JPS5814508B2 - 基板に対するホトレジスト塗布法 - Google Patents
基板に対するホトレジスト塗布法Info
- Publication number
- JPS5814508B2 JPS5814508B2 JP9465875A JP9465875A JPS5814508B2 JP S5814508 B2 JPS5814508 B2 JP S5814508B2 JP 9465875 A JP9465875 A JP 9465875A JP 9465875 A JP9465875 A JP 9465875A JP S5814508 B2 JPS5814508 B2 JP S5814508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoresist
- film surface
- photoresist film
- coating method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は基板に対するホトレジスト塗布法に関する。
例えば液晶セルの対向する前面及び背面両基板内側には
透明導電膜パターンが形成されている。
透明導電膜パターンが形成されている。
パターン形成には精度を要しない場合マスク蒸着が行わ
れるが、精密なパターン形成はホトエッチング法によら
なくてはならない。
れるが、精密なパターン形成はホトエッチング法によら
なくてはならない。
例えば基板がソーダガラスで透明導電膜が酸化錫又は酸
化インジウムか成る場合、■Ｏ％フツ酸溶液を用い数秒
〜１分で導電膜が除かれ、この間ＫＰＲ，ＫＭＥＲ等の
ホトレジスト膜面はマスクさして十分耐えるからである
。
化インジウムか成る場合、■Ｏ％フツ酸溶液を用い数秒
〜１分で導電膜が除かれ、この間ＫＰＲ，ＫＭＥＲ等の
ホトレジスト膜面はマスクさして十分耐えるからである
。
このようなホトエッチング法でのホトレジスト膜面形成
では、引き続て行われる露光工程での一様な感光と、現
像後パターンの均一な解像度とを得るさせるために、膜
圧を均一に得ることが必要条件となる。
では、引き続て行われる露光工程での一様な感光と、現
像後パターンの均一な解像度とを得るさせるために、膜
圧を均一に得ることが必要条件となる。
このためにはホトレジスト塗布法として知られるスプレ
ー法、浸漬法、スピンナー法のうちスピンナー法が最も
適する。
ー法、浸漬法、スピンナー法のうちスピンナー法が最も
適する。
スピンナー法はホトレジスト膜面の厚さを薄く得させ解
像度を良好にして微細パターンの形成を容易にするから
である。
像度を良好にして微細パターンの形成を容易にするから
である。
スピンナー法では一個の回転ヘッドに一枚の基板を載置
してホトレジストを基板上に滴下した後数秒〜数１０秒
回転させ所望膜厚にホトレジスト膜面を形成するのであ
るが、基板の端部と他の部分との膜厚差が犬で、露光時
ホトレジスト膜面感光を不均一にし、この為現像エッチ
ング後に必要なパターンを一部消滅したり不必要な導電
膜を残置したりして良品パターンを得難くする。
してホトレジストを基板上に滴下した後数秒〜数１０秒
回転させ所望膜厚にホトレジスト膜面を形成するのであ
るが、基板の端部と他の部分との膜厚差が犬で、露光時
ホトレジスト膜面感光を不均一にし、この為現像エッチ
ング後に必要なパターンを一部消滅したり不必要な導電
膜を残置したりして良品パターンを得難くする。
又ホトレジスト膜面形成以後のベーキング、露光、現像
、蝕刻各工程の条件設定を困難にする。
、蝕刻各工程の条件設定を困難にする。
この発明はこのような欠点を除き改良された方法を提供
するもので、即ち透明導電膜が形成された基板にレジス
ト膜面を形成するにあたりスピンナー回転ヘッドに複数
個の基板を回転ヘッド中心と基板中心を一致させない様
に配置すると共に各基板の回転ヘッド外側周縁側に基板
と等高のガイドを設けてホトレジスト膜面を形成するこ
とを特徴とする基板に対するホトレジスト塗布法にある
。
するもので、即ち透明導電膜が形成された基板にレジス
ト膜面を形成するにあたりスピンナー回転ヘッドに複数
個の基板を回転ヘッド中心と基板中心を一致させない様
に配置すると共に各基板の回転ヘッド外側周縁側に基板
と等高のガイドを設けてホトレジスト膜面を形成するこ
とを特徴とする基板に対するホトレジスト塗布法にある
。
この発明の方法で使用するスピンナーは従来のスピンナ
ーで良く回転ヘッドを改良すればよい。
ーで良く回転ヘッドを改良すればよい。
第１図イは実施例に使用した回転ヘッド１１上のガイド
１２及び透明導電膜を形成された液晶セル用ソーダガラ
ス基板１３の配置を示す簡略平面図で、第１図口は同じ
く断面図、第１図ハは塗布形成された例えばＫＰＲホト
レジスト膜面１４を示す。
１２及び透明導電膜を形成された液晶セル用ソーダガラ
ス基板１３の配置を示す簡略平面図で、第１図口は同じ
く断面図、第１図ハは塗布形成された例えばＫＰＲホト
レジスト膜面１４を示す。
第２図及び第３図に他の実施例で塗布対象とされた液晶
セル用ガラス基板２１，３１とガイド２２及び３２の回
転ヘッド２１，３１上での配置を示す。
セル用ガラス基板２１，３１とガイド２２及び３２の回
転ヘッド２１，３１上での配置を示す。
このようなスピンナー塗布では回転ヘッドに多数個の基
板配置を可能にし、ヘッド中心に対し基板中心を遠方に
ずらす程ヘッド中心と基板上の各点との距離差を少くす
ることができる。
板配置を可能にし、ヘッド中心に対し基板中心を遠方に
ずらす程ヘッド中心と基板上の各点との距離差を少くす
ることができる。
それ故向心力Ｆ−＝ｍｒｗ”に於いてｒの影響を基板上
各点で僅少にして一様なホトレジストの塗布を行わせ、
又ガイドを回転ヘッド外側周縁側に設けたため基板上で
ホトレジストが盛り上がることがなく、ガイド上に盛り
上がり個所を移して基板上ではホトレジスト膜面を均一
な厚さに得させる。
各点で僅少にして一様なホトレジストの塗布を行わせ、
又ガイドを回転ヘッド外側周縁側に設けたため基板上で
