CN110718482A - 热处理装置和基片滑动检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供热处理装置和基片滑动检测方法，能够检测将基片载置到热板时该基片有无滑动。该热处理装置能够对基片进行热处理，并具有能够载置所述基片并加热该基片的热板，所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域，并且对每个所述区域进行温度设定，其中，所述外周分割区域是将除了所述热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的，所述热处理装置还包括：温度测量部，其分别设置在所述热板的所述外周分割区域，并测量所述热板的该外周分割区域的温度；和滑动推断部，其基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量，来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。

Description

热处理装置和基片滑动检测方法
技术领域
本发明涉及热处理装置和基片滑动检测方法。
背景技术
专利文献1公开了一种热处理装置，其在加热基片的加热板上具有用于判断基片是否搁置于异物的结构。该热处理装置中，在加热板上以在水平方向上彼此隔开间隔的方式设置有多个加热器，并且以与这些加热器对应的方式配置有温度传感器。在将基片载置于已设定为设定温度的加热板上之后，对加热板的温度从被基片吸热而开始降低至返回到上述设定温度的期间所测定的温度传感器的温度测定值，计算标准偏差。根据该标准偏差与预先设定的阈值的比较结果，判断基片在加热板上是否搁置于异物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-151247号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术为检测在将基片载置到热板时该基片有无滑动。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式为一种能够对基片进行热处理的热处理装置，其具有能够载置所述基片并加热该基片的热板，所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域，并且对每个所述区域进行温度设定，其中，所述外周分割区域是将除了所述热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的，所述热处理装置还包括：温度测量部，其分别设置在所述热板的所述外周分割区域，并测量所述热板的该外周分割区域的温度；和滑动推断部，其基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量，来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。
发明效果
依照本发明，能够检测将基片载置到热板时该基片有无滑动。
附图说明
图1是示意性表示第一实施方式的基片处理系统的结构的概略的俯视图。
图2是表示第一实施方式的基片处理系统的内部结构的概略的侧视图。
图3是表示第一实施方式的基片处理系统的内部结构的概略的侧视图。
图4是表示热处理装置的结构的概略的纵截面的说明图。
图5是表示热处理装置的结构的概略的横截面的说明图。
图6是表示热处理装置的热板的结构的概略的俯视说明图。
图7是表示输送臂的结构的概略的俯视说明图。
图8是表示检测部的结构的概略的侧视说明图。
图9是示意性表示第一实施方式的控制部的结构的概略的框图。
图10A是滑动推断部的推断方法的说明图，表示基片发生了滑动的状态。
图10B是滑动推断部的推断方法的说明图，表示基片没有发生过滑动的状态。
图10C是滑动推断部的推断方法的说明图，表示基片在反向发生了滑动的状态。
图11A是表示用于说明滑动推断部的推断方法的、热板中的区域的温度的时间变化的图。
图11B是表示用于说明滑动推断部的推断方法的、热板中的另一区域的温度的时间变化的图。
图12是表示相对于热板设定的多个方向的例子的说明图。
图13是表示滑动方向推断用表的一例的图。
图14是示意性地表示第二实施方式的控制部的结构的概略的框图。
图15是对于升降销的移动区域的高速区域和低速区域的位置的说明图。
图16是表示在低速区域的位置不合适的情况下的低速区域与热板表面的位置关系的图。
图17是表示在低速区域的位置不合适的情况下的热板的温度变化的图。
附图标记说明
40 热处理装置
132 热板
160 温度传感器
211 滑动推断部
R1～R4 外周分割区域。
具体实施方式
首先，对专利文献1所记载的现有的热处理装置进行说明。
在半导体器件等的制造过程中的光刻工序中，进行各种处理，在作为基片的半导体晶片(以下，称为“晶片”。)上形成规定的抗蚀剂图案。所谓各种处理，是指在晶片W上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的处理、对抗蚀剂膜进行曝光的处理、在曝光后加热晶片来促进抗蚀剂膜内的化学反应的处理(PEB(Post Exposure Bake)处理)、使曝光后的抗蚀剂膜显影的处理等。
上述的PEB处理等热处理通常由具有载置晶片并加热该晶片的热板的热处理装置。在热处理装置的热板中例如内置有通过供电进行加热的加热器，利用由该加热器进行的加热，将热板调节为规定温度。
加热处理中的热处理温度对最终在晶片上形成的抗蚀剂图案的线宽有较大的影响。因此，为了精细地调节加热时的晶片面内的温度，上述的热处理装置的热板被划分为多个区域，内置按每个区域独立的加热器和温度传感器，对每个区域调节温度。
此外，当使上述热板的各区域的处理温度相同时，例如由于该热板的各区域的热电阻的不同等，热板上的晶片面内的温度不一致，其结果是，存在抗蚀剂图案的线宽不一致的情况。因此，在热板的各区域单独地设定处理温度。
另外，在热处理时，利用以相对于热板可升降的方式设置的升降销的动作，由上述输送臂的动作来将晶片载置在热板上。例如，通过升降销上升，从由外部插入到热处理装置内的基片输送装置的输送臂向升降销交接晶片，之后，输送臂退避，然后升降销下降，由此，从升降销向热板交接晶片。
为了缩短在热处理装置内的处理所需要的时间，优选使升降销高速地升降。但是，当使升降销高速地下降时，从升降销向热板交接晶片时有时存在该晶片在热板上滑动的情况。因此，在升降销的移动区间中设置有高速工作的区间和低速工作的区间。
但是，由于使用晶片的变更、升降销的驱动部即气缸等机械部件的随时间变化，有时升降销低速工作的区间在升降销的升降方向相对于热板的位置发生偏离。其结果是，在从升降销向热板交接晶片时的升降销的移动速度不变成低速而保持高速，存在晶片被载置到热板时晶片在热板上滑动的情况。
当像这样发生滑动时，晶片的任一部分的温度大幅地偏离目标温度，可能最终对在晶片上形成的抗蚀剂图案的线宽造成恶劣影响。另外，由于向热板载置基片时的速度或者加速度比预想的大而引起了滑动，基片可能受到预想以上程度的冲击，存在需要追加的功能的情况。所谓追加的功能是指，例如在送出热处理后的基片时防止该基片在进行交接的部件发生掉落的功能或者用于接下来的处理的对位功能。
因此，检测将晶片载置到热板时的该热板上的晶片有无滑动，是至关重要的。
专利文献1的热处理装置是判断在加热基片的加热板上基片是否搁置在了异物上的装置，而不是检测晶片的滑动的装置。
以下，参照附图，对检测将基片载置到热板时的该基片有无滑动的本实施方式的热处理装置和基片滑动检测方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上具有相同功能结构的要素标注相同的附图标记，而省略重复的说明。
(第一实施方式)
图1是表示具有第一实施方式的热处理装置的基片处理系统1的结构的概略的俯视图。图2和图3分别是示意性地表示基片处理系统1的内部结构的概略的正视图和后视图。其中，在本实施方式中，以基片处理系统1为对晶片W进行涂敷显影处理的涂敷显影处理系统的情况为例进行说明。
如图1所示，基片处理系统1包括：对收纳有多个晶片W的盒C进行送入送出的盒站10；和处理站11，其具有对晶片W实施规定的处理的多个各种处理装置。并且，基片处理系统1具有将盒站10、处理站11、和在与处理站11相邻的曝光装置12之间进行晶片W的交接的接口站13连接为一体的结构。
在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个盒载置板21，该盒载置板21用于在对基片处理系统1的外部送入送出盒C时载置盒C。
在盒站10设置有能够在X方向上延伸的输送路径22上移动的晶片输送装置23。晶片输送装置23能够在上下方向移动并且能够绕铅垂轴(θ方向)移动，能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理站11的第三区块G3的交接装置之间输送晶片W。
在处理站11设置有具有各种装置的多个区块，例如第一区块～第四区块这4个区块G1、G2、G3、G4。例如在处理站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一区块G1，在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二区块G2。此外，在处理站11的盒站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三区块G3，在处理站11的交接站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四区块G4。
在第一组件G1中，如图2所示，从下起依次配置有多个液处理装置，例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33。显影处理装置30是对晶片W进行显影处理的装置，下部防反射膜形成装置31是在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的装置。抗蚀剂涂敷装置32是在晶片W涂敷抗蚀剂液来形成抗蚀剂膜的装置，上部防反射膜形成装置33是在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的装置。
例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33以分别在水平方向上排列3个的方式配置。此外，能够任意选择这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量和配置。
在上述显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33中，进行例如在晶片W上涂敷规定的涂敷液的旋涂动作。在旋涂动作中，例如一边从涂敷喷嘴将涂敷液排出到晶片W上，一边使晶片W旋转，以使涂敷液在晶片W的表面扩散。
例如在第二区块G2中，如图3所示设置有进行晶片W的加热或冷却等热处理的热处理装置40、用于提高抗蚀剂液与晶片W的固定性的粘接装置41、对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光装置42。该热处理装置40、粘附装置41、周边曝光装置42在上下方向和水平方向上排列地设置，它们的数量和配置均能够任意选择。
例如在第三区块G3，从下开始依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。此外，在第四组件G4中，从下开始依次设置有多个交接装置60、61、62和作为基片检查装置的检查装置63。检查装置63的结构在后文中说明。
如图1所示，在被第一区块G1～第四区块G4包围的区域中，形成有晶片输送区域D。在晶片输送区域D，配置有作为基片输送装置的晶片输送装置70。
晶片输送装置70具有例如在Y方向、X方向、θ方向和上下方向可移动的输送臂70a。晶片输送装置70能够在晶片输送区域D内移动，并将晶片W输送到周围的第一组件G1、第二组件G2、第三组件G3和第四组件G4中的规定的装置。晶片输送装置70例如如图3所示，上下地配置有多个，例如能够将晶片W输送到各组件G1～G4的相同程度高度的规定的装置中。
此外，在晶片输送区域D中设置有在第三区块G3与第四区块G4之间直线地输送晶片W的往复输送装置80。
往复输送装置80能够在例如图3的Y方向上直线移动。往复输送装置80能够以支承晶片W的状态在Y方向上移动，能够在第三区块G3的交接装置52与第四区块G4的交接装置62之间输送晶片W。
如图1所示，在第三区块G3的X方向正向侧的附近设置有晶片输送装置90。晶片输送装置90具有例如在X方向、θ方向和上下方向可移动的输送臂90a。晶片输送装置90能够以支承晶片W的状态上下移动，来将晶片W输送到第三区块G3内的各交接装置。
在接口站13设置有晶片输送装置100和交接装置101。晶片输送装置100具有例如在Y方向、θ方向和上下方向可自由移动的输送臂100a。晶片输送装置100例如在输送臂100a支承晶片W，能够在第四组件G4内的各交接装置、交接装置101和曝光装置12之间输送晶片W。
这里，对于上述的热处理装置40的结构进行说明。例如热处理装置40如图4和图5所示，在壳体120内具有加热部121，该加热部121对晶片W进行作为热处理的加热处理。在壳体120的一侧面形成有用于送入送出晶片W的送入送出口122。
如图4所示，加热部121包括：位于上侧的可上下移动的盖体130；和位于下侧的与该盖体130形成一体而构成处理室S的热板收纳部131。
盖体130具有下表面开口的大致筒形形状。在盖体130的上表面中央部设置有排气部130a。处理室S内的气氛从排气部130a被排气。
在热板收纳部131的中央设置有用于载置晶片W并加热该晶片W的热板132。热板132是具有一定厚度的大致圆盘形状，在其内部设置有对热板132进行加热的加热器140。作为加热器140，例如能够使用电加热器。另外，在热板132的上表面设置有：将晶片W引导到热板132上的规定位置的引导销133；和以使晶片W的背面与热板132的上表面隔开间隔的方式支承该晶片W的支承销134。此外，在图5中省略了引导销133和支承销134的图示。另外，对于热板132的温度控制的构成，在后文中说明。
如图4和图5所示，在热板收纳部131中设置有在厚度方向上贯通热板132的作为交接部的升降销141。升降销141通过气缸等的驱动部142而能够升降。升降销141在热板132的上表面突出，例如能够与从送入送出口122进入到壳体120的内部的晶片输送装置70之间进行晶片W的交接。
热板收纳部131具有：环状的保持部件150，其收纳热板132并保持热板132的外周部；和包围该保持部件150的外周的大致筒状的支承环151。
接着，对热板132的结构进行详细的说明。热板132被划分为包括外周分割区域在内的多个区域，该外周分割区域是将除了该热板132的中央部之外的外周部在周向上分割而成的。在图6的例子中，热板132被划分为共计5个区域：设置于俯视时的中央部的1个圆形区域R0；和将俯视时的外周部在周向上4等分的圆弧状的区域R1、R2、R3、R4(以下，有时称为“外周分割区域R1、R2、R3、R4”)。
在热板132的各区域R0～R4，独立地内置加热器140，能够独立地加热各区域R0～R4。另外，在区域R0～R4分别埋设有作为温度测量部的温度传感器160。各温度传感器160测量设置有该温度传感器160的热板132的区域R0～R4的温度。各区域R0～R4的加热器140的发热量例如由控制部200按区域R0～R4的每一个进行调节，以使区域R0～R4各自的温度传感器160测量的温度成为设定温度。
接着，使用图7和图8，对将晶片W送入送出热处理装置40的晶片输送装置70的输送臂70a进行说明。晶片输送装置70具有的作为基片保持部的输送臂70a以能够从该装置70的基座(未图示)进退的方式设置，用于保持晶片W。如图7所示，在输送臂70a设置有例如4个载置晶片W的周缘部的保持爪71。
另外，在输送臂70a设置有3个以上(图中的例子为4个)检测部170(170A～170D)，当输送臂70a在保持着晶片W的状态下后退时，这些检测部170(170A～170D)分别在不同的位置检测该晶片W的边缘的位置。检测部170(170A～170D)以当输送臂70a后退了时与被输送臂70a保持着的晶片W的边缘部俯视重叠的方式设置。
如图8所示，检测部170(170A～170D)通过将光源171(171A～171D)与多个受光元件排列而成的受光部172(172A～172D)组合而构成。光源171(171A～171D)例如是LED(Light Emitting Diode：发光二极管)，受光部172(172A～172D)例如是线性图像传感器。光源171(171A～171D)和受光部172(172A～172D)以将后退的输送臂170保持着的晶片W夹在之间而相对的方式设置。
基于上述的检测部170(170A～170D)中的检测结果，能够检测出在输送臂70a内的晶片W的位置，具体而言是晶片W的中心位置。
在以上的基片处理系统1中，如图1所示设置有控制部200。控制部200例如由具有CPU或存储器等计算机构成，并具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有控制基片处理系统1中的晶片W的处理的程序，该程序中包含检测将晶片W载置到热板132时该晶片W在热板132上有无滑动的程序。此外，上述程序是记录在计算机可读取的存储介质H中的程序，也可以是从该存储介质H安装到控制部200的程序。
另外，如图9所示，控制部200包括存储部210、滑动推断部211、滑动方向推断部212、保持位置获取部213和滑动确定部214。
存储部210存储热板132的各区域R0～R4的设定温度的信息、滑动方向推断用表等各种信息。
滑动推断部211推断将晶片W载置到热板132时该晶片W在热板132上有无滑动。在此，在晶片W已被载置到热板132时，热板132的温度由于晶片W的吸热而从设定温度暂时降低，之后回到该设定温度。但是，如图10A所示，在向热板132载置晶片W时晶片W滑动到区域R1侧时，与如图10B所示晶片W没有滑动而载置于热板132的中央部时相比，如图11A所示，热板132的区域R1的自设定温度的最大下降量变大。另外，在晶片W滑动到区域R1侧时，在隔着中央区域R0与区域R1相对的区域R3中，如图11B所示热板132的自设定温度的最大下降量变小。
另一方面，如图10C所示在向热板132载置晶片W时，晶片W滑动到区域R3侧时，与晶片W没有滑动而载置预热板132的中心时相比，如图11B所示，热板132的区域R3的自设定温度的最大下降量变大。另外，在晶片W滑动到区域R3侧时，在隔着中央区域R0与区域R3相对的区域R1中，如图11A所示热板132的自设定温度的最大下降量变小。此外，以下，将“晶片W已被载置到热板132时的自设定温度的最大下降量”称为“下冲量(undershoot amount)”。
基于上述的知识，滑动推断部211基于将晶片W载置于热板132期间的温度传感器160中的温度测量结果，来推断将晶片W载置到热板132时该晶片W在热板132上有无滑动。此外，以下，有时将“将晶片W载置到热板132时的该晶片W的滑动”简单记载为“晶片W的滑动”。
具体而言，滑动推断部211在以下情况下，推断为晶片W发生了滑动。即，在热板132的外周分割区域R1～R4中的任意一个以上的区域中下冲量超过了基准值的情况。但是，在上述的情况下和在与上述任意一个以上的区域相对的外周分割区域R1～R4中下冲量小于基准值的情况下，也可以推断为发生了上述滑动。在本例中，如后者那样，推断为晶片W发生了滑动。
另外，上述基准值可以对外周分割区域R1～R4的每一个分别进行设定，也可以为在外周分割区域R1～R4中是相同的。并且，也可以为上述基准值具有范围，成为基准区域。在该情况下，下冲量“超过基准值”是指超过基准区域中的最大值，“小于基准值”是指小于基准区域中的最小值，“为基准值”是指“处于基准区域内”。
滑动方向推断部212是在晶片W发生了滑动的情况下推断其滑动的方向的机构。在此，在将晶片W载置到热板132的期间，在设置于外周分割区域R1～R4中的任意者的温度传感器160中，所测量的温度自设定温度的最大下降量超过了基准值。在该情况下，滑动方向推断部212推断与如下温度传感器160所设置的外周分割区域R1～R4对应的方向为晶片W的滑动方向，上述温度传感器160所测量的温度自上述设定温度的最大下降量超过了基准值。即，滑动方向推断部212在热板132的外周分割区域R1～R4中的任意一个以上的区域中下冲量超过了基准值的情况下，推断与该任意一个以上的区域对应的方向为晶片W的滑动方向。但也可以为，滑动方向推断部212在外周分割区域R1～R4的任意一个以上的区域中下冲量超过基准值且在与该外周分割区域相对的区域小于基准值的情况下，推断与这些外周分割区域对应的方向为晶片W的滑动方向。在本例中，如后者那样推断滑动方向。
滑动方向推断部212例如如图12所示，从对热板132设定的多个方向中选择一个方向并推断该方向为滑动方向。此外，在图12的例子中，对于设置有外周分割区域R1～R4的热板132，设定了4个方向D1～D4。
另外，滑动方向推断部212使用如图13所示的滑动方向推断用表T来推断晶片W的滑动方向。滑动方向推断用表T中，将对上述的热板132设定的多个方向分别与下冲量超过了基准值的外周分割区域及小于基准值的外周分割区域相关联。此外，上述表T中，“深(deep)”表示超过了基准值的情况，“浅(shallow)”表示小于基准值的情况。在图13的滑动方向推断用表T中，例如，将对热板132设定的方向D1与下冲量超过了基准值的外周分割区域R1、R2及小于基准值的外周分割区域R3、R4相关联。
保持位置获取部213获取在保持晶片W并将其送入送出热处理装置40的晶片输送装置70所具有的输送臂70a中的、晶片W的保持位置。上述保持位置的信息例如能够从晶片输送装置70所具有的检测部170(170A～170D)的受光部172(172A～172D)获取。上述的保持位置获取部213在由该热处理装置40进行的热处理前和热处理后获取输送臂70a中的晶片W的保持位置。
滑动确定部214基于滑动方向推断部212的推断结果和保持位置获取部213的获取结果来确定晶片W有无滑动。更具体而言，滑动确定部214基于保持位置获取部213的获取结果，在由该热处理装置40进行的热处理前后，计算在输送臂70a中晶片W的保持位置偏移了的方向(以下，称为“位置偏移方向”)。然后，根据计算出的位置偏移方向与由滑动方向推断部212推测出的滑动方向是否一致，来确定晶片W有无滑动。例如，当上述计算出的位置偏移方向与由滑动方向推断部212推断出的滑动方向一致时，确定晶片W发生了滑动。
接着，说明在基片处理系统1中进行的晶片W的处理。
在晶片W的处理中，首先，将收纳有多个晶片W的盒C载置在盒站10的规定的盒载置板21。之后，由晶片输送装置23依次取出盒C内的各晶片W，输送到处理站11的第三组件G3的例如交接装置53。
接着，晶片W被晶片输送装置70输送到第二组件G2的热处理装置40，进行温度调节。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到例如第一组件G1的下部防反射膜形成装置31，在晶片W上形成下部防反射膜。之后，晶片W被输送到第二组件G2的热处理装置40进行加热处理。
在由热处理装置40进行加热处理时，首先，在保持着晶片W的晶片输送装置70的输送臂70a被插入到热处理装置40内之前的后退状态下，由检测部170(170A～170D)检测晶片W的边缘的位置。然后，由保持位置获取部213获取晶片W的边缘的位置信息作为由热处理装置40进行的热处理前的在输送臂70a中的晶片W的保持位置有关的信息。
接着，将保持着晶片W的输送臂70a移动到热板132的上方。接着，升降销141上升，输送臂70a的晶片W被交接到升降销141。之后，输送臂70a从热板132上退避，升降销141下降，将晶片W载置到热板132上，开始由热板132进行的加热处理。
为了将热板132的区域R0～R4分别控制为设定温度，在将晶片W载置到热板132的期间，由区域R0～R4各自的温度传感器160持续测量该外周分割区域的温度。并且，由滑动推断部211判断在热板132的外周分割区域R1～R4的任意区域中，热板132的温度的下冲量是否超过基准值，且在与该外周分割区域相对的外周分割区域中上述下冲量小于基准值。其结果是，当在热板132的外周分割区域R1～R4的任意区域中下冲量超过基准值，且在相对的外周分割区域中下冲量小于基准值时，由滑动推断部211推断为晶片W发生了滑动。例如，除此以外的情况推断为晶片W没有发生滑动。
另外，在推断为晶片W发生了滑动时，由滑动方向推断部212利用滑动方向推断用表T来推断晶片W的滑动方向。例如，在外周分割区域R1、R2的下冲量超过基准值且外周分割区域R3、R4的下冲量小于基准值的情况下，基于滑动方向推断用表T能够推断方向D1为滑动方向。
当进行了规定时间的晶片W的加热处理时，升降销141上升，将晶片W移动到热板132的上方。之后，在将输送臂70a插入到晶片W与热板132之间后，升降销141下降，将晶片W从升降销141交接到输送臂70a。
接着，在成为保持着晶片W的输送臂70a退避了的状态之后，由检测部170(170A～170D)再次检测晶片W的边缘的位置。然后，将晶片W的边缘的位置信息作为由热处理装置40进行的热处理之后的、在输送臂70a中的晶片W的保持位置有关的信息，从检测部170(170A～170D)发送，并由保持位置获取部213获取该位置信息。
接着，基于保持位置获取部213所获取的热处理前和热处理后的、在输送臂70a中的晶片W的保持位置有关的信息，由滑动确定部214计算热处理前后的在输送臂70a中的晶片W的位置偏移倾向。并且，基于计算出的上述位置偏移方向与由滑动方向推断部212推断出的滑动方向是否一致，由滑动确定部214确定晶片W是否发生了滑动。
当由滑动确定部214确定为发生了滑动的情况下，中止晶片W的处理，使该晶片W返回例如盒C。
另一方面，由滑动确定部214确定为没有发生滑动的情况下，使晶片W返回到第三组件G3的交接装置53。接着，晶片W被晶片输送装置90输送到同样的第三组件G3的交接装置54。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到第二组件G2的粘接装置41，进行疏水化处理。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到抗蚀剂涂敷装置32，在晶片W上形成抗蚀剂膜。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行预烘烤处理。此外，在此之后的加热处理中，与上述的抗蚀剂膜形成前的加热处理同样，进行如下动作：推断晶片W有无滑动，推断晶片W的滑动方向，计算热处理前后的位置偏移方向，确定晶片W有无滑动。
预烘烤处理后，晶片W被晶片输送装置70输送到第三组件G3的交接装置55。接着，晶片W被晶片输送装置70输送到上部防反射膜形成装置33，在晶片W上形成上部防反射膜。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行加热、温度调节。之后，晶片W被输送到周边曝光装置42，进行周边曝光处理。
之后，晶片W被晶片输送装置70输送到第三组件G3的交接装置56。
接着，晶片W被晶片输送装置90输送到交接装置52，被穿梭输送装置80输送到第四组件G4的交接装置62。
之后，晶片W被接口站7的晶片输送装置100输送到曝光装置12进行曝光处理。接着，晶片W被晶片输送装置100输送到第四组件G4的交接装置60。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到热处理装置40进行曝光后烘烤处理。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到显影处理装置30进行显影。在显影结束后，晶片W被晶片输送装置90输送到热处理装置40进行后烘烤处理。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到第三组件G3的交接装置50，之后被盒站10的晶片输送装置23输送到规定的盒载置板21的盒C中。如此一来，一系列的光刻处理结束。
依照本实施方式，由温度传感器160测量与晶片W的滑动有关的、热板132的外周分割区域R1～R4的温度，获取其测量结果。因此，基于上述测量结果，能够高精度地推断晶片W有无滑动。
另外，依照本实施方式，推断晶片W的滑动方向，并且获取在热板132中的热处理前后输送臂70a中的晶片W的位置偏移倾向。然后，基于推断出的滑动方向和上述位置偏移方向，确定晶片W有无滑动。因此，能够更准确地检测晶片W有无滑动。
在以上的例子中，基于由滑动推断部211的推断结果而得的滑动确定部214的确定结果，来中止晶片W的处理。但是，也可以代替上述例子，不设置滑动确定部214和滑动方向推断部212，当由滑动推断部211推断为发生了滑动时，就中止晶片W的处理。
(第二实施方式)
在第一实施方式中，在由滑动确定部214确定为晶片W发生了滑动的情况下，或者由滑动推断部211推断出晶片W发生了滑动的情况下，中止了晶片W的处理。换言之，如上所述，在升降销的移动区间设置有高速动作的区间(高速区域)和低速动作的区间(低速区域)，在第一实施方式中，当升降销141的高速区域和低速区域的位置不合适时，中止了晶片W的处理。
与此不同，在本实施方式中，如图14所示，控制部200a具有速度区域设定部220，其设定使升降销141以相对较高的速度移动的高速区域和使升降销141以相对较低的速度移动的低速区域。并且，在本实施方式中，在升降销141的高速区域和低速区域的位置不合适的情况下，即，由滑动确定部214或者滑动推断部211确定为或者推断出晶片W发生了滑动的情况下，速度区域设定部220再次设定低速区域和高速区域。此外，如图15所示，在高速区域与高速区域之间包含着低速区域。
如上所述，在将晶片W载置到热板132时，热板132的温度自设定温度暂时下降，之后恢复到该设定温度。
但是，如图16所示，热板132的表面(支承销134的上表面)在升降销141的移动区间位于比所设定的位置相对靠上方的位置的情况下，在将晶片载置到热板132时，晶片W被来自热板132的辐射热加热的时间短。因此，由于将相对温度较低的晶片W载置到热板132，所以如图17所示，热板132的下冲量变大。另一方面，热板132的表面在交接销141能够移动的区间位于比所设定的场所相对靠下方的位置的情况下，在将晶片载置到热板132时，晶片W被来自热板132的辐射热加热的时间较长。因此，由于将相对温度较高的晶片W载置到热板132，所以热板132的下冲量变小。
基于上述的发现，速度区域设定部220基于载置晶片W时的热板132的温度，再次设定高速区域和低速区域。具体而言，在高速区域和低速区域的位置不合适的情况下，根据下冲量是大于阈值还是小于阈值，来再次设定高速区域和低速区域。例如，当下冲量大于阈值时，以使低速区域向上方移动的方式进行再次设定，当下冲量小于阈值的情况下，以使低速区域向下方移动的方式进行再次设定。此外，也可以为速度区域设定部220基于载置晶片W时的热板132的中央部的温度变化(例如基于中央区域R0的下冲量)来设定高速区域和低速区域。另外，也可以代替这种方式，而是速度区域设定部220基于载置晶片W时的热板132整体的温度变化(例如基于区域R0～R4的下冲量)来设定高速区域和低速区域。
此外，也可以为上述阈值具有范围，成为阈值区域。在该情况下，下冲量“大于阈值值”是指超过阈值区域的最大值，而“小于阈值”是指小于阈值区域的最小值。
此外，低速区域例如如图15所示，以使从低速驱动起始点至热板132的表面的距离为6成、从上述表面至低速驱动结束点为4成的方式进行了设计。将上述6成中的2/3即4成设置为从升降销141向热板132交接晶片时的速度下降(速度静定)所需要的区域，上述6成中的1/3即2成为宽限量。另外，作为在从热板132向升降销141交接晶片时的速度下降所需要的区域，分配了低速区域中的0.5成。
因此，速度区域设定部220例如按以下的(A)或者(B)的方式再次设定高速区域和低速区域。
(A)第一再次设定方法
在本方法中，例如，速度区域设定部220在下冲量大于阈值时，使低速区域向下侧移动上述的宽限量即2成的量，当下冲量小于阈值值时，使低速区域向上侧移动2成的量。
像这样将低速区域进行再次设定的情况下，再次设定之后低速区域的位置也不合适时，使低速区域在相同方向移动相同的量。
(B)第二再次设定方法
在本方法中，考虑到用于速度下降的余裕量(margin)，速度区域设定部220对高速区域和低速区域进行再次设定。例如，在下冲量大于阈值时，使低速区域向下侧移动4成的量。另外，例如下冲量小于判断值时，使低速区域相上侧一移动(低速区域整体-余裕量之和)的差的量即5.5成的量。像这样对低速区域进行再次设定的情况下，当再次设定后低速区域的位置也不合适时，认为低速区域的偏移过大，因此，此后也可以使晶片W的处理停止。
依照本实施方式，能够将不合适的低速区域的位置调整为合适的，能够不停止晶片W的处理而消除晶片W的滑动。
本发明所公开的实施方式的全部内容只不过是例示，不应理解为限定性的内容。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种形态进行省略、置换和变更。
此外，以下的构成也属于本发明的技术范围。
(1)一种能够对基片进行热处理的热处理装置，其中：
具有能够载置所述基片并加热该基片的热板，
所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域，并且对每个所述区域进行温度设定，其中，所述外周分割区域是将除了所述热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的，
所述热处理装置还包括：
温度测量部，其分别设置在所述热板的所述外周分割区域，并测量所述热板的该外周分割区域的温度；和
滑动推断部，其基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量，来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。
在上述(1)中，由温度测量部测量关于在被载置到热板时的基片的滑动的、热板的外周分割区域的温度，并且获取了该测量结果。因此，基于上述测量结果，能够高精度地推断上述基片有无滑动。
(2)在上述(1)所记载的热处理装置中，当将所述基片载置到所述热板时，在设置于所述外周分割区域的任意者的所述温度测量部中测量出的温度自设定温度的最大下降量超过了基准值的情况下，所述滑动推断部推断为该基片发生了滑动。
(3)在上述(1)或(2)所记载的热处理装置中，具有滑动方向推断部，当将所述基片载置到所述热板时，在设置于所述外周分割区域的任意者的所述温度测量部中测量出的温度自设定温度的最大下降量超过了基准值的情况下，推断设置有该温度测量部的所述外周分割区域所对应的方向为该基片的滑动方向。
(4)在上述(3)所记载的热处理装置中，包括：
保持位置获取部，其获取基片输送装置所具有的基片保持部中的所述基片的保持位置，所述基片输送装置用于保持所述基片并将所述基片送入送出该热处理装置；和
确定有无所述滑动的滑动确定部，
所述保持位置获取部在由所述热处理装置进行的热处理前和热处理后获取在所述基片保持部中的所述基片的所述保持位置，
所述滑动确定部基于所述滑动方向推断部的推断结果和所述保持位置获取部的获取结果来确定有无所述滑动。
在上述(3)中，推断基片的滑动方向，并且获取在热板中的热处理前后的基片在基片保持部中的保持位置。并且，基于所推断的滑动方向和基片的保持位置的获取结果，来确定基片有无滑动。因此，能够更加准确地检测基片有无滑动。
(5)在上述(1)～(4)中任一项所记载的热处理装置中，包括：
交接部，其向与所述热板的基片搭载面交叉的方向移动，在其与所述热板之间交接基片；
驱动所述交接部的驱动部；和
速度区域设定部，其设定使所述交接部以高速移动的高速区域和使所述交接部以低速移动的低速区域，
所述速度区域设定部基于载置所述基片时的所述热板的温度来设定所述高速区域和所述低速区域。
在上述(6)中，基于载置到基片时的热板的温度，来设定高速区域和低速区域。因此，能够将不合适的低速区域的位置调整为合适的，能够不停止晶片W的处理而消除晶片W的滑动。
(6)在上述(6)所记载的热处理装置中，所述速度区域设定部基于载置所述基片时的所述热板的中央部的温度变化来设定所述高速区域和所述低速区域。
(7)在上述(6)所记载的热处理装置中，所述速度区域设定部基于载置所述基片时的所述热板整体的温度的变化来设定所述高速区域和所述低速区域。
(8)一种检测在热板上基片有无滑动的基片滑动检测方法，其中：
所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域，并且对每个所述区域进行温度设定且在每个所述外周分割区域设置有温度测量部，其中，所述外周分割区域是将除了所述热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的，
所述基片滑动检测方法包括滑动推断步骤，其中，基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量，来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。

Claims (8)

1.一种能够对基片进行热处理的热处理装置，其特征在于：
具有能够载置所述基片并加热该基片的热板，
所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域，并且能对每个所述区域进行温度设定，其中，所述外周分割区域是将除了该热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的，
该热处理装置还包括：
温度测量部，其分别设置在所述热板的所述外周分割区域，测量所述热板的该外周分割区域的温度；和
滑动推断部，其基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量，来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。
2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于：
当将所述基片载置到所述热板时，在设置于所述外周分割区域的任意者的所述温度测量部中测量出的温度自设定温度的最大下降量超过了基准值的情况下，所述滑动推断部推断为该基片发生了滑动。
3.如权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于：
具有滑动方向推断部，当将所述基片载置到所述热板时，在设置于所述外周分割区域的任意者的所述温度测量部中测量出的温度自设定温度的最大下降量超过了基准值的情况下，所述滑动方向推断部推断设置有该温度测量部的所述外周分割区域所对应的方向为该基片的滑动方向。
4.如权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，包括：
保持位置获取部，其获取基片输送装置所具有的基片保持部中的所述基片的保持位置，所述基片输送装置用于保持所述基片并将所述基片送入送出该热处理装置；和
确定有无所述滑动的滑动确定部，
所述保持位置获取部在由该热处理装置进行的热处理前和热处理后获取在所述基片保持部中的所述基片的所述保持位置，
所述滑动确定部基于所述滑动方向推断部的推断结果和所述保持位置获取部的获取结果来确定有无所述滑动。
5.如权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于，包括：
交接部，其能够向与所述热板的基片搭载面交叉的方向移动，在其与所述热板之间交接所述基片；
驱动所述交接部的驱动部；和
速度区域设定部，其设定使所述交接部以高速移动的高速区域和使所述交接部以低速移动的低速区域，
所述速度区域设定部基于载置所述基片时的所述热板的温度来设定所述高速区域和所述低速区域。
6.如权利要求5所述的热处理装置，其特征在于：
所述速度区域设定部基于载置所述基片时的所述热板的中央部的温度变化来设定所述高速区域和所述低速区域。
7.如权利要求5所述的热处理装置，其特征在于：
所述速度区域设定部基于载置所述基片时的所述热板整体的温度变化来设定所述高速区域和所述低速区域。
8.一种检测在热板上基片有无滑动的基片滑动检测方法，其特征在于：
所述热板被划分为包括外周分割区域在内的多个区域，并且能对每个所述区域进行温度设定且在每个所述外周分割区域设置有温度测量部，其中，所述外周分割区域是将除了该热板的中央部以外的外周部在周向上分割而成的，
该基片滑动检测方法包括滑动推断步骤，其中，基于将所述基片载置到所述热板时的由所述温度测量部测量出的温度自设定温度的下降量，来推断将该基片载置到所述热板时该基片有无滑动。
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