JPH03197335A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH03197335A JPH03197335A JP33726589A JP33726589A JPH03197335A JP H03197335 A JPH03197335 A JP H03197335A JP 33726589 A JP33726589 A JP 33726589A JP 33726589 A JP33726589 A JP 33726589A JP H03197335 A JPH03197335 A JP H03197335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- hydrochloric acid
- liquid
- specific gravity
- oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 11
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 229960002089 ferrous chloride Drugs 0.000 claims description 5
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 62
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021577 Iron(II) chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910006688 SnO2—In2O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- -1 and over time Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は改良された透明導電性酸化物のエツチング加工
法に関するものである。
法に関するものである。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕透明導
電性酸化物の薄膜は液晶デイスプレィなどの表示素子、
タッチパネルなどの入力装置の透明電極として使用され
ている。
電性酸化物の薄膜は液晶デイスプレィなどの表示素子、
タッチパネルなどの入力装置の透明電極として使用され
ている。
上記、透明導電性酸化物としては、酸化錫、酸化インジ
ュウム、酸化錫−酸化インジュウムが使用されている。
ュウム、酸化錫−酸化インジュウムが使用されている。
これらの透明導電性酸化物のエツチング液としては、通
常、塩化第二鉄と塩酸の混合物の水溶液が用いられてい
るが、これまではエツチング液の制御装置がなく、時間
経過に従い、塩酸及び水の蒸散、あるいは空気酸化によ
るエツチング液の酸化還元電位の上昇などが起こり、液
組成が常に変化していた。
常、塩化第二鉄と塩酸の混合物の水溶液が用いられてい
るが、これまではエツチング液の制御装置がなく、時間
経過に従い、塩酸及び水の蒸散、あるいは空気酸化によ
るエツチング液の酸化還元電位の上昇などが起こり、液
組成が常に変化していた。
この結果エツチング液の性能が変わり製品の仕上がりに
影響を与え、不良率の増大、信鯨性の低下をもたらして
いる。
影響を与え、不良率の増大、信鯨性の低下をもたらして
いる。
近年、表示素子や入力素子は大型化するとともに、高密
度化、微細化が行われており、上記の傾向はより顕著に
顕れ、精度の高いエツチング加工技術が求められている
。
度化、微細化が行われており、上記の傾向はより顕著に
顕れ、精度の高いエツチング加工技術が求められている
。
従って、本発明の目的は、エツチング製品の不良率の増
大、信幀性の低下を防止し、精度の高いエツチング加工
を可能にするエツチング方法を従供することにある。
大、信幀性の低下を防止し、精度の高いエツチング加工
を可能にするエツチング方法を従供することにある。
本発明者らは上記課題を解決すべく、鋭意研究の結果、
本発明を完成するに到った。
本発明を完成するに到った。
即ち、本発明は、基材表面上の酸化錫、酸化インジュウ
ム、酸化錫−酸化インジュウムのうち少なくとも一つを
塩化第二鉄、塩酸混合液でエツチングするにあたり、エ
ツチング液の酸化還元電位、比重、塩酸濃度のうち少な
くとも一つを測定し、この測定結果に基づきエツチング
液に塩酸、塩化第一鉄、水、場合によっては更に塩化第
二鉄を供給し、エツチング液の組成を一定に保つことを
特徴とする、信鯨性の高い、煩雑な液交換作業をなくす
ことのできるエツチング方法に係わるものである。
ム、酸化錫−酸化インジュウムのうち少なくとも一つを
塩化第二鉄、塩酸混合液でエツチングするにあたり、エ
ツチング液の酸化還元電位、比重、塩酸濃度のうち少な
くとも一つを測定し、この測定結果に基づきエツチング
液に塩酸、塩化第一鉄、水、場合によっては更に塩化第
二鉄を供給し、エツチング液の組成を一定に保つことを
特徴とする、信鯨性の高い、煩雑な液交換作業をなくす
ことのできるエツチング方法に係わるものである。
本発明においてエツチング液の組成測定項目は比重、塩
酸濃度、酸化還元電位のうちの少なくとも一つであり、
