JPS63310513A - 酸化錫透明電極の製造法 - Google Patents
酸化錫透明電極の製造法Info
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- JPS63310513A JPS63310513A JP14752687A JP14752687A JPS63310513A JP S63310513 A JPS63310513 A JP S63310513A JP 14752687 A JP14752687 A JP 14752687A JP 14752687 A JP14752687 A JP 14752687A JP S63310513 A JPS63310513 A JP S63310513A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
液晶表示素子に要求される画質が高精細化されるに従っ
て使用される透明電極の電極パクーンの細密化が要求さ
れている。具体的には、従来１ｍｍの中に４本の導体が
通るのが標準的な仕様であったが、これがＩｎｍの中に
８本と２倍の精度が要求される様になっている。この様
な仕様の透明電極は容易にエツチング加工が出来るとい
う理由でＩＴＯ膜が機械的に弱い、１５０℃程度の比較
的に低い温度でも抵抗値が変動する等の欠点を有しなが
らも主として用いられている。一方酸化錫透明導電膜は
物理的にも化学的にも非常に安定であるが、この化学的
安定性がエツチング工程を困難にし、亜鉛粉末と塩酸に
よる方法、クロムイオンを利用する方法等が研究されて
いるが何れも工業的に実用化の段階にあるとは言い難い
。
て使用される透明電極の電極パクーンの細密化が要求さ
れている。具体的には、従来１ｍｍの中に４本の導体が
通るのが標準的な仕様であったが、これがＩｎｍの中に
８本と２倍の精度が要求される様になっている。この様
な仕様の透明電極は容易にエツチング加工が出来るとい
う理由でＩＴＯ膜が機械的に弱い、１５０℃程度の比較
的に低い温度でも抵抗値が変動する等の欠点を有しなが
らも主として用いられている。一方酸化錫透明導電膜は
物理的にも化学的にも非常に安定であるが、この化学的
安定性がエツチング工程を困難にし、亜鉛粉末と塩酸に
よる方法、クロムイオンを利用する方法等が研究されて
いるが何れも工業的に実用化の段階にあるとは言い難い
。
本発明によれば、通常市販されているポジ型ホトレジス
ト剤の全く新規の使用法を開発することにより細密なノ
９クーンを有する酸化錫透明電極を製造し得る様になっ
た。
ト剤の全く新規の使用法を開発することにより細密なノ
９クーンを有する酸化錫透明電極を製造し得る様になっ
た。
以下本発明による酸化錫透明電極の製造法を説明する。
一般的な方法でソーダライム硝子の表面に酸化けい素皮
膜を付着させる。従来の方式では、この上に酸化錫膜を
形成した后ホトレジストを塗布しエツチング工程になる
。本発明ではこの酸化けい素膜上に直接フェノール系の
ポジ型ホトレジスト剤を１．０μｍ乃至２，０μｍの厚
さに塗布し、露光層現像を行い、電極の導電部は硝子表
面が露出し絶縁部はホトレジスト樹脂で覆はれた状態に
する。その后この硝子板を５００℃程度に加熱しその上
に塩化錫の溶液又は蒸気を全面に吹き付ける。この硝子
板が冷却した后その表面を水洗すると、ホトレジストの
残存物が硝子表面から剥離すると共にレジスト剤の上に
付着した酸化錫膜も同時に除去される。かくして硝子表
面に直接付着した酸化錫だけが残り所要のパターンを有
する透明電極が出来る。
膜を付着させる。従来の方式では、この上に酸化錫膜を
形成した后ホトレジストを塗布しエツチング工程になる
。本発明ではこの酸化けい素膜上に直接フェノール系の
ポジ型ホトレジスト剤を１．０μｍ乃至２，０μｍの厚
さに塗布し、露光層現像を行い、電極の導電部は硝子表
面が露出し絶縁部はホトレジスト樹脂で覆はれた状態に
する。その后この硝子板を５００℃程度に加熱しその上
に塩化錫の溶液又は蒸気を全面に吹き付ける。この硝子
板が冷却した后その表面を水洗すると、ホトレジストの
残存物が硝子表面から剥離すると共にレジスト剤の上に
付着した酸化錫膜も同時に除去される。かくして硝子表
面に直接付着した酸化錫だけが残り所要のパターンを有
する透明電極が出来る。
上記説明の様に、本発明の骨子はクレゾール類を含む、
フェノール系のポジ型ホトレジスト剤を使用すること、
その塗布厚さは１μｍ乃至２μｍであること及び基板を
約５００℃に加熱しての吹き付は法による酸化錫膜の生
成の三点にある。約５００℃の温度において不要部分に
酸化錫膜の付着を防止するマスク効果を有するホトレジ
スト剤はフェノール系のポジ型レジスト剤が唯一の物で
あり、例えばポリビニールピロリドンにジアゾ系の感光
剤を入れた水溶性ホトレジスト剤やネガ型ホトレジスト
剤は４００℃の温度で殆ど灰化し硝子表面から剥離して
、マスク効果がなく、酸化錫膜が全面に付着してしまう
結果となる。又フェノール系ポジ型ホトレジストを使用
した場合にもその厚さがｌｌ１ｍ以下では、マスク効果
は充分でない。０８μｍの厚さでは、レジスト剤を通し
た酸化錫がピンホール状に付着したものが見受けられる
様になり、０５μｍの厚さでは殆どマスク効果がなく殆
ど全面に酸化錫が付着してしまう。
フェノール系のポジ型ホトレジスト剤を使用すること、
その塗布厚さは１μｍ乃至２μｍであること及び基板を
約５００℃に加熱しての吹き付は法による酸化錫膜の生
成の三点にある。約５００℃の温度において不要部分に
酸化錫膜の付着を防止するマスク効果を有するホトレジ
スト剤はフェノール系のポジ型レジスト剤が唯一の物で
あり、例えばポリビニールピロリドンにジアゾ系の感光
剤を入れた水溶性ホトレジスト剤やネガ型ホトレジスト
剤は４００℃の温度で殆ど灰化し硝子表面から剥離して
、マスク効果がなく、酸化錫膜が全面に付着してしまう
結果となる。又フェノール系ポジ型ホトレジストを使用
した場合にもその厚さがｌｌ１ｍ以下では、マスク効果
は充分でない。０８μｍの厚さでは、レジスト剤を通し
た酸化錫がピンホール状に付着したものが見受けられる
様になり、０５μｍの厚さでは殆どマスク効果がなく殆
ど全面に酸化錫が付着してしまう。
２μｍより厚くなるとパターン精度が悪くなり実用にな
らない。また温度５５０°Ｃ以上ではレジスト剤が灰化
し始めマスク効果が充分でない。
らない。また温度５５０°Ｃ以上ではレジスト剤が灰化
し始めマスク効果が充分でない。
実施例 （１）
硝子基板上に東京応化■製ＰＭＥＲ−Ｐ３０４０を１６
μｍの厚さに塗布し１０５°Ｃで２分間乾燥させた后、
２２ｏｍＪ／ｃ＋＋！の光量で３０秒間露光をした。そ
の后０．７％の苛性カリ水溶液に、１５秒間浸積して、
現像を行い引き続き水洗、乾燥した。この基板を５２０
℃に加熱するコンベア炉中に入れ所定の温度になった所
で、塩化アンチモンを含む塩化第２錫のアルコール溶液
を１５秒間吹き付けた。コンベア炉から出て来た基板表
面のレジスト剤は淡黄色から焦茶色に変色していた。こ
の基板が冷却した后、水をつけたナイロンブラシで表面
をこすりレジスト剤の残存物を除去することにより、所
要のパターンを有する透明電極を得た。
μｍの厚さに塗布し１０５°Ｃで２分間乾燥させた后、
２２ｏｍＪ／ｃ＋＋！の光量で３０秒間露光をした。そ
の后０．７％の苛性カリ水溶液に、１５秒間浸積して、
現像を行い引き続き水洗、乾燥した。この基板を５２０
℃に加熱するコンベア炉中に入れ所定の温度になった所
で、塩化アンチモンを含む塩化第２錫のアルコール溶液
を１５秒間吹き付けた。コンベア炉から出て来た基板表
面のレジスト剤は淡黄色から焦茶色に変色していた。こ
の基板が冷却した后、水をつけたナイロンブラシで表面
をこすりレジスト剤の残存物を除去することにより、所
要のパターンを有する透明電極を得た。
実施例 （２）
レジスト剤としてヘキスト・ジャパン製ＡＺ−１３７５
を使用した場合も実施例（１）と殆ど同一の方法で好結
果が得られた。
を使用した場合も実施例（１）と殆ど同一の方法で好結
果が得られた。
実施例 （３）
レジスト剤として住人化学■製ＰＦ−６２００Ｂを使用
して現像迄は、はぼ上記の方法と同一で、酸化錫膜の生
成を塩化アンチモンを含む塩化錫の蒸気を窒素ガスと共
に５２０℃に加熱した硝子基板に吹き付けた場合にも好
結果を得ることが出来た。
して現像迄は、はぼ上記の方法と同一で、酸化錫膜の生
成を塩化アンチモンを含む塩化錫の蒸気を窒素ガスと共
に５２０℃に加熱した硝子基板に吹き付けた場合にも好
結果を得ることが出来た。
Claims (1)
- 表面にフェノール系ポジ型ホトレジスト剤を１．０μｍ
乃至２．０μｍの厚みに塗布、乾燥后露光、現像を行い
必要導電部のみ硝子表面が露出し絶縁部の表面はホトレ
ジスト剤で覆はれた硝子基板を４５０℃乃至５５０℃に
加熱した后、その全面に塩化錫を主成分として含む溶液
を吹きつけるか、又は塩化錫の蒸気を主成分として含む
空気又は窒素を吹きつけることにより、酸化錫膜を形成
し、硝子基板が冷却した后ホトレジスト剤の残存物を除
去することを特徴とする透明電極の製造法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14752687A JPS63310513A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 酸化錫透明電極の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14752687A JPS63310513A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 酸化錫透明電極の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310513A true JPS63310513A (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=15432308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14752687A Pending JPS63310513A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 酸化錫透明電極の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63310513A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0697377A2 (en) * | 1994-08-18 | 1996-02-21 | Honjo Sorex Co. Ltd. | Process for production of glass substrate coated with finely patterned Nesa glass membrane |
| KR100666502B1 (ko) | 2005-07-15 | 2007-01-09 | 학교법인 포항공과대학교 | 유리 나노 가공 방법 |
| KR100682031B1 (ko) | 2005-08-23 | 2007-02-12 | 학교법인 포항공과대학교 | 유리 가공 방법 |
| KR100948496B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2010-03-23 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 기능성 박막의 형성방법 |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP14752687A patent/JPS63310513A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0697377A2 (en) * | 1994-08-18 | 1996-02-21 | Honjo Sorex Co. Ltd. | Process for production of glass substrate coated with finely patterned Nesa glass membrane |
| EP0697377A3 (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-18 | Honjo Sorex Co Ltd | Process for producing a glass substrate coated with a finely structured Nesa glass membrane |
| US5865865A (en) * | 1994-08-18 | 1999-02-02 | Honjo Sorex Co., Ltd | Process for production of glass substrate coated with finely patterned nesa glass membrane |
| KR100329022B1 (ko) * | 1994-08-18 | 2002-09-04 | 혼조 소렉스 가부시키가이샤 | 미세패턴의네사유리막으로피복된유리기판의제조방법 |
| KR100948496B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2010-03-23 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 기능성 박막의 형성방법 |
| KR100666502B1 (ko) | 2005-07-15 | 2007-01-09 | 학교법인 포항공과대학교 | 유리 나노 가공 방법 |
| KR100682031B1 (ko) | 2005-08-23 | 2007-02-12 | 학교법인 포항공과대학교 | 유리 가공 방법 |
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