ホトレジストが盛り上がることがなく、ガイド上に盛り
上がり個所を移して基板上ではホトレジスト膜面を均一
な厚さに得させる。
第１図は実施例に使用された回転ヘッド上の液晶セル用
基板ガイドの配置を示し、イは平面図、酬は断面図、ハ
は基板近傍の一部断面図である。 第２図及び第３図は他の実施例に使用された回転ヘッド
上の液晶セル用基板ガイドの配置を示す各平面図である
。 各図で、１１，２１．３１……回転ヘッド、１２，２２
，３２……ガイド、１３，２３，３３……ガラス基板、
１４……ホトレジスト膜面。
基板ガイドの配置を示し、イは平面図、酬は断面図、ハ
は基板近傍の一部断面図である。 第２図及び第３図は他の実施例に使用された回転ヘッド
上の液晶セル用基板ガイドの配置を示す各平面図である
。 各図で、１１，２１．３１……回転ヘッド、１２，２２
，３２……ガイド、１３，２３，３３……ガラス基板、
１４……ホトレジスト膜面。
Claims (1)
- １ 基板にホトレジスト膜面を形成するにあたり、スピ
ンナ一回転ヘッドに複数個の基板を回転ヘッド中心と基
板中心を一致させない様に配置すると共に各基板の回転
ヘッド外側周縁側に基板と等高のガイドを設けてホトレ
ジスト膜面を形成することを特徴とする基板に対するホ
トレジスト塗布法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465875A JPS5814508B2 (ja) | 1975-08-02 | 1975-08-02 | 基板に対するホトレジスト塗布法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465875A JPS5814508B2 (ja) | 1975-08-02 | 1975-08-02 | 基板に対するホトレジスト塗布法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5219098A JPS5219098A (en) | 1977-01-14 |
| JPS5814508B2 true JPS5814508B2 (ja) | 1983-03-19 |
Family
ID=14116343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9465875A Expired JPS5814508B2 (ja) | 1975-08-02 | 1975-08-02 | 基板に対するホトレジスト塗布法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814508B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225841Y2 (ja) * | 1984-10-03 | 1990-07-16 |
-
1975
- 1975-08-02 JP JP9465875A patent/JPS5814508B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225841Y2 (ja) * | 1984-10-03 | 1990-07-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5219098A (en) | 1977-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5669835A (en) | Method for forming thin film pattern | |
| JPS5814508B2 (ja) | 基板に対するホトレジスト塗布法 | |
| JPH0352213B2 (ja) | ||
| JPS5911895B2 (ja) | フオトレジストの塗布法 | |
| JPH02204717A (ja) | 液晶表示装置およびその製造法 | |
| JPS60128448A (ja) | フオトマスク | |
| JPS5680130A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2654147B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS5533035A (en) | Forming of resist pattern shaped like inverted truncated pyramid | |
| JP3075479B2 (ja) | 導電性薄膜付き基板とその製造方法 | |
| JPH0361931B2 (ja) | ||
| JPH0462518A (ja) | 絶縁性遮光膜パターン及びその形成方法 | |
| GB1163463A (en) | A Process for the Production of Metal Coating Connections in a Semiconductor System | |
| JPH02174217A (ja) | 弾性表面波素子作製法 | |
| JPS5841765B2 (ja) | フオトマスク材の傷修復方法 | |
| JPS631315Y2 (ja) | ||
| JPS63244642A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6138471B2 (ja) | ||
| JPS5951157B2 (ja) | 薄膜パタ−ンの製造方法 | |
| JPS6286714A (ja) | 半導体装置の電極の形成方法 | |
| JPS6177032A (ja) | 液晶パネル基板の製造方法 | |
| JPS60224227A (ja) | レジスト膜のパタ−ン形成方法 | |
| JPS59102235A (ja) | ホトマスク | |
| JPS62121675A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH03140476A (ja) | 金属薄膜のエッチング方法 |