好ましくは二つ以上、最も好ましくは三つとも測定する
ことが良い。
酸濃度、酸化還元電位のうちの少なくとも一つであり、
好ましくは二つ以上、最も好ましくは三つとも測定する
ことが良い。
三つとも測定する場合においては測定された比重、塩酸
濃度、酸化還元電位に基づいてそれぞれ比重調整用補給
液、塩酸濃度調整用補給液、酸化還元電位調整用補給液
を、これら比重、塩酸濃度、酸化還元電位が一定となる
ように供給すればよい。
濃度、酸化還元電位に基づいてそれぞれ比重調整用補給
液、塩酸濃度調整用補給液、酸化還元電位調整用補給液
を、これら比重、塩酸濃度、酸化還元電位が一定となる
ように供給すればよい。
比重、塩酸濃度、酸化還元電位のうちの二つ又は一つを
測定する場合は、残りの測定しない一つ又は二つの測定
項目と、測定する二つ又は一つの測定項目との関係を予
め明らかにした後、この関係に基づいて二つ又は一つの
測定項目に対応した補給液に、測定しない一つ又は二つ
の項目に対応した補給液を混合しておけば良い。
測定する場合は、残りの測定しない一つ又は二つの測定
項目と、測定する二つ又は一つの測定項目との関係を予
め明らかにした後、この関係に基づいて二つ又は一つの
測定項目に対応した補給液に、測定しない一つ又は二つ
の項目に対応した補給液を混合しておけば良い。
上記、測定結果に基づき送入される補給液は塩酸、塩化
第一鉄の水溶液および水の単独あるいは混合物であり、
これらは上記のように目的に応じて適宜混合すればよく
、三つとも測定する場合においても必ずしも単独で送入
する必要はない。
第一鉄の水溶液および水の単独あるいは混合物であり、
これらは上記のように目的に応じて適宜混合すればよく
、三つとも測定する場合においても必ずしも単独で送入
する必要はない。
ここで送入される補給液には、場合によっては塩化第二
鉄をさらに含有することができるが、塩化第二鉄は錫、
インジュウムイオンの増加を防ぐためのものであり必要
としない場合もある。
鉄をさらに含有することができるが、塩化第二鉄は錫、
インジュウムイオンの増加を防ぐためのものであり必要
としない場合もある。
本発明においてはエツチング液組成を一定に保つ為に、
直接的には比重、塩酸濃度、酸化還元電位を一定とする
べく補給液を制御するわけであるが、比重、塩酸濃度、
酸化還元電位の値は、エツチング液組成により任意に決
まるものであるから、比重、塩酸濃度、酸化還元電位の
値は使用するエツチング液組成に応じて適宜決定すれば
良い。
直接的には比重、塩酸濃度、酸化還元電位を一定とする
べく補給液を制御するわけであるが、比重、塩酸濃度、
酸化還元電位の値は、エツチング液組成により任意に決
まるものであるから、比重、塩酸濃度、酸化還元電位の
値は使用するエツチング液組成に応じて適宜決定すれば
良い。
以下に実施例を挙げ本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はこれらに限定されるものではない。
、本発明はこれらに限定されるものではない。
裏旌班二上
第１図に示される装置を使用して以下の条件で透明導電
性酸化物のエツチングを行った。
性酸化物のエツチングを行った。
第１図において、１はエツチング液の送液ポンプ、２は
比重調整用補給液の送液ポンプ、３は酸化還元電位調整
用補給液の送液ポンプ、１２は比重検出部、１３は酸化
還元電位検出部、２２は比重調整用補給液貯槽、２３は
酸化還元電位調整用補給液貯槽、１°はエツチング液送
り管、１”はエツチング液戻り管、２゛は比重調整用補
給液送り管、３゛は酸化還元電位調整用補給液送り管、
５°はオーバーフロー用排出管、１２’ 、 １３°は
制御信号配線である。
比重調整用補給液の送液ポンプ、３は酸化還元電位調整
用補給液の送液ポンプ、１２は比重検出部、１３は酸化
還元電位検出部、２２は比重調整用補給液貯槽、２３は
酸化還元電位調整用補給液貯槽、１°はエツチング液送
り管、１”はエツチング液戻り管、２゛は比重調整用補
給液送り管、３゛は酸化還元電位調整用補給液送り管、
５°はオーバーフロー用排出管、１２’ 、 １３°は
制御信号配線である。
エツチング機としてはスプレー式（エツチング有効距１
１２ｍ、エツチング循環液量３００ｊりを使用し、これ
にエツチング液のコントロールの為の比重検出器（富士
電機製）と酸化還元電位検出器（英国、フォックス社製
）を接続させた。
１２ｍ、エツチング循環液量３００ｊりを使用し、これ
にエツチング液のコントロールの為の比重検出器（富士
電機製）と酸化還元電位検出器（英国、フォックス社製
）を接続させた。
スクリーン法でエツチングレジストをパターニングした
透明導電性酸化物（ガラス板、インジュウム錫酸化物膜
厚さ５００人、３２０ｍ５ Ｘ ４００ｍｍ）をエツチ
ング液温度４５°Ｃ、スプレー圧力１．５ ｋｇ／ｄ、
コンベア速度２．０ ｍ／分でエツチングした。
透明導電性酸化物（ガラス板、インジュウム錫酸化物膜
厚さ５００人、３２０ｍ５ Ｘ ４００ｍｍ）をエツチ
ング液温度４５°Ｃ、スプレー圧力１．５ ｋｇ／ｄ、
コンベア速度２．０ ｍ／分でエツチングした。
エツチング液は４０°Ｂｅ塩化第二鉄：３４％塩酸−２
重量部：１重量部の混合物を使用した。補給液は、比重
調整用補給液として塩酸を１８％及び塩化第二鉄を１０
％含有する混合水溶液を使用し、酸化還元電位調整用補
給液として塩酸を１８％及び塩化第一鉄を０．８％含有
する混合水溶液を使用した。
重量部：１重量部の混合物を使用した。補給液は、比重
調整用補給液として塩酸を１８％及び塩化第二鉄を１０
％含有する混合水溶液を使用し、酸化還元電位調整用補
給液として塩酸を１８％及び塩化第一鉄を０．８％含有
する混合水溶液を使用した。
制御部の設定値は比重１．３４、酸化還元電位６２０と
した。
した。
上記、被エツチング板４２３０枚処理したところ、比重
１．３４、酸化還元電位６２５となったのでコントロー
ル装置を稼働させた。
１．３４、酸化還元電位６２５となったのでコントロー
ル装置を稼働させた。
その後同条件でエツチングを続け、４５０００枚の処理
を行ったが、エツチングに起因する不良品は発生しなか
った。この間に使用した補給液の使用量は比重調整用補
給液４８０ ｋｇ、酸化還元電位調整用補給液７５ｋｇ
であった。
を行ったが、エツチングに起因する不良品は発生しなか
った。この間に使用した補給液の使用量は比重調整用補
給液４８０ ｋｇ、酸化還元電位調整用補給液７５ｋｇ
であった。
なお、処理枚数毎のエツチング液分析結果は表１のよう
になり、はぼ同じ組成を保っていることがわかる。
になり、はぼ同じ組成を保っていることがわかる。
表
第２図に示される装置を使用して以下の条件で透明導電
性酸化物のエツチングを行った。
性酸化物のエツチングを行った。
第２図において、１はエツチング液の送液ポンプ、２は
比重調整用補給液の送液ポンプ、３は酸化還元電位調整
用補給液の送液ポンプ、４は塩酸濃度調整用補給液の送
液ポンプ、１２は比重検出部、１３は酸化還元電位検出
部、１４は塩酸濃度検出部、２２は比重調整用補給液貯
槽、２３は酸化還元電位調整用補給液貯槽、２４は塩酸
濃度調整用補給液貯槽、１°はエツチング液送り管、１
°はエツチング液戻り管、２°は比重調整用補給液送り
管、３゛は酸化還元電位調整用補給液送り管、４”は塩
酸濃度調整用補給液送り管、５゛はオーバーフロー用排
出管、１２°、１３”１４゛ は制御信号配線である。
比重調整用補給液の送液ポンプ、３は酸化還元電位調整
用補給液の送液ポンプ、４は塩酸濃度調整用補給液の送
液ポンプ、１２は比重検出部、１３は酸化還元電位検出
部、１４は塩酸濃度検出部、２２は比重調整用補給液貯
槽、２３は酸化還元電位調整用補給液貯槽、２４は塩酸
濃度調整用補給液貯槽、１°はエツチング液送り管、１
°はエツチング液戻り管、２°は比重調整用補給液送り
管、３゛は酸化還元電位調整用補給液送り管、４”は塩
酸濃度調整用補給液送り管、５゛はオーバーフロー用排
出管、１２°、１３”１４゛ は制御信号配線である。
エツチング機としてはスプレー式（エツチング有効路Ｈ
２ｍ、エツチング循環液量３００７りを使用し、これに
エツチング液のコントロールの為の浮子式比重検出器、
酸化還元電位検出器及び塩酸濃度検出器を接続させた。
２ｍ、エツチング循環液量３００７りを使用し、これに
エツチング液のコントロールの為の浮子式比重検出器、
酸化還元電位検出器及び塩酸濃度検出器を接続させた。
実施例−１と同様な透明導電性酸化物をエツチング液温
度４０℃、スプレー圧力１．５ｋｇ／ｃｊ、コンベア速
度２．２ ｍ／分でエツチングした。
度４０℃、スプレー圧力１．５ｋｇ／ｃｊ、コンベア速
度２．２ ｍ／分でエツチングした。
エツチング液は４０°Ｂｅ塩化第二鉄：３４％塩酸＝１
重量部：１重量部の混合物を使用した。
重量部：１重量部の混合物を使用した。
補給液は、比重調整用補給液として水を使用し、酸化還
元電位調整用補給液として塩酸を２０％及び塩化第一鉄
を０．８％含有する混合水溶液を使用し、塩酸濃度調整
用補給液として２０％塩酸水溶液を使用した。
元電位調整用補給液として塩酸を２０％及び塩化第一鉄
を０．８％含有する混合水溶液を使用し、塩酸濃度調整
用補給液として２０％塩酸水溶液を使用した。
制御部の設定値は比重１．３１、酸化還元電位６１５、
塩酸濃度１３％とした。
塩酸濃度１３％とした。
エツチングの経緯は実施例−１と同様となり、被エツチ
ング板８００００枚処理したがエツチング不足による不
良品の発生はなかった。
ング板８００００枚処理したがエツチング不足による不
良品の発生はなかった。
止較■二土
実施例−１と同様の処理をコントロール装置を稼働させ
ずに行った。
ずに行った。
結果は９２００枚処理したところでエツチング不足によ
る不良品が発生した。
る不良品が発生した。
この時のエツチング液の組成分析結果は表２のとおりで
あった。
あった。
表 ２
〔発明の効果〕
本発明の効果は、エツチング液の組成が一定に保たれ、
エツチング性能が常に一定となり、透明導電性酸化物の
エツチング製品の不良率、信鯨性低下を防止し、精度が
高く、且つ、エツチング液の交換作業がなくなるため、
省力化、廃液量の低減化を可能にするエツチング方法を
捷供したことにある。
エツチング性能が常に一定となり、透明導電性酸化物の
エツチング製品の不良率、信鯨性低下を防止し、精度が
高く、且つ、エツチング液の交換作業がなくなるため、
省力化、廃液量の低減化を可能にするエツチング方法を
捷供したことにある。
第１図は本発明方法を実施するための装置の一例を示す
図である。第２図は本発明方法を実施するための装置の
他の一例を示す図である。 ｌ・・・エツチング液の送液ポンプ ２・・・比重調整用補給液の送液ポンプ３・・・酸化還
元電位調整用補給液の送液ポンプ４・・・塩酸濃度調整
用補給液の送液ポンプ１２・・・比重検出部 １３・・・酸化還元電位検出部 １４・・・塩酸濃度検出部 ２２・・・比重調整用補給液貯槽 ２３・・・酸化還元電位調整用補給液貯槽２４・・・塩
酸濃度調整用補給液貯槽 ｌ°・・・エツチング液送り管 １−・・エツチング液戻り管 ２゛・・・比重調整用補給液送り管 ３°・・・酸化還元電位調整用補給液送り管４′・・・
塩酸濃度調整用補給液送り管５゛・・・オーバーフロー
用排出管
図である。第２図は本発明方法を実施するための装置の
他の一例を示す図である。 ｌ・・・エツチング液の送液ポンプ ２・・・比重調整用補給液の送液ポンプ３・・・酸化還
元電位調整用補給液の送液ポンプ４・・・塩酸濃度調整
用補給液の送液ポンプ１２・・・比重検出部 １３・・・酸化還元電位検出部 １４・・・塩酸濃度検出部 ２２・・・比重調整用補給液貯槽 ２３・・・酸化還元電位調整用補給液貯槽２４・・・塩
酸濃度調整用補給液貯槽 ｌ°・・・エツチング液送り管 １−・・エツチング液戻り管 ２゛・・・比重調整用補給液送り管 ３°・・・酸化還元電位調整用補給液送り管４′・・・
塩酸濃度調整用補給液送り管５゛・・・オーバーフロー
用排出管
Claims (1)
- 基材表面上の酸化錫、酸化インジュウム、酸化錫−酸
化インジュウムのうち少なくとも一つを塩化第二鉄、塩
酸混合液でエッチングするにあたり、エッチング液の酸
化還元電位、比重、塩酸濃度のうち少なくとも一つを測
定し、この測定結果に基づきエッチング液に塩酸、塩化
第一鉄、水を供給し、エッチング液の組成を一定に保つ
ことを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337265A JP2807515B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337265A JP2807515B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03197335A true JPH03197335A (ja) | 1991-08-28 |
| JP2807515B2 JP2807515B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=18306993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1337265A Expired - Fee Related JP2807515B2 (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2807515B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0633268A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-08 | Asahi Denka Kogyo Kk | 銅及び銅合金の表面処理方法 |
| EP0838442A1 (en) * | 1996-10-23 | 1998-04-29 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for removing a thin film |
| JP2009231427A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Toagosei Co Ltd | エッチング液、該エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法及び被エッチング基板 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106764U (ja) * | 1980-12-22 | 1982-07-01 | ||
| JPS6255896A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 |
| JPS62174390A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Canon Inc | 基板エツチング装置 |
| JPS62177188A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Canon Inc | 基板エツチング装置 |
| JPH01189631A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-28 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル電極の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1337265A patent/JP2807515B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106764U (ja) * | 1980-12-22 | 1982-07-01 | ||
| JPS6255896A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 |
| JPS62174390A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Canon Inc | 基板エツチング装置 |
| JPS62177188A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Canon Inc | 基板エツチング装置 |
| JPH01189631A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-28 | Seiko Epson Corp | 液晶パネル電極の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0633268A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-08 | Asahi Denka Kogyo Kk | 銅及び銅合金の表面処理方法 |
| EP0838442A1 (en) * | 1996-10-23 | 1998-04-29 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for removing a thin film |
| US6153535A (en) * | 1996-10-23 | 2000-11-28 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for removing a thin film for a window glass |
| JP2009231427A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Toagosei Co Ltd | エッチング液、該エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法及び被エッチング基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2807515B2 (ja) | 1998-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8127572B2 (en) | Method of eliminating blisters in a glass making process | |
| DE69730350T2 (de) | VERFAHREN ZUR Herstellung von GLAS | |
| TWI278898B (en) | Processing solution preparation and supply method and apparatus | |
| JP6341572B2 (ja) | エッチング液管理装置 | |
| KR20130041746A (ko) | 에칭액조성물 및 에칭 방법 | |
| CN104944739A (zh) | 玻璃基板的制造方法以及玻璃基板的制造装置 | |
| KR20040034464A (ko) | 에칭액 관리 방법 및 에칭액 관리 장치 | |
| CN103508657B (zh) | 玻璃基板的制造方法和玻璃基板的制造装置 | |
| JPH03197335A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2747647B2 (ja) | エッチング液管理装置 | |
| KR101901781B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JPH0339491A (ja) | 薄膜エッチング装置 | |
| CN109797397B (zh) | 银蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 | |
| JPH0641664B2 (ja) | 薬液処理装置 | |
| TW299299B (ja) | ||
| TWI682067B (zh) | 蝕刻液管理裝置、蝕刻液管理方法、及蝕刻液之成分濃度測定方法 | |
| JP3456804B2 (ja) | 酸化物エッチング製品の製造方法および装置 | |
| JP2009019877A (ja) | エッチング液成分の濃度測定装置および濃度測定方法 | |
| JP2780092B2 (ja) | エツチング液の能力維持管理法 | |
| JP2002350395A (ja) | メッキ液の塩素濃度測定方法 | |
| CN107025960A (zh) | 银配线的黑化方法及使用其的显示器装置 | |
| JPH01313754A (ja) | 塩素濃度の測定方法 | |
| JP2505931B2 (ja) | 有機酸エステルの製造プロセス | |
| CN117070947A (zh) | 一种高稳定性高安全性铜酸刻蚀液及其制备方法 | |
| CN114626208A (zh) | 一种基板玻璃窑炉寿命估算方法及寿命延长方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |