KR20200120699A

KR20200120699A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Info

Publication number: KR20200120699A
Application number: KR1020207026242A
Authority: KR
Inventors: 신이치로 미사카
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2018-02-14
Filing date: 2019-01-31
Publication date: 2020-10-21
Also published as: JP6964176B2; JPWO2019159704A1; CN111699544A; TW201939639A; CN111699544B; TWI791752B; WO2019159704A1; KR102626801B1

Abstract

열 처리 유닛은, 웨이퍼를 배치하고 또한 웨이퍼에 열을 부여하는 열판과, 열판을 가열하는 히터와, 열판의 복수의 채널에 대응하여 마련되어, 열판의 온도를 측정하는 복수의 온도 센서와, 컨트롤러를 구비하고, 컨트롤러는, 복수의 채널마다, 온도 센서의 표시 온도와 히터의 설정에 따른 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량을 산출하고, 이 온도 시프트량이 정해진 밴드 폭 내인지 여부를 판정하는 것과, 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 채널이 존재하는 경우에, 이 채널을 이상 영역으로서 특정하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

본 개시는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

열판에 의해 기판에 열을 부여하는 열 처리에서는, 열판의 온도를 정해진 목표 온도로 유지하는 것이 중요해진다. 예를 들면 특허 문헌 1에 기재된 기술에서는, 가열 부재(상술한 열판에 상당)의 온도를 검출하는 온도 센서를 마련하고, 이 온도 센서에 의해 가열 부재의 온도 이상을 검출함으로써, 문제의 발생을 검출하고 있다.

일본특허공개공보 2017-65126호

열 처리를 행하는 구성으로서, 예를 들면 열판이 복수의 채널(영역)마다 각각 온조기로 가열되어 기판에 열을 부여하는 구성이 상정된다. 이러한 구성에서는, 온도 센서에 의해 온도 이상을 검출한 경우에 있어서, 열판의 어느 채널(영역)에서 발생한 결함에 의해 온도 이상이 발생하고 있는지를 특정할 수가 없다.

본 개시는 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 열 처리에 있어서 온도 이상이 발생하고 있는 경우에, 이 온도 이상을 일으키고 있는 문제의 발생 영역을 정밀도 좋게 특정하는 것을 목적으로 한다.

본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 배치하고 또한 기판에 열을 부여하는 열판과, 열판을 가열하는 온조기와, 열판의 복수의 영역에 대응하여 마련되어, 열판의 온도를 측정하는 복수의 온도 센서와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 복수의 영역마다, 온도 센서의 측정 온도와, 온조기의 설정에 따른 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량을 산출하고, 상기 온도 시프트량이 정해진 정상 범위 내인지 여부를 판정하는 것과, 판정 결과에 기초하여 이상 영역을 특정하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.

본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 장치에서는, 열판의 복수의 영역에 대응하여 각각 온도 센서가 마련되어 있다. 그리고 복수의 영역마다, 측정 온도와 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량이 정상 범위 내인지 여부가 판정되고, 상기 판정 결과에 기초하여 이상 영역이 특정된다. 이와 같이, 복수의 영역마다 온도 센서가 마련되어, 복수의 영역마다 온도 시프트량이 정상 범위 내인지 여부가 판정되고, 상기 판정 결과가 이상 영역의 특정에 이용됨으로써, 복수의 영역 각각에 있어서의 온도 상황(온도 이상의 발생 유무 등)을 고려하여 이상 영역을 특정할 수 있다. 각 영역의 온도 상황을 고려함으로써, 예를 들면 전체에서 1 개 밖에 온도 센서가 이용되지 않는 경우와 비교하여, 온도 이상을 일으키고 있는 이상 영역(문제의 발생 영역)을 정밀도 좋게 특정할 수 있다. 즉, 본 개시의 기판 처리 장치에 의하면, 열 처리에 있어서 온도 이상이 발생하고 있는 경우에, 상기 온도 이상을 일으키고 있는 문제의 발생 영역을 정밀도 좋게 특정할 수 있다.

제어부는, 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아닌 영역의 온도 시프트량, 및 온도 시프트량이 정상 범위 내인 영역의 온도 시프트량의 쌍방을 고려하여, 이상 영역을 특정해도 된다. 예를 들면, 2 개의 영역 중 일방의 영역의 측정 온도가 타방의 영역의 측정 온도보다 높아, 일방의 영역에 대해서만 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아니라고 판정된 경우를 상정한다. 이 경우, 예를 들면 2 개의 영역 중 어느 일방에 있어서 실제 온도가 정상 시보다 저하되어 있다고 추정된다. 상술한 타방의 영역(온도 시프트량이 정상 범위 내라고 판정되어 있는 영역)에 있어서 실제 온도가 저하되어 있다고 하면, 타방의 영역의 온도 시프트량은 정상 범위 내이며, 타방의 영역의 열 영향이 일방의 영역에 과도하게 미치지 않고, 일방의 영역의 온도 시프트량이 정상 범위 내가 되도록 온조기에 의한 제어가 적절히 행해지기 때문에, 상술한 상태(일방의 영역의 온도 시프트량만이 정상 범위 내가 아닌 상태)에서 안정되는 경우는 없다고 상정된다. 따라서, 타방의 영역에 있어서 실제 온도가 저하되어 있는 경우는 없다고 상정된다. 한편, 일방의 영역(온도 시프트량이 정상 범위 내가 아니라고 판정되어 있는 영역)에 있어서 실제 온도가 저하되어 있다고 하면, 일방의 영역의 측정 온도에 따라 일방의 영역의 온도를 저하시키기 위하여 온조기에 의한 제어를 행한 경우(일방의 영역에 대응하는 온조기의 출력을 예를 들면 제로로 한 경우)라도, 타방의 영역에 의한 열 영향으로 실제 온도가 인상되고, 그 인상된 분에 따라 측정 온도도 올라, 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아닌 상태가 계속되는 경우가 있을 수 있다. 따라서, 실제 온도가 저하되어 있는 케이스에 있어서 일방의 영역의 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아니라고 판정되고, 타방의 영역의 온도 시프트량이 정상 범위 내라고 판정되어 있는 경우에는, 일방의 영역에 있어서 실제 온도가 저하되어 있어, 상기 일방의 영역을 이상 영역이라 특정할 수 있다. 이와 같이, 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아닌 영역의 온도 시프트량 및 정상 범위 내인 영역의 온도 시프트량을 고려함으로써, 적절히 이상 영역을 특정할 수 있다.

제어부는, 복수의 영역 각각에 대응하는 온조기의 출력량을 고려하여, 이상 영역을 특정해도 된다. 예를 들면 이상 영역에 대하여 온도 제어를 행한 경우에, 상기 온도 제어의 영향이 이상 영역 이외의 영역에도 미쳐, 이상 영역 이외의 영역의 온도 시프트량이 정상 범위 외가 되는 경우가 있다. 이상 영역 이외에 대하여 온도 시프트량이 정상 범위 외가 되어 있는 경우에 있어서는, 온도 시프트량만으로부터 이상 영역을 임의로 특정할 수가 없다. 여기서, 온조기의 출력량은 열판의 실제 온도에 따라 변화한다. 이 때문에, 제어부가 온조기의 출력량을 고려하여 이상 영역을 특정함으로써, 실제 온도가 크게 변화하고 있는 영역(즉 이상 영역)을 적절히 특정할 수 있다. 즉, 출력량을 고려하여 이상 영역을 특정함으로써, 보다 정밀도 좋게, 온도 이상이 발생하고 있는 영역을 특정할 수 있다.

제어부는, 복수의 영역에, 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상이 된 영역이 존재하는 경우에는, 상기 영역을 이상 영역으로서 특정하고, 존재하지 않는 경우에는, 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아닌 영역을 이상 영역으로서 특정해도 된다.

예를 들면 온도 센서에 관한 문제 등을 이유로서 온도 센서의 측정 온도가 열판의 실제 온도로부터 괴리되는 태양으로서, 측정 온도가 실제 온도보다 높아지는 케이스(측정 온도 상승 케이스)와, 측정 온도가 실제 온도보다 낮아지는 케이스(측정 온도 저하 케이스)가 상정된다. 측정 온도 상승 케이스에서는, 상기 측정 온도에 기초하여 온조기의 설정이 변경(온도를 저하시키는 방향으로 변경)되고, 상기 온조기가 대응하는 영역(측정 온도 상승 영역)의 측정 온도 및 실제 온도가 저하되게 된다. 그리고, 측정 온도 상승 영역에 있어서의 실제 온도 저하의 영향이 다른 영역에도 미침으로써, 다른 영역의 측정 온도 및 실제 온도도 약간(측정 온도 상승 영역보다는 작은 폭으로) 저하되게 된다. 이와 같이, 측정 온도 상승 케이스에서는, 측정 온도 상승 영역에 있어서, 다른 영역보다, 측정 온도가 높아지고, 또한 실제 온도가 저하됨으로써 출력량이 작아진다. 측정 온도 상승 케이스에서는, 측정 온도 상승 영역 및 다른 영역 모두, 실제 온도가 저하되어 있고 출력량이 작아져 있기 때문에, 복수의 영역에 있어서 정상 시와의 출력량의 차분이 커지는 영역은 존재하지 않는다. 그리고, 실제 온도가 다른 영역보다 저하되어 이상 영역이 될 수 있는 측정 온도 상승 영역은, 다른 영역보다 측정 온도가 높아 온도 시프트량이 크다. 이상으로부터, 정상 시와의 출력량의 차분이 커지는 영역이 존재하지 않는 경우에, 온도 시프트량이 큰(정상 범위 내가 아닌) 영역을 이상 영역으로서 특정함으로써, 온도 이상이 발생하고 있는 영역을 정밀도 좋게 특정할 수 있다. 또한 측정 온도 저하 케이스에서는, 상기 측정 온도에 기초하여 온조기의 설정이 변경(온도를 올리는 방향으로 변경)되면, 상기 온조기가 대응하는 영역(측정 온도 저하 영역)의 측정 온도 및 실제 온도가 오르게 된다. 그리고, 측정 온도 저하 영역에 있어서의 실제 온도 상승의 영향이 다른 영역에도 미침으로써, 다른 영역의 측정 온도 및 실제 온도도 약간(측정 온도 저하 영역보다는 작은 폭으로) 오르게 된다. 이와 같이, 측정 온도 저하 케이스에서는, 측정 온도 저하 영역에 있어서, 다른 영역보다, 측정 온도가 낮아지고, 또한 실제 온도가 오름으로써 출력량이 커진다. 측정 온도 저하 케이스에서는, 이상 영역이 될 수 있는 측정 온도 저하 영역의 출력량이 다른 영역과 비교해 특별히 커진다. 그리고, 다른 영역의 측정 온도가 측정 온도 저하 영역보다 높다(즉 온도 시프트량이 크다). 이상으로부터, 출력량의 차분이 커지는 영역이 존재하는 경우에, 온도 시프트량이 큰 영역이 아닌 정상 시와의 출력량의 차분이 큰 영역을 이상 영역으로서 특정함으로써, 온도 이상이 발생하고 있는 영역을 정밀도 좋게 특정할 수 있다.

제어부는, 열판의 온도가 정상 상태가 된 후에, 온도 시프트량이 정상 범위 내인지 여부의 판정을 개시해도 된다. 이에 의해, 온조기로부터 열판에 가해지는 출력량이 의도적으로 변화되는 승온 제어 시의 과도기 등에 있어서 온도 시프트량의 판정이 행해지지 않고, 이상 영역의 특정이 필요한 기간(정상 상태의 기간)에 한정하여 이상 영역의 특정에 따른 처리를 행할 수 있다.

제어부는, 정상 범위를, 정상으로 가동하는 열판의 정상 상태에 있어서의, 측정 온도와 이상 온도와의 차이로서 변동할 수 있는 범위보다 넓게 설정해도 된다. 이에 의해, 예를 들면 정상 상태에 도달 후의 장치 가동 중에 있어서 기판이 반입될 시 등, 정상인 가동 상태이면서 측정 온도가 크게 변동하는 상태에 있어서, 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아니라고 판정되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상술한 제어에 의해 정상인 프로세스가 방해되는 것을 방지할 수 있다.

온조기는, 미리 설정된 지령 온도에 따라 복수의 영역을 가열하도록 구성되어 있고, 제어부는, 이상 영역에 따른 지령 온도를 변경함으로써, 상기 이상 영역의 온도 시프트량이 정상 범위 내가 되도록 보정 제어를 행하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 온조기에 설정되는 지령 온도를 변경함으로써, 이상 영역의 온도 시프트량을 간이 또한 적절하게 보정할 수 있다.

제어부는, 지령 온도의 변경 후에 있어서, 이상 영역에 따른 온조기의 출력량과, 정상 시의 지령 온도에 대응하는 온조기의 출력량과의 차이가 정해진 값보다 작은 제 1 상태가 될 때까지, 지령 온도의 변경을 반복해도 된다. 예를 들면, 부분 절단된 온도 센서의 측정 온도가 열판의 실제 온도로부터 괴리되어 있는 경우에는, 온도 센서의 측정 온도가 정확하지 않은 것이 상정된다. 이러한 경우에 있어서도, 실제 온도에 대응한 출력량이 정상이 되어 있는지 여부를 판정하고, 정상이 되어 있지 않은 경우에는 지령 온도를 변경하는 처리를 반복함으로써, 온도 센서의 측정 온도의 정확성에 관계없이 온도 이상을 보정할 수 있다.

제어부는, 제 1 상태가 된 후에 있어서, 이상 영역의 측정 온도에 기초하여, 이후의 처리의 계속 가부를 판정해도 된다. 제 1 상태가 되어 온도 이상이 보정된 후(즉 실제 온도가 정확한 상태)에 있어서, 이상 영역이 되어 있던 영역의 온도 센서의 측정 온도가 정확한지 여부를 판정함으로써, 당해 온도 센서를 이용하여 계속해 처리하는 것이 가능한지 여부를 적절히 판정할 수 있다.

제어부는, 온도 시프트량이 정상 범위 내인지 여부의 판정을, 열판의 온도가 정상 상태인 동안, 계속적으로 행해도 된다. 정상 상태인 동안, 계속적으로 이상 영역의 검지가 행해짐으로써, 이상 영역의 검지를 위한 전용 동작이 불필요해져, 통상의 장치 가동 레시피에 영향을 주지 않고 이상 영역의 검지를 행할 수 있다.

본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 방법은, 기판에 열을 부여하는 열판의 복수의 영역의 측정 온도와, 상기 복수의 영역의 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량을 산출하고, 상기 온도 시프트량이 정해진 정상 범위 내인지 여부를 판정하는 공정과, 판정 결과에 기초하여 이상 영역을 특정하는 공정을 포함한다.

이상 영역을 특정하는 공정에서는, 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아닌 영역의 온도 시프트량, 및, 온도 시프트량이 정상 범위 내인 영역의 온도 시프트량의 쌍방을 고려하여, 이상 영역을 특정해도 된다.

이상 영역을 특정하는 공정에서는, 복수의 영역 각각에 대응하는 온조기의 출력량을 고려하여, 이상 영역을 특정해도 된다.

이상 영역을 특정하는 공정에서는, 복수의 영역에, 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상인 영역이 존재하는 경우에는, 상기 영역을 이상 영역으로서 특정하고, 존재하지 않는 경우에는, 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아닌 영역을 이상 영역으로서 특정해도 된다.

열판의 온도가 정상 상태가 된 후에, 판정하는 공정을 개시해도 된다.

정상 범위를, 정상으로 가동하는 열판의 정상 상태에 있어서의, 측정 온도와 이상 온도와의 차이로서 변동할 수 있는 범위보다 넓게 설정하여, 판정하는 공정을 실행해도 된다.

상기 기판 처리 방법은, 열판을 가열하는 온조기의 지령 온도를 변경함으로써, 이상 영역의 온도 시프트량이 정상 범위 내가 되도록 보정 제어를 행하는 공정을 더 포함하고 있어도 된다.

보정 제어를 행하는 공정에서는, 지령 온도의 변경 후에 있어서, 이상 영역에 따른 온조기의 출력량과, 정상 시의 지령 온도에 대응하는 온조기의 출력량과의 차이가 정해진 값보다 작은 제 1 상태가 될 때까지, 지령 온도의 변경을 반복해도 된다.

보정 제어를 행하는 공정에서는, 제 1 상태가 된 후에 있어서, 이상 영역의 측정 온도에 기초하여, 이후의 처리의 계속 가부를 판정해도 된다.

열판의 온도가 정상 상태인 동안, 계속적으로 판정하는 공정을 실행해도 된다.

본 개시의 일태양에 따른 컴퓨터 판독 가능한 매체는, 상술한 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다.

본 개시에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 의하면, 열 처리에 있어서 온도 이상이 발생하고 있는 경우에, 이 온도 이상을 일으키고 있는 문제의 발생 영역을 정밀도 좋게 특정할 수 있다.

도 1은 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1 중의 II-II선을 따르는 단면도이다.
도 3은 도 2 중의 III-III선을 따르는 단면도이다.
도 4는 열 처리 유닛의 일례를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 5는 열판에 있어서의 온도 센서의 배치를 나타내는 모식도이다.
도 6은 온도 시프트 메커니즘을 설명하는 도이다.
도 7은 각 채널마다의 온도 시프트량과 출력량을 나타내는 그래프이다.
도 8은 컨트롤러의 하드웨어 구성도이다.
도 9는 기판 처리의 순서도이다.
도 10은 보정 제어의 순서도이다.

