JP2023059818A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】熱処理における基板の吸着性を向上させ、熱処理の均一性向上が可能な技術を提供する。
【解決手段】熱処理ユニットＵ２は、ウエハＷを載置すると共に載置したウエハＷを加熱する熱板２０と、熱板２０におけるウエハＷを載置する表面２０ａに沿って形成され、ウエハＷを支持し熱板２０とウエハＷとの間に空隙Ｖを確保する複数のギャップ部材２２と、ウエハＷを熱板２０に向けて吸引する吸引部７０と、熱板２０を貫通するように設けられ、昇降することにより熱板２０に載置されたウエハＷを昇降させる昇降ピン５１と、を備え、熱板２０における表面２０ａは、外側から内側に向かうにつれて下方に傾斜する凹状領域２０ｄを有する。
【選択図】図４

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

特許文献１には、平板状の熱板の上でウエハを吸引しながら加熱処理を行う装置において、熱処理される前のウエハの反り状態を測定し、ウエハの反り状態に応じて、ウエハに対する各吸引口の吸引開始タイミングを設定することが開示されている。

特開２００７－３０００４７号公報

本開示は、熱処理における基板の吸着性を向上させ、熱処理の均一性向上が可能な技術を提供する。

本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板を載置すると共に載置した基板を加熱する熱板と、熱板における基板を載置する表面に沿って形成され、基板を支持し熱板と基板との間に空隙を確保する複数のギャップ部材と、基板を熱板に向けて吸引する吸引部と、熱板を貫通するように設けられ、昇降することにより熱板に載置された基板を昇降させる昇降ピンと、を備え、熱板における表面は、外側から内側に向かうにつれて下方に傾斜する凹状領域を有する。

本開示によれば、熱処理における基板の吸着性を向上させ、熱処理の均一性向上が可能な基板処理装置が提供される。

図１は、実施形態に係る基板処理システムの一例を模式的に示す斜視図である。 図２は、塗布現像装置の一例を模式的に示す側面図である。 図３は、熱処理ユニットの一例を模式的に示す図である。 図４は、熱板の形状の詳細を説明する図である。 図５（ａ）は平板状の熱板に凸型のウエハを載置した例を説明する図であり、図５（ｂ）は平板状の熱板に凹型のウエハを載置した例を説明する図である。 図６は、制御用温度センサの配置を説明する図である。 図７（ａ）は比較的熱板からの距離が近い制御用温度センサによって取得された温度に基づく温度制御を示す図であり、図７（ｂ）は比較的熱板からの距離が遠い制御用温度センサによって取得された温度に基づく温度制御を示す図である。 図８は、シール部の構成の一例を模式的に示す図である。 図９は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図１０は、ウエハ反り量毎の必要なＶＡＣ流量の例を示す図である。 図１１（ａ）（ｂ）は比較例に係る熱板についてのウエハ温度レンジの例を示す図である。 図１２（ａ）（ｂ）は本実施形態に係る熱板についてのウエハ温度レンジの例を示す図である。 図１３は、変形例に係る昇降ピンの下降速度を説明する図である。 図１４は、変形例に係る検査ユニットの側面図である。 図１５（ａ）は変形例に係る熱板の平面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のｂ－ｂ線に沿った断面図である。

以下、図面を参照していくつかの実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

〔基板処理システム〕
最初に、図１及び図２を参照しながら、基板処理システム１について説明する。図１に示される基板処理システム１は、ウエハＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のウエハＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。当該基板は、一例として、シリコンウエハである。ウエハＷ（基板）は、円形であってもよい。ウエハＷは、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、露光装置３と、制御装置１００とを備える。露光装置３は、ウエハＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。

塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ウエハＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６とを備える。

キャリアブロック４は、塗布現像装置２内へのウエハＷの導入及び塗布現像装置２内からのウエハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウエハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウエハＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウエハＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウエハＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのウエハＷの表面上に現像液を供給した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジストパターンを形成する（レジスト膜の現像処理を行う）。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、及び現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウエハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウエハＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

制御装置１００は、塗布現像装置２を部分的及び全体的に制御するように構成されている。制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布現像処理を実行するように塗布現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のウエハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このウエハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウエハＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、下層膜が形成されたウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウエハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウエハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、ウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウエハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウエハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、ウエハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後、制御装置１００は、露光処理が施されたウエハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このウエハＷのレジスト膜の現像処理を行うように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、ウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウエハＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。

以上により１枚のウエハＷについての塗布現像処理が完了する。制御装置１００は、後続の複数のウエハＷのそれぞれについても、上述と同様に塗布現像処理を塗布現像装置２に実行させる。なお、塗布現像装置２の具体的な構成は、以上に例示した構成に限られない。塗布現像装置２は、熱処理を行うユニットを備えていればどのようなものであってもよい。

＜熱処理ユニット＞
続いて、図３～図８を参照しながら、熱処理ユニットＵ２の一例について詳細に説明する。熱処理ユニットＵ２は、加熱処理と冷却処理とを含む熱処理をウエハＷに対して施すように構成されている。本実施形態では、熱処理ユニットＵ２の加熱処理に係る構成を説明し、冷却処理に係る構成の説明を省略する。すなわち、図３等においては、熱処理ユニットＵ２の冷却処理に係る構成の図示を省略している。

図３に示されるように、熱処理ユニットＵ２は、熱板２０と、複数のギャップ部材２２と、支持台３０と、複数の熱板温度センサ４０と、昇降機構５０と、吸引部７０と、制御装置１００と、を備えている。

熱板２０は、ウエハＷを載置すると共に載置したウエハＷを加熱する。熱板２０は、ヒータ２１（加熱機構）による熱を受け、固体による熱伝導によって高温が維持される構成である。熱板２０は、例えば炭化ケイ素を含む材料により構成されていてもよい。熱板２０は、円板状を呈し、複数のヒータ２１を内蔵している。熱板２０は、上面視においてウエハＷと同等以上の広さを有している。熱板２０には、厚さ方向に複数の貫通孔２０ｚが形成されている。複数の貫通孔２０ｚは、複数の昇降ピン５１（後述）に対応して設けられており、昇降ピン５１の昇降時における通過経路とされている。

複数のギャップ部材２２は、熱板２０におけるウエハＷを載置する表面２０ａに沿って形成されており、ウエハＷを支持し熱板２０とウエハＷとの間に空隙Ｖを確保するプロキシミティピンである。複数のギャップ部材２２は、熱板２０の表面２０ａに沿って点在している。複数のギャップ部材２２は、設けられた熱板２０の表面２０ａからウエハＷと接触する先端までの高さが互いに共通であってもよい。

なお、図３においては熱板２０が平板状に示されているが、実際には、熱板２０は、外側から内側に向かうにつれて下方に傾斜するように凹状に形成されている（図４参照）。図４は、熱板２０の形状の詳細を説明する図である。

図４に示されるように、熱板２０におけるウエハＷを載置する表面２０ａは、外縁側（外側）から中央側（内側）に向かうにつれて下方に傾斜する凹状領域２０ｄを有している。本実施形態に係る熱板２０では、表面２０ａの略全体が凹状領域２０ｄとされており、外縁部２０ｅが最も上方に突出した領域であり、中央部２０ｃが最も下方に突出した領域である。すなわち、熱板２０において、凹状領域２０ｄにおける最も下方に突出した領域は、ウエハＷを載置した状態においてウエハＷの中央部分Ｗｃに対向する領域（中央部２０ｃ）である。より詳細には、熱板２０の表面２０ａは、その最外縁部（凹状領域２０ｄの外縁部２０ｅの更に外側）が平坦部２０ｆとされている。なお、平坦部２０ｆが設けられずに、凹状領域２０ｄの曲面が熱板２０の最外縁部まで連続していてもよい。このような構成によれば、ウエハＷの外縁部における加熱効果を向上させることができる。凹状領域２０ｄが形成された表面２０ａの形状は例えば球面（曲面）であり、その曲率は一定であってもよいし一定でなくてもよい。凹状領域２０ｄの曲率が一定でない場合、例えば、凹状領域２０ｄの外側の曲率よりも内側の曲率を大きく（すなわち内側を深く）してもよい。このような構成によれば、ウエハＷの反りが一様でない場合等において、吸引をする際にウエハＷと熱板２０との間の隙間が内側よりも外側において狭まっている状態をより作りやすくなり、様々な反り方のウエハＷに対してより吸引しやすくすることができる。すなわち、ウエハＷの反りへの吸引のロバスト性を向上させることができる。

図４に示される例では、ウエハＷとして、外縁部分Ｗｅに比べて中央部分Ｗｃの領域が下方に突出した凹型のウエハ（＋方向反り基板）が示されている。熱板２０に載置されるウエハＷとしては、凹型のウエハだけでなく、平板状のウエハや、外縁部分Ｗｅに比べて中央部分Ｗｃの領域が上方に突出した凸型のウエハ（－方向反り基板）も考えられる。このような種々の形状のウエハＷが載置されることを考慮した場合において、上述した下方に傾斜する凹状領域２０ｄを有する熱板２０を採用することが好ましい。その理由について、図５を参照して説明する。

図５（ａ）は平板状の比較例に係る熱板２００に凸型のウエハＷを載置した例を説明する図であり、図５（ｂ）は平板状の比較例に係る熱板２００に凹型のウエハＷを載置した例を説明する図である。図５（ａ）に示されるように、凸型のウエハＷについては、平板状の熱板２００においても、外縁部分Ｗｅが熱板２００の外縁側のギャップ部材２２に載置される。このように、ウエハＷの外縁部分Ｗｅが適切にギャップ部材２２に載置された構成においては、吸着エリアに対してウエハＷで蓋をしたような状態となり、吸引部７０の吸引によってウエハＷを熱板２００方向に適切に吸着することができる。凸型のウエハＷ及び平板状のウエハＷについては、本実施形態に係る凹状領域２０ｄを有する熱板２０（図４参照）においても、ウエハＷの外縁部分Ｗｅを外縁側のギャップ部材２２に適切に載置することができる。これにより、吸引部７０の吸引によってウエハＷを熱板２００方向に適切に吸着することができる。

一方で、図５（ｂ）に示されるように、凹型のウエハＷについては、平板状の熱板２００において、外縁部分Ｗｅが熱板２００の外縁側のギャップ部材２２に載置されず浮いた状態となってしまう。この場合、ウエハＷで蓋をしたような状態を形成することができず、外縁部分Ｗｅ側から大気を吸い込みやすくなり、気密が取りにくくなることから、ウエハＷの熱板２００に対する吸着性が低くなってしまう。このように、凸型のウエハＷ及び平板状のウエハＷについては、ウエハＷの吸着性の観点から、熱板の形状があまり問題にならないのに対して、凹型のウエハＷについては、平板状の熱板２００ではウエハＷの吸着性を担保できない。このことから、種々の形状のウエハＷが載置されうる状況においては、熱板の形状を、凹型のウエハＷの吸着性を向上させる形状とすることが好ましい。上述したように、凹型のウエハＷの熱板への載置においては、外縁部分Ｗｅがギャップ部材２２に載置されず浮いた状態となることが問題であるので、外縁部分Ｗｅがギャップ部材２２に確実に載置される熱板として、上述した熱板２０が採用される。すなわち、外縁側から中央側に向かうにつれて下方に傾斜する凹状領域２０ｄを有する熱板２０を用いることにより、凹型のウエハＷの形状と熱板２０の形状とが一致しやすくなり、ウエハＷの外縁部分Ｗｅを適切にギャップ部材２２に載置することができる。これによって、凹型のウエハＷについても、熱板２０に対する吸着性を向上させることができる。

熱板２０における凹状領域２０ｄの深さｄ１は、少なくとも凹型のウエハＷの反り量を超える程度の大きさとされる。深さｄ１は、図４に示されるように、基準面である平坦部２０ｆから中央部２０ｃまでの高さ方向の長さである。ウエハＷの反り量とは、ウエハＷの外縁部分ＷｅからウエハＷの中央部分Ｗｃまでの高さ方向の長さである。

熱板２０の凹状領域２０ｄの形状は、例えば以下のように決定される。いま、凹型のウエハＷについて、直径が３００ｍｍ、反り量が１０００μｍであるとする。この場合、当該ウエハＷの曲率半径は、平方根の定理より１１２５０．５ｍｍと算出される。なお、ウエハＷに均一に成膜されている場合には線膨張差によりウエハＷの変形が生じるが、ウエハＷの断面形状を測定すると、直径、反り量、及び曲率半径は上記の関係が成り立つ。そして、ウエハＷの曲率半径に基づき、熱板２０の凹状領域２０ｄの曲率半径が決定される。具体的には、凹状領域２０ｄの曲率半径は、ウエハＷの曲率半径（１１２５０．５ｍｍ）にウエハＷの厚みとギャップ部材２２の表面２０ａから突出する高さとが足し合わされて算出される。

また、熱板２０の凹状領域２０ｄの深さｄ１及び直径Φについては、ウエハＷのサイズにロボット搬送等における位置ズレを考慮した大きさとされる。具体的には、搬送誤差２ｍｍ程度が考慮されて、凹状領域２０ｄの深さｄ１は１ｍｍ程度、直径Φは３０４ｍｍ程度とされてもよい。なお、上述したような搬送誤差が生じた場合であっても、熱処理におけるウエハ温度均一性に与える影響は小さい。

上述したようにして形状が決定される熱板２０の凹状領域２０ｄは、例えばロータリー研削盤等により加工することができる。加工後の表面から発生する微小パーティクルによるプロセス欠陥が予想される場合には、ブラシ研磨やアニール処理を行うことによって、脱粒リスクを低減させることができる。

図３に戻り、吸引部７０は、ウエハＷに対して吸引力を付与することにより、ウエハＷを熱板２０に向けて吸引する。吸引部７０は、ウエハＷの裏面の複数の領域に対して吸引力を付与する。吸引部７０は、吸引手段７１と、複数の配管７２と、を有する。

吸引手段７１は、圧力の作用によってガスを吸い上げる機構である。複数の配管７２は、それぞれ、その一端が吸引手段７１に接続されると共に、その他端が熱板２０の表面２０ａに形成された吸着孔２０ｘ（ウエハＷと対向する部分）にまで到達している。

支持台３０は、ベースプレート３１と、周壁３２（支持部材）とを有する。支持台３０は、例えばステンレスを含む材料により構成されていてもよい。周壁３２はベースプレート３１の周縁に沿って設けられ、熱板２０の外周部分を支持する。ベースプレート３１は、熱板２０に対向しており、周壁３２を介して熱板２０を下方から支持する。周壁３２が熱板２０を支持した状態において、支持台３０内には空洞３３が構成される。ベースプレート３１には、昇降ピン５１（後述）が貫通する複数の経路穴３１ｚが形成されている。複数の経路穴３１ｚは、複数の昇降ピン５１に対応して設けられており、昇降ピン５１の昇降時における通過経路とされている。

複数の熱板温度センサ４０は、各々が熱板２０の内部の異なる位置に設けられている。複数の熱板温度センサ４０は、ヒータ２１の近傍にて温度を測定し、測定結果を制御装置１００に送信する。

複数の熱板温度センサ４０とは別に、ウエハＷの互いに異なる位置に対応するように熱板２０の内部に制御用温度センサ１４０を設けてもよい。図６は、複数の制御用温度センサ１４０の配置を説明する図である。図６に示されるように、熱板２０の内部に設けられた複数の制御用温度センサ１４０は、熱板２０の表面２０ａからの離間距離がなるべく近くされることが好ましい。具体的には、制御用温度センサ１４０の表面２０ａからの離間距離は１ｍｍ～３ｍｍ程度で統一とされることが好ましい。また、複数の制御用温度センサ１４０は、その上端１４０ａ（先端）から熱板２０の表面２０ａまでの高さ方向（垂直方向）の長さｄ２が、互いに同等となるように設けられている。

図７（ａ）は比較的熱板２０の表面２０ａからの距離が近い制御用温度センサ１４０によって取得された温度に基づく温度制御を示す図であり、図７（ｂ）は距離が遠い制御用温度センサ１４０によって取得された温度に基づく温度制御を示す図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）において横軸は時間、縦軸は制御用温度センサ１４０によって取得される温度を示している。図７（ａ）及び図７（ｂ）に示されるように、制御用温度センサ１４０が表面２０ａから近いほうが、ウエハＷが熱板２０に搭載された後の一時的な温度低下を迅速に取得する。これにより、早期にヒータ２１の昇温制御を開始できるため、制御応答性を向上させ、熱処理の温度適正化を早期に実現することができる。そして、例えば複数の制御用温度センサ１４０の表面２０ａからの距離が互いに異なる場合には、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示されるように、熱処理の温度適正化が図られるまでの時間が互いに異なることとなる。この場合、各制御用温度センサ１４０に対応するウエハＷの領域毎に熱処理の態様が異なってしまう。この場合には、ウエハＷの熱処理の均一性が損なわれるおそれがある。この点、上述したように複数の制御用温度センサ１４０の表面２０ａまでの高さ方向（垂直方向）の長さｄ２が互いに同等とされることにより、ウエハＷの熱処理の均一性向上を実現することができる。このようにヒータ２１の近傍にある熱板温度センサ４０よりも熱板２０の表面２０ａに近く、表面２０ａからの離間距離が所定の値に管理された制御用温度センサ１４０の取得温度をもとに熱板２０の温度を制御する。このことで、よりウエハＷの温度分布状態に適した熱処理が可能である。また、表面２０ａが曲面や段差を有するのに対してヒータ２１が略水平に設けられる場合といった、ヒータ２１から表面２０ａまでの距離が位置によって異なるような構成の場合も、このような制御手法はウエハＷの温度分布に適した手法として好ましい。

図３に戻り、昇降機構５０は、複数本（例えば３本）の昇降ピン５１と駆動部５２とを有する。昇降ピン５１は、ベースプレート３１の経路穴３１ｚ及び熱板２０の貫通孔２０ｚを貫通して昇降する。昇降ピン５１の上部は、昇降ピン５１の上昇に伴って熱板２０上に突出し、昇降ピン５１の下降に伴って熱板２０内に収容される。駆動部５２はモータやエアシリンダ等の駆動源を内蔵し、昇降ピン５１を昇降させる。昇降機構５０は、昇降ピン５１を昇降させることで、熱板２０上のウエハＷを昇降させる。ここで、吸引部７０によってウエハＷを熱板２０に向けて吸引する際の吸着効果を向上させる観点では、昇降ピン５１の経路穴３１ｚ等がベースプレート３１よりも下方の空間に対して閉塞されることが好ましい。以下では、図８を参照して、経路穴３１ｚ等の閉塞に係るシール部の構成の一例について説明する。

図８は、シール部の構成の一例を模式的に示す図である。なお、図８においては、熱板２０の凹状領域２０ｄ等を省略して図示している。図８に示されるように、熱処理ユニットＵ２は、シール部の構成として、上部シール部９１と、下部シール部９２とを備えている。上部シール部９１は、筒状の断熱材により構成され、熱板２０における表面２０ａの反対側の面（すなわち下面）に接触するように設けられている。上部シール部９１は、昇降ピン５１の周囲を囲うように設けられている。上部シール部９１は、弾性を有しており、例えば樹脂又はゴムを含んで構成されている。なお、熱板２０の下面の略全域には、発熱抵抗体９３が設けられていてもよい。

下部シール部９２は、ベースプレート３１の経路穴３１ｚの内部空間と、上部シール部９１の内部空間とを、ベースプレート３１より下方の空間に対して閉塞させる構成である。下部シール部９２は、例えばポリイミド又はＰＥＥＫを含んで構成されている。下部シール部９２は、図８に示されるように、例えばベースプレート３１の下面に設けられている。下部シール部９２がベースプレート３１より下側に配置されていることにより、下部シール部９２が熱を持った状態で上部に位置する場合に問題となるウエハＷへの加熱影響を抑制する。また、下部シール部９２を熱源から話して下部シール部９２の耐久性を向上させ、更に、下部シール部９２のメンテナンス性を向上させることができる。なお、下部シール部９２は、ベースプレート３１の内部に設けられていてもよい。

なお、上部シール部９１として弾性を有する部材を用いない場合には、上部シール部９１と下部シール部９２との間に上部シール部９１を下方から押圧するバネを更に備えていてもよい。このようなバネは、例えばベースプレート３１上の台座に設けられていてもよい。

制御装置１００は、複数の制御用温度センサ１４０により検出された温度に基づいてヒータ２１を制御すること、昇降機構５０の駆動部５２を制御すること、及び、熱板２０上からのウエハＷの搬送を行うように搬送装置Ａ３を制御することを実行する。また、制御装置１００は、吸引手段７１による吸引処理を制御すること等を実行する。

制御装置１００は、１つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。制御装置１００は、例えば、図９に示される回路１２０を有する。回路１２０は、１つ又は複数のプロセッサ１２２と、メモリ１２４と、ストレージ１２６と、入出力ポート１２８と、タイマ１３２とを有する。ストレージ１２６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する基板処理方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。

メモリ１２４は、ストレージ１２６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２２は、メモリ１２４と協働して上記プログラムを実行する。入出力ポート１２８は、プロセッサ１２２からの指令に従って、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１３２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

〔作用〕
一般的に、熱板としては図５（ａ）及び図５（ｂ）等に示される平板状の熱板２００が用いられる。このような熱板２００では、特に外側に比べて内側の領域が下方に突出した凹型のウエハＷ（図５（ｂ）参照）が用いられた場合に、吸引部７０によってウエハＷを吸引することによっても、ウエハＷの外側の領域を適切に吸着することが困難である。凹型のウエハＷは、ウエハＷの外側の領域が浮いた状態となるため（図５（ｂ）参照）、大気を吸い込みやすく気密が取りにくい。このため、例えば内側の領域が上方に突出した凸型の基板（図５（ａ）参照）と比較した場合においても、熱板２００に対する吸着性が低くなってしまう。

図１０は、ウエハ反り量毎の必要なＶＡＣ流量（吸引部７０のバキューム流量）の例を示す図である。図１０において横軸はウエハ反り量、縦軸は反りを矯正するために必要になるバキューム流量を示している。また、図１０において実線は凸型のウエハＷについての反り量毎のバキューム流量、破線は凹型のウエハＷについての反り量毎のバキューム流量を示している。図１０に示されるように、凹型のウエハＷにおいて特にバキューム流量が多くなっており、例えば反り量が１０００μｍのウエハＷについては、反り量が２００μｍ程度のウエハＷと比べて、バキューム流量が５０倍程度になっている。このようにバキューム流量を増やしてウエハＷの吸着性を高める方法は、サステナブルな社会の方向性に逆行することとなり、得策とは言えない。また、バキューム流量が増加することで、流入部における局所的なクールスポットが発生することや、吸着圧増加に伴うウエハＷの裏面のキズ・パーティクルの発生が懸念される。このため、バキューム流量を増やすこと以外の方法で、凹型のウエハＷについて熱板に対する吸着性を高める手段が求められている。

この点、本実施形態に係る熱処理ユニットＵ２では、熱板２０において、外側から内側に向かうにつれて下方に傾斜する凹状領域２０ｄが形成されているため、凹型のウエハＷの形状と熱板２０（詳細には熱板２０の凹状領域２０ｄ）の形状とを一致させやすい。このような構成によれば、吸引部７０によってウエハＷを吸引した際に、凹型のウエハＷの外側の領域についても適切に熱板２０に吸着させることができる。そして、ウエハＷを熱板２０に適切に吸着させることにより、ウエハＷをギャップ部材２２に適切に支持させることができ、領域によらずに基板に対して均一に熱処理を実施することができる。以上のように、本実施形態に係る熱処理ユニットＵ２によれば、熱処理におけるウエハＷの吸着性を向上させ、熱処理の均一性向上を実現することができる。

熱処理の均一性向上の効果について、比較例に係る熱板２００と比較して説明する。図１１（ａ）（ｂ）は比較例に係る熱板２００についてのウエハ温度レンジを示す図である。図１２（ａ）（ｂ）は本実施形態に係る熱板２０についてのウエハ温度レンジを示す図である。ここでのウエハ温度レンジとは、ウエハＷの表面２０ａ上の異なる複数位置に温度センサを貼り付けて評価を行った結果得られた、その複数位置間における温度範囲に係る情報である。図１１（ａ）及び図１２（ａ）では、ウエハ温度レンジとして実際の温度差の値が示されており、図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）では、ウエハ温度レンジとして温度差の度合いが％で示されている。温度差の度合いが０％であるとは、温度差が全く無いことを示している。図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）において、横軸はウエハＷ加熱時の温度遷移を示しており、縦軸はウエハ温度とウエハ温度レンジとを示している。また、図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）において、実線はウエハＷの中央付近の温度を示しており、一点鎖線はウエハＷの外縁部（外周）付近の温度を示しており、破線はウエハ温度レンジを示している。なお、図１１および後述の図１２で示す温度は、ウエハＷの中央部と、中央部に対し９０度ずつ異なる外縁部の４か所の計５か所に熱電対（不図示）を貼り付けて、測定されている。なお、実線が示す温度は中央部の熱電対による取得温度であり、一点鎖線が示す温度は外縁部4か所の熱電対での取得温度の平均である。ウエハＷとしては、反り量が１０００μｍである凹型のウエハが用いられている。

図１１（ａ）に示されるように、比較例に係る熱板２００では、過渡状態において、ウエハＷの中央付近の温度と、ウエハＷの外縁部付近の温度との温度差が６２．４℃であった。また、定常状態（例えば１２０秒経過後）においては、上記温度差が６．５℃であった。そして、図１１（ｂ）に示されるように、１２０秒経過時においてもウエハ温度レンジ（中央付近と外縁部付近との温度差の度合い）が０％に達していない。以上のように、比較例に係る熱板２００では、ウエハＷの内外温度差が大きく、加熱処理時間を長くしても面内温度差が生じており、熱処理の均一性が図られているとは言えない。

これに対して、図１２（ａ）に示されるように、本実施形態に係る熱板２０では、上記と同様にウエハＷの複数位置に制御用温度センサ１４０を設けて得られた温度範囲が０．５℃である。このことから明らかなように、比較例に係る熱板２００と比べて温度差が１２５倍程度改善されている。また、定常状態（例えば６０秒経過後）においては、上記温度差が０．１℃であり、比較例に係る熱板２００と比べて６５倍程度改善されている。そして、図１２（ｂ）に示されるように、ウエハ温度レンジ（中央付近と外縁部付近との温度差の度合い）については、早い段階から常に０％付近となっている。以上のように、本実施形態に係る熱板２０では、ウエハＷの内外温度差が早期から小さく抑えられるため、熱処理の均一性が向上していると言える。

凹状領域２０ｄにおける最も下方に突出した領域は、ウエハＷを載置した状態においてウエハＷの中央部分Ｗｃに対向していてもよい。このような構成によれば、熱板２０の形状を凹型のウエハＷの形状とより一致させやすくなり、ウエハＷの吸着性を向上させることができる。

複数のギャップ部材２２は、設けられた熱板２０の表面２０ａからウエハＷと接触する先端までの高さが、互いに共通とされていてもよい。このような構成によれば、ギャップ部材２２の影響によって凹型のウエハＷの形状と熱板２０の形状との形状一致性が阻害されることを防止することができる。

熱処理ユニットＵ２は、各々がウエハＷの互いに異なる位置に対応するようにウエハＷの内部に設けられ、ヒータ２１の制御に用いられる温度を測定する複数の制御用温度センサ１４０を更に備える。そして、複数の制御用温度センサ１４０は、その先端から熱板２０の表面２０ａまでの高さ方向の長さが、互いに同等となるように設けられていてもよい。このような構成によれば、ウエハＷの互いに異なる位置に関して、ヒータ２１の制御に用いられる温度が同一の条件（熱板２０の表面２０ａからの距離が同一となる条件）で取得されることとなるので、ウエハＷの熱処理の均一性向上を実現することができる。

熱処理ユニットＵ２は、周壁３２を介して熱板２０を下方から支持すると共に、昇降ピン５１が貫通する経路穴３１ｚを有するベースプレート３１を備える。また、熱処理ユニットＵ２は、筒状の断熱材により構成され、熱板２０における表面２０ａの反対側の面である下面に接触する上部シール部９１を備える。さらに、熱処理ユニットＵ２は、ベースプレート３１の経路穴３１ｚの内部空間と、上部シール部９１の内部空間とを、ベースプレート３１より下方の空間に対して閉塞させる下部シール部９２を備える。このように、下部シール部９２によって、ベースプレート３１の経路穴３１ｚ（昇降ピン５１が貫通する穴）の内部空間等がベースプレート３１より下方の空間に対して閉塞される。これにより、吸引部７０によってウエハＷを熱板２０に向けて吸引する際の吸着効果（反りウエハのバキューム矯正効果）を向上させることができる。ここで、単に上述した閉塞効果のみを求めるのであれば、シール部を上部シール部９１と下部シール部９２とに分けずに、一部材のみで構成することも考えられる。しかしながら、シール部を一部材のみで構成した場合、例えば熱板２０に近接する位置にシール部を設けると、熱劣化によりシール部が早々に劣化してしまうことが考えられる。この点、本実施形態では、シール部を上部シール部９１と下部シール部９２とに分け、熱板２０に接触する位置には熱板２０の熱処理の邪魔をしない断熱材により構成された上部シール部９１を設ける。更に、熱板２０から離れた位置（熱処理の熱影響を受けない位置）に下部シール部９２を設ける。これにより、熱板２０による熱処理を適切に実施しながら、シール部が早々に劣化することを回避することができる。

下部シール部９２は、ベースプレート３１の内部又はベースプレート３１の下面に設けられていてもよい。このような構成によれば、下部シール部９２によってベースプレート３１の経路穴３１ｚの内部空間をベースプレート３１より下方の空間に対して確実に閉塞することができる。

上部シール部９１は、弾性を有していてもよい。このような構成によれば、上部シール部９１の位置について上下方向にある程度の自由度を持たせながら、上部シール部９１と熱板２０との接触性を向上させることができる。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

例えば、昇降ピン５１が昇降するように制御装置１００が駆動部５２を制御する構成において、制御装置１００が、昇降ピン５１の下降動作における昇降ピン５１の下降速度が下降途中で変化するように、駆動部５２を制御してもよい。

図１３は、変形例に係る昇降ピン５１の下降速度を説明する図である。図１３においては、昇降ピン５１の下降動作における昇降ピン５１の速度の一例が示されている。図１３に示される例では、昇降ピン５１の下降動作の開始位置６００（昇降ピン５１のＵＰ完了位置）から一時停止位置６０１まで３０ｍｍ／ｓの下降速度で昇降ピン５１の下降動作が行われる。そして、一時停止位置６０１で所定時間だけ下降が停止した後に、一時停止位置６０１からギャップ部材２２の先端よりも下方のギャップ下位置６０２まで２ｍｍ／ｓの下降速度で昇降ピン５１の下降動作が行われる。この場合、ウエハＷは２ｍｍ／ｓの下降速度でギャップ部材２２に載置されることとなる。最後に、ギャップ下位置６０２から下降動作の終了位置６０３（昇降ピン５１のＤＯＷＮ完了位置）まで１０ｍｍ／ｓの下降速度で昇降ピン５１の下降動作が行われる。

すなわち、制御装置１００は、下降動作において、所定の第１高さ（上述した一時停止位置６０１）までは所定の第１速度（例えば３０ｍｍ／ｓ）で昇降ピン５１が下降するように駆動部５２を制御する。また、制御装置１００は、第１高さから更に下降する際には第１速度よりも遅い第２速度（例えば２ｍｍ／ｓ）で昇降ピン５１が下降するように、駆動部５２を制御する。

そして、制御装置１００は、下降動作において、所定の第１高さ（上述した一時停止位置６０１）に到達した昇降ピン５１が所定時間だけ下降せずに停止するように、駆動部５２を制御する。

上述した制御装置１００による制御は、熱板２０にウエハＷを搭載した直後にウエハＷが大変形することを抑制するための制御である。このようなウエハＷの大変形は、例えば、ウエハＷのエッジ部（外周縁）のみが極端に加熱された場合に、ウエハＷの部分的な膨張によってウエハＷの表面張力のつり合いが変化することによって起こる。例えばウエハＷが凸型である場合には、ウエハＷのエッジ部が先行して加熱されやすくなるため、上述した大変形が発生しやすい。

制御装置１００によって、第１高さまでの下降速度よりも、それ以降の下降速度が遅くなるように駆動部５２が制御されることにより、凸型のウエハＷが熱板２０に搭載される場合において、ウエハＷのエッジ部が急速に加熱されることが抑制される。これにより、ウエハＷのエッジ部が極端に加熱された場合に問題となるウエハＷの大変形を抑制することができる。

また、制御装置１００によって、所定の第１高さにおいて昇降ピン５１が所定時間だけ停止するように駆動部５２が制御されることにより、凸型のウエハＷが熱板２０に搭載される場合において、ウエハＷのエッジ部が急速に加熱されることが抑制される。これにより、ウエハＷが大変形することをより適切に抑制することができる。

なお、制御装置１００は、ウエハＷの反り量データに基づいて、上述した第１高さを決定してもよい。この場合、基板処理装置は、ウエハＷの反り量データを計測する周縁撮像サブユニット４００（計測部）を有する検査ユニットＵ３（図１４参照）を更に備えていてもよい。

図１４は、変形例に係る検査ユニットＵ３の側面図である。図１４に示される検査ユニットＵ３によって、ウエハＷの反り量データが計測される。最初に、制御装置１００が基板処理装置の各部を制御して、ウエハＷを検査ユニットＵ３に搬送させる。つづいて、制御装置１００が回転保持サブユニット９００を制御して、保持台９０１にウエハＷを保持させる。つづいて、制御装置１００が回転保持サブユニット９００を制御して、アクチュエータ９０３によって、ガイドレール９０４に沿って保持台９０１が所定の撮像位置へ移動する。

つづいて、制御装置１００が回転保持サブユニット９００を制御して、保持台９０１をアクチュエータ９０３によって回転させる。これにより、ウエハＷが回転する。この状態で、制御装置１００が周縁撮像サブユニット４００を制御して、照明モジュール４２０の光源をＯＮにさせつつ、カメラ４１０による撮像を行う。これにより、ウエハＷの周縁全周にわたって、ウエハＷの端面が撮像される。このようなウエハＷの端面の撮像画像は、ウエハＷの反り量を特定するための反り量データである。

制御装置１００は、ウエハＷの端面の撮像画像に基づいて、ウエハＷのプロファイル線を算出する。具体的には、制御装置１００は、撮像画像からウエハＷの端面の上縁及び下縁を、例えばコントラスト差に基づいて判別する。そして、制御装置１００は、当該上縁と下縁との中間位置を通る線をプロファイル線として算出する。制御装置１００は、算出したプロファイル線から基準ウエハ（反り量が既知であるウエハ）のプロファイル線を減算して、ウエハＷの反り量を算出する。

そして、制御装置１００は、反り量データに基づき算出したウエハＷの反り量を考慮して、上述した第１高さを決定する。このように、実際のウエハＷの反り量が考慮されて、速度の変化点である第１高さが決定されることによって、ウエハＷの実際の形状を考慮して、より適切に、ウエハＷのエッジ部が急速に加熱されることを抑制することができる。

なお、ウエハＷの反り量データは、必ずしも検査ユニットＵ３によって計測されるものではなくてもよい。ウエハＷの反り量データは、例えば別装置で予め計測されて基板処理装置に記憶されたデータであってもよい。

図１５（ａ）は、更なる変形例に係る熱板５２０の平面図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のｂ－ｂ線に沿った断面図である。また、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示されるように、熱板５２０における外周縁の領域６５２の表面高さは、その内側領域６５１の表面高さよりも低くてもよい。このような構成によれば、凸型のウエハＷが熱板５２０に載置される際において、ウエハＷのエッジ部が、熱板５２０における外周縁の領域６５２に衝突してウエハＷのエッジ部が急速に加熱されることが抑制され、ウエハＷの大変形を抑制することができる。

上述した外周縁の領域６５２と内側領域６５１との表面高さの差異は、０．２ｍｍよりも小さく（例えば０．１ｍｍ程度に）されてもよい。凹凸がないフラットなウエハＷが熱板５２０に載置される場合においては、外周縁の領域６５２と内側領域６５１との表面高さの差異が大きいと熱処理が適切に実施されないおそれがある。この点、外周縁の領域６５２と内側領域６５１との表面高さの差異が０．２ｍｍよりも小さくされることにより、フラットなウエハＷが熱板５２０に載置される場合においても適切に熱処理を実施することができる。

また、図１５（ａ）に示されるように、ギャップ部材として、外周縁の領域６５２と内側領域６５１との境界付近に設けられてウエハＷを支持する固定ピン７２２が設けられていてもよい。図１５（ａ）に示される例では、上記境界付近の全周に亘って、２４個の固定ピン７２２が設けられている。このように、外周縁の領域６５２と内側領域６５１との境界付近に固定ピン７２２が設けられていることにより、凸型のウエハＷのエッジ部が外周縁の領域６５２に衝突することをより適切に抑制することができる。

また、外周縁の領域６５２の表面高さは、全領域に亘って一定（高低無く一定の高さ）とされていてもよい。これにより、ウエハＷのエッジ部に対する熱処理を適切に実施することができる。

また、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示されるように、外周縁の領域６５２には、ギャップ部材として、ウエハＷを支持する固定ピン７２３が更に設けられていてもよい。これにより、凸型のウエハＷのエッジ部が外周縁の領域６５２に衝突することをより適切に抑制することができる。なお、図１５（ｂ）に示されるように、固定ピン７２３の高さは、領域６５２よりも高く且つ内側領域６５１よりも低くされてもよい。

ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１６］に記載する。

［Ｅ１］
基板処理装置は、基板を載置すると共に載置した前記基板を加熱する熱板と、前記熱板における前記基板を載置する表面に沿って形成され、前記基板を支持し前記熱板と前記基板との間に空隙を確保する複数のギャップ部材と、を備える。更に、基板処理装置は、前記基板を前記熱板に向けて吸引する吸引部と、前記熱板を貫通するように設けられ、昇降することにより前記熱板に載置された前記基板を昇降させる昇降ピンと、を備える。更に、基板処理装置の前記熱板における前記表面は、外側から内側に向かうにつれて下方に傾斜する凹状領域を有する。

［Ｅ２］
前記凹状領域における最も下方に突出した領域は、前記基板を載置した状態において前記基板の中央部分に対向する、［Ｅ１］記載の基板処理装置。

［Ｅ３］
前記複数のギャップ部材は、設けられた前記熱板の前記表面から前記基板と接触する先端までの高さが、互いに共通である、［Ｅ１］又は［Ｅ２］記載の基板処理装置。

［Ｅ４］
前記熱板は、加熱機構による熱を受け、固体による熱伝導によって高温が維持される構成であって、上面視で前記基板と同等以上の広さを持つ板状の部材である。前記基板処理装置は、各々が前記基板の互いに異なる位置に対応するように前記熱板の内部に設けられ、前記加熱機構の制御に用いられる温度を測定する複数の温度センサを更に備える。前記複数の温度センサは、その先端から前記熱板の前記表面までの高さ方向の長さが、互いに同等となるように設けられている、［Ｅ１］～［Ｅ３］のいずれか一項記載の基板処理装置。

［Ｅ５］
支持部材を介して前記熱板を下方から支持すると共に、前記昇降ピンが貫通する経路穴を有するベースプレートと、筒状の断熱材により構成され、前記熱板における前記表面の反対側の面である下面に接触する上部シール部を更に備える基板処理装置。前記ベースプレートの前記経路穴の内部空間と、前記上部シール部の内部空間とを、前記ベースプレートより下方の空間に対して閉塞させる下部シール部を更に備える、［Ｅ１］～［Ｅ４］のいずれか一項記載の基板処理装置。

［Ｅ６］
前記下部シール部は、前記ベースプレートの内部又は前記ベースプレートの下面に設けられている、［Ｅ５］記載の基板処理装置。

［Ｅ７］
前記上部シール部は、弾性を有している、［Ｅ５］又は［Ｅ６］記載の基板処理装置。

［Ｅ８］
前記昇降ピンを昇降させる駆動部と、前記昇降ピンが昇降するように前記駆動部を制御する制御装置と、を更に備える基板処理装置。前記制御装置は、前記昇降ピンの下降動作において、前記昇降ピンの下降速度が変化するように、前記駆動部を制御する、［Ｅ１］～［Ｅ７］のいずれか一項記載の基板処理装置。

［Ｅ９］
前記制御装置は、所定の第１高さまでは所定の第１速度で前記昇降ピンが下降し、前記第１高さから更に下降する際には前記第１速度よりも遅い第２速度で前記昇降ピンが下降するように、前記駆動部を制御する、［Ｅ８］記載の基板処理装置。

［Ｅ１０］
前記制御装置は、前記下降動作において、前記第１高さに到達した前記昇降ピンが所定時間だけ下降せずに停止するように、前記駆動部を制御する、［Ｅ９］記載の基板処理装置。

［Ｅ１１］
前記制御装置は、前記基板の反り量データに基づき、前記第１高さを決定する、［Ｅ９］又は［Ｅ１０］記載の基板処理装置。

［Ｅ１２］
前記基板の反り量データを計測する計測部を更に備える、［Ｅ１１］記載の基板処理装置。

［Ｅ１３］
前記熱板における外周縁の領域の表面高さは、その内側領域の表面高さよりも低い、［Ｅ１］～［Ｅ１２］のいずれか一項記載の基板処理装置。

［Ｅ１４］
前記外周縁の領域と前記内側領域との表面高さの差異は、０．２ｍｍよりも小さい、［Ｅ１３］記載の基板処理装置。

［Ｅ１５］
前記ギャップ部材は、前記外周縁の領域と前記内側領域との境界付近に設けられて前記基板を支持する固定ピンを有する、［Ｅ１３］又は［Ｅ１４］記載の基板処理装置。

［Ｅ１６］
前記外周縁の領域の表面高さは、一定である、［Ｅ１３］～［Ｅ１５］のいずれか一項記載の基板処理装置。

２…塗布現像装置（基板処理装置）、２０，５２０…熱板、２０ａ…表面、２１…ヒータ（加熱機構）、２２…ギャップ部材、３１…ベースプレート、３１ｚ…経路穴、３２…周壁（支持部材）、１４０…制御用温度センサ（温度センサ）、５１…昇降ピン、５２…駆動部、７０…吸引部、９１…上部シール部、９２…下部シール部、１００…制御装置、４００…周縁撮像サブユニット（計測部）、６５１…内側領域、６５２…外周縁の領域、７２２…固定ピン、Ｖ…空隙、Ｗ…ウエハ。

Claims (16)

1. 基板を載置すると共に載置した前記基板を加熱する熱板と、
   前記熱板における前記基板を載置する表面に沿って形成され、前記基板を支持し前記熱板と前記基板との間に空隙を確保する複数のギャップ部材と、
   前記基板を前記熱板に向けて吸引する吸引部と、
   前記熱板を貫通するように設けられ、昇降することにより前記熱板に載置された前記基板を昇降させる昇降ピンと、を備え、
   前記熱板における前記表面は、外側から内側に向かうにつれて下方に傾斜する凹状領域を有する、基板処理装置。
2. 前記凹状領域における最も下方に突出した領域は、前記基板を載置した状態において前記基板の中央部分に対向する、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記複数のギャップ部材は、設けられた前記熱板の前記表面から前記基板と接触する先端までの高さが、互いに共通である、請求項１記載の基板処理装置。
4. 前記熱板は、加熱機構による熱を受け、固体による熱伝導によって高温が維持される構成であって、上面視で前記基板と同等以上の広さを持つ板状の部材であり、
   前記基板処理装置は、
   各々が前記基板の互いに異なる位置に対応するように前記熱板の内部に設けられ、前記加熱機構の制御に用いられる温度を測定する複数の温度センサを更に備え、
   前記複数の温度センサは、その先端から前記熱板の前記表面までの高さ方向の長さが、互いに同等となるように設けられている、請求項１記載の基板処理装置。
5. 支持部材を介して前記熱板を下方から支持すると共に、前記昇降ピンが貫通する経路穴を有するベースプレートと、
   筒状の断熱材により構成され、前記熱板における前記表面の反対側の面である下面に接触する上部シール部と、
   前記ベースプレートの前記経路穴の内部空間と、前記上部シール部の内部空間とを、前記ベースプレートより下方の空間に対して閉塞させる下部シール部と、を更に備える、請求項１～４のいずれか一項記載の基板処理装置。
6. 前記下部シール部は、前記ベースプレートの内部又は前記ベースプレートの下面に設けられている、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記上部シール部は、弾性を有している、請求項５記載の基板処理装置。
8. 前記昇降ピンを昇降させる駆動部と、
   前記昇降ピンが昇降するように前記駆動部を制御する制御装置と、を更に備え、
   前記制御装置は、
   前記昇降ピンの下降動作において、前記昇降ピンの下降速度が変化するように、前記駆動部を制御する、請求項１記載の基板処理装置。
9. 前記制御装置は、前記下降動作において、所定の第１高さまでは所定の第１速度で前記昇降ピンが下降し、前記第１高さから更に下降する際には前記第１速度よりも遅い第２速度で前記昇降ピンが下降するように、前記駆動部を制御する、請求項８記載の基板処理装置。
10. 前記制御装置は、前記下降動作において、前記第１高さに到達した前記昇降ピンが所定時間だけ下降せずに停止するように、前記駆動部を制御する、請求項９記載の基板処理装置。
11. 前記制御装置は、前記基板の反り量データに基づき、前記第１高さを決定する、請求項９記載の基板処理装置。
12. 前記基板の反り量データを計測する計測部を更に備える、請求項１１記載の基板処理装置。
13. 前記熱板における外周縁の領域の表面高さは、その内側領域の表面高さよりも低い、請求項１～１２のいずれか一項記載の基板処理装置。
14. 前記外周縁の領域と前記内側領域との表面高さの差異は、０．２ｍｍよりも小さい、請求項１３記載の基板処理装置。
15. 前記ギャップ部材は、前記外周縁の領域と前記内側領域との境界付近に設けられて前記基板を支持する固定ピンを有する、請求項１３記載の基板処理装置。
16. 前記外周縁の領域の表面高さは、一定である、請求項１３記載の基板処理装置。

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