンゼンに溶解したアクリル樹脂2を印
刷して電極設置予定領域でのみ基板を露出させる。この
状態の基板に、例えば第一錫デカノキシド、第一錫オク
トキシド、第一錫ペントキシド各4t,イソプロピルア
ルコール88tの割合で溶解した溶液を塗布して塗布層
32を一帯に形成する。次いで150゛Cで20分乾燥
してのち700℃で30分間加熱焼成して有機溶媒例え
ばアルコール、アセトンで超音波洗滌すれば第3図に示
すように基板に直接被着している部分33にのみ導電性
酸化錫膜が形成される。このようにこの発明の方法によ
ると基板の硝子材を異にしても同様の単純な工程で基板
に電極を所望に設置出来、ホトレジストの使用を排して
便利である。
すなわち従来の方法に比べてこの発明の方法は工程が簡
単になり、そのため歩留りもたとえばある品種では約5
%向上し、得られた透明導電膜の特性に何ら遜色もみら
れず、又、従来のように露光しないので平行光線の制約
もなく大面積の電極形成も出来、この発明の方法は工業
的に有用な方法である。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図はこの発明の実施例を工程順に
示す断面図である。 1・・・硝子基板、2・・・アクリル樹脂、32―透明
導電膜形成用剤、33・・・透明導電膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 液晶表示器基板に透明導電膜から成る電極を設ける
    にあたりあらかじめ基板の一面に電極設置予定個所を除
    き樹脂系マスク形成用剤を印刷してマスクを設けた後こ
    の一面全面に透明導電膜形成用剤を被着し、次いで焼成
    することによつて前記マスクの樹脂が分解してマスク上
    の透明導電膜形成用剤とともにマスクを基板から除去し
    、基板の電極設置予定個所に透明導電膜を形成すること
    を特徴とする液晶表示器の製造方法。
JP11813075A 1975-09-30 1975-09-30 液晶表示器の製造方法 Expired JPS5929926B2 (ja)

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JPS5242396A JPS5242396A (en) 1977-04-01
JPS5929926B2 true JPS5929926B2 (ja) 1984-07-24

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5646288A (en) * 1979-09-21 1981-04-27 Sharp Kk Method of forming display cell electrodes
JPS5792704A (en) * 1980-12-01 1982-06-09 Tokyo Denshi Kagaku Kk Method of forming pattern of metallic oxide film
JPS57112713A (en) * 1980-12-29 1982-07-13 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki Formation of pattern of metallic oxide film
JPS60150508A (ja) * 1984-01-18 1985-08-08 日本写真印刷株式会社 透明電極基板の製造方法
JP2013503934A (ja) * 2009-09-02 2013-02-04 エルジー・ケム・リミテッド 有機スズ化合物、その製造方法およびそれを用いたポリラクチドの製造方法

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