JP2018164034A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018164034A JP2018164034A JP2017061394A JP2017061394A JP2018164034A JP 2018164034 A JP2018164034 A JP 2018164034A JP 2017061394 A JP2017061394 A JP 2017061394A JP 2017061394 A JP2017061394 A JP 2017061394A JP 2018164034 A JP2018164034 A JP 2018164034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molar ratio
- water
- mixed acid
- concentration
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 239
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 97
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 325
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 324
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 317
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 168
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 70
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 25
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 18
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 65
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 72
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 41
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 31
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/46—Regeneration of etching compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】基板処理方法は、リン酸、硝酸、および水を含む混合液である混酸を加熱する混酸加熱工程と、P/Wモル比(混酸に含まれるリン酸のモル数/混酸に含まれる水のモル数)をモル比上限値とモル比下限値との間に維持するために、混酸に水を加えることによりP/Wモル比を低下させるモル比調節工程と、水が加えられた混酸を基板に供給することにより基板上の金属膜をエッチングするエッチング工程とを含む。
【選択図】図9A
Description
特許文献1には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させるスピンチャックと、SC1(アンモニア水、過酸化水素水、および純水の混合液)などの複数の成分を含む処理液をスピンチャックに保持されている基板に向けて吐出するノズルとを備えている。この基板処理装置は、さらに、処理液に含まれる複数の成分の濃度を測定する成分濃度測定器と、いずれかの成分の濃度が許容濃度範囲外である場合に当該成分の濃度が許容濃度範囲内に戻るように各成分の比率が調整された処理液を使用中の処理液に加える制御装置とを備えている。
前述のように、混酸の温度が一定に調節されている間、水などの成分液の補充や混入がなければ、混酸におけるリン酸の濃度およびモル数は、通常、概ね一定の割合で上昇し続け、混酸における水の濃度およびモル数は、通常、概ね一定の割合で低下し続ける。この場合、ある時間におけるリン酸および水の濃度等を実際に測定しなくても、これらを予想できる。したがって、ある時間におけるP/Wモル比も予想できる。
この構成によれば、リン酸、硝酸、および水に加えて酢酸を含む混酸が、基板に供給される。硝酸による金属膜の酸化によって発生した水素ガスは、基板の表面の一部に残り、硝酸による金属膜の酸化を抑制する。したがって、水素ガスが基板の表面にあると、エッチングの均一性が低下する。酢酸は、基板からの水素ガスの剥離を促進し、結果的に、硝酸による金属膜の酸化を促進する。これにより、エッチングの均一性の低下を抑制または防止することができる。
この構成によれば、混酸が基板に供給されていない非供給期間だけ、水が混酸に加えられる。水を混酸に加えると、混酸の均一性が一時的に低下する。したがって、基板への混酸の供給が行われている供給期間に水の補充を禁止することにより、このような混酸が基板に供給されることを防止できる。
前記制御装置は、前記基板に供給される前に、前記ヒータに前記混酸を加熱させる混酸加熱工程と、前記水吐出口に前記混酸加熱工程で加熱された前記混酸に水を加えさせることにより、前記混酸に含まれる水のモル数に対する前記混酸に含まれるリン酸のモル数の比率を表すP/Wモル比を低下させる水補充工程を含み、前記P/Wモル比をモル比上限値とモル比下限値との間に維持するモル比調節工程と、前記混酸吐出口に前記水補充工程で水が加えられた前記混酸を前記基板に供給させることにより、前記基板上の前記金属膜をエッチングするエッチング工程とを実行する。この構成によれば、請求項1の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項16に記載の発明は、前記水補充工程は、前記基板への前記混酸の供給が行われていない期間だけ、前記水吐出口に前記混酸に水を加えさせることにより、前記P/Wモル比を低下させる、非処理中水補充工程を含む、請求項9〜15のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、請求項8の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置1は、複数枚の基板Wを一括して処理するバッチ式の装置である。基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを収容するキャリアCが搬送されるロードポートLPと、ロードポートLPから搬送された基板Wを薬液やリンス液などの処理液で処理する処理ユニット2と、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する複数の搬送ロボットと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。
第2薬液処理槽6は、リン酸、酢酸、硝酸、および水の混合液である混酸を貯留する混酸貯留容器の一例である内槽16と、内槽16からあふれた混酸を貯留する外槽15とを含む。基板処理装置1は、第2薬液処理槽6内の混酸を加熱しながら循環させる循環システム21と、混酸の成分液を補充することにより混酸に含まれる水のモル数に対する混酸に含まれるリン酸のモル数の比率を調整する補充システム31とを含む。
図3に示すように、制御装置3は、コンピュータ本体3aと、コンピュータ本体3aに接続された周辺装置3bとを含む。コンピュータ本体3aは、各種の命令を実行するCPU41(central processing unit:中央処理装置)と、情報を記憶する主記憶装置42とを含む。周辺装置3bは、プログラムP等の情報を記憶する補助記憶装置43と、リムーバブルメディアMから情報を読み取る読取装置44と、ホストコンピュータHC等の制御装置3以外の装置と通信する通信装置45とを含む。
図6に示すように、混酸には、リン酸(H3PO4)、酢酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)、水(H2O)が含まれている。硝酸は、タングステン(W)を酸化させる(現象1)。これにより、タングステン化合物(W(NO3)x)と水素ガス(H2)とが生成される(現象2)。
その一方で、硝酸によるタングステンの酸化によって発生した水素ガスは、基板Wの表面の一部に残り、硝酸によるタングステンの酸化を抑制する(現象5)。したがって、水素ガスが基板Wの表面にあると、エッチングの均一性が低下する。酢酸は、基板Wからの水素ガスの剥離を促進し、結果的に、硝酸によるタングステンの酸化を促進する(現象6)。基板W上の混酸の流れも、基板Wからの水素ガスの剥離を促進する(現象7)。これにより、エッチングの均一性の低下を抑制または防止することができる。
図7中のNO.2〜4は、いずれも、混酸の温度を調整しながら、混酸の交換時期まで混酸を循環させたときの計算値を示している。図7中のNO.3は、混酸における水の濃度を安定させる点でNO.2と異なる。図7中のNO.4は、P/Wモル比を安定させる点でNO.3と異なる。
図8は、P/Wモル比を安定させる制御の一例について説明するためのフローチャートである。図9Aおよび図9Bは、P/Wモル比の時間的変化を示すグラフである。以下の各工程は、制御装置3が基板処理装置1を制御することにより実行される。
制御装置3は、P/Wモル比がモル比上限値とモル比下限値との間にあるか否かを監視している。具体的には、制御装置3は、P/Wモル比がモル比上限値未満であるか否かを判定する(図8のステップS11)。P/Wモル比がモル比上限値未満であれば(図8のステップS11でYes)、制御装置3は、P/Wモル比がモル比下限値を超えているか否かを判定する(図8のステップS12)。P/Wモル比がモル比下限値を超えていれば(図8のステップS12でYes)、制御装置3は、所定時間が経過した後に、再び、P/Wモル比がモル比上限値未満であるか否かを判定する(図8のステップS11に戻る)。
以上のように本実施形態では、水等の蒸発によってP/Wモル比が上昇すると、混酸に水が加えられる。これにより、水のモル数が増加する。リン酸のモル数が殆ど変わらない一方で、水のモル数が増加するので、水の補充によってP/Wモル比が低下する。これにより、P/Wモル比が、モル比上限値とモル比下限値との間に維持される。そして、P/Wモル比が管理された混酸が基板Wに供給され、金属膜の一例であるタングステンの薄膜が安定したエッチングレートでエッチングされる。
第2実施形態
図10は、本発明の第2実施形態に係るP/Wモル比の時間的変化と混酸における水の濃度の時間的変化とを示すグラフである。以下では、図4および図10を参照する。
水濃度制御部56は、成分濃度計37の検出値に基づいて水補充ノズル32(図2参照)から吐出される水の量を変更するフィードバック制御を行う。これにより、図10に示すように、混酸における水の濃度が、時間の経過に伴って連続的に増加する水濃度目標値に近づけられる。水濃度目標値は、補助記憶装置43に記憶されている。
図11は、本発明の第3実施形態に係るP/Wモル比の時間的変化と水を混酸に加える時間と加えられる水の量とを示すグラフである。以下では、図4および図11を参照する。
図4に示すように、第3実施形態では、モル比調節部51は、モル比計算部52およびモル比判定部53に代えてまたは加えて、指定時間に指定量の水を混酸に加える定時定量水補充部57を含む。第3実施形態では、成分濃度計37(図2参照)が省略されてもよい。
図12は、本発明の第4実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す模式図である。前述の図1〜図11に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第4実施形態に係る基板処理装置1は基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1の処理ユニット2は、基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック61と、スピンチャック61に保持されている基板Wに向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル62と、スピンチャック61に保持されている基板Wに向けて混酸吐出口22aから混酸を吐出する混酸ノズル22とを含む。
リンス液バルブ64が開かれると、リンス液が、リンス液配管63からリンス液ノズル62に供給され、リンス液ノズル62から吐出される。リンス液は、たとえば、純水である。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)の塩酸水のいずれかであってもよい。
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、混酸によってエッチングされる金属膜は、タングステンの薄膜に限らず、アルミニウムなどの他の金属の薄膜であってもよい。
水に加えてまたは代えて硝酸などの他の成分液を混酸に加えてもよい。この場合、P/Wモル比を安定させるだけでなく、混酸に含まれる各成分の濃度を安定させてもよい。
混酸への水の補充は、混酸が基板Wに供給されている供給期間だけに行われてもよいし、供給期間と非供給期間の両方で行われてもよい。
この制御は、たとえば、図13に示す制御装置103によって実現することができる。図13は制御装置103の機能ブロック図を示すブロック図である。濃度比調節部151、濃度比計算部152、濃度比判定部153、水補充部154、および水補充禁止部155は、図3に示すコンピュータ本体3aや周辺装置3b等のハード構成を備える制御装置103によって実現される。
第4実施形態において、混酸を循環させずに基板に供給してもよい。
前述の全ての構成の2つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の2つ以上が組み合わされてもよい。
2 :処理ユニット
3 :制御装置
4 :第1薬液処理槽
5 :第1リンス処理槽
6 :第2薬液処理槽
7 :第2リンス処理槽
8 :乾燥処理槽
12 :副搬送ロボット
13 :リフター
14 :ホルダー
15 :外槽
16 :内槽
21 :循環システム
22 :混酸ノズル
22a :混酸吐出口
23 :循環配管
23u :上流配管
23d :下流配管
24 :フィルター
25 :ヒータ
26 :循環ポンプ
31 :補充システム
32 :水補充ノズル
32a :水吐出口
33 :水配管
34 :開閉バルブ
35 :流量調整バルブ
36 :流量計
37 :成分濃度計
65 :供給配管
66 :吐出バルブ
68 :タンク
W :基板
Claims (16)
- リン酸、硝酸、および水を含む混合液である混酸を、金属膜が露出した基板に供給することより、前記金属膜をエッチングする基板処理方法であって、
前記基板に供給される前に前記混酸を加熱する混酸加熱工程と、
前記混酸加熱工程で加熱された前記混酸に水を加えることにより、前記混酸に含まれる水のモル数に対する前記混酸に含まれるリン酸のモル数の比率を表すP/Wモル比を低下させる水補充工程を含み、前記P/Wモル比をモル比上限値とモル比下限値との間に維持するモル比調節工程と、
前記水補充工程で水が加えられた前記混酸を前記基板に供給することにより、前記基板上の前記金属膜をエッチングするエッチング工程とを含む、基板処理方法。 - 前記混酸におけるリン酸の濃度と前記混酸における水の濃度とを検出する成分濃度検出工程と、
前記成分濃度検出工程で検出された検出値に基づいて、前記P/Wモル比を計算するモル比計算工程と、
前記モル比計算工程で計算された前記P/Wモル比が、前記モル比下限値を超えており、前記モル比上限値未満であるか否かを判定するモル比判定工程とをさらに含む、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記基板処理方法は、前記混酸における水の濃度を検出する成分濃度検出工程をさらに含み、
前記水補充工程は、前記混酸加熱工程で加熱された前記混酸に水を加えることにより、前記成分濃度検出工程で検出される水の濃度を、時間の経過に伴って増加する水濃度目標値に近づけ、前記P/Wモル比を前記モル比上限値と前記モル比下限値との間に維持する、水濃度制御工程を含む、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記水補充工程は、指定時間に指定量の水を前記混酸加熱工程で加熱された前記混酸に加えることにより、前記P/Wモル比を前記モル比上限値と前記モル比下限値との間に維持する、定時定量水補充工程を含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記モル比調節工程は、前記混酸におけるリン酸の濃度と前記混酸における水の濃度との少なくとも一方の変化を許容しながら、前記P/Wモル比を前記モル比上限値と前記モル比下限値との間に維持する工程である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記基板処理方法は、前記混酸におけるリン酸の濃度と前記混酸における水の濃度との少なくとも一方を検出する成分濃度検出工程をさらに含み、
前記モル比調節工程は、前記混酸への水の供給を禁止しながら、前記混酸を加熱することにより、前記P/Wモル比を前記モル比下限値以下の値から前記モル比上限値とモル比下限値との間の値まで上昇させる水補充禁止工程をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記混酸は、酢酸をさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記水補充工程は、前記基板への前記混酸の供給が行われていない期間だけ、水を前記混酸に加えることにより、前記P/Wモル比を低下させる、非処理中水補充工程を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- リン酸、硝酸、および水を含む混合液である混酸を加熱するヒータと、
前記混酸に加えられる水を吐出する水吐出口と、
前記混酸を吐出することにより、金属膜が露出した基板に前記混酸を供給して、前記金属膜をエッチングする混酸吐出口と
基板処理装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記基板に供給される前に、前記ヒータに前記混酸を加熱させる混酸加熱工程と、
前記水吐出口に前記混酸加熱工程で加熱された前記混酸に水を加えさせることにより、前記混酸に含まれる水のモル数に対する前記混酸に含まれるリン酸のモル数の比率を表すP/Wモル比を低下させる水補充工程を含み、前記P/Wモル比をモル比上限値とモル比下限値との間に維持するモル比調節工程と、
前記混酸吐出口に前記水補充工程で水が加えられた前記混酸を前記基板に供給させることにより、前記基板上の前記金属膜をエッチングするエッチング工程とを実行する、基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、
前記混酸におけるリン酸の濃度と前記混酸における水の濃度とを検出する成分濃度計と、
前記成分濃度計の検出値に基づいて、前記P/Wモル比を計算するモル比計算部と、
前記モル比計算部で計算された前記P/Wモル比が、前記モル比下限値を超えており、前記モル比上限値未満であるか否かを判定するモル比判定部とをさらに備え、
前記制御装置は、
前記成分濃度計に前記混酸におけるリン酸の濃度と前記混酸における水の濃度とを検出させる成分濃度検出工程と、
前記成分濃度検出工程で検出された検出値に基づいて、前記モル比計算部に前記P/Wモル比を計算させるモル比計算工程と、
前記モル比計算工程で計算された前記P/Wモル比が、前記モル比下限値を超えており、前記モル比上限値未満であるか否かを、前記モル比判定部に判定させるモル比判定工程とをさらに実行する、請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、前記混酸における水の濃度を検出する成分濃度計をさらに備え、
前記制御装置は、前記成分濃度計に前記混酸における水の濃度を検出させる成分濃度検出工程をさらに実行し、
前記水補充工程は、前記水吐出口に前記混酸加熱工程で加熱された前記混酸に水を加えさせることにより、前記成分濃度検出工程で検出される水の濃度を、時間の経過に伴って増加する水濃度目標値に近づけ、前記P/Wモル比を前記モル比上限値と前記モル比下限値との間に維持する、水濃度制御工程を含む、請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記水補充工程は、指定時間に指定量の水を前記水吐出口に前記混酸加熱工程で加熱された前記混酸に加えさせることにより、前記P/Wモル比を前記モル比上限値と前記モル比下限値との間に維持する、定時定量水補充工程を含む、請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記モル比調節工程は、前記混酸におけるリン酸の濃度と前記混酸における水の濃度との少なくとも一方の変化を許容しながら、前記P/Wモル比を前記モル比上限値と前記モル比下限値との間に維持する工程である、請求項9〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、前記混酸におけるリン酸の濃度と前記混酸における水の濃度との少なくとも一方を検出する成分濃度計をさらに備え、
前記モル比調節工程は、前記混酸への水の供給を禁止しながら、前記ヒータに前記混酸を加熱させることにより、前記P/Wモル比を前記モル比下限値以下の値から前記モル比上限値とモル比下限値との間の値まで上昇させる水補充禁止工程をさらに含む、請求項9〜13のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記混酸は、酢酸をさらに含む、請求項9〜14のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記水補充工程は、前記基板への前記混酸の供給が行われていない期間だけ、前記水吐出口に前記混酸に水を加えさせることにより、前記P/Wモル比を低下させる、非処理中水補充工程を含む、請求項9〜15のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017061394A JP6850650B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR1020197018896A KR102337608B1 (ko) | 2017-03-27 | 2018-02-22 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
PCT/JP2018/006407 WO2018180054A1 (ja) | 2017-03-27 | 2018-02-22 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN201880015617.7A CN110383429B (zh) | 2017-03-27 | 2018-02-22 | 基板处理方法和基板处理装置 |
TW107108202A TWI667706B (zh) | 2017-03-27 | 2018-03-12 | 基板處理方法以及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017061394A JP6850650B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018164034A true JP2018164034A (ja) | 2018-10-18 |
JP6850650B2 JP6850650B2 (ja) | 2021-03-31 |
Family
ID=63675528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017061394A Active JP6850650B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6850650B2 (ja) |
KR (1) | KR102337608B1 (ja) |
CN (1) | CN110383429B (ja) |
TW (1) | TWI667706B (ja) |
WO (1) | WO2018180054A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023132286A1 (ja) * | 2022-01-04 | 2023-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0651914B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1994-07-06 | キヤノン株式会社 | 薄膜エッチング装置 |
JP3492901B2 (ja) * | 1997-12-03 | 2004-02-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理方法および表面処理装置 |
US6162370A (en) * | 1998-08-28 | 2000-12-19 | Ashland Inc. | Composition and method for selectively etching a silicon nitride film |
JP4001575B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2007-10-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5405042B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2014-02-05 | 株式会社平間理化研究所 | エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置 |
JP2013168563A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及びそのための処理液濃度判定方法 |
JP6061378B2 (ja) * | 2012-11-05 | 2017-01-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP5854230B2 (ja) * | 2012-12-13 | 2016-02-09 | 栗田工業株式会社 | 基板洗浄液および基板洗浄方法 |
CN105339183B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-11-09 | 东京毅力科创Fsi公司 | 用于提供加热的蚀刻溶液的系统 |
JP2015070080A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
JP2015195270A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
JP6499414B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-04-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6657770B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2020-03-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 |
-
2017
- 2017-03-27 JP JP2017061394A patent/JP6850650B2/ja active Active
-
2018
- 2018-02-22 KR KR1020197018896A patent/KR102337608B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-22 WO PCT/JP2018/006407 patent/WO2018180054A1/ja active Application Filing
- 2018-02-22 CN CN201880015617.7A patent/CN110383429B/zh active Active
- 2018-03-12 TW TW107108202A patent/TWI667706B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023132286A1 (ja) * | 2022-01-04 | 2023-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190085140A (ko) | 2019-07-17 |
JP6850650B2 (ja) | 2021-03-31 |
CN110383429B (zh) | 2023-06-09 |
TW201836004A (zh) | 2018-10-01 |
CN110383429A (zh) | 2019-10-25 |
KR102337608B1 (ko) | 2021-12-08 |
WO2018180054A1 (ja) | 2018-10-04 |
TWI667706B (zh) | 2019-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5599754B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 | |
JP6087063B2 (ja) | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 | |
US10607849B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program | |
JP6294256B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP2001023952A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
US10928732B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium | |
JP6732546B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 | |
JP2018133558A (ja) | 基板液処理装置 | |
US20170037499A1 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium | |
JP2020145412A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP6909620B2 (ja) | 基板処理方法 | |
WO2018180054A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US20090088909A1 (en) | Batch processing apparatus for processing work pieces | |
JP2018142695A (ja) | 基板液処理装置 | |
JP6632684B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP7126927B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TW202101567A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
KR20160148798A (ko) | 약액 공급 장치, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법 | |
JP7413113B2 (ja) | 処理液温調方法、基板処理方法、処理液温調装置、及び、基板処理システム | |
WO2023162341A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6850650 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |