JP2017027968A - 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を保持するための吸引管路網に異常が生じた場合に、異常個所の特定及び修復を迅速に実行可能な装置、方法及び記録媒体を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のチャックＣ１と、負圧をチャックＣ１に伝達する主管路網５０及び副管路網６０とを備え、主管路網５０は、第一主管路５１と、第一主管路５１から延出し、複数のチャックＣ１にそれぞれ接続された複数の第二主管路５２と、第一主管路５１に設けられた第一主弁５５及び複数の第二主弁５６と、複数の第二主管路５２にそれぞれ設けられた複数の第三主弁５７とを有し、副管路網６０は、第一副管路６１と、第一副管路６１から延出し、チャックＣ１と第三主弁５７との間の第二接続点５４において複数の第二主管路５２にそれぞれ接続された複数の第二副管路６２と、複数の第二副管路６２にそれぞれ設けられた複数の第二副弁６４とを有する。
【選択図】図４

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体に関する。

半導体デバイスの製造においては、工程の進捗に応じてウェハに反りが生じる場合がある。このような反りの影響を軽減すべく、例えば特許文献１には、処理対象のウェハを熱板側に吸引することで、反りを矯正して熱処理を行う装置が開示されている。

特開２００７−３００４７号公報

上述した装置においては、吸引による反りの矯正を安定的に行う必要がある。このため、吸引管路網に異常が生じた場合には、異常個所の特定及び修復を迅速に行う必要がある。

そこで本開示は、基板を保持するための吸引管路網に異常が生じた場合に、異常個所の特定及び修復を迅速に実行可能な装置、方法及び記録媒体を提供することを目的とする。

本開示の一形態に係る基板処理装置は、複数の基板を吸引によりそれぞれ保持する複数の保持部と、吸引用の負圧を保持部に伝達する主管路網及び副管路網と、を備え、主管路網は、負圧の発生源に接続された第一主管路と、第一主管路に沿って並ぶ複数の第一接続点においてそれぞれ第一主管路から延出し、複数の保持部にそれぞれ接続された複数の第二主管路と、複数の第二主管路と負圧の発生源との間に介在するように第一主管路に設けられた第一主弁と、隣り合う第一接続点同士の間にそれぞれ介在するように第一主管路に設けられた複数の第二主弁と、複数の第二主管路にそれぞれ設けられた複数の第三主弁とを有し、副管路網は、負圧の発生源に接続された第一副管路と、第一副管路から延出し、保持部と第三主弁との間の第二接続点において複数の第二主管路にそれぞれ接続された複数の第二副管路と、複数の第二副管路にそれぞれ設けられた複数の副弁とを有する。

このような構成によれば、以下に例示するように、第一主弁、第二主弁、第三主弁、及び副弁の開閉を適宜切り替えることにより、吸引異常の原因箇所の特定及び修復を迅速に実行できる。

基板処理装置は、第一主弁、第二主弁、第三主弁及び副弁を制御するコントローラを更に備え、コントローラは、
（ａ） いずれの保持部においても吸引異常が検出されていない場合に、第一主弁、第二主弁及び第三主弁を開き、全ての副弁を閉じること、
（ｂ） 一部の保持部において吸引異常が検出され、他の保持部において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出された保持部に対応する第三主弁を閉じ、当該第三主弁に対応する副弁を開くこと、
（ｃ） 上記（ｂ）により保持部の吸引異常が解消した場合に、当該保持部に対応する第二主管路のうち、第一接続点と第二接続点との間（以下、「第一部分」という。）が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
（ｄ） 上記（ｂ）により保持部の吸引異常が解消しない場合に、当該保持部に対応する第二主管路のうち、第二接続点と保持部との間（以下、「第二部分」という。）が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
（ｅ） 吸引異常の原因箇所を報知すること、
を実行するように構成されていてもよい。

この構成によれば、いずれの保持部においても吸引異常が検出されていない場合、主管路網により各保持部に負圧が伝達される。いずれかの保持部において吸引異常が検出される場合、当該保持部に対応する第二主管路が原因箇所である可能性がある。このとき、第三主弁を閉じて副弁を開くことで吸引異常が解消される場合、第二主管路のうち第一接続点と第二接続点との間が原因箇所である可能性が高い。一方、吸引異常が解消されない場合には、当該保持部と第二接続点との間が原因箇所である可能性が高い。このため、上記（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を実行することにより、迅速且つ的確に吸引異常の原因箇所を特定できる。また、上記（ｅ）を実行することにより、吸引異常の原因箇所を直ちにオペレータに報知できる。従って、吸引異常の原因箇所の特定及び修復を迅速に実行できる。

コントローラは、
（ｆ） 上記（ｃ）の後、上記（ｅ）の前に、吸引異常の原因箇所に対応する第一接続点に隣接する全ての第二主弁を閉じ、当該第一接続点に対して第一主弁の逆側に位置する全ての第三主弁を閉じ、当該全ての第三主弁にそれぞれ対応する全ての副弁を開くこと、
（ｇ） 上記（ｄ）の後、上記（ｅ）の前に、吸引異常の原因箇所に対応する第二副管路の副弁を閉じること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

第一部分が吸引異常の原因箇所である場合に、第一部分に対応する第一接続点に隣接する第二主弁が閉じられ、当該第一接続点に対して第一主弁の逆側に位置する全ての第三主弁が閉じられ、閉じられた全ての第三主弁にそれぞれ対応する全ての副弁が開かれると、全ての保持部に負圧の伝達を継続した状態で、第一部分の取り外しが可能となる。第二部分が吸引異常の原因箇所である場合に、第二部分に対応する第二副管路の副弁が閉じられると、第二部分に対応する保持部以外の保持部に対する負圧の伝達を継続した状態で、第二部分の取り外しが可能となる。従って、上記（ｃ）の後には上記（ｆ）を実行し、上記（ｄ）の後には上記（ｇ）を実行することにより、原因箇所の修復作業が容易になる。

コントローラは、
（ｈ） いずれかの第二主弁に対して第一主弁の逆側に位置する複数の保持部の全てにおいて吸引異常が検出され、上記（ｂ）により当該複数の保持部の全てにおいて吸引異常が解消した場合に、当該第二主弁を挟む二つの第一接続点同士の間（以下、「第三部分」という。）が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、上記（ｈ）を実行する場合には上記（ｄ）を実行しないように構成されていてもよい。

いずれかの第二主弁に対して第一主弁の逆側に位置する複数の保持部の全てにおいて吸引異常が検出される場合、これらの保持部に共通の管路が原因箇所である可能性が高い。そこで、このような場合には上記（ｄ）に代えて上記（ｈ）を行うことにより、吸引異常の原因箇所をより的確に特定できる。

コントローラは、
（ｉ） 上記（ｈ）の後、上記（ｅ）の前に、吸引異常の原因箇所を挟む二つの第二主弁を閉じ、吸引異常の原因箇所の両端部をなす二つの第一接続点と、当該二つの第一接続点に対して第一主弁の逆側に位置する全ての第一接続点とにそれぞれ接続された複数の第三主弁を閉じ、当該複数の第三主弁にそれぞれ対応する複数の副弁を開くこと、
を更に実行するように構成されていてもよい。

第三部分が吸引異常の原因である場合に、第三部分を挟む二つの第二主弁が閉じられ、第三部分の両端部をなす二つの第一接続点と、当該二つの第一接続点に対して第一主弁の逆側に位置する全ての第一接続点とにそれぞれ接続された複数の第三主弁が閉じられ、当該複数の第三主弁にそれぞれ対応する複数の副弁が開かれると、全ての保持部に対する負圧の伝達を継続した状態で、第三部分の取り外しが可能となる。このため、上記（ｈ）の後には上記（ｉ）を実行することにより、原因箇所の修復作業が更に容易になる。

コントローラは、
（ｊ） 全ての保持部において吸引異常が検出された場合に、第一主弁を閉じ、全ての副弁を開くこと、
（ｋ） 上記（ｊ）により吸引異常が解消した場合に、第一主管路のうち、全ての第一接続点に比べ負圧の発生源側に位置する部分（以下、「第四部分」という。）が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、上記（ｊ）を実行する場合には上記（ｂ）を実行しないように構成されていてもよい。

全ての保持部において吸引異常が検出される場合、全ての保持部に共通の管路が原因箇所である可能性が高い。そこで、このような場合には上記（ｂ）に代えて上記（ｊ）を行い、更に上記（ｋ）を行うことにより、吸引異常の原因箇所をより的確に特定できる。

コントローラは、
（ｌ） 上記（ｋ）の後、上記（ｅ）の前に、全ての第三主弁を閉じること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

全ての第三主弁が閉じられると、全ての保持部が第一主管路から切り離されるので、第四部分の取り外しが可能となる。上記（ｊ）において全ての副弁が開かれているので、全ての第三主弁を閉じたとしても、全ての保持部に対する吸引は継続される。従って、上記（ｋ）の後には上記（ｌ）を実行することにより、原因箇所の修復作業が更に容易になる。

コントローラは、
（ｍ） 上記（ｊ）により吸引異常が解消しない場合には、全ての第三主弁を閉じること、
（ｎ） 上記（ｍ）により吸引異常が解消しない場合に、第一主管路及び第一副管路と負圧の発生源との間（以下、「第五部分」という。）が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

上記（ｊ）により吸引異常が解消しない場合には、主管路網及び副管路網と負圧の発生源との間に異常があり、主管路網及び副管路網のいずれによっても保持部まで負圧を伝達できていない可能性がある。主管路網側の漏れ等により、副管路網から各保持部に伝わった負圧が弱められている可能性もある。全ての第三主弁を閉じると、全ての保持部を主管路網から切り離すことができる。このため、全ての第三主弁を閉じても吸引異常が解消しない場合には、上記第五部分が原因箇所である可能性が高まる。そこで、上記（ｍ）及び（ｎ）を実行することにより、吸引異常の原因箇所をより的確に特定できる。

コントローラは、
（ｏ） 上記（ｍ）により吸引異常が解消した場合に、第三主弁を順次開くこと、
（ｐ） 上記（ｏ）により吸引異常が再発した場合に、再発直前に開放した第三主弁と、当該第三主弁に隣接する弁との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

上記（ｍ）により吸引異常が解消する場合には、主管路網側に漏れが生じている可能性が高まる。第三主弁を順次開くと、主管路網が段階的に保持部に接続され、漏れの発生箇所が保持部に接続された時点で吸引異常が再発する。このため、吸引異常の再発状況に基づいて、主管路網のいずれの部分に漏れがあるのかを特定することが可能となる。従って、上記（ｐ）を実行することにより、吸引異常の原因箇所をより的確に特定できる。

基板処理装置は、複数の保持部にそれぞれ保持された複数の基板をそれぞれ加熱又は冷却するための複数の熱処理部と、複数の熱処理部における温度をそれぞれ検出する複数のセンサと、を更に備え、コントローラは、
（ｑ） センサによる検出値から複数種類の特徴量を抽出し、複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

この場合、複数種類の特徴量と、その発生確率に基づくことで、吸引異常時の温度データを高い信頼性で検出できる。このため、温度検出用のセンサを吸引異常の検出に活用し、装置構成の単純化を図ることができる。

コントローラは、発生確率が閾値を下回るのに応じて吸引異常を検出してもよい。この場合、単純な判定基準により、吸引異常を迅速に検出できる。

コントローラは、繰り返し算出された複数の発生確率が下降傾向を示すのに応じて吸引異常を検出してもよい。この場合、段階的に進行する異常を早期に検出することで、吸引異常をより迅速に検出できる。

コントローラは、複数種類の特徴量として、保持部が基板を保持した後に、センサによる検出値が目標温度に到達する前に、センサによる検出値が目標温度から乖離した量の最大値である第一特徴量と、保持部が基板を保持した後に、センサによる検出値が目標温度に到達するまでの時間である第二特徴量と、保持部が基板を保持した後、センサによる検出値が目標温度に到達した後に、センサによる検出値が目標温度から乖離した量の最大値である第三特徴量とを抽出してもよい。この場合、吸引異常時の温度データをより高い信頼性で検出できる。

コントローラは、第一特徴量が閾値を下回り、且つ第二特徴量が閾値を下回り、且つ第三特徴量が閾値を上回った場合に限定して吸引異常を検出してもよい。この場合、吸引異常時以外の例外的データをより確実に排除し、吸引異常をより的確に検出できる。

本開示の一形態に係る基板処理方法は、上記基板処理装置を用い、
（ａ） いずれの保持部においても吸引異常が検出されていない場合に、第一主弁、第二主弁及び第三主弁を開き、全ての副弁を閉じること、
（ｂ） 一部の保持部において吸引異常が検出され、他の保持部において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出された保持部に対応する第三主弁を閉じ、当該第三主弁に対応する副弁を開くこと、
（ｃ） 上記（ｂ）により保持部の吸引異常が解消した場合に、当該保持部に対応する第二主管路のうち、第一接続点と第二接続点との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
（ｄ） 上記（ｂ）により保持部の吸引異常が解消しない場合に、当該保持部に対応する第二主管路のうち、第二接続点と保持部との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
（ｅ） 吸引異常の原因箇所を報知すること、
を含む。

基板処理方法は、複数の保持部にそれぞれ保持された複数の基板をそれぞれ加熱又は冷却するための複数の熱処理部と、複数の熱処理部の温度をそれぞれ検出する複数のセンサと、を更に備える基板処理装置を用い、
（ｑ） センサによる検出値から複数種類の特徴量を抽出し、複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
を更に含んでもよい。

本開示に係る記録媒体は、上記基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。

本開示によれば、基板を保持するための吸引管路網に異常が生じた場合に、異常個所の特定及び修復を迅速に実行可能である。

基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 吸引用の管路構成を示す模式図である。 コントローラの機能ブロック図である。 コントローラのハードウェア構成図である。 吸引状態の管理手順を示すフローチャートである。 基準モデルの構築手順を示すフローチャートである。 熱板における温度推移を例示するグラフである。 吸引異常の判定手順を示すフローチャートである。 吸引異常が温度推移に及ぼす影響を例示するグラフである。 異常発生箇所の探索手順を示すフローチャートである。 第一探索処理の手順を示すフローチャートである。 第二探索処理の手順を示すフローチャートである。 第三探索処理の手順を示すフローチャートである。 第四探索処理の手順を示すフローチャートである。

以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、レジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

（塗布・現像装置）
続いて、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。

キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と搬入・搬出部１３とを有する。搬入・搬出部１３はキャリアステーション１２と処理ブロック５との間に介在する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。

キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容し、ウェハＷを出し入れするための開閉扉１１ａを有する。キャリア１１は、開閉扉１１ａが搬入・搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

搬入・搬出部１３は、キャリアステーション１２上の複数のキャリア１１にそれぞれ対応する複数の開閉扉１３ａを有する。開閉扉１１ａと開閉扉１３ａとを同時に開放することで、キャリア１１内と搬入・搬出部１３内とが連通する。搬入・搬出部１３は受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。

液処理ユニットＵ１は、液体をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２（熱処理部）は、例えば熱板２１及び冷却板２２を内蔵しており、熱板２１によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板２２により冷却して熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の液体をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布により形成された液膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の液体を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布により形成された液膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布により形成された液膜を硬化させるための加熱処理が挙げられる。

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面から処理モジュール１６に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面から処理モジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

コントローラ１００は、例えば一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成され、塗布・現像装置２を制御する。コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。

まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

（ウェハ保持機構）
以下、塗布・現像装置２において処理対象のウェハＷを保持する機構について説明する。この機構は、図４に示すように、複数のチャックＣ１（保持部）と、真空ポンプ３０（負圧の発生源）と、吸引管路網４０とを備える。複数のチャックＣ１は、複数のウェハＷを吸引によりそれぞれ保持する。吸引管路網４０は、真空ポンプ３０から各チャックＣ１に吸引用の負圧を伝達する。

チャックＣ１、真空ポンプ３０及び吸引管路網４０は、様々な処理ユニットに適用可能である。例えば、チャックＣ１、真空ポンプ３０及び吸引管路網４０を複数の熱処理ユニットＵ２（熱処理部）に適用してもよい。この場合、複数の熱処理ユニットＵ２は、複数のチャックＣ１にそれぞれ保持された複数のウェハＷをそれぞれ加熱又は冷却する。以下、具体例として、チャックＣ１、真空ポンプ３０及び吸引管路網４０を複数の熱処理ユニットＵ２の熱板２１に適用した場合を説明する。

図４に示すように、熱板２１は、ウェハＷを載置可能な板状体であり、ヒータを内蔵している。熱板２１には温度センサ２３が設けられていてもよい。すなわち塗布・現像装置２は、複数の熱処理ユニットＵ２における温度をそれぞれ検出する複数のセンサを更に備えてもよい。

チャックＣ１は、熱板２１の上部に設けられており、熱処理対象のウェハＷを吸引により保持する。

吸引管路網４０は、主管路網５０及び副管路網６０を有する。吸引管路網４０は、主管路網５０及び副管路網６０と真空ポンプ３０との間に介在する幹管路４１を更に有してもよい。

主管路網５０は、第一主管路５１と、複数の第二主管路５２と、第一主弁５５と、複数の第二主弁５６と、複数の第三主弁５７とを有する。第一主管路５１は真空ポンプ３０に接続されている。一例として、第一主管路５１は、幹管路４１を介して真空ポンプ３０に接続されている。複数の第二主管路５２は、第一主管路５１に沿って並ぶ複数の第一接続点５３においてそれぞれ第一主管路５１から延出し、複数のチャックＣ１にそれぞれ接続されている。

第一主弁５５は、複数の第二主管路５２と真空ポンプ３０との間に介在するように第一主管路５１に設けられている。複数の第二主弁５６は、隣り合う第一接続点５３同士の間にそれぞれ介在するように第一主管路５１に設けられている。第三主弁５７は、複数の第二主管路５２にそれぞれ設けられている。

副管路網６０は、第一副管路６１と、複数の第二副管路６２と、第一副弁６３と、複数の第二副弁６４とを有する。第一副管路６１は真空ポンプ３０に接続されている。一例として、第一副管路６１は、第一主管路５１と同様に幹管路４１を介して真空ポンプ３０に接続されている。すなわち、第一主管路５１及び第一副管路６１は、互いに合流して幹管路４１を構成し、真空ポンプ３０に接続されている。複数の第二副管路６２は、第一副管路６１から延出し、チャックＣ１と第三主弁５７との間の第二接続点５４において複数の第二主管路５２にそれぞれ接続されている。すなわち、第二副管路６２は、チャックＣ１の近傍において第二主管路５２に合流し、第二主管路５２の端部を介してチャックＣ１に接続されている。

第一副弁６３は、複数の第二副管路６２と真空ポンプ３０との間に介在するように第一副管路６１に設けられている。複数の第二副弁６４は、複数の第二副管路６２にそれぞれ設けられている。なお、第一副弁６３は省略可能である。

第一主弁５５、第二主弁５６、第三主弁５７、第一副弁６３及び第二副弁６４は、外部からの指令信号に応じて管路を開閉する弁であればどのようなものであってもよい。このような弁として、ソレノイドバルブ又はエアオペレートバルブ等が挙げられる。

（コントローラ）
コントローラ１００は、第一主弁５５、第二主弁５６、第三主弁５７、第一副弁６３及び第二副弁６４を制御するように構成されている。更にコントローラ１００は、熱板２１の温度センサ２３による検出値に基づいて、チャックＣ１における吸引異常を検出するように構成されていてもよい。吸引異常とは、ウェハＷの反りを十分に矯正できない程度に吸引力が低下することを意味する。ウェハＷの反りの十分な矯正とは、ウェハＷに対する処理の均一性を保つのに十分な矯正（例えば熱板２１上におけるウェハＷの温度の均一性を保つのに十分な矯正）を意味する。以下、コントローラ１００の具体的な構成例を説明する。

図５に示すように、コントローラ１００は、機能モジュールとして、温度データ取得部１１１と、弁制御部１１２と、報知部１１３と、記憶部１１４と、基準モデル導出部１１５と、確率算出部１１６と、異常判定部１１７と、探索方式設定部１１８と、探索部１１９とを有する。

温度データ取得部１１１は、温度センサ２３による検出値を取得する。弁制御部１１２は、第一主弁５５、第二主弁５６、第三主弁５７、第一副弁６３及び第二副弁６４を開閉させる。報知部１１３は、吸引状態に関する情報をオペレータに報知する。例えば報知部１１３は、吸引異常の発生状況及び当該異常の原因箇所等をオペレータに報知する。記憶部１１４は、各種データを格納・蓄積する。

基準モデル導出部１１５は、吸引状態が異常であるか否かを判定するための基準となる基準モデルを導出する。確率算出部１１６は、基準モデル導出部１１５により導出された基準モデルに基づいて、温度データ取得部１１１により取得されたデータの発生確率を算出する。異常判定部１１７は、確率算出部１１６により算出された発生確率等に基づいて、吸引状態が異常であるか否かを判定する。

探索方式設定部１１８は、複数のチャックＣ１における吸引異常の発生状況に基づいて、吸引異常の原因箇所の探索方式を設定する。探索部１１９は、探索方式設定部１１８により設定された方式にて、探索処理を実行する。

図６に示すように、コントローラ１００は、例えば回路１２０により構成される。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３（記録媒体）と、入出力ポート１２４と、操作パネル１２５とを有する。

入出力ポート１２４は、制御対象との間でデータの入出力を行う。例えば入出力ポート１２４は、熱板２１の温度センサ２３から温度の検出値を取得し、第一主弁５５、第二主弁５６、第三主弁５７、第一副弁６３及び第二副弁６４に制御信号を出力する。操作パネル１２５は、オペレータのインタフェースであり、液晶等のモニタと、ボタン等の入力デバイスとを有する。操作パネル１２５は、モニタと入力デバイスとが一体化したタッチパネルであってもよい。

ストレージ１２３は、塗布・現像装置２に様々な基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録している。ストレージ１２３は、コンピュータ読み取り可能であればどのようなものであってもよい。具体例として、ハードディスク、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等が挙げられる。メモリ１２２は、ストレージ１２３からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１の演算結果等を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働してプログラムを実行する。これにより、コントローラ１００の各機能が具現化される。すなわち、コントローラ１００の各機能ブロックが具現化される。

なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

〔吸引状態の管理手順〕
続いて、塗布・現像装置２による基板処理方法の一例として、チャックＣ１の吸引状態の管理手順を説明する。この手順は、第一主弁５５、第二主弁５６、第三主弁５７、第一副弁６３及び第二副弁６４をコントローラ１００が制御することで実行される。この手順の開始前においては、いずれのチャックＣ１においても吸引異常は検出されていないものとする。

図７に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、弁制御部１１２が、第一主弁５５、全ての第二主弁５６及び全ての第三主弁５７を開き、第一副弁６３及び全ての第二副弁６４を閉じる。これにより、真空ポンプ３０の負圧が主管路網５０を介して各チャックＣ１に伝達される。

次に、コントローラ１００はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、記憶部１１４内に基準モデルが記憶されているかどうかを基準モデル導出部１１５が確認する。基準モデルとは、吸引異常が生じていない状態で繰り返し取得されたデータに統計処理を施して得られる一つ又は複数の数値群である。

ステップＳ０２において、基準モデルが存在していないと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ０３を実行した後にステップＳ０４，Ｓ０５を実行する。ステップＳ０２において、基準モデルが存在していると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ０３を実行することなくステップＳ０４，Ｓ０５を実行する。ステップＳ０３では、基準モデル導出部１１５が基準モデルを導出する。基準モデルの構築手順については後述する。ステップＳ０４，Ｓ０５では、各チャックＣ１における吸引状態が正常であるか異常であるかを異常判定部１１７が判定する。

ステップＳ０４，Ｓ０５において吸引状態が異常であると判定した場合、コントローラ１００は、ステップＳ０６，Ｓ０７を実行した後にステップＳ０８を実行する。ステップＳ０４，Ｓ０５において吸引状態が正常であると判定した場合、コントローラ１００は、ステップＳ０６，Ｓ０７を実行することなくステップＳ０８を実行する。ステップＳ０６では、探索方式設定部１１８及び探索部１１９が、吸引異常の原因箇所の探索を実行する。探索手順については後述する。ステップＳ０７では、報知部１１３が、吸引異常の原因箇所を報知する。一例として、報知部１１３は、吸引異常の原因箇所を操作パネル１２５に表示することでオペレータに報知する。ステップＳ０８では、全ての処理が完了したか否かをコントローラ１００が確認する。

ステップＳ０８において、全ての処理が完了していないと判定した場合、コントローラ１００は手順をステップＳ０２に戻す。これにより、全ての処理が完了するまで吸引状態の管理が継続される。ステップＳ０８において、全ての処理が完了したと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９では、弁制御部１１２が、第一主弁５５、全ての第二主弁５６、全ての第三主弁５７、第一副弁６３、及び全ての第二副弁６４を閉じる。以上で吸引状態の管理手順が終了する。

（基準モデル構築手順）
続いて、基準モデルの構築手順を説明する。図８に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ１０１を実行する。ステップＳ１０１において、コントローラ１００は、吸引異常が生じていない状態にて、吸引状態に関連するデータを取得し、蓄積する。一例として、ウェハＷがチャックＣ１により保持された後の熱板２１の温度推移を温度データ取得部１１１が温度センサ２３から取得し、記憶部１１４に蓄積する。

次に、コントローラ１００はステップＳ１０２を実行する。ステップＳ１０２では、温度データ取得部１１１が、データの蓄積回数が閾値以上となったか否かを確認する。閾値は、基準モデルの導出に十分な値に予め設定されている。ステップＳ１０２において、データの蓄積回数が閾値以上となっていないと判定した場合、コントローラ１００は手順をステップＳ１０１に戻す。

ステップＳ１０２において、データの蓄積回数が閾値以上となっていると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ１０３を実行する。ステップＳ１０３では、記憶部１１４に蓄積されたデータに基づいて、基準モデル導出部１１５が基準モデルを導出する。
一例として、基準モデル導出部１１５は、蓄積されたデータごとに複数の特徴量を抽出し、その平均値及び分散共分散行列をパラメータとする多次元正規分布を基準モデルとして導出する。

図９は、ウェハＷが熱板２１上に載置され、チャックＣ１により保持された後の温度の推移を示すグラフである。ウェハＷが載置されると、熱板２１の熱がウェハＷに吸収されるので、温度センサ２３の検出値が一時的に低下し、目標温度ＲＴから乖離する。その後、温度センサ２３の検出値は上昇して目標温度ＲＴに戻る。

基準モデル導出部１１５は、この温度推移から、第一特徴量ｘ１、第二特徴量ｘ２及び第三特徴量ｘ３を抽出する。第一特徴量ｘ１は、チャックＣ１がウェハＷを保持した後に、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴに到達する前に、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴから乖離した量の最大値である。第二特徴量ｘ２は、チャックＣ１がウェハＷを保持した後に、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴに到達するまでの時間である。第三特徴量ｘ３は、チャックＣ１がウェハＷを保持した後、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴに到達した後に、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴから乖離した量の最大値である。

基準モデル導出部１１５は、第一特徴量ｘ１、第二特徴量ｘ２及び第三特徴量ｘ３を各データから抽出し、その平均値及び分散共分散行列を基準モデルとして導出し、記憶部１１４に格納する。以上で基準モデルの導出が完了する。

（吸引状態の判定手順）
続いて、吸引状態の判定手順を説明する。この手順において、コントローラ１００は、温度センサ２３による検出値から複数種類の特徴量を抽出し、複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出する。コントローラ１００は、上記発生確率が閾値を下回るのに応じて吸引異常を検出してもよい。コントローラ１００は、繰り返し算出された複数の発生確率が下降傾向を示すのに応じて吸引異常を検出してもよい。

一例として図１０に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ２０１を実行する。ステップＳ２０１において、コントローラ１００は、吸引状態に関連するデータを取得し、格納する。一例として、ウェハＷが熱板２１上に載置され、チャックＣ１により保持された後の温度推移を温度データ取得部１１１が温度センサ２３から取得し、記憶部１１４に格納する。

次に、コントローラ１００はステップＳ２０２を実行する。ステップＳ２０２では、確率算出部１１６が、ステップＳ２０１において取得されたデータの発生確率を、記憶部１１４に格納された基準モデルに基づいて算出する。一例として、確率算出部１１６は、ステップＳ２０１において取得されたデータから、上記第一特徴量ｘ１、第二特徴量ｘ２及び第三特徴量ｘ３を抽出する。その後、確率算出部１１６は、次式により上記発生確率を算出し、記憶部１１４に格納する。

次に、コントローラ１００はステップＳ２０３を実行する。ステップＳ２０３では、ステップＳ２０２において算出された発生確率が閾値以上であるか否かを異常判定部１１７が判定する。

ステップＳ２０３において、発生確率が閾値以上であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ２０４を実行する。閾値は、必要とされる異常検出感度に基づいて適宜設定可能である。ステップＳ２０４では、記憶部１１４への発生確率の蓄積回数が閾値以上であるかを異常判定部１１７が判定する。閾値は、発生確率の推移を確認するのに十分な値に適宜設定可能である。

ステップＳ２０４において、発生確率の蓄積回数が閾値以上であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ２０５を実行する。ステップＳ２０５では、発生確率の低下率が閾値以下であるかを異常判定部１１７が判定する。閾値は、必要とされる異常検出感度に基づいて適宜設定可能である。ステップＳ２０５において、発生確率の低下率が閾値以下であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ２０６を実行する。ステップＳ２０６では、異常判定部１１７が、吸引状態は正常であると判定する。

ステップＳ２０４において、発生確率の蓄積回数が閾値未満であると判定した場合、コントローラ１００は、ステップＳ２０５を実行することなくステップＳ２０６を実行する。

ステップＳ２０３において、発生確率が閾値未満であると判定した場合、及びステップＳ２０５において発生確率の低下率が閾値を超えていると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ２０８を実行する。ステップＳ２０８では、異常判定部１１７が、吸引状態は異常であると判定する。すなわち、異常判定部１１７は吸引状態の異常を検出する。以上で吸引状態の判定手順が完了する。

コントローラ１００は、ステップＳ２０８に先立ってステップＳ２０７を実行してもよい。ステップＳ２０７では、温度推移が吸引異常時のパターンであるか否かを異常判定部１１７が判定する。

図１１は、吸引異常が生じていない場合の温度推移と、吸引異常が生じている場合の温度推移を示すグラフである。図中に一点鎖線で示すグラフは吸引異常が生じていない場合の温度推移であり、図中に実線で示すグラフは吸引異常が生じている場合の温度推移である。吸引異常が生じると、ウェハＷの反りを十分に矯正できないために、ウェハＷの一部が熱板２１から浮き上がる可能性がある。この場合、熱板２１からウェハＷに熱が伝わり難くなるので、熱板２１の温度低下が生じ難くなる。このため、上記第一特徴量ｘ１が小さくなる。第一特徴量ｘ１が小さくなると、温度センサ２３の検出値が目標温度ＲＴに戻るのも早まるため、第二特徴量ｘ２も小さくなる。更に、目標温度ＲＴへの回復が早まったのに伴い、目標温度ＲＴに対するオーバーシュートが大きくなる。このため、第三特徴量ｘ３は大きくなる。

この特性に着目し、ステップＳ２０７では、第一特徴量ｘ１が閾値を下回り、且つ第二特徴量ｘ２が閾値を下回り、且つ第三特徴量ｘ３が閾値を上回った場合に、温度推移が吸引異常時のパターンであると判定してもよい。各閾値は、吸引異常が生じていない場合のデータに基づいて適宜設定可能である。

異常判定部１１７は、ステップＳ２０７において、温度推移が吸引異常時のパターンであると判定した場合に限定して上記ステップＳ２０８を実行し、温度推移が吸引異常時のパターンではないと判定した場合には上記ステップＳ２０６を実行してもよい。すなわちコントローラ１００は、第一特徴量ｘ１が閾値を下回り、且つ第二特徴量ｘ２が閾値を下回り、且つ第三特徴量ｘ３が閾値を上回った場合に限定して吸引異常を検出してもよい。

（異常発生箇所の探索手順）
続いて、吸引異常の原因箇所の探索手順を説明する。図１２に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ３０１を実行する。ステップＳ３０１では、探索方式設定部１１８が、吸引異常が検出されたチャックＣ１は一つであるかを確認する（以下、吸引異常が検出されていることを「異常状態」という。）。

ステップＳ３０１において、異常状態のチャックＣ１が一つであると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３０２を実行する。ステップＳ３０２では、探索部１１９が第一探索処理を実行する。第一探索処理については後述する。

ステップＳ３０１において、異常状態のチャックＣ１は二つ以上であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３０３を実行する。ステップＳ３０３では、全てのチャックＣ１が異常状態であるかを探索方式設定部１１８が確認する。

ステップＳ３０３において、一部のチャックＣ１は正常状態であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３０４を実行する。ステップＳ３０４では、いずれかの第二主弁５６に対して第一主弁５５の逆側に位置する複数のチャックＣ１の全てにおいて吸引異常が検出されているかを探索方式設定部１１８が確認する。換言すると、探索方式設定部１１８は、異常状態の複数のチャックＣ１が第一主弁５５の逆側に偏在しているかを確認する。

ステップＳ３０４において、異常状態のチャックＣ１が第一主弁５５の逆側に偏在していると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３０５を実行する。ステップＳ３０５では、探索部１１９が第二探索処理を実行する。第二探索処理については後述する。ステップＳ３０４において、異常状態のチャックＣ１が第一主弁５５の逆側に偏在していないと判定した場合、コントローラ１００は上記ステップＳ３０２を実行する。

ステップＳ３０３において、全てのチャックＣ１が異常状態であると判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３０６を実行する。ステップＳ３０６では、探索部１１９が第三探索処理を実行する。第三探索処理については後述する。

（第一探索処理）
続いて第一探索処理について説明する。図１３に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ４０１を実行する。ステップＳ４０１では、異常状態のチャックＣ１に対応する第三主弁５７を閉じ、当該第三主弁５７に対応する第二副弁６４と、第一副弁６３とを開く指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は、当該第三主弁５７を閉じ、当該第二副弁６４及び第一副弁６３を開く。

なお、チャックＣ１に対応する第三主弁５７とは、チャックＣ１に対する負圧の伝達を遮断可能な第三主弁５７を意味する。第三主弁５７に対応する第二副弁６４とは、第三主弁５７と共通のチャックＣ１に対する負圧の伝達を遮断可能な第二副弁６４を意味する。第三主弁５７を閉じること、第二副弁６４を開くこと、及び第一副弁６３を開くことはどのような順序で実行されてもよいし、同時に実行されてもよい。

次に、コントローラ１００はステップＳ４０２，Ｓ４０３を実行する。ステップＳ４０２，Ｓ４０３では、異常状態であったチャックＣ１における吸引状態が正常状態に回復したか否かを異常判定部１１７が判定する。吸引状態が正常状態に回復したか否かは、上述のステップＳ２０１〜Ｓ２０８と同様の手順により判定可能である。

ステップＳ４０２，Ｓ４０３において、吸引状態が正常状態に回復したと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ４０４を実行する。すなわちコントローラ１００は、ステップＳ４０１によりチャックＣ１の吸引異常が解消した場合に、ステップＳ４０４を実行する。ステップＳ４０４では、探索部１１９が次のように吸引異常の原因箇所を判定する。探索部１１９は、吸引異常が解消したチャックＣ１に対応する第二主管路５２のうち、第一接続点５３と第二接続点５４との間（以下、「第一部分Ｐ１」という（図４参照）。）が吸引異常の原因箇所であると判定する。なお、チャックＣ１に対応する第二主管路５２とは、当該チャックＣ１に負圧を伝達する第二主管路５２を意味する。

ステップＳ４０２，Ｓ４０３において、吸引状態が正常状態に回復していないと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ４０６を実行する。すなわちコントローラ１００は、ステップＳ４０１によりチャックＣ１の吸引異常が解消しない場合に、ステップＳ４０６を実行する。ステップＳ４０６では、探索部１１９が次のように吸引異常の原因箇所を判定する。探索部１１９は、吸引異常が解消しないチャックＣ１に対応する第二主管路５２のうち、第二接続点５４とチャックＣ１との間（以下、「第二部分Ｐ２」という（図４参照）。）が吸引異常の原因箇所であると判定する。以上で第一の判定処理が完了する。

コントローラ１００は、ステップＳ４０４を実行する場合にはステップＳ４０５を更に実行し、ステップＳ４０６を実行する場合にはステップＳ４０７を更に実行してもよい。

ステップＳ４０５では、吸引異常の原因箇所（第一部分Ｐ１）に対応する第一接続点５３に隣接する全ての第二主弁５６を閉じ、当該第一接続点５３に対して第一主弁５５の逆側に位置する全ての第三主弁５７を閉じ、当該全ての第三主弁５７にそれぞれ対応する全ての第二副弁６４を開く指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は、当該全ての第二主弁５６を閉じ、当該全ての第三主弁５７を閉じ、当該全ての第二副弁６４を開く。

なお、第一部分Ｐ１に対応する第一接続点５３とは、第一部分Ｐ１の端部の第一接続点５３を意味する。第一主弁５５の逆側に位置するとは、第一主管路５１に沿った線上において、基準位置に比較して第一主弁５５の逆側に位置することを意味する。第三主弁５７を閉じること、及び第二副弁６４を開くことはどのような順序で実行されてもよいし、同時に実行されてもよい。

第一部分Ｐ１に対応する第一接続点５３に隣接する全ての第二主弁５６を閉じることにより、第一部分Ｐ１が第一主管路５１から切り離される。これに伴い、第一部分Ｐ１に比べ第一主弁５５の逆側に位置するチャックＣ１に対しては、主管路網５０により負圧を伝達することができなくなる。そこで、これらのチャックＣ１に対応する第三主弁５７が閉じられ、当該第三主弁５７に対応する第二副弁６４が開かれるので、これらのチャックＣ１に対する負圧の伝達が副管路網６０により継続される。このため、全てのチャックＣ１に対する負圧の伝達を継続しながら、第一部分Ｐ１を取り外して修復作業を行うことが可能となる。

ステップＳ４０７では、吸引異常の原因箇所（第二部分Ｐ２）に対応する第二副管路６２の第二副弁６４を閉じる指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は、当該第二副弁６４を閉じる。なお、第二部分Ｐ２に対応する第二副管路６２とは、第二部分Ｐ２を介してチャックＣ１に負圧を伝達可能な第二副管路６２を意味する。当該第二副弁６４を閉じることにより、第二部分Ｐ２が第一主管路５１及び第一副管路６１の両方から切り離される。第二部分Ｐ２に対応するチャックＣ１以外の全てのチャックＣ１に対する負圧の伝達は、主管路網５０により継続される。このため、第二部分Ｐ２に対応するチャックＣ１以外の全てのチャックＣ１に対する負圧の伝達を継続しながら、第二部分Ｐ２を取り外して修復作業を行うことが可能となる。この場合、コントローラ１００は、第二部分Ｐ２に対応するチャックＣ１を含む熱処理ユニットＵ２を除外して塗布・現像処理を継続するように塗布・現像装置２を制御する。

（第二探索処理）
続いて第二探索処理について説明する。上述したように第二探索処理は、いずれかの第二主弁５６に対して第一主弁５５の逆側に位置する複数のチャックＣ１の全てにおいて吸引異常が検出されていると判定した場合に実行される。以下、当該第二主弁５６を「起点の第二主弁５６」という。

図１４に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ５０１を実行する。ステップＳ５０１では、異常状態のチャックＣ１に対応する第三主弁５７を閉じ、当該第三主弁５７に対応する第二副弁６４と、第一副弁６３とを開く指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は、当該第三主弁５７を閉じ、当該第二副弁６４及び第一副弁６３を開く。第三主弁５７を閉じること、第二副弁６４を開くこと、及び第一副弁６３を開くことはどのような順序で実行されてもよいし、同時に実行されてもよい。

次に、コントローラ１００はステップＳ５０２，Ｓ５０３を実行する。ステップＳ５０２，Ｓ５０３では、異常状態であったチャックＣ１における吸引状態が正常状態に回復したか否かを異常判定部１１７が判定する。吸引状態が正常状態に回復したか否かは、上述のステップＳ２０１〜Ｓ２０８と同様の手順により判定可能である。

ステップＳ５０２，Ｓ５０３において、吸引状態が正常状態に回復したと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ５０４を実行する。すなわちコントローラ１００は、ステップＳ５０１によりチャックＣ１の吸引異常が解消した場合に、ステップＳ５０４を実行する。ステップＳ５０４では、探索部１１９が次のように吸引異常の原因箇所を判定する。探索部１１９は、上記起点の第二主弁５６を挟む二つの第一接続点５３同士の間（以下、「第三部分Ｐ３」という（図４参照）。）が吸引異常の原因箇所であると判定する。

ステップＳ５０２，Ｓ５０３において、吸引状態が正常状態に回復していないと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ５０６を実行する。すなわちコントローラ１００は、ステップＳ５０１によりチャックＣ１の吸引異常が解消しない場合に、ステップＳ５０６を実行する。ステップＳ５０６では、探索部１１９が次のように吸引異常の原因箇所を判定する。探索部１１９は、吸引異常が解消しないチャックＣ１に対応する第二主管路５２のうち、第二接続点５４とチャックＣ１との間（上記第二部分Ｐ２）が吸引異常の原因箇所であると判定する。以上で第二の判定処理が完了する。

コントローラ１００は、ステップＳ５０４を実行する場合にはステップＳ５０５を更に実行し、ステップＳ５０６を実行する場合にはステップＳ５０７を更に実行してもよい。ステップＳ５０５では、吸引異常の原因箇所（第三部分Ｐ３）を挟む二つの第二主弁５６を閉じ、第三部分Ｐ３の両端部をなす二つの第一接続点５３と、当該二つの第一接続点５３に対して第一主弁５５の逆側に位置する全ての第一接続点５３とにそれぞれ接続された複数の第三主弁５７を閉じ、当該複数の第三主弁５７にそれぞれ対応する複数の第二副弁６４を開く指令を弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は、当該二つの第二主弁５６を閉じ、当該複数の第三主弁５７を閉じ、当該複数の第二副弁６４を開く。第二主弁５６を閉じること、第三主弁５７を閉じること、及び第二副弁６４を開くことはどのような順序で実行されてもよいし、同時に実行されてもよい。

第三部分Ｐ３を挟む二つの第二主弁５６を閉じることにより、第三部分Ｐ３が第一主管路５１から切り離される。これに伴い、第三部分Ｐ３の両端部をなす二つの第一接続点５３と、当該二つの第一接続点５３に対して第一主弁５５の逆側に位置する全ての第一接続点５３とに接続された全てのチャックＣ１に対しては、主管路網５０により負圧を伝達することができなくなる。そこで、これらのチャックＣ１に対応する第三主弁５７が閉じられ、当該第三主弁５７に対応する第二副弁６４が開かれるので、これらのチャックＣ１に対する負圧の伝達が副管路網６０により継続される。このため、全てのチャックＣ１に対する負圧の伝達を継続しながら、第三部分Ｐ３を取り外して修復作業を行うことが可能となる。

ステップＳ５０７では、吸引異常の原因箇所（第二部分Ｐ２）に対応する第二副管路６２の第二副弁６４を閉じる指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は当該第二副弁６４を閉じる。当該第二副弁６４を閉じることにより、第二部分Ｐ２が第一主管路５１及び第一副管路６１の両方から切り離される。第二部分Ｐ２に対応するチャックＣ１以外の全てのチャックＣ１に対する負圧の伝達は、主管路網５０により継続される。このため、第二部分Ｐ２に対応するチャックＣ１以外の全てのチャックＣ１に対する負圧の伝達を継続しながら、第二部分Ｐ２を取り外して修復作業を行うことが可能となる。この場合、コントローラ１００は、第二部分Ｐ２に対応するチャックＣ１を含む熱処理ユニットＵ２を除外して塗布・現像処理を継続するように塗布・現像装置２を制御する。

（第三探索処理）
続いて第三探索処理について説明する。図１５に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ６０１を実行する。ステップＳ６０１では、第一主弁５５を閉じ、第一副弁６３を開き、全ての第二副弁６４を開く指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は、第一主弁５５を閉じ、第一副弁６３を開き、全ての第二副弁６４を開く。第一主弁５５を閉じること、第一副弁６３を開くこと、及び第二副弁６４を開くことはどのような順番で実行されてもよいし、同時に実行されてもよい。

次に、コントローラ１００はステップＳ６０２，Ｓ６０３を実行する。ステップＳ６０２，Ｓ６０３では、異常状態にあったチャックＣ１における吸引状態が正常状態に回復したか否かを異常判定部１１７が判定する。吸引状態が正常状態に回復したか否かは、上述のステップＳ２０１〜Ｓ２０８と同様の手順により判定可能である。

ステップＳ６０２，Ｓ６０３において、吸引状態が正常状態に回復したと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ６０４を実行する。すなわちコントローラ１００は、ステップＳ６０１によりチャックＣ１の吸引異常が解消した場合に、ステップＳ６０４を実行する。ステップＳ６０４では、探索部１１９が次のように吸引異常の原因箇所を判定する。探索部１１９は、第一主管路５１のうち、全ての第一接続点５３に比べ真空ポンプ３０側に位置する部分（以下、「第四部分Ｐ４」という（図４参照）。）が吸引異常の原因箇所であると判定する。

ステップＳ６０２，Ｓ６０３において、吸引状態が正常状態に回復していないと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ６０６を実行する。すなわちコントローラ１００は、ステップＳ６０１によりチャックＣ１の吸引異常が解消しない場合に、ステップＳ６０６を実行する。ステップＳ６０６では、全ての第三主弁５７を閉じる指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は全ての第三主弁５７を閉じる。

次に、コントローラ１００は、ステップＳ６０２，６０３と同様のステップＳ６０７，Ｓ６０８を実行する。すなわち、異常状態にあったチャックＣ１における吸引状態が正常状態に回復したか否かを異常判定部１１７が判定する。ステップＳ６０７，Ｓ６０８において、吸引状態が正常状態に回復したと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ６０９を実行する。すなわちコントローラ１００は、ステップＳ６０６によりチャックＣ１の吸引異常が解消した場合に、ステップＳ６０９を実行する。ステップＳ６０９では、探索部１１９が第四探索処理を実行する。第四探索処理については後述する。

ステップＳ６０７，Ｓ６０８において、吸引状態が正常状態に回復していない判定した場合、コントローラ１００はステップＳ６１０を実行する。すなわちコントローラ１００は、ステップＳ６０６によりチャックＣ１の吸引異常が解消しない場合に、ステップＳ６１０を実行する。ステップＳ６１０では、探索部１１９が次のように吸引異常の原因箇所を判定する。探索部１１９は、第一主管路５１及び第一副管路６１と真空ポンプ３０との間（以下、「第五部分Ｐ５」という（図４参照）。）が吸引異常の原因箇所であると判定する。以上で第三探索処理が終了する。

コントローラ１００は、ステップＳ６０４を実行する場合にはステップＳ６０５を更に実行し、ステップＳ６１０を実行する場合にはステップＳ６１１を更に実行してもよい。

ステップＳ６０５では、全ての第三主弁５７を閉じる指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は全ての第三主弁５７を閉じる。これにより、第四部分Ｐ４が全てのチャックＣ１から切り離される。全てのチャックＣ１に対する負圧の伝達は、副管路網６０により継続される。このため、全てのチャックＣ１に対する負圧の伝達を継続しながら、第四部分Ｐ４を取り外して修復作業を行うことが可能となる。

ステップＳ６１１では、開いている全ての弁（全ての第二主弁５６、第一副弁６３、及び全ての第二副弁６４）を停止する指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は開いている全ての弁を閉じる。

（第四探索処理）
続いて、第四探索処理について説明する。第四探索処理において、コントローラ１００は、第三主弁５７を順次開くこと、第三主弁５７の順次開く過程で吸引異常が再発した場合に、再発直前に開いた第三主弁５７と、当該第三主弁５７に隣接する弁との間が吸引異常の原因箇所であると判定することを実行する。

一例として図１６に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ７０１，Ｓ７０２を実行する。ステップＳ７０１では、探索部１１９が変数ｎを１にセットする。ステップＳ７０２では、第一主弁５５側からｎ番目に位置する第三主弁５７を開く指令を探索部１１９が弁制御部１１２に出力する。これに応じ、弁制御部１１２は当該第三主弁５７を開く。

次に、コントローラ１００はステップＳ７０３，Ｓ７０４を実行する。ステップＳ７０３，Ｓ７０４では、吸引異常が再発したか否かを異常判定部１１７が判定する。吸引状態が再発したか否かは、上述のステップＳ２０１〜Ｓ２０８と同様の手順により判定可能である。

ステップＳ７０３，Ｓ７０４において吸引異常が再発したと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ７０５を実行して処理を終了する。ステップＳ７０５では、探索部１１９が次のように吸引異常の原因箇所を判定する。探索部１１９は、ステップＳ７０２において開いた第三主弁５７と、第三主弁５７に隣接する弁との間が吸引異常の原因箇所であると判定する。

ステップＳ７０３，Ｓ７０４において吸引異常が再発していないと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ７０６を実行する。ステップＳ７０６では、変数ｎが最大値であるか否かを探索部１１９が判定する。最大値は、例えば第三主弁５７の総数である。ステップＳ７０６において変数ｎが最大値ではないと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ７０７を実行した後に処理をステップＳ７０２に戻す。ステップＳ７０７では、探索部１１９が変数ｎに１を加算する。ステップＳ７０６において変数ｎが最大値であると判定した場合、コントローラ１００は処理を終了する。以上の手順により、吸引異常が再発するか、全ての第三主弁５７が開くまで、第三主弁５７が順次開放される。

なお、以上の手順では、第三主弁５７のみを順次開放する場合を示したが、これに併せて第二主弁５６を開放してもよい。例えば、第三主弁５７を開く際に、直前に開いた第三主弁５７との間の第二主弁５６を共に開いてもよい。第三主弁５７を開く順番には制限はない。上述した例とは逆に、第一主弁５５の逆側から順次開いてもよいし、ランダムな順番で順次開いてもよい。

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、複数のチャックＣ１と、主管路網５０と、副管路網６０とを備える。主管路網５０は、第一主管路５１と、複数の第二主管路５２と、第一主弁５５と、複数の第二主弁５６と、複数の第三主弁５７とを有する。副管路網６０は、第一副管路６１と、第二副管路６２と、複数の第二副弁６４とを有する。

このような構成によれば、以下に例示するように、第一主弁５５、第二主弁５６、第三主弁５７及び第二副弁６４の開閉を適宜切り替えることにより、吸引異常の原因箇所の特定及び修復を迅速に実行できる。なお、塗布・現像装置２は第一副弁６３を更に備えてもよい。

塗布・現像装置２は、第一主弁５５、第二主弁５６、第三主弁５７及び第二副弁６４を制御するコントローラ１００を更に備えてもよく、コントローラ１００は、
（ａ） いずれのチャックＣ１においても吸引異常が検出されていない場合に、第一主弁５５、第二主弁５６及び第三主弁５７を開き、第一副弁６３及び全ての第二副弁６４を閉じること、
（ｂ） 一部のチャックＣ１において吸引異常が検出され、他のチャックＣ１において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出されたチャックＣ１に対応する第三主弁５７を閉じ、当該第三主弁５７に対応する第二副弁６４を開くこと、
（ｃ） 上記（ｂ）によりチャックＣ１の吸引異常が解消した場合に、当該チャックＣ１に対応する第二主管路５２のうち、第一接続点５３と第二接続点５４との間（第一部分Ｐ１）が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
（ｄ） 上記（ｂ）によりチャックＣ１の吸引異常が解消しない場合に、当該チャックＣ１に対応する第二主管路５２のうち、第一接続点５３とチャックＣ１との間（第二部分Ｐ２）が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
（ｅ） 吸引異常の原因箇所を報知すること、を実行するように構成されていてもよい。

この構成によれば、いずれのチャックＣ１においても吸引異常が検出されていない場合、主管路網５０によりチャックＣ１に負圧が伝達される。いずれかのチャックＣ１において吸引異常が検出される場合、当該チャックＣ１に対応する第二主管路５２が原因箇所である可能性がある。このとき、第三主弁５７を閉じて第二副弁６４を開くことで吸引異常が解消される場合、第二主管路５２のうち第一接続点５３と第二接続点５４との間が原因箇所である可能性が高い。一方、吸引異常が解消されない場合には、当該チャックＣ１と第二接続点５４との間が原因箇所である可能性が高い。このため、上記（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を実行することにより、迅速且つ的確に吸引異常の原因箇所を特定できる。また、上記（ｅ）を実行することにより、吸引異常の原因箇所を直ちにオペレータに報知できる。従って、吸引異常の原因箇所の特定及び修復を迅速に実行できる。なお、塗布・現像装置２が第一副弁６３を備える場合、コントローラ１００は第二副弁６４を開く際に第一副弁６３も開くように構成される。

コントローラ１００は、
（ｆ） 上記（ｃ）の後、上記（ｅ）の前に、第一部分Ｐ１に対応する第一接続点５３に隣接する全ての第二主弁５６を閉じ、当該第一接続点５３に対して第一主弁５５の逆側に位置する全ての第三主弁５７を閉じ、当該全ての第三主弁５７にそれぞれ対応する全ての第二副弁６４を開くこと、
（ｇ） 上記（ｄ）の後、上記（ｅ）の前に、第二部分Ｐ２に対応する第二副管路６２の第二副弁６４を閉じること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

第一部分Ｐ１が吸引異常の原因箇所である場合に、第一部分Ｐ１に対応する第一接続点５３に隣接する第二主弁５６が閉じられ、当該第一接続点５３に対して第一主弁５５の逆側に位置する全ての第三主弁５７が閉じられ、閉じられた全ての第三主弁５７にそれぞれ対応する全ての第二副弁６４が開かれると、全てのチャックＣ１に負圧の伝達を継続した状態で、第一部分Ｐ１の取り外しが可能となる。第二部分Ｐ２が吸引異常の原因箇所である場合に、第二部分Ｐ２に対応する第二副管路６２の第二副弁６４が閉じられると、第二部分Ｐ２に対応するチャックＣ１以外のチャックＣ１に対する負圧の伝達を継続した状態で、第二部分Ｐ２の取り外しが可能となる。従って、上記（ｃ）の後には上記（ｆ）を実行し、上記（ｄ）の後には上記（ｇ）を実行することにより、原因箇所の修復作業が容易になる。なお、塗布・現像装置２が第一副弁６３を備える場合、コントローラ１００は第二副弁６４を開く際に第一副弁６３も開くように構成される。

コントローラ１００は、
（ｈ） いずれかの第二主弁５６に対して第一主弁５５の逆側に位置する複数のチャックＣ１の全てにおいて吸引異常が検出され、上記（ｂ）により当該複数のチャックＣ１の全てにおいて吸引異常が解消した場合に、当該第二主弁５６を挟む二つの第一接続点５３同士の間（第三部分Ｐ３）が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、上記（ｈ）を実行する場合には上記（ｄ）を実行しないように構成されていてもよい。

いずれかの第二主弁５６に対して第一主弁５５の逆側に位置する複数のチャックＣ１の全てにおいて吸引異常が検出される場合、これらのチャックＣ１に共通の管路が原因箇所である可能性が高い。そこで、このような場合には上記（ｄ）に代えて上記（ｈ）を行うことにより、吸引異常の原因箇所をより的確に特定できる。

コントローラ１００は、
（ｉ） 上記（ｈ）の後、上記（ｅ）の前に、吸引異常の原因箇所を挟む二つの第二主弁５６を閉じ、吸引異常の原因箇所の両端部をなす二つの第一接続点５３と、当該二つの第一接続点５３に対して第一主弁５５の逆側に位置する全ての第一接続点５３とにそれぞれ接続された複数の第三主弁５７を閉じ、当該複数の第三主弁５７にそれぞれ対応する複数の第二副弁６４を開くこと、
を更に実行するように構成されていてもよい。

第三部分Ｐ３が吸引異常の原因である場合に、第三部分Ｐ３を挟む二つの第二主弁５６が閉じられ、第三部分Ｐ３の両端部をなす二つの第一接続点５３と、当該二つの第一接続点５３に対して第一主弁５５の逆側に位置する全ての第一接続点５３とにそれぞれ接続された複数の第三主弁５７が閉じられ、当該複数の第三主弁５７にそれぞれ対応する複数の第二副弁６４が開かれると、全てのチャックＣ１に対する負圧の伝達を継続した状態で、第三部分Ｐ３の取り外しが可能となる。このため、上記（ｈ）の後には上記（ｉ）を実行することにより、原因箇所の修復作業が更に容易になる。なお、塗布・現像装置２が第一副弁６３を備える場合、コントローラ１００は第二副弁６４を開く際に第一副弁６３も開くように構成される。

コントローラ１００は、
（ｊ） 全てのチャックＣ１において吸引異常が検出された場合に、第一主弁５５を閉じ、全ての第二副弁６４を開くこと、
（ｋ） 上記（ｊ）により吸引異常が解消した場合に、第一主管路５１のうち、全ての第一接続点５３に比べ真空ポンプ３０側に位置する部分が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行し、上記（ｊ）を実行する場合には上記（ｂ）を実行しないように構成されていてもよい。

全てのチャックＣ１において吸引異常が検出される場合、全てのチャックＣ１に共通の管路が原因箇所である可能性が高い。そこで、このような場合には上記（ｂ）に代えて上記（ｊ）を行い、更に上記（ｋ）を行うことにより、吸引異常の原因箇所をより的確に特定できる。なお、塗布・現像装置２が第一副弁６３を備える場合、コントローラ１００は第二副弁６４を開く際に第一副弁６３も開くように構成される。

コントローラ１００は、
（ｌ） 上記（ｋ）の後、上記（ｅ）の前に、全ての第三主弁５７を閉じること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

全ての第三主弁５７が閉じられると、全てのチャックＣ１が第一主管路５１から切り離されるので、第四部分Ｐ４の取り外しが可能となる。上記（ｊ）において全ての第二副弁６４が開かれているので、全ての第三主弁５７を閉じたとしても、全てのチャックＣ１に対する吸引は継続される。従って、上記（ｋ）の後には上記（ｌ）を実行することにより、原因箇所の修復作業が更に容易になる。

コントローラ１００は、
（ｍ） 上記（ｊ）により吸引異常が解消しない場合には、全ての第三主弁５７を閉じること、
（ｎ） 上記（ｍ）により吸引異常が解消しない場合に、第一主管路５１及び第一副管路６１と真空ポンプ３０との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

上記（ｊ）により吸引異常が解消しない場合には、主管路網５０及び副管路網６０と真空ポンプ３０との間に異常があり、主管路網５０及び副管路網６０のいずれによってもチャックＣ１まで負圧を伝達できていない可能性がある。主管路網５０側の漏れ等により、副管路網６０から各チャックＣ１に伝わった負圧が弱められている可能性もある。全ての第三主弁５７を閉じると、全てのチャックＣ１を主管路網５０から切り離すことができる。このため、全ての第三主弁５７を閉じても吸引異常が解消しない場合には、上記第五部分Ｐ５が原因箇所である可能性が高まる。そこで、上記（ｍ）及び（ｎ）を実行することにより、吸引異常の原因箇所をより的確に特定できる。

コントローラ１００は、
（ｏ） 上記（ｍ）により吸引異常が解消した場合に、第三主弁５７を順次開くこと、
（ｐ） 上記（ｏ）により吸引異常が再発した場合に、再発直前に開放した第三主弁５７と、当該第三主弁５７に隣接する弁との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

上記（ｍ）により吸引異常が解消する場合には、主管路網５０側に漏れが生じている可能性が高まる。第三主弁５７を順次開くと、主管路網５０が段階的にチャックＣ１に接続され、漏れの発生箇所がチャックＣ１に接続された時点で吸引異常が再発する。このため、吸引異常の再発状況に基づいて、主管路網５０のいずれの部分に漏れがあるのかを特定することが可能となる。従って、上記（ｐ）を実行することにより、吸引異常の原因箇所をより的確に特定できる。

塗布・現像装置２は、複数のチャックＣ１にそれぞれ保持された複数のウェハＷをそれぞれ加熱又は冷却するための複数の熱処理ユニットＵ２と、複数の熱処理ユニットＵ２における温度をそれぞれ検出する複数の温度センサ２３と、を更に備えてもよい。コントローラ１００は、
（ｑ） 温度センサ２３による検出値から複数種類の特徴量を抽出し、上記複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
を更に実行するように構成されていてもよい。

この場合、複数種類の特徴量と、その発生確率に基づくことで、吸引異常時の温度データを高い信頼性で検出できる。このため、温度センサ２３を吸引異常の検出に活用し、装置構成の単純化を図ることができる。

コントローラ１００は、上記発生確率が閾値を下回るのに応じて吸引異常を検出してもよい。この場合、単純な判定基準により、吸引異常を迅速に検出できる。

コントローラ１００は、繰り返し算出された複数の発生確率が下降傾向を示すのに応じて吸引異常を検出してもよい。この場合、段階的に進行する異常を早期に検出することで、吸引異常をより迅速に検出できる。

コントローラ１００は、複数種類の特徴量として、チャックＣ１がウェハＷを保持した後に、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴに到達する前に、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴから乖離した量の最大値である第一特徴量ｘ１と、チャックＣ１がウェハＷを保持した後に、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴに到達するまでの時間である第二特徴量ｘ２と、チャックＣ１がウェハＷを保持した後、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴに到達した後に、温度センサ２３による検出値が目標温度ＲＴから乖離した量の最大値である第三特徴量ｘ３とを抽出してもよい。この場合、吸引異常時の温度データをより高い信頼性で検出できる。

コントローラ１００は、第一特徴量ｘ１が閾値を下回り、且つ第二特徴量ｘ２が閾値を下回り、且つ第三特徴量ｘ３が閾値を上回った場合に限定して吸引異常を検出してもよい。この場合、吸引異常時以外の例外的データをより確実に排除し、吸引異常をより的確に検出できる。

以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、チャックＣ１、真空ポンプ３０及び吸引管路網４０は、ウェハＷの反りの矯正を必要とする様々な処理ユニットに適用可能であるため、冷却板２２にも適用可能であり、熱処理ユニットＵ２以外の処理ユニットにも適用可能である。処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。

２…塗布・現像装置（基板処理装置）、２３…温度センサ、３０…真空ポンプ（負圧の発生源）、５０…主管路網、５１…第一主管路、５２…第二主管路、５３…第一接続点、５４…第二接続点、５５…第一主弁、５６…第二主弁、５７…第三主弁、６０…副管路網、６１…第一副管路、６２…第二副管路、６４…第二副弁（副弁）、１００…コントローラ、１２３…ストレージ（記録媒体）、Ｃ１…チャック（保持部）、Ｕ２…熱処理ユニット（熱処理部）、Ｗ…ウェハ（基板）、ｘ１…第一特徴量、ｘ２…第二特徴量、ｘ３…第三特徴量。

Claims (17)

1. 複数の基板を吸引によりそれぞれ保持する複数の保持部と、
   吸引用の負圧を前記保持部に伝達する主管路網及び副管路網と、を備え、
   前記主管路網は、
   負圧の発生源に接続された第一主管路と、
   前記第一主管路に沿って並ぶ複数の第一接続点においてそれぞれ前記第一主管路から延出し、前記複数の保持部にそれぞれ接続された複数の第二主管路と、
   前記複数の第二主管路と前記負圧の発生源との間に介在するように前記第一主管路に設けられた第一主弁と、
   隣り合う前記第一接続点同士の間にそれぞれ介在するように前記第一主管路に設けられた複数の第二主弁と、
   前記複数の第二主管路にそれぞれ設けられた複数の第三主弁とを有し、
   前記副管路網は、
   前記負圧の発生源に接続された第一副管路と、
   前記第一副管路から延出し、前記保持部と前記第三主弁との間の第二接続点において前記複数の第二主管路にそれぞれ接続された複数の第二副管路と、
   前記複数の第二副管路にそれぞれ設けられた複数の副弁とを有する、基板処理装置。
2. 前記第一主弁、前記第二主弁、前記第三主弁及び前記副弁を制御するコントローラを更に備え、
   前記コントローラは、
   （ａ） いずれの前記保持部においても吸引異常が検出されていない場合に、前記第一主弁、前記第二主弁及び前記第三主弁を開き、全ての前記副弁を閉じること、
   （ｂ） 一部の前記保持部において吸引異常が検出され、他の前記保持部において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出された前記保持部に対応する前記第三主弁を閉じ、当該第三主弁に対応する前記副弁を開くこと、
   （ｃ） 前記（ｂ）により前記保持部の吸引異常が解消した場合に、当該保持部に対応する前記第二主管路のうち、前記第一接続点と前記第二接続点との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
   （ｄ） 前記（ｂ）により前記保持部の吸引異常が解消しない場合に、当該保持部に対応する前記第二主管路のうち、前記第二接続点と前記保持部との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
   （ｅ） 前記吸引異常の原因箇所を報知すること、
   を実行するように構成されている、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記コントローラは、
   （ｆ） 前記（ｃ）の後、前記（ｅ）の前に、前記吸引異常の原因箇所に対応する前記第一接続点に隣接する全ての前記第二主弁を閉じ、当該第一接続点に対して前記第一主弁の逆側に位置する全ての前記第三主弁を閉じ、当該全ての第三主弁にそれぞれ対応する全ての前記副弁を開くこと、
   （ｇ） 前記（ｄ）の後、前記（ｅ）の前に、前記吸引異常の原因箇所に対応する前記第二副管路の副弁を閉じること、
   を更に実行するように構成されている、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記コントローラは、
   （ｈ） いずれかの前記第二主弁に対して前記第一主弁の逆側に位置する複数の前記保持部の全てにおいて吸引異常が検出され、前記（ｂ）により当該複数の保持部の全てにおいて吸引異常が解消した場合に、当該第二主弁を挟む二つの前記第一接続点同士の間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
   を更に実行し、前記（ｈ）を実行する場合には前記（ｄ）を実行しないように構成されている、請求項２又は３記載の基板処理装置。
5. 前記コントローラは、
   （ｉ） 前記（ｈ）の後、前記（ｅ）の前に、前記吸引異常の原因箇所を挟む二つの前記第二主弁を閉じ、前記吸引異常の原因箇所の両端部をなす二つの前記第一接続点と、当該二つの前記第一接続点に対して前記第一主弁の逆側に位置する全ての前記第一接続点とにそれぞれ接続された複数の第三主弁を閉じ、当該複数の第三主弁にそれぞれ対応する複数の前記副弁を開くこと、
   を更に実行するように構成されている、請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記コントローラは、
   （ｊ） 全ての前記保持部において吸引異常が検出された場合に、前記第一主弁を閉じ、全ての前記副弁を開くこと、
   （ｋ） 前記（ｊ）により吸引異常が解消した場合に、前記第一主管路のうち、全ての前記第一接続点に比べ前記負圧の発生源側に位置する部分が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
   を更に実行し、前記（ｊ）を実行する場合には前記（ｂ）を実行しないように構成されている、請求項２〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
7. 前記コントローラは、
   （ｌ） 前記（ｋ）の後、前記（ｅ）の前に、全ての前記第三主弁を閉じること、
   を更に実行するように構成されている、請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記コントローラは、
   （ｍ） 前記（ｊ）により吸引異常が解消しない場合には、全ての前記第三主弁を閉じること、
   （ｎ） 前記（ｍ）により吸引異常が解消しない場合に、前記第一主管路及び前記第一副管路と前記負圧の発生源との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
   を更に実行するように構成されている、請求項６又は７記載の基板処理装置。
9. 前記コントローラは、
   （ｏ） 前記（ｍ）により吸引異常が解消した場合に、前記第三主弁を順次開くこと、
   （ｐ） 前記（ｏ）により吸引異常が再発した場合に、再発直前に開放した前記第三主弁と、当該第三主弁に隣接する弁との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
   を更に実行するように構成されている、請求項８記載の基板処理装置。
10. 複数の前記保持部にそれぞれ保持された複数の前記基板をそれぞれ加熱又は冷却するための複数の熱処理部と、
    前記複数の熱処理部における温度をそれぞれ検出する複数のセンサと、を更に備え、
    前記コントローラは、
    （ｑ） 前記センサによる検出値から複数種類の特徴量を抽出し、前記複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
    を更に実行するように構成されている、請求項２〜９のいずれか一項記載の基板処理装置。
11. 前記コントローラは、前記発生確率が閾値を下回るのに応じて吸引異常を検出する、請求項１０記載の基板処理装置。
12. 前記コントローラは、繰り返し算出された複数の前記発生確率が下降傾向を示すのに応じて吸引異常を検出する、請求項１０又は１１記載の基板処理装置。
13. 前記コントローラは、前記複数種類の特徴量として、
    前記保持部が前記基板を保持した後に、前記センサによる検出値が目標温度に到達する前に、前記センサによる検出値が前記目標温度から乖離した量の最大値である第一特徴量と、
    前記保持部が前記基板を保持した後に、前記センサによる検出値が目標温度に到達するまでの時間である第二特徴量と、
    前記保持部が基板を保持した後、前記センサによる検出値が目標温度に到達した後に、前記センサによる検出値が前記目標温度から乖離した量の最大値である第三特徴量とを抽出する、請求項１０〜１２のいずれか一項記載の基板処理装置。
14. 前記コントローラは、
    前記第一特徴量が閾値を下回り、且つ前記第二特徴量が閾値を下回り、且つ前記第三特徴量が閾値を上回った場合に限定して吸引異常を検出する、請求項１３記載の基板処理装置。
15. 請求項１に記載の基板処理装置を用い、
    （ａ） いずれの前記保持部においても吸引異常が検出されていない場合に、前記第一主弁、前記第二主弁及び前記第三主弁を開き、全ての前記副弁を閉じること、
    （ｂ） 一部の前記保持部において吸引異常が検出され、他の前記保持部において吸引異常が検出されていない場合に、吸引異常が検出された前記保持部に対応する前記第三主弁を閉じ、当該第三主弁に対応する前記副弁を開くこと、
    （ｃ） 前記（ｂ）により前記保持部の吸引異常が解消した場合に、当該保持部に対応する前記第二主管路のうち、前記第一接続点と前記第二接続点との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
    （ｄ） 前記（ｂ）により前記保持部の吸引異常が解消しない場合に、当該保持部に対応する前記第二主管路のうち、前記第二接続点と前記保持部との間が吸引異常の原因箇所であると判定すること、
    （ｅ） 前記吸引異常の原因箇所を報知すること、
    を含む基板処理方法。
16. 複数の前記保持部にそれぞれ保持された複数の前記基板をそれぞれ加熱又は冷却するための複数の熱処理部と、前記複数の熱処理部の温度をそれぞれ検出する複数のセンサと、を更に備える前記基板処理装置を用い、
    （ｑ） 前記センサによる検出値から複数種類の特徴量を抽出し、前記複数種類の特徴量の発生確率を算出し、当該発生確率に基づいて吸引異常を検出すること、
    を更に含む、請求項１５記載の基板処理方法。
17. 請求項１５又は１６に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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