이하, 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 설명에서 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.

[기판 처리 시스템]

기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상의 기판은 예를 들면 반도체의 웨이퍼(W)이다. 감광성 피막은 예를 들면 레지스트막이다.

기판 처리 시스템(1)은 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는 웨이퍼(W) 상에 형성된 레지스트막의 노광 처리를 행한다. 구체적으로, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.

<도포·현상 장치>

이하, 기판 처리 장치의 일례로서, 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 ~ 도 3에 나타내는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 컨트롤러(100)를 구비한다.

캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내로의 웨이퍼(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 웨이퍼(W)의 반출을 행한다. 예를 들면 캐리어 블록(4)은 웨이퍼(W)용의 복수의 캐리어(11)를 지지 가능하며, 전달 암(A1)을 내장하고 있다. 캐리어(11)는 예를 들면 원형의 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 전달 암(A1)은 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)으로 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 되돌린다.

처리 블록(5)은 복수의 처리 모듈(14, 15, 16, 17)을 가진다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 처리 모듈(14, 15, 16, 17)은 복수의 액 처리 유닛(U1)과, 복수의 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(A3)을 내장하고 있다. 처리 모듈(17)은 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 거치지 않고 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 암(A6)을 더 내장하고 있다. 액 처리 유닛(U1)은 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은 예를 들면 열판 및 냉각판을 내장하고 있으며, 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각하여 열 처리를 행한다.

처리 모듈(14)은 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 처리 모듈(14)의 액 처리 유닛(U1)은 하층막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 처리 모듈(14)의 열 처리 유닛(U2)은 하층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.

처리 모듈(15)은 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 처리 모듈(15)의 액 처리 유닛(U1)은 레지스트막 형성용의 처리액(도포액)을 하층막 상에 도포한다. 처리 모듈(15)의 열 처리 유닛(U2)은 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 처리 모듈(15)의 액 처리 유닛(U1)에 대한 상세는 후술한다.

처리 모듈(16)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 처리 모듈(16)의 액 처리 유닛(U1)은 상층막 형성용의 처리액을 레지스트막 상에 도포한다. 처리 모듈(16)의 열 처리 유닛(U2)은 상층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.

처리 모듈(17)은 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해, 노광 후의 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 액 처리 유닛(U1)은 노광이 끝난 웨이퍼(W)의 표면 상에 현상용의 처리액(현상액)을 도포한 후, 이를 세정용의 처리액(린스액)에 의해 씻어냄으로써, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 열 처리 유닛(U2)은 현상 처리에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 열 처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 들 수 있다.

처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암(A7)이 마련되어 있다. 승강 암(A7)은 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다. 처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.

인터페이스 블록(6)은 노광 장치(3)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 예를 들면 인터페이스 블록(6)은 전달 암(A8)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 전달 암(A8)은 선반 유닛(U11)에 배치된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 전달하고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌린다.

컨트롤러(100)는 예를 들면 이하의 순서로 도포·현상 처리를 실행하도록 도포·현상 장치(2)를 제어한다.

먼저 컨트롤러(100)는, 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 반송하도록 전달 암(A1)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 하층막이 형성된 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 하층막 상에 레지스트막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U11)으로 반송하도록 직접 반송 암(A6)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 보내도록 전달 암(A8)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 노광 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아 선반 유닛(U11)으로 되돌리도록 전달 암(A8)을 제어한다.

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막에 현상 처리를 실시하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 캐리어(11) 내로 되돌리도록 승강 암(A7) 및 전달 암(A1)을 제어한다. 이상으로 도포·현상 처리가 완료된다.

또한, 기판 처리 장치의 구체적인 구성은, 이상으로 예시한 도포·현상 장치(2)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는 피막 형성용의 액 처리 유닛(U1)(처리 모듈(14, 15, 16)의 액 처리 유닛(U1))과, 이를 제어 가능한 컨트롤러(100)를 구비하고 있으면 어떠한 것이어도 된다.

<열 처리 유닛>

이어서, 처리 모듈(15)의 열 처리 유닛(U2)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 열 처리 유닛(U2)은 하우징(90)과, 가열 기구(30)와, 온도 조정 기구(50)와, 컨트롤러(100)(제어부)를 가진다.

하우징(90)은 가열 기구(30) 및 온도 조정 기구(50)를 수용하는 처리 용기이다. 하우징(90)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입구(91)가 개구되어 있다. 또한, 하우징(90) 내에는, 하우징(90) 내를 웨이퍼(W)의 이동 영역인 상방 영역과 하방 영역으로 구획하는 바닥판(92)이 마련되어 있다.

가열 기구(30)는 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 구성이다. 가열 기구(30)는 지지대(31)와, 천판부(32)와, 승강 기구(33)와, 열판(34)과, 지지 핀(35)과, 승강 기구(36)와, 배기 덕트(37)와, 히터(38)(온조기)와, 온도 센서(39)(상세하게는, 복수의 온도 센서(39a ~ 39g)(도 5 참조))를 가진다.

지지대(31)는 중앙 부분에 오목부가 형성된 원통 형상을 나타내는 부재이다. 지지대(31)는 열판(34)을 지지한다. 천판부(32)는 지지대(31)와 동일한 정도의 직경의 원판 형상의 부재이다. 천판부(32)는 예를 들면 하우징(90)의 천장 부분에 지지된 상태에서, 지지대(31)와 간극을 두고 대향한다. 천판부(32)의 상부에는 배기 덕트(37)가 접속되어 있다. 배기 덕트(37)는 챔버 내의 배기를 행한다.

승강 기구(33)는 컨트롤러(100)의 제어에 따라 천판부(32)를 승강시키는 구성이다. 승강 기구(33)에 의해 천판부(32)가 상승됨으로써, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 공간인 챔버가 열린 상태가 되고, 천판부(32)가 하강됨으로써, 챔버가 닫힌 상태가 된다.

열판(34)은 원 형상을 나타내는 평판이며(도 5 참조), 지지대(31)의 오목부에 감합되어 있다. 열판(34)은 웨이퍼(W)를 배치하고 또한 이 웨이퍼(W)에 열을 부여한다. 열판(34)은 히터(38)에 의해 가열된다. 열판(34)은 복수의 채널(영역)마다 히터(38)에 의해 가열된다. 열판(34)의 내부에는 상술한 복수의 채널마다, 열판(34)의 온도를 측정하도록 구성된 복수의 온도 센서(39a ~ 39g)(도 5 참조)가 마련되어 있다.

히터(38)는 열판(34)을 가열하는 온조기이다. 히터(38)는 예를 들면 저항 발열체로 구성되어 있다. 히터(38)는 컨트롤러(100)에 의해 설정된 지령 온도에 따라, 열판(34)의 복수의 채널을 가열하도록 구성되어 있다. 즉, 히터(38)에는 복수의 채널마다 지령 온도가 설정되어 있다. 각 채널의 지령 온도는 컨트롤러(100)에 의해 개별로 변경 가능하게 되어 있다. 히터(38)는 열판(34)의 실제 온도에 따른 출력량으로, 열판(34)을 가열한다.

복수의 온도 센서(39a ~ 39g)는 각각, 열판(34)의 복수의 채널(영역)에 일대일로 대응하여 마련되어 있어, 대응하는 채널에 있어서의 열판(34)의 온도를 측정한다. 복수의 온도 센서(39a ~ 39g)는 열판(34)의 내부에 마련되어 있어도 되고, 열판(34)의 하면에 마련되어 있어도 된다. 도 5는 열판(34)에 있어서의 복수의 온도 센서(39a ~ 39g)의 배치의 일례를 모식적으로 나타낸 도이다. 도 5에 나타내는 예에서는, 원 형상을 나타내는 열판(34)의 중심 부근에 온도 센서(39a)가 마련되어 있고, 열판(34)의 외연 부근에 있어서 둘레 방향에 대략 등간격으로 4 개의 온도 센서(39d, 39e, 39f, 39g)가 마련되어 있고, 직경 방향에 있어서의 온도 센서(39a)와 온도 센서(39d)와의 사이에 온도 센서(39b)가 마련되어 있고, 직경 방향에 있어서의 온도 센서(39a)와 온도 센서(39f)와의 사이에 온도 센서(39c)가 마련되어 있다.

지지 핀(35)은 지지대(31) 및 열판(34)을 관통하도록 연장되어 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하는 부재이다. 지지 핀(35)은 상하 방향으로 승강함으로써, 웨이퍼(W)를 정해진 위치에 배치한다. 지지 핀(35)은 웨이퍼(W)를 반송하는 온도 조정 플레이트(51)와의 사이에서 웨이퍼(W)의, 전달을 행하는 구성이다. 지지 핀(35)은 예를 들면 둘레 방향 등간격으로 3 개 마련되어 있다. 승강 기구(36)는 컨트롤러(100)의 제어에 따라 지지 핀(35)을 승강시키는 구성이다.

온도 조정 기구(50)는 열판(34)과 외부의 반송 암(A3)(도 3 참조)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하고(반송하고) 또한, 웨이퍼(W)의 온도를 정해진 온도로 조정하는 구성이다. 온도 조정 기구(50)는 온도 조정 플레이트(51)와, 연결 브래킷(52)을 가진다.

온도 조정 플레이트(51)는 배치된 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 플레이트이며, 상세하게는, 열판(34)에 의해 가열된 웨이퍼(W)를 배치하여 이 웨이퍼(W)를 정해진 온도로 냉각하는 플레이트이다. 온도 조정 플레이트(51)는 예를 들면 열전도율이 높은, 알루미늄, 은 또는 구리 등의 금속에 의해 구성되어 있고, 열에 의한 변형을 방지하는 관점 등으로부터 동일한 재료로 구성되어 있어도 된다. 온도 조정 플레이트(51)의 내부에는 냉각수 및(또는) 냉각 기체를 유통시키기 위한 냉각 유로(미도시)가 형성되어 있다.

연결 브래킷(52)은 온도 조정 플레이트(51)에 연결되고, 또한 컨트롤러(100)에 의해 제어되는 구동 기구(53)에 의해 구동되어, 하우징(90) 내를 이동한다. 보다 상세하게는, 연결 브래킷(52)은 하우징(90)의 반입구(91)로부터 가열 기구(30)의 근방에까지 연장되는 가이드 레일(미도시)을 따라 이동 가능하게 되어 있다. 연결 브래킷(52)이 가이드 레일(미도시)을 따라 이동함으로써, 온도 조정 플레이트(51)가 반입구(91)로부터 가열 기구(30)까지 이동 가능하게 되어 있다. 연결 브래킷(52)은 예를 들면 열전도율이 높은 알루미늄, 은 또는 구리 등의 금속에 의해 구성되어 있다.

컨트롤러(100)는 열판(34)의 복수의 채널마다, 온도 센서(39)의 표시 온도(온도 센서(39)가 측정하는 측정 온도)와, 히터(38)의 설정에 따른 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량을 산출하고, 이 온도 시프트량이 정해진 정상 범위 내인지 여부를 판정하는 것과, 판정 결과에 기초하여 이상 영역을 특정하는 것(예를 들면, 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아닌 채널이 존재하는 경우에, 이 채널을 이상 채널로서 특정하는 것)을 실행하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(100)는 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아닌 영역의 온도 시프트량 및 온도 시프트량이 정상 범위 내인 영역의 온도 시프트량의 쌍방을 고려하여 이상 영역을 특정한다.

컨트롤러(100)는 복수의 채널 각각에 대응하는 히터(38)의 출력량을 고려하여, 이상 채널을 특정한다. 컨트롤러(100)는 복수의 채널에, 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상이 된 채널이 존재하는 경우에는 이 채널을 이상 채널로서 특정하고, 존재하지 않는 경우에는 온도 시프트량이 정상 범위 내가 아닌 채널을 이상 채널로서 특정한다.

컨트롤러(100)는 열판(34)의 온도가 정상 상태가 된 후에, 온도 시프트량이 정상 범위 내인지 여부의 판정을 개시한다. 컨트롤러(100)는 온도 시프트량이 상술한 정상 범위 내인지 여부의 판정을 열판(34)의 온도가 정상 상태인 동안 계속적으로 행한다.

컨트롤러(100)는 상술한 정상 범위를, 정상으로 가동하는 열판(34)의 정상 상태에 있어서의, 온도 센서(39)의 표시 온도와 상술한 이상 온도와의 차이로서 변동할 수 있는 범위보다 넓게 설정한다.

컨트롤러(100)는 이상 채널에 따른 히터(38)의 지령 온도를 변경함으로써, 이 이상 채널의 온도 시프트량이 정상 범위 내가 되도록 보정 제어를 행하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(100)는 상기 지령 온도의 변경 후에 있어서, 이상 채널에 따른 히터(38)의 출력량과 정상 시의 상기 지령 온도에 대응하는 히터(38)의 출력량과의 차이가 정해진 값보다 작은 제 1 상태가 될 때까지, 지령 온도의 변경을 반복한다. 컨트롤러(100)는 제 1 상태가 된 후에 있어서, 이상 채널에 있어서의 온도 센서(39)의 표시 온도에 기초하여, 이후의 처리의 계속 가부를 판정한다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 컨트롤러(100)는 기능 모듈로서, 반송 제어부(101)와, 판정부(102)와, 이상 채널 특정부(103)와, 보정부(104)를 가진다.

반송 제어부(101)는 천판부(32)의 승강에 의해 챔버가 개폐되도록, 승강 기구(33)를 제어한다. 또한, 반송 제어부(101)는 지지 핀(35)의 승강에 의해 온도 조정 플레이트(51)와 지지 핀(35)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록, 승강 기구(36)를 제어한다. 또한, 반송 제어부(101)는 온도 조정 플레이트(51)가 하우징(90) 내를 이동하도록, 구동 기구(53)를 제어한다.

판정부(102)는 열판(34)의 복수의 채널마다, 온도 센서(39)의 표시 온도와 히터(38)의 설정에 따른 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량을 산출하고, 이 온도 시프트량이 정해진 정상 범위(이하, '밴드 폭'이라고 기재) 내인지 여부를 판정한다. 판정부(102)는 정해진 시간 간격으로, 복수의 온도 센서(39a ~ 39g)로부터 표시 온도를 취득한다. 히터(38)의 설정에 따른 이상 온도란, 미리 히터(38)에 설정되어 있는 지령 온도에 따라 열판(34)의 온도(정상인 상태의 열판(34)의 온도)로서 상정되는 온도이다. 판정부(102)는 상술한 밴드 폭을, 정상으로 가동하는 열판(34)의 정상 상태에 있어서의, 온도 센서(39)의 표시 온도와 이상 온도와의 차이로서 변동할 수 있는 범위(예를 들면, 챔버의 개폐에 의해 변동할 수 있는 범위)보다 넓게 설정한다.

판정부(102)는 열판(34)의 온도가 정상 상태가 된 후에, 온도 시프트량이 밴드 폭 내인지 여부의 판정을 개시한다. 즉, 판정부(102)는 프로세스의 개시 시에 있어서 의도적으로 열판(34)에 가해지는 출력량이 변화되는 승온 제어 시의 과도기 및 강온제어 시에 있어서, 온도 시프트량의 판정을 행하지 않고, 열판(34)의 온도가 정상 상태가 된 후에 당해 판정을 개시한다. 판정부(102)는 온도 시프트량이 밴드 폭 내인지 여부의 판정을 열판(34)의 온도가 정상 상태인 동안 계속적으로 행한다.

이상 채널 특정부(103)는 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 채널이 존재하는 경우에, 이 채널을 이상 채널로서 특정한다. 또한, 이상 채널 특정부(103)는 복수의 채널 각각에 대응하는 히터(38)의 출력량을 고려하여, 이상 채널을 특정한다. 이와 같이, 이상 채널 특정부(103)는 온도 시프트량 및 히터(38)의 출력량을 고려하여 이상 채널을 특정하고 있다.

구체적으로, 이상 채널 특정부(103)는 복수의 채널에, 히터(38)의 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상이 된 채널이 존재하는 경우에는, 이 채널을 이상 채널로서 특정하고(특정 처리 2), 존재하지 않는 경우에는, 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 채널을 이상 채널로서 특정한다(특정 처리 1).

상술한 특정 처리 1을 행하는 경우의 온도 시프트 메커니즘의 일례에 대하여, 도 6의 (a)를 참조하여 설명한다. 도 6의 (a)에서는 2 개의 채널(CH1, CH2)에 대하여 각각, 표시 온도(CH1에 대응하는 온도 센서(39a)로 측정되는 측정 온도 및 CH2에 대응하는 온도 센서(39b)로 측정되는 측정 온도)와 실제 온도가 나타나 있고, 종축이 온도, 횡축이 시간을 나타내고 있다. 도 6의 (a)에는, 시간의 경과에 따라, 정상 상태(ST1), 상승 제 1 상태(ST2) 및 상승 제 2 상태(ST3)를 나타내고 있다.

도 6의 (a)에 나타내는 정상 상태(ST1)에서는, 쌍방의 채널 모두 표시 온도와 실제 온도가 400℃ 전후로 되어 있다. 이 상태로부터, 예를 들면 온도 센서(39a)에 있어서 부분 절단이 발생하여 온도 센서(39a)의 저항값이 증가하면, CH1의 표시 온도가 실제 온도로부터 괴리되어 430℃ 전후가 되어, CH1의 표시 온도만이 상승한 상승 제 1 상태(ST2)가 된다. 이러한 경우에는, 히터(38)에 있어서의 CH1에 대응하는 지령 온도가 CH1의 온도를 상승분만큼 저하시키는 방향으로 변경되기 때문에, CH1의 표시 온도 및 실제 온도가 저하된 상승 제 2 상태(ST3)가 된다. 단, CH1에 근접하는 CH2의 온도가 영향을 주기 때문에, 상승 제 2 상태(ST3)에 있어서는, CH1의 표시 온도는 원래의 400℃까지는 저하되지 않는다. 또한, 상승 제 2 상태(ST3)에 있어서는, CH1의 실제 온도 저하의 영향이 CH2에도 미치게 되어, CH2의 표시 온도 및 실제 온도도 약간(CH1보다는 작은 폭으로) 저하된다.

상승 제 2 상태(ST3)에서는, 정상 상태(ST1)와 비교하여, CH1 및 CH2 모두 실제 온도가 저하되어 있기 때문에, 실제 온도에 따라 변화하는 히터(38)의 출력량이 특별히 커지는 채널은 존재하지 않는다. 또한 상승 제 2 상태(ST3)에서는, CH1의 표시 온도가 상승하고 있고(즉 온도 시프트량이 커지고 있고), 또한 실제 온도가 크게 저하되어 있다(즉 이상 채널이 되어 있다). 이상으로부터, 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상인 채널이 존재하지 않는 경우에는, 특정 처리 1을 행하여, 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 채널을 이상 채널로서 특정함으로써, 이상 채널을 적절히 특정할 수 있다.

상술한 특정 처리 2를 행하는 경우의 온도 시프트 메커니즘의 일례에 대하여, 도 6의 (b)를 참조하여 설명한다. 도 6의 (b)에서는 2 개의 채널(CH1, CH2)에 대하여 각각, 표시 온도(CH1에 대응하는 온도 센서(39a)로 측정되는 측정 온도 및 CH2에 대응하는 온도 센서(39b)로 측정되는 측정 온도)와 실제 온도가 나타나 있고, 종축이 온도, 횡축이 시간을 나타내고 있다. 도 6의 (b)에는 시간의 경과에 따라, 정상 상태(ST101)(왼쪽에 나타낸 상태), 저하 제 1 상태(ST102)(중간에 나타낸 상태) 및 저하 제 2 상태(ST103)(오른쪽에 나타낸 상태)를 나타내고 있다.

도 6의 (b)에 나타내는 정상 상태(ST101)에서는, 쌍방의 채널 모두 표시 온도와 실제 온도가 400℃ 전후로 되어 있다. 이 상태로부터, 온도 센서(39a)의 저항값이 감소하면, CH1의 표시 온도가 실제 온도로부터 괴리되어 370℃ 전후가 되고, CH1의 표시 온도만이 저하된 저하 제 1 상태(ST102)가 된다. 이러한 경우에는, 히터(38)에 있어서의 CH1에 대응하는 지령 온도가 CH1의 온도를 저하분만큼 상승시키는 방향으로 변경되기 때문에, CH1의 표시 온도 및 실제 온도가 상승한 저하 제 2 상태(ST103)가 된다. 단, CH1에 근접하는 CH2의 온도가 영향을 주기 때문에, 저하 제 2 상태(ST103)에 있어서는, CH1의 표시 온도는 원래의 400℃까지는 상승하지 않는다. 또한, 저하 제 2 상태(ST103)에 있어서는, CH1의 실제 온도 상승의 영향이 CH2에도 미치게 되어, CH2의 표시 온도 및 실제 온도도 약간(CH1보다는 작은 폭으로) 상승한다.

저하 제 2 상태(ST103)에서는, 정상 상태(ST1)와 비교하여, CH1의 실제 온도가 크게 상승하고(이상 채널이 되어 있고), CH1에 대응하는 히터(38)의 출력량이 특별히 커져 있다. 또한 저하 제 2 상태(ST103)에서는, CH2의 표시 온도가 CH1의 표시 온도보다 높아져 있다(즉 CH2의 온도 시프트량이 커져 있다). 이상으로부터, 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상인 채널이 존재하는 경우에는, 특정 처리 2를 행하여, 온도 시프트량이 큰 채널이 아닌 출력량이 큰 채널을 이상 채널로서 특정함으로써, 이상 채널을 적절히 특정할 수 있다.

특정 처리 1 및 특정 처리 2를 행하는 경우의 이상 채널의 특정에 대하여, 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7에 나타내는 7 개의 채널(CH1 ~ CH7)은, 도 5에 나타내는 CH1 ~ CH7에 대응하고 있다. 즉, 도 7에 나타내는 CH1 ~ CH7에 대응하는 온도 센서(39)는, 각각 도 5에 나타내는 온도 센서(39a ~ 39g)이다. 도 7에 나타내는 'CH1 조작'이란, CH1의 실제 온도를 상승 또는 저하시키는 것을 말한다. 'CH2 조작' 및 'CH4 조작'에 대해서도 마찬가지로 CH2(또는 CH4)의 실제 온도를 상승 또는 저하시키는 것을 말한다.

도 7에는 그래프(g1 ~ g9)의 9 개의 그래프를 나타내고 있다. 그래프(g1) ~ 그래프(g3)는 각 채널의 실제 온도를 변화시킨 경우의 각 채널의 온도 시프트량을 나타내고 있다. 상세하게는, 그래프(g1)는 CH1의 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우 및 20℃ 저하시킨 경우의 각 채널의 온도 시프트량을 나타내고 있고, 그래프(g2)는 CH2의 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우 및 20℃ 저하시킨 경우의 각 채널의 온도 시프트량을 나타내고 있고, 그래프(g3)는 CH4의 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우 및 20℃ 저하시킨 경우의 각 채널의 온도 시프트량을 나타내고 있다. 또한, 그래프(g4) ~ 그래프(g6)는 각 채널의 실제 온도를 변화시킨 경우의 각 채널의 출력량(히터(38)의 출력량), 및 실제 온도를 변화시키지 않는 경우의 정상 시의 각 채널의 출력량을 나타내고 있다. 상세하게는, 그래프(g4)는 CH1의 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우 및 20℃ 저하시킨 경우의 각 채널의 출력량 및 정상 시의 출력량을 나타내고 있고, 그래프(g5)는 CH2의 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우 및 20℃ 저하시킨 경우의 각 채널의 출력량 그리고 정상 시의 출력량을 나타내고 있고, 그래프(g6)는 CH4의 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우 및 20℃ 저하시킨 경우의 각 채널의 출력량 및 정상 시의 출력량을 나타내고 있다. 또한, 그래프(g7) ~ 그래프(g9)는 각 채널의 실제 온도를 변화시킨 경우의 각 채널의 출력 차분(온도를 변화시키지 않는 정상 시와의 출력 차분)을 나타내고 있다. 상세하게는, 그래프(g7)는 CH1의 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우 및 20℃ 저하시킨 경우의 출력 차분을 나타내고 있고, 그래프(g8)는 CH2의 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우 및 20℃ 저하시킨 경우의 출력 차분을 나타내고 있고, 그래프(g9)는 CH4의 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우 및 20℃ 저하시킨 경우의 출력 차분을 나타내고 있다.

도 7의 그래프(g1 ~ g3)에 나타내는 바와 같이, 실제 온도를 20℃ 저하시킨 경우(그래프(g1 ~ g3) 중에 있어서 '20℃'로 나타나는 경우)에서는, 실제 온도를 변화시켜 이상 채널로 한 채널의 온도 시프트량이 커져 있다. 도 7에 나타내는 예에서는, 예를 들면 밴드 폭을 1.5℃로 함으로써, 실제로 온도가 변화하고 있는 이상 채널만을 추출할 수 있다. 한편, 도 7의 그래프(g1 ~ g3)에 나타내는 바와 같이, 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우(그래프(g1 ~ g3) 중에 있어서 '-20℃'로 나타나는 경우)에서는, 실제 온도를 변화시킨 채널 이외의 온도 시프트량이 커져 있다. 예를 들면 그래프(g1)에서는, CH1에 근방하는(도 5 참조), CH2 및 CH3의 온도 시프트량이 커져 있다. 이 점으로부터, 온도 시프트량만으로부터 이상 채널을 특정할 수 없는 경우가 있다고 할 수 있다.

도 7의 그래프(g4 ~ g6)에 나타내는 바와 같이, 실제 온도를 20℃ 상승시킨 경우(그래프(g4 ~ g9) 중에 있어서 '-20℃'로 나타나는 경우)에서는, 실제 온도를 변화시켜 이상 채널로 한 채널의 출력량이 커져 있다. 이 경우에는, 도 7의 그래프(g7 ~ g9)에 나타내는 바와 같이, 정상 시와의 출력량의 차분에 대해서도, 실제 온도를 변화시켜 이상 채널로 한 채널이 커진다. 도 7에 나타내는 예에서는, 예를 들면 출력량의 정상치와의 차분이 정해진 위 이상이 되어 있는지 여부를 판정하기 위한 당해 정해진 값을, 출력량의 20% 정도로 함으로써, 실제로 온도가 변화하고 있는 이상 채널만을 추출할 수 있다(도 7의 그래프(g7 ~ g9) 참조).

이상으로부터, 이상 채널 특정부(103)가, 복수의 채널에, 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상이 된 채널이 존재하는 경우에는, 이 채널을 이상 채널로서 특정하고(특정 처리 2), 존재하지 않는 경우에는, 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 채널을 이상 채널로서 특정(특정 처리 1)함으로써, 고정밀도로 이상 채널을 특정할 수 있다.

보정부(104)는 이상 채널에 따른 히터(38)의 지령 온도를 변경함으로써, 이 이상 채널의 온도 시프트량이 정상 범위 내가 되도록 보정 제어를 행한다. 구체적으로, 보정부(104)는 이상 채널 특정부(103)에 의해 이상 채널로서 특정된 채널의 온도 센서(39)로부터 열판(34)의 온도를 취득하고, 온도 이상을 개선하는 방향으로 온도 변화하도록 히터(38)의 지령 온도를 변경한다. 보정부(104)는 상술한 지령 온도의 변경 후에 있어서, 이상 채널에 따른 히터(38)의 출력량과 정상 시의 상기 지령 온도에 대응하는 히터(38)의 출력량과의 차이가 정해진 값보다 작은 제 1 상태가 될 때까지, 지령 온도의 변경을 반복한다. 보정부(104)는 상술한 제 1 상태가 된 후에 있어서, 이상 채널에 있어서의 온도 센서(39)의 표시 온도에 기초하여, 이후의 처리의 계속 가부를 판정한다. 구체적으로, 보정부(104)는 이상 채널의 온도 센서(39)로부터 취득한 표시 온도가 당해 채널의 이상 온도에 근접하고 있는 경우에는 이후의 처리를 계속하고, 근접하고 있지 않은 경우에는 이후의 처리를 중지한다. 제 1 상태가 되었음(출력량이 정상이 되어 실제 온도가 올바르게 보정되어 이상 온도에 가까워졌음)에도 불구하고 온도 센서(39)의 표시 온도가 이상 온도로부터 괴리되어 있다고 하는 것은, 즉 온도 센서(39)가 정상으로 동작할 수 없는 것을 나타내고 있기 때문에, 이 후의 처리를 중지해도 된다.

컨트롤러(100)는 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들면 컨트롤러(100)는, 도 8에 나타내는 회로(120)를 가진다. 회로(120)는 하나 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 입출력 포트(124)와, 타이머(125)를 가진다.

입출력 포트(124)는 승강 기구(33, 36), 구동 기구(53), 온도 센서(39) 및 히터(38)와의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(125)는 예를 들면 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다. 스토리지(123)는 예를 들면 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체를 가진다. 기록 매체는 후술의 기판 처리 순서를 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 기록 매체는 비휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(122)는 스토리지(123)의 기록 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기록한다. 프로세서(121)는 메모리(122)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다.

또한, 컨트롤러(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 컨트롤러(100)의 각 기능 모듈은, 전용의 논리 회로 또는 이를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.

[기판 처리 순서]

이어서, 기판 처리 방법의 일례로서, 컨트롤러(100)의 제어에 따라 열 처리 유닛(U2)이 실행하는 기판 처리 순서를, 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9에 나타내는 기판 처리의 시퀀스는, 그 외의 기판 처리와 병행하여 실행되고, 열판(34)의 온도가 정상 상태인 동안, 계속적으로 실행된다.

도 9에 나타내는 처리에서는, 먼저 단계(S1)가 실행된다. 단계(S1)에서는, 컨트롤러(100)가 표시 온도가 이상이 된 채널(이상 채널)이 존재하는지 여부를 판정한다. 구체적으로, 컨트롤러(100)는 열판(34)의 복수의 채널마다, 온도 센서(39)의 표시 온도와 히터(38)의 설정에 따른 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량을 산출하여, 이 온도 시프트량이 정해진 밴드 폭 내인지 여부를 판정하고, 밴드 폭 내가 아닌 채널이 존재하는 경우에, 이상 채널이 존재한다고 판정한다.

이어서, 단계(S2)가 실행된다. 단계(S2)에서는, 컨트롤러(100)가 출력량의 상승 정도가 큰 채널이 존재하는지 여부를 판정한다. 구체적으로, 컨트롤러(100)는 복수의 채널에, 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상이 된 채널이 존재하는지 여부를 판정한다. 단계(S2)에 있어서 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상이 된 채널이 존재한다고 판정한 경우에는 단계(S3)가 실행되고, 존재하지 않는다고 판정한 경우에는 단계(S4)가 실행된다.

단계(S3)에서는, 컨트롤러(100)가 출력량의 상승 정도가 큰(출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상이 된) 채널을 이상 채널로서 특정한다. 단계(S4)에서는, 컨트롤러(100)가 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아니라고 판정한 채널(온도 시프트 채널)을 이상 채널로서 특정한다.

이어서, 단계(S5)가 실행된다. 단계(S5)에서는, 컨트롤러(100)가 보정 제어를 실행한다. 이상이 기판 처리 순서의 일례이다.

이어서, 상술한 기판 처리 순서의 단계(5)(보정 제어)에 대하여, 도 10을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 10에 나타내는 처리에서는, 먼저 단계(S51)가 실행된다. 단계(S51)에서는, 컨트롤러(100)가 이상 채널에 따른 히터(38)의 지령 온도를 변경한다. 구체적으로, 보정부(104)는 이상 채널 특정부(103)에 의해 이상 채널로서 특정된 채널의 온도 센서(39)로부터 열판(34)의 온도를 취득하고, 온도 이상을 개선하는 방향으로 온도 변화하도록 히터(38)의 지령 온도를 변경한다.

이어서, 단계(S52)가 실행된다. 단계(S52)에서는, 컨트롤러(100)가 단계(S51)에 있어서의 지령 온도의 변경으로부터 정해진 시간이 경과하고 있는지(정해진 안정 시간만큼 대기했는지) 여부를 판정한다. 단계(S52)에 있어서 정해진 시간이 경과하고 있다고 판정한 경우에는 단계(S53)가 실행되고, 경과하지 않았다고 판정한 경우에는 재차 단계(S52)가 실행된다.

단계(S53)에서는, 컨트롤러(100)가, 이상 채널에 따른 히터(38)의 출력량(현재의 출력량)(MV)과 정상 시의 상기 지령 온도(즉 단계(S51)에 있어서 변경하기 전의 지령 온도)에 대응하는 히터(38)의 출력량(정상 시의 출력량)(MV′)과의 차이가 정해진 값보다 작은 제 1 상태가 되어 있는지 여부를 판정한다. 단계(S53)에 있어서 제 1 상태가 되지 않았다고 판정한 경우에는 재차 단계(S51)의 처리가 실행되어, 재차 지령 온도가 변경된다. 한편, 단계(S53)에 있어서 제 1 상태가 되었다고 판정한 경우에는 단계(S54)가 실행된다.

단계(S54)에서는, 컨트롤러(100)가, 이상 채널의 온도 센서(39)로부터 취득한 표시 온도(PV)와 당해 채널의 이상 온도(SV)와의 차이가 정해진 값보다 작은지 여부를 판정한다. 단계(S54)에 있어서 정해진 값보다 작다(즉 표시 온도(PV)가 이상 온도(SV)에 근접한다)고 판정한 경우에는, 컨트롤러(100)가 정상 처리라 판정하여 그 후의 처리를 계속한다(단계(S55)). 한편, 단계(S54)에 있어서 정해진 값보다 작지 않다고 판정한 경우에는, 컨트롤러(100)가 이상 처리라 판정하여 그 후의 처리를 중지한다(단계(S56)). 이상이 보정 제어 처리의 일례이다.

[작용 효과]

열 처리 유닛(U2)은 웨이퍼(W)를 배치하고 또한 웨이퍼(W)에 열을 부여하는 열판(34)과, 열판(34)을 가열하는 히터(38)와, 열판(34)의 복수의 채널에 대응하여 마련되어, 열판(34)의 온도를 측정하는 복수의 온도 센서(39a ~ 39g)와, 컨트롤러(100)를 구비하고, 컨트롤러(100)는 복수의 채널마다, 온도 센서(39)의 표시 온도와 히터(38)의 설정에 따른 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량을 산출하고, 이 온도 시프트량이 정해진 밴드 폭 내인지 여부를 판정하는 것과, 판정 결과에 기초하여 이상 영역을 특정하는 것(예를 들면, 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 채널이 존재하는 경우에, 이 채널을 이상 영역으로서 특정하는 것)을 실행하도록 구성되어 있다.

당해 열 처리 유닛(U2)에서는, 열판(34)의 복수의 채널에 대응하여 각각 온도 센서(39)가 마련되어 있다. 그리고 복수의 채널마다, 표시 온도와 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량이 밴드 폭 내인지 여부가 판정되고, 이 판정 결과에 기초하여 이상 채널이 특정된다. 이와 같이, 복수의 채널마다 온도 센서(39a ~ 39g)가 마련되어 복수의 채널마다 온도 시프트량이 밴드 폭 내인지 여부가 판정되고, 이 판정 결과가 이상 채널의 특정에 이용됨으로써, 복수의 채널 각각에 있어서의 온도 상황(온도 이상의 발생 유무)을 고려하여 이상 채널을 특정할 수 있다. 각 채널의 온도 상황을 고려함으로써, 예를 들면 전체에서 1 개 밖에 온도 센서가 마련되어 있지 않은 경우와 비교하여, 온도 이상을 일으키고 있는 이상 채널(문제 발생 영역)을 정밀도 좋게 특정할 수 있다.

컨트롤러(100)는 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 채널의 온도 시프트량, 및, 온도 시프트량이 밴드 폭 내인 채널의 온도 시프트량의 쌍방을 고려하여, 이상 채널을 특정해도 된다. 예를 들면, 2 개의 채널 중 일방의 채널의 표시 온도가 타방의 채널의 표시 온도보다 높고, 일방의 채널에 대해서만 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아니라고 판정된 경우를 상정한다. 이 경우, 예를 들면 2 개의 채널의 어느 일방에 있어서 실제 온도가 정상 시보다 저하되어 있다고 추정된다. 상술한 타방의 채널(온도 시프트량이 밴드 폭 내라고 판정되어 있는 채널)에 있어서 실제 온도가 저하되어 있다고 하면, 타방의 채널의 온도 시프트량은 밴드 폭 내이며, 타방의 채널의 열 영향이 일방의 채널에 과도하게 미치지 않고, 일방의 채널의 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 되도록 히터(38)에 의한 제어가 적절히 행해지기 때문에, 상술한 상태(일방의 채널의 온도 시프트량만이 밴드 폭 내가 아닌 상태)에서 안정되는 경우는 없다고 상정된다. 따라서, 타방의 채널에 있어서 실제 온도가 저하되어 있는 경우는 없다고 상정된다. 한편, 일방의 채널(온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아니라고 판정되어 있는 채널)에 있어서 실제 온도가 저하되어 있다고 하면, 일방의 채널의 표시 온도에 따라 일방의 채널의 온도를 저하시키기 위하여 히터(38)에 의한 제어를 행한 경우(일방의 채널에 대응하는 히터(38)의 출력을 예를 들면 제로로 한 경우)라도, 타방의 채널에 의한 열 영향으로 실제 온도가 인상되고, 그 인상된 분에 따라 표시 온도도 올라, 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 상태가 계속되는 경우가 있을 수 있다. 따라서, 실제 온도가 저하되어 있는 케이스에 있어서 일방의 채널의 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아니라고 판정되고, 타방의 채널의 온도 시프트량이 밴드 폭 내라고 판정되어 있는 경우에는, 일방의 채널에 있어서 실제 온도가 저하되어 있어, 이 일방의 채널을 이상 채널이라 특정할 수 있다. 이와 같이, 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 채널의 온도 시프트량 및 밴드 폭 내인 채널의 온도 시프트량을 고려함으로써, 적절히 이상 채널을 특정할 수 있다.

컨트롤러(100)는 복수의 채널 각각에 대응하는 히터(38)의 출력량을 고려하여, 이상 채널을 특정한다. 예를 들면 이상 채널에 대하여 온도 제어를 행한 경우에, 이 온도 제어의 영향이 이상 채널 이외의 영역에도 미쳐, 이상 채널 이외의 채널의 온도 시프트량이 밴드 폭 외가 되는 경우가 있다. 이상 채널 이외에 대하여 온도 시프트량이 밴드 폭 외가 되어 있는 경우에 있어서는, 온도 시프트량만으로부터 이상 채널을 임의로 특정할 수가 없다. 여기서, 히터(38)의 출력량은 열판(34)의 실제 온도에 따라 변화한다. 이 때문에, 컨트롤러(100)가 히터(38)의 출력량을 고려하여 이상 채널을 특정함으로써, 실제 온도가 크게 변화하고 있는 채널(즉 이상 채널)을 적절히 특정할 수 있다. 즉, 출력량을 고려하여 이상 채널을 특정함으로써, 보다 정밀도 좋게, 온도 이상이 발생하고 있는 채널을 특정할 수 있다.

컨트롤러(100)는, 복수의 채널에, 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상이 된 채널이 존재하는 경우에는, 이 채널을 이상 채널로서 특정하고, 존재하지 않는 경우에는, 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아닌 채널을 이상 채널로서 특정한다.

예를 들면 온도 센서(19)에 관한 문제 등을 이유로서 온도 센서(19)의 측정 온도가 열판(34)의 실제 온도로부터 괴리되는 태양으로서, 표시 온도가 실제 온도보다 높아지는 케이스(표시 온도 상승 케이스)와, 표시 온도가 실제 온도보다 낮아지는 케이스(표시 온도 저하 케이스)가 상정된다. 표시 온도 상승 케이스에서는, 이 표시 온도에 기초하여 히터(38)의 설정이 변경(온도를 저하시키는 방향으로 변경)되고, 이 히터(38)가 대응하는 채널(표시 온도 상승 채널)의 표시 온도 및 실제 온도가 저하되게 된다. 그리고, 표시 온도 상승 채널에 있어서의 실제 온도 저하의 영향이 다른 채널에도 미침으로써, 다른 채널의 표시 온도 및 실제 온도도 약간(표시 온도 상승 채널보다는 작은 폭으로) 저하되게 된다. 이와 같이, 표시 온도 상승 케이스에서는, 표시 온도 상승 채널에 있어서, 다른 채널보다 표시 온도가 높아지고, 또한 실제 온도가 저하됨으로써 출력량이 작아진다. 표시 온도 상승 케이스에서는, 표시 온도 상승 채널 및 다른 채널 모두, 실제 온도가 저하되어 있고 출력량이 작아져 있기 때문에, 복수의 채널에 있어서 정상 시와의 출력량의 차분이 커지는 채널은 존재하지 않는다. 그리고, 실제 온도가 다른 채널보다 저하되어 이상 채널이 될 수 있는 표시 온도 상승 채널은, 다른 채널보다 표시 온도가 높아 온도 시프트량이 크다. 이상으로부터, 정상 시와의 출력량의 차분이 커지는 채널이 존재하지 않는 경우에, 온도 시프트량이 큰(밴드 폭 내가 아닌) 채널을 이상 채널로서 특정함으로써, 온도 이상이 발생하고 있는 채널을 정밀도 좋게 특정할 수 있다. 또한 표시 온도 저하 케이스에서는, 이 표시 온도에 기초하여 히터(38)의 설정이 변경(온도를 올리는 방향으로 변경)되면, 이 히터(38)가 대응하는 채널(표시 온도 저하 채널)의 표시 온도 및 실제 온도가 오르게 된다. 그리고, 표시 온도 저하 채널에 있어서의 실제 온도 상승의 영향이 다른 채널에도 미침으로써, 다른 채널의 표시 온도 및 실제 온도도 약간(표시 온도 저하 채널보다는 작은 폭으로) 오르게 된다. 이와 같이, 표시 온도 저하 케이스에서는, 표시 온도 저하 채널에 있어서, 다른 채널보다, 표시 온도가 낮아지고, 또한 실제 온도가 오름으로써 출력량이 커진다. 표시 온도 저하 케이스에서는, 이상 채널이 될 수 있는 표시 온도 저하 채널의 출력량이 다른 채널과 비교해 특별히 커진다. 그리고, 다른 채널의 표시 온도가 표시 온도 저하 채널보다 높다(즉 온도 시프트량이 크다). 이상으로부터, 출력량의 차분이 커지는 채널이 존재하는 경우에, 온도 시프트량이 큰 채널이 아닌 정상 시와의 출력량의 차분이 큰 채널을 이상 채널로서 특정함으로써, 온도 이상이 발생하고 있는 채널을 정밀도 좋게 특정할 수 있다.

컨트롤러(100)는 열판(34)의 온도가 정상 상태가 된 후에, 온도 시프트량이 정상 범위 내인지 여부의 판정을 개시한다. 이에 의해, 히터(38)로부터 열판(34)에 가해지는 출력량이 의도적으로 변화되는 승온 제어 시의 과도기 등에 있어서 온도 시프트량의 판정이 행해지지 않고, 이상 채널의 특정이 필요한 기간(정상 상태의 기간)에 한정하여 이상 채널의 특정에 따른 처리를 행할 수 있다.

컨트롤러(100)는, 상술한 정상 범위를, 정상으로 가동하는 열판(34)의 정상 상태에 있어서의, 온도 센서(39)의 표시 온도와 상술한 이상 온도와의 차이로서 변동할 수 있는 범위보다 넓게 설정한다. 이에 의해, 예를 들면 정상 상태에 도달 후의 장치 가동 중에 있어서 웨이퍼(W)가 반입될 시(챔버가 개방될 시) 등, 정상인 가동 상태이면서 표시 온도가 크게 변동하는 상태에 있어서, 온도 시프트량이 밴드 폭 내가 아니라고 판정되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상술한 제어에 의해 정상인 프로세스가 방해되는 것을 방지할 수 있다.

히터(38)는 미리 설정된 지령 온도에 따라 복수의 채널을 가열하도록 구성되어 있고, 컨트롤러(100)는 이상 채널에 따른 히터(38)의 지령 온도를 변경함으로써, 이 이상 채널의 온도 시프트량이 정상 범위 내가 되도록 보정 제어를 행하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있다. 히터(38)에 설정되는 지령 온도를 변경함으로써, 이상 채널의 온도 시프트량을 간이 또한 적절하게 보정할 수 있다.

컨트롤러(100)는 상기 지령 온도의 변경 후에 있어서, 이상 채널에 따른 히터(38)의 출력량과, 정상 시의 상기 지령 온도에 대응하는 히터(38)의 출력량과의 차이가 정해진 값보다 작은 제 1 상태가 될 때까지, 지령 온도의 변경을 반복한다. 예를 들면, 부분 절단된 온도 센서(19)의 표시 온도가 열판(34)의 실제 온도로부터 괴리되어 있는 경우에는, 온도 센서(19)의 표시 온도가 정확하지 않은 것이 상정된다. 이러한 경우에 있어서도, 실제 온도에 대응한 출력량이 정상이 되어 있는지 여부를 판정하고, 정상이 되어 있지 않은 경우에는 지령 온도를 변경하는 처리를 반복함으로써, 온도 센서(19)의 표시 온도의 정확성에 관계없이 온도 이상을 보정할 수 있다.

컨트롤러(100)는, 제 1 상태가 된 후에 있어서, 이상 채널에 있어서의 온도 센서(39)의 표시 온도에 기초하여, 이후의 처리의 계속 가부를 판정한다. 제 1 상태가 되어 온도 이상이 보정된 후(즉 실제 온도가 정확한 상태)에 있어서, 이상 채널이 되어 있던 채널의 온도 센서(19)의 표시 온도가 정확한지 여부를 판정함으로써, 당해 온도 센서(19)를 이용하여 계속하여 처리하는 것이 가능한지 여부를 적절히 판정할 수 있다.

컨트롤러(100)는 온도 시프트량이 상술한 정상 범위 내인지 여부의 판정을, 열판(34)의 온도가 정상 상태인 동안, 계속적으로 행한다. 정상 상태인 동안, 계속적으로 이상 채널의 검지가 행해짐으로써, 이상 채널의 검지를 위한 전용 동작이 불필요해져, 통상의 장치 가동 레시피에 영향을 주지 않고 이상 채널의 검지를 행할 수 있다.

이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.

예를 들면, 히터(38)의 출력량을 고려하여 이상 채널을 특정하는 예를 설명했지만, 항상 온도 시프트량만으로부터 이상 채널을 특정할 수 있는 경우에는, 히터(38)의 출력량에 관계없이 온도 시프트량만으로부터 이상 채널을 특정해도 된다.

2 : 도포·현상 장치(기판 처리 장치)
34 : 열판
38 : 히터(온조기)
39a, 39b, 39c, 39d, 39e, 39f, 39g : 온도 센서
100 : 컨트롤러(제어부)
W : 웨이퍼(기판)

Claims

기판을 배치하고 또한 기판에 열을 부여하는 열판과,
상기 열판을 가열하는 온조기와,
상기 열판의 복수의 영역에 대응하여 마련되어, 상기 열판의 온도를 측정하는 복수의 온도 센서와,
제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 복수의 영역마다, 상기 온도 센서의 측정 온도와 상기 온조기의 설정에 따른 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량을 산출하고, 상기 온도 시프트량이 정해진 정상 범위 내인지 여부를 판정하는 것과,
판정 결과에 기초하여 이상 영역을 특정하는 것을 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내가 아닌 영역의 상기 온도 시프트량 및 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내인 영역의 상기 온도 시프트량의 쌍방을 고려하여, 상기 이상 영역을 특정하는, 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 복수의 영역 각각에 대응하는 상기 온조기의 출력량을 고려하여, 상기 이상 영역을 특정하는, 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 복수의 영역에, 상기 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상이 된 영역이 존재하는 경우에는 상기 영역을 상기 이상 영역으로서 특정하고, 존재하지 않는 경우에는, 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내가 아닌 영역을 상기 이상 영역으로서 특정하는, 기판 처리 장치.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 열판의 온도가 정상 상태가 된 후에, 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내인지 여부의 판정을 개시하는, 기판 처리 장치.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 정상 범위를, 정상으로 가동하는 상기 열판의 정상 상태에 있어서의, 상기 측정 온도와 상기 이상 온도와의 차이로서 변동할 수 있는 범위보다 넓게 설정하는, 기판 처리 장치.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온조기는 미리 설정된 지령 온도에 따라 상기 복수의 영역을 가열하도록 구성되어 있고,
상기 제어부는,
상기 이상 영역에 따른 상기 지령 온도를 변경함으로써, 상기 이상 영역의 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내가 되도록 보정 제어를 행하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
제 7 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 지령 온도의 변경 후에 있어서, 상기 이상 영역에 따른 상기 온조기의 출력량과 정상 시의 상기 지령 온도에 대응하는 상기 온조기의 출력량과의 차이가 정해진 값보다 작은 제 1 상태가 될 때까지, 상기 지령 온도의 변경을 반복하는, 기판 처리 장치.
제 8 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제 1 상태가 된 후에 있어서, 상기 이상 영역의 상기 측정 온도에 기초하여, 이후의 처리의 계속 가부를 판정하는, 기판 처리 장치.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내인지 여부의 판정을 상기 열판의 온도가 정상 상태인 동안 계속적으로 행하는, 기판 처리 장치.
기판에 열을 부여하는 열판의 복수의 영역의 측정 온도와 상기 복수의 영역의 이상 온도와의 차이인 온도 시프트량을 산출하고, 상기 온도 시프트량이 정해진 정상 범위 내인지 여부를 판정하는 공정과,
판정 결과에 기초하여 이상 영역을 특정하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
제 11 항에 있어서,
상기 이상 영역을 특정하는 공정에서는, 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내가 아닌 영역의 상기 온도 시프트량 및 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내인 영역의 상기 온도 시프트량의 쌍방을 고려하여, 상기 이상 영역을 특정하는, 기판 처리 방법.
제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 이상 영역을 특정하는 공정에서는, 상기 복수의 영역 각각에 대응하는 온조기의 출력량을 고려하여, 상기 이상 영역을 특정하는, 기판 처리 방법.
제 13 항에 있어서,
상기 이상 영역을 특정하는 공정에서는, 상기 복수의 영역에, 상기 출력량의 정상 시와의 차분이 정해진 값 이상인 영역이 존재하는 경우에는 상기 영역을 상기 이상 영역으로서 특정하고, 존재하지 않는 경우에는 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내가 아닌 영역을 상기 이상 영역으로서 특정하는, 기판 처리 방법.
제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열판의 온도가 정상 상태가 된 후에 상기 판정하는 공정을 개시하는, 기판 처리 방법.
제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 정상 범위를, 정상으로 가동하는 상기 열판의 정상 상태에 있어서의, 상기 측정 온도와 상기 이상 온도와의 차이로서 변동할 수 있는 범위보다 넓게 설정하여, 상기 판정하는 공정을 실행하는, 기판 처리 방법.
제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열판을 가열하는 온조기의 지령 온도를 변경함으로써, 상기 이상 영역의 상기 온도 시프트량이 상기 정상 범위 내가 되도록 보정 제어를 행하는 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
제 17 항에 있어서,
상기 보정 제어를 행하는 공정에서는, 상기 지령 온도의 변경 후에 있어서, 상기 이상 영역에 따른 상기 온조기의 출력량과 정상 시의 상기 지령 온도에 대응하는 상기 온조기의 출력량과의 차이가 정해진 값보다 작은 제 1 상태가 될 때까지, 상기 지령 온도의 변경을 반복하는, 기판 처리 방법.
제 18 항에 있어서,
상기 보정 제어를 행하는 공정에서는, 상기 제 1 상태가 된 후에 있어서, 상기 이상 영역의 상기 측정 온도에 기초하여 이후의 처리의 계속 가부를 판정하는, 기판 처리 방법.
제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열판의 온도가 정상 상태인 동안 계속적으로 상기 판정하는 공정을 실행하는, 기판 처리 방법.
제 11 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항 기재된